「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes manufacturing a laminated body in which a lower semiconductor DBR, a resonator structure including an active layer, an upper semiconductor DBR including a selectively oxidized layer etc., are laminated on a substrate; and etching the laminated body from an upper surface to form a mesa structure having at least the selectively oxidized layer exposed at a side surface.例文帳に追加

基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。 - 特許庁

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L.例文帳に追加

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。 - 特許庁

The process further includes: applying a second layer 114 in contact with the alkaline surface of the first resist pattern to expose the second layer to the active radiation (Fig. 1D), developing it (Fig. 1F), and removing a region of the second layer near to the first resist pattern to define an opening 118 between the first resist pattern and the second resist pattern.例文帳に追加

第２の層１１４を第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し第２の層を活性化放射線に露光（図１Ｄ）、現像（図１Ｆ）して、第１のレジストパターンの近傍の第２の層の領域が除去されて、前記第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとの間に開口１１８を画定する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a buffer layer grown using a growth substrate made of ZnO and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a nitrogen polar plane; and an active layer formed on the buffer layer and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a group III polar plane.例文帳に追加

ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。 - 特許庁

The photocatalyst layer 3 is constituted by filling a low temp. fused glass layer with a catalytically active granular material comprising an Ag-titanium oxide composite compsn. wherein an Ag metal layer is formed on the surface of a titanium oxide powder based on anatase.例文帳に追加

光触媒層３は、低温溶融ガラス層４ａに、触媒活性粒状物４が充填された構成であり、該触媒活性粒状物４は、アナターゼ（鋭錘石）を主体として構成された酸化チタン粉末の表面にＡｇ系金属層が形成されたＡｇ−酸化チタン系複合組成物とされている。 - 特許庁

The positive active material has a covering layer formed in at least one part of a composite oxide particle and comprising an oxide containing lithium (Li) and a covering element of nickel (Ni) or nickel (Ni) and manganese (Mn), and a surface layer formed in at least one part of the covering layer and containing vanadium (V).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、バナジウム（Ｖ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The cathode for the nonaqueous electrolyte secondary battery, in which a cathode mixture layer containing a cathode active material and an inorganic particle layer are sequentially formed on at least one surface of a cathode collector, is characterized in that the inorganic particle layer contains inorganic particles, lithium phosphate, and an aqueous binder.例文帳に追加

正極集電体の少なくとも一方の面に、正極活物質を含む正極合剤層と、無機粒子層とが順に形成された非水電解質二次電池用正極において、上記無機粒子層には、無機粒子と、リン酸リチウムと、水系バインダーとが含まれていることを特徴とするものである。 - 特許庁

To obtain a nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with superior input and output characteristics by using an easily graphitizable carbon in which the surface is covered with an amorphous carbon layer as a negative electrode active material of the nonaqueous electrolyte secondary battery, and by optimization of a range of thickness of the amorphous carbon layer and a range of filling density of the negative electrode mixture layer.例文帳に追加

非水電解質二次電池の負極活物質に非晶質炭素層で表面を被覆した易黒鉛化性炭素を用い、非晶質炭素層の厚みの範囲と負極合剤層の充填密度の範囲とを最適化することにより、優れた入出力特性を備えた非水電解質二次電池を得る。 - 特許庁

A portion of the p-type clad layer and the p-type contact layer constitute striped ridge portions 30a and 30b, and regions of the active layer which correspond to the ridge portions respectively are a laser projection end surface 32a for recording and a laser projection end surface 32b for reproduction, and laser beams 33a and 33b for recording and reproduction are emitted.例文帳に追加

ｐ型クラッド層の一部及びｐ型コンタクト層は、ストライプ状のリッジ部３０ａ、３０ｂを構成しており、活性層のうちリッジ部に対応する領域がそれぞれ、記録用レーザ出射端面３２ａ、再生用レーザ出射端面３２ｂとなっており、記録用、再生用レーザ３３ａ、３３ｂが放射される。 - 特許庁

