「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element that suppresses a degradation in light emission efficiency by relaxing an internal electric field generated in an active layer without depending upon In composition modulation effect.例文帳に追加

Ｉｎ組成変調効果に頼らず活性層に発生する内部電界を緩和して発光効率の低下を抑制した窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。 - 特許庁

The negative electrode is formed by installing, on a negative electrode current collector 101, a negative electrode active material layer 102 having a first layered region 102A and a second layered region 102B in this order.例文帳に追加

負極は、負極集電体１０１の上に、層状の第１の領域１０２Ａと第２の領域１０２Ｂとを順に有する負極活物質層１０２が設けられたものである。 - 特許庁

The active material includes a core containing a silicon oxide shown below in chemical formula 1, and a surface- treated layer with a metal oxide shown below in chemical formula 2.例文帳に追加

下記の化学式１で示されるシリコン酸化物を含むコアと、前記コアの表面を囲み、下記の化学式２で示される金属酸化物による表面処理層とを含む活物質。 - 特許庁

The positive electrode includes a positive electrode collector, a positive electrode active material layer formed at a positive electrode coating part of the positive electrode collector, and a positive electrode plain part located at a first side of the electrode group.例文帳に追加

正極は、正極集電体、正極集電体の正極コーティング部に形成される正極活物質層、および電極群の第１側に位置する正極無地部を含む。 - 特許庁

To obtain a stable oscillation mode while suppressing a deterioration in crystal quality of an active layer in a long-wavelength group III nitride semiconductor laser diode formed on a semi-polar primary surface.例文帳に追加

半極性の主面上に形成される長波長のIII族窒化物半導体レーザダイオードおいて、活性層の結晶品質の低下を抑制しつつ、安定した発振モードを得る。 - 特許庁

To provide a positive electrode collector excelling in adhesiveness to a positive electrode active material layer when used in a lithium ion battery, a method of manufacturing the same, and a positive electrode body for a lithium ion battery.例文帳に追加

リチウムイオン電池に用いた際、正極活物質層との密着性に優れた正極集電体、その製造方法およびリチウムイオン電池用正極体を提供する。 - 特許庁

A negative electrode 10 for the lithium ion battery includes a sheet-like negative electrode collector 1 having a plurality of projections 1a and flat portions 1b and a negative electrode active material layer 2.例文帳に追加

一実施形態のリチウムイオン電池用負極１０は、複数の凸部１ａと平坦部１ｂとを有するシート状の負極集電体１と、負極活物質層２とを備える。 - 特許庁

Then, the density on the electrode current collector side 16b of the electrode active material layer 16 is larger than the density on the opposite side 16a to the electrode current collector side.例文帳に追加

そして、電極活物質層１６における電極集電体側１６ｂの密度が電極集電体側と反対側１６ａの密度に比べて大きいことを特徴としている。 - 特許庁

The negative electrode plate 131 of a lithium ion secondary batter comprises a negative electrode collector plate 132, and a negative electrode active material layer 133 formed thereon.例文帳に追加

負極板１３１は、負極集電板１３２と、この負極集電板１３２上に形成された負極活物質層１３３とを備えるリチウムイオン二次電池用の負極板である。 - 特許庁

A power-supply voltage supplied to a circuit constituting an integrated circuit is controlled with a switching element, by using, as the switching element, a transistor having an oxide semiconductor as an active layer.例文帳に追加

酸化物半導体を活性層として有するトランジスタをスイッチング素子として用い、該スイッチング素子で、集積回路を構成する回路への電源電圧の供給を制御する。 - 特許庁

As the negative electrode active material, graphite structured of graphite with only a hexagonal crystal structure and a coating layer made of low crystalline carbon coating at least a part of the graphite is used.例文帳に追加

負極活物質としては、六方晶構造のみの黒鉛と該黒鉛の少なくとも一部を被覆する低結晶性炭素からなる被覆層とから構成される黒鉛を用いる。 - 特許庁

The active layer is formed to have a structure, in a direction perpendicular to the main radiation direction, so that heating of the semiconductor chip 1 by spontaneously emitted radiation 10 is reduced.例文帳に追加

活性層はこの主放射方向に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 - 特許庁

Then, the density on the electrode current collector side 16b of the electrode active material layer 16 is smaller than the density on the opposite side 16a to the electrode current collector side.例文帳に追加

そして、電極活物質層１６における電極集電体側１６ｂの密度が電極集電体側と反対側１６ａの密度に比べて小さいことを特徴としている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element having higher light emitting efficiency is realized by setting the number of pairs of well layers and barrier layers of an AlGaAs multiple quantum well active layer 5 to the optimum value.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ多重量子井戸活性層５の井戸層及びバリア層のペア数を最適な値にすることにより、発光効率の高い半導体発光素子を実現することができる。 - 特許庁