This active substrate is provided with a semiconductor layer projection part 12A, projected from an extension part 12 by extending a semiconductor layer constituting the drain region of a TFT 4 and a gate metal projection part 7 formed by the same metal layer and in the same process as that of a gate busline 1 so that it is connected to a source busline 2 via a contact hole part 2A.例文帳に追加

ＴＦＴ４のドレイン領域を構成する半導体層を延在させた延在部１２から突出した半導体層突出部１２Ａを設け、ソースバスライン２にコンタクトホール部２Ａを介して接続されるようにゲートバスライン１と同じ金属層で同一工程で形成されたゲートメタル突出部７を設ける。 - 特許庁

Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 - 特許庁

A manufacturing method of an optical waveguide comprises a first step for forming a layer 910 containing a polymer 915; and a second step for forming a refractive index distribution in the layer 910 by irradiating the layer 910 with an active radiation beam 930, isomerizing or dimerizing a part of a chemical structure in the polymer 915.例文帳に追加

ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に対して活性放射線のビーム９３０を相対的に移動させつつ照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を異性化または二量化させ、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。 - 特許庁

A substrate 1, which supports a function layer comprising an active layer 3 and reflective mirrors 2 and 4, is transparent with respect to the oscillation wavelength, and an additional reflecting mirror 8 on the side opposite to the function layer of the substrate 1 and the reflecting mirror 2 on the substrate 1 side are used, so that a substrate part is used as an optical resonator.例文帳に追加

面発光レーザ装置では、活性層３と反射鏡２、４から成る機能層を支持する基板１が発振波長に対して透明であり、基板１の機能層側の反対にある追加的反射鏡８と基板１側の反射鏡２を用いて基板部分を光学共振器として使用する。 - 特許庁

The method for fablicating the Multiple Gate Field Effect transistor structure includes the steps of preparing the SOI type substrate having at least one active semiconductor layer, the buried insulator and a carrier substrate, and forming from the semiconductor layer the fin-like structure on the insulator layer, the fin-like structure forming a region for the transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure.例文帳に追加

該方法は、少なくとも１つの活性半導体層、埋込み絶縁体、およびキャリア基板を含むＳＯＩ型基板を用意するステップと、複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルのための領域を形成するフィン状構造を、半導体層から前記絶縁体層上に形成するステップとを含む。 - 特許庁

In a semiconductor light-emitting element with a first-conductive clad layer 3, an active layer 4 containing a quantum well, and a second- conductive clad layer 8 on a semiconductor substrate 1, at least one end face for forming a resonator in vacuum is heated by such method as the application of light, electron rays, or the like.例文帳に追加

半導体基板上に第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を有する半導体発光素子において、該活性層は、共振器を形成する少なくともひとつの端面近傍が、構成元素の一部が脱離することにより発振波長に対して透明化されていることを特徴とする。 - 特許庁

In short, GaN doped with n-type impurity such as Si, and GaN doped with p-type impurity such as InGaN and Mg, are sequentially epitaxial-grown on the recess 1a to form an n-type clad layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 for a high efficient and high output light emission region 2a.例文帳に追加

すなわち、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｍｇ等のｐ型不純物がドープされたＧａＮを凹陥部１ａ上に順次エピタキシャル成長させ、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を形成し、高効率かつ高出力な発光領域２ａを得る。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 100 (the nitride semiconductor element) includes a GaN substrate 10 with a grown main surface 10a, and an active layer 14 formed on the grown main surface 10a of the GaN substrate 10 and having a quantum well structure including a well layer 14a and a barrier wall layer 14b.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に形成され、井戸層１４ａと障壁層１４ｂとを含む量子井戸構造を有する活性層１４とを備えている。 - 特許庁

The composition for the overcoat layer for forming an overcoat layer on the surface of an ink layer formed by an inkjet system on the surface of a recording medium comprises an epoxy compound A, an oxetane compound P and a photocationic polymerization initiator X and is cured by an active energy ray.例文帳に追加

記録媒体の表面にインクジェット方式により設けられたインク層の表面にオーバーコート層を形成するためのオーバーコート層用組成物であって、エポキシ化合物Ａ、オキセタン化合物Ｐ、及び、光カチオン重合開始剤Ｘを含有し、活性エネルギー線により硬化するものであるオーバーコート層用組成物。 - 特許庁

The battery has a positive electrode mix layer containing a lithium nickel compound oxide and a negative electrode mix layer containing a negative active material capable of storing and releasing lithium, and the positive electrode mix layer includes 1-10 wt% of diniobium pentoxide (Nb_2O_5).例文帳に追加

リチウムニッケル複合酸化物を含む正極合材層とリチウムを吸蔵放出可能な負極活物質を含む負極合材層とを備えた非水電解質二次電池において、前記正極合材層中に五酸化二ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）を１〜１０ｗｔ％含有することを特徴とする非水電解質二次電池。 - 特許庁

To provide an oxygen separation membrane that can easily be prepared at a low cost and can suppress the formation of pinholes and cracks caused by the difference of the thermal expansion coefficient between its porous ceramic support layer and its active oxygen-separation layer consisting of a dense ceramic layer that conducts and separates oxygen ions, and to provide a method for preparing the same.例文帳に追加

酸素分離膜であって、製造に手間がかからず、しかも低コストであり、また酸素イオンを伝導分離するセラミックス緻密層よりなる酸素分離活性層と、多孔質セラミックス支持層との熱膨張率の違いによるピンホールやクラックの発生を抑制し得る、酸素分離膜、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The positive active material has a covering layer formed in at least a part of a composite oxide particle, comprising an oxide containing lithium (Li) and at least one covering element out of nickel (Ni) and manganese (Mn), and a surface layer formed in at least a part of the covering layer and comprising an oxide containing yttrium (Y).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、イットリウム（Ｙ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The light emitting element 12 has a structure of a lower clad layer 18, an active layer 20 acting as a waveguide and an upper clad layer 22 laminated on a substrate 16 and has an emitting plane 12a, formed by cleaving and a reflective plane 12b formed parallel to the emitting plane 12a by cleaving.例文帳に追加

発光素子１２は、基板１６上に、下側クラッド層１８、導波路として作用する活性層２０、上側クラッド層２２が順次積層された構造となっており、劈開によって形成された出射面１２ａと、同じく劈開によって形成され、出射面１２ａと平行な反射面１２ｂとを有している。 - 特許庁

The quantum cascade laser 1 is composed by using a laser element 10 of a semiconductor laminated body having a cascade structure of m1 stages, in which a quantum-well light-emitting layer and an implantation layer are alternately and vertically laminated, and including an active layer 20 for generating light by the transition between subbands in the quantum well structure.例文帳に追加

量子井戸発光層及び注入層が交互に、垂直方向に積層されたｍ１段のカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層２０を含む半導体積層体のレーザ素子部１０を用いて、量子カスケードレーザ１を構成する。 - 特許庁

This positive electrode active material for the alkaline storage battery is used in order to manufacture the positive electrode for the alkaline storage battery, and this is equipped with a core layer to contain nickel hydroxide and a surface layer to contain a cobalt compound and to coat the core layer, and this has been oxidation-treated using an oxidizer in an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

アルカリ蓄電池用正極活物質は、アルカリ蓄電池用正極を製造するために用いられるものであり、水酸化ニッケルを含む芯層と、コバルト化合物を含みかつ芯層を被覆する表面層とを備え、アルカリ水溶液中において酸化剤を用いて酸化処理されている。 - 特許庁

The cured substance layer composed of an inner layer of a cured coating composition (A) containing a compound having at least one polymerizable functional group which can be cured by active energy rays and the outermost layer of a cured coating composition (B) containing polysilazane and a lubricating agent is formed at least in a part of the surface of a base material.例文帳に追加

基材の表面の少なくとも一部に、活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を１個以上有する化合物を含む被覆組成物（Ａ）の硬化物である内層と、ポリシラザンと潤滑性付与剤とを含む被覆組成物（Ｂ）の硬化物である最外層とからなる硬化物層を形成する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加