The groove 12A is formed by rolling by a roller formed with a convex section after a precursor layer containing the negative electrode active material and a binder is formed on a negative electrode current collector 11.例文帳に追加

溝１２Ａは、負極活物質と結着剤とを含む前駆層を負極集電体１１に形成したのち、凸状部を形成したローラーにより圧延することにより形成する。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element has a resonator structural body including an active layer 105, a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107 which are provided with the resonator structural body sandwiched therebetween.例文帳に追加

活性層１０５を含む共振器構造体と、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３及び上部半導体ＤＢＲ１０７とを有している。 - 特許庁

To achieve higher capacity and higher output of a nonaqueous electrolyte secondary battery using as an electrode material an active material with a coating layer of a conductive material formed on the surface of primary particles.例文帳に追加

電極材料として一次粒子の表面に導電材料の被覆層が形成された活物質を用いた非水電解液二次電池の高容量・高出力化を図る。 - 特許庁

An electrode plate for the battery includes a current collector having a substrate and a plurality of protrusions that are carried on the substrate; and an active material layer that is carried on the current collector.例文帳に追加

本発明の電池用電極板は、基材と前記基材上に担持された複数の突起部とを含む集電体、および前記集電体の上に担持された活物質層を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element and a nitride semiconductor light-emitting element that can suppress deterioration in the crystallinity of an active layer and have large current density and high luminous efficiency.例文帳に追加

活性層の結晶性の悪化を抑制することができ、大電流密度で発光効率の高い半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

An anode 50 has an anode active material layer 52 containing at least a kind from among a group consisting of a single body and a compound of silicon fitted to an anode collector 51.例文帳に追加

負極５０は、ケイ素の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む負極活物質層５２が負極集電体５１に設けられたものである。 - 特許庁

To securely deposit a sufficient amount of a conductive active material layer of a lead dioxide system on an electrode base material and eventually provide an electrode having high performance and long life.例文帳に追加

電極基材に対し、十分な量の二酸化鉛系の導電性活物質層を強固に担持させることができ、ひいては高性能で長寿命の電極を提供する。 - 特許庁

This adhesive tape type antiphlogistic sedative patch is obtained by forming an adhesive layer containing the nonsteroidal antiphlogistic sedative as the active ingredient and a percutaneous absorption promoter on a substrate.例文帳に追加

支持体上に、有効成分の非ステロイド系消炎鎮痛剤と経皮吸収促進剤とを含有する粘着剤層が形成された粘着テープ型消炎鎮痛貼付剤である。 - 特許庁

To prevent a gate insulation film at the lower part of a drain electrode from being etched during the process of etching a protective film by extending an active layer at the lower part further on one side of the drain electrode.例文帳に追加

ドレイン電極の一側に下部のアクティブ層をさらに延ばして、保護膜をエッチングする工程中ドレイン電極下部のゲート絶縁膜がエッチングされることを防止する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element in which the forward voltage is lowered through use of an active layer of multiple quantum well structure in order to widen application range to various products.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、順方向電圧の低い窒化物半導体を提供する。 - 特許庁

Since the center of emission of the active layer can be observed without removing the electrode, the cause of shortening lifetime due to the increase of dislocation can be cleared up readily.例文帳に追加

この構成によれば、電極を除去せずに活性層の発光中心を観察することができるので、転位の増殖による寿命不良の原因究明が容易になる。 - 特許庁

Also, the first insulation film 3b is formed in one side surface of the active region 3a, and is formed from the surface of the SOI layer 3 to a buried insulation film 2 across.例文帳に追加

また、第一の絶縁膜３ｂは、活性領域３ａの一方の側面に形成されており、かつ、ＳＯＩ層３の表面から埋め込み絶縁膜２にかけて形成されている。 - 特許庁

Insulation is maintained by making a columnar spacer (133) provided in a counter substrate (130) abut on a wiring layer, specially on an auxiliary capacity line (152) of an active matrix substrate (140).例文帳に追加

対向基板（１３０）に設けられた柱状スペーサ（１３３）をアクティブマトリクス基板（１４０）の配線層、特に補助容量線（１５２）上に当接させることにより、絶縁の維持を図っている。 - 特許庁

A skewer shaped intrinsic or substantially intrinsic semiconductor region 104 is formed with a mask when a pair of doped regions 102, 103 are formed in an active layer.例文帳に追加

活性層に一対の不純物領域１０２、１０３を形成する際にマスクによって串型形状の真性または実質的に真性な半導体領域１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a control device of a vehicle capable of appropriately performing purge when active charcoal in a canister has a multi-layer structure.例文帳に追加

キャニスタ内部の活性炭が多層構造の場合に、適切にパージを実行することが可能な車両の制御装置を提供することが可能な車両の制御装置を提供する。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser element comprises an upper DBR part 7, a lower DBR part 3, and an active layer 5 provided between the upper DBR part 7 and the lower DBR part 3.例文帳に追加

本発明の面発光半導体レーザ素子は、上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と、上部ＤＢＲ部７と下部ＤＢＲ部３との間に設けられた活性層５と、を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of suppressing the displacement of the cleavage position and the extension of a small dislocation to an active layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

へき開位置がずれるのを抑制すると同時に、微細な断層が活性層にまで延びるのを抑制することの可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor optical element 11a includes a group III nitride semiconductor base 13, a GaN-based semiconductor region 15, an active layer 17, and a GaN-based semiconductor region 19.例文帳に追加

III族窒化物半導体光素子１１ａは、III族窒化物半導体支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５、活性層１７及びＧａＮ系半導体領域１９を備える。 - 特許庁

A negative active material thin film installed directly or through a primary coat on a current collector layer has a multilayer structure containing two or more silicon thin films containing silicon as the main component.例文帳に追加

集電体層上に直接又は下地層を介して設けられる負極活物質薄膜がシリコンを主成分として含む２以上のシリコン薄膜を含む多層構造を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing composite particles for electrochemical element which is superior in roll formation, and by which the active material layer of an electrochemical element electrode can be manufactured at high formation speed.例文帳に追加

ロール成形性に優れ、電気化学素子電極の活物質層を高い成形速度で製造することが可能な電気化学素子電極用複合粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an all solid-state secondary battery capable of suppressing overvoltage and the expansion/contraction of an electrode active material layer, and preventing the discontinuation of a conductive path and a metallic ion conductive path.例文帳に追加

過電圧抑制、電極活物質層膨張・収縮の抑制、並びに、導電経路及び金属イオン伝導経路の断絶防止に優れた全固体二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide the structure of a surface-emitting semiconductor laser, wherein the returning light is unlikely to reach an active layer, even when vacancy is provided for controlling the transverse mode.例文帳に追加

面発光半導体レーザーにおいて、横モード制御のための空孔を設ける場合においても、戻り光が活性層に到達しにくい構造を提案することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 comprises an active layer 45 of multiple quantum well structure, and separation confinement heterostructure (SCH) layers 42, 44, 50 and 52.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられた分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層４２、４４、５０、５２を備えている。 - 特許庁

Subsequently, a gate insulating film and the two nitrogen-containing inorganic insulating films are partially opened by etching at the opening part of the organic resin film to expose the active layer of the TFT.例文帳に追加

そして、該有機樹脂膜の開口部において、ゲート絶縁膜と、２層の窒素を含む無機絶縁膜とをエッチングにより部分的に開口し、ＴＦＴの活性層を露出させる。 - 特許庁

The sheetlike patch for the pack has a base layer composed of a gel in which the prefixed active ingredient is uniformly dispersed and contains coenzyme Q10.例文帳に追加

シート状のパック用貼付剤において、予め定められた有効成分が均一分散されたゲル体からなる基剤層を有し、前記有効成分はコエンザイムＱ１０を含むものとした。 - 特許庁

An average peak position of an Si peak of Raman spectrum measured in a thickness direction of the active material layer after charge and discharge are carried out on the anode is 480 to 510 cm^-1.例文帳に追加

負極に対して充放電を行った後の、前記活物質層の厚み方向において測定されたラマンスペクトルのＳｉピークの平均ピーク位置が、４８０〜５１０ｃｍ^-1である。 - 特許庁

To provide a light emitting semiconductor element in which a specified peak wavelength can be obtained stably even when a distance between the upper surface of a DBR and the lower surface of a quantum well active layer varies slightly.例文帳に追加

ＤＢＲの上面と量子井戸活性層の下面との間の距離が多少ばらついても、所定のピーク波長が安定して得られる半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The laser oscillation element has quantum dots formed on a GaAs(311)A substrate in its active layer to a density of 2×10^10/cm^2 to 1×10^11/cm^2.例文帳に追加

レーザ発振素子において、その活性層は、２×１０^１０／ｃｍ^２〜１×１０^１１／ｃｍ^２の密度でＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に量子ドットが形成されている。 - 特許庁

The active layer 5 is formed into a structure perpendicular to the main radiation direction 6, and thereby the heating of the semiconductor chip 1 due to spontaneous emission radiation 10 is reduced.例文帳に追加

活性層５はこの主放射方向６に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 - 特許庁

To provide a current passage connected in parallel to an active layer of a light emitting diode LED to protect the LED from static electricity, which can be applied from the outside, without using a Zener diode.例文帳に追加

ツェナーダイオードの利用なしにも外部から流入可能な静電気から発光ダイオードを保護するために、発光ダイオードの活性層と並列に接続される電流通路を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has a p^+-type semiconductor area 41 which is a part of a surface portion of a semiconductor active layer 24 and is formed near a drain area 42.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体活性層２４の表面部分の一部であり、ドレイン領域４２の近傍に形成されているｐ^＋型の半導体領域４１を備えている。 - 特許庁