表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Before a layer structure having at least one layer of a signal recording layer is formed on the surface of the supporting substrate made of a thermoplastic resin, the method includes a surface treatment process to treat the surface of the supporting substrate by disposing the substrate in an active gas atmosphere such as ozone and then to stop the surface treatment by using an inert gas such as nitrogen.例文帳に追加

熱可塑性樹脂製の支持基板表面に、少なくとも１層の信号記録層を含む層構造を形成するに先立ち、該支持基板をオゾンなどの活性ガス雰囲気中に置くことにより表面処理し、ついで、窒素などの不活性ガスで表面処理を停止する表面処理工程を具える。 - 特許庁

The buried insulating layer 14 is formed, an amorphous semiconductor is deposited on the active surface side of a semiconductor substrate 1 and an amorphous semiconductor film is formed on the surface of a support 12 and the side face sections of the buried insulating layer 14 while the inside of the buried insulating layer 14 is filled with the amorphous semiconductor.例文帳に追加

埋め込み絶縁層１４を形成した後、半導体基板１の能動面側に非晶質半導体を堆積し、支持体１２の表面と埋め込み絶縁層１４の側面部とに非晶質半導体膜を形成するとともに、埋め込み絶縁層１４中に非晶質半導体を充填する。 - 特許庁

To solve such a problem that a silicon active layer of an SOI substrate (SOI layer) is made smaller in thickness than heretofore, following fine structure of transistors, so that, after impurities area introduced into a complete depleted SOI transistor, etc., crystallization of an impurity diffused layer cannot be sufficiently restored even by annealing under heat treatment for example.例文帳に追加

トランジスタの微細化に伴い、ＳＯＩ基板のシリコン活性層（ＳＯＩ層）の厚さが従来よりも薄くなり、完全空乏型ＳＯＩトランジスタ等では、不純物を導入した後、例えば、熱処理によってアニールを行っても、不純物拡散層の結晶状態を充分に回復させることができない。 - 特許庁

The coverlay peeling sheet is manufactured by laminating a resin layer principally containing polyethylene formed by an extrusion laminating method on at least one surface of a base material and forming a peeling agent layer obtained by reaction with isocyanate having an active hydrogen-containing polymer and an aliphatic group of ≥8C on the resin layer.例文帳に追加

少なくとも基材の片面に、押し出しラミネート法にて形成したポリエチレンを主成分とする樹脂層を積層し、該樹脂層上に活性水素含有高分子および炭素数８以上の脂肪族基を有するイソシアネートと反応して得られる剥離剤層を形成するカバーレイ剥離シートである。 - 特許庁

A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁

A dyeable primer layer is disposed on the surface of a plastic lens substrate obtained by polymerizing and curing a composition for a plastic lens containing components (A), (B) and (C) as essential components with active energy beams and a dyeable silicone hard coat layer is disposed on the surface of the primer layer to obtain the objective plastic lens with a cured film.例文帳に追加

（Ａ）、（Ｂ）、および（Ｃ）成分を主成分として含有するプラスチックレンズ用組成物を活性エネルギー線により重合硬化して得られるプラスチックレンズ基材表面に、染色可能なプライマー層を設け、さらにその表面に染色可能なシリコン系ハードコート層を設けた硬化膜付きプラスチックレンズ。 - 特許庁

An InGaAsP guide layer 104, an MQW active layer 105 and a p-InP clad layer 106 are selectively grown on an n-InP substrate 101 by a selective MOVPE method by using a pair of SiO2 stripe masks 103, in such a way that the width of the stripe masks 103 is made wide according to an oscillation wavelength.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１０１上に、一対のＳｉＯ_2ストライプマスク１０３を用いて、前記ストライプマスク１０３の幅を、発振波長に応じて広くし、選択ＭＯＶＰＥ法によって、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０４、ＭＱＷ活性層１０５、およびｐ−ＩｎＰクラッド層１０６を選択成長させる。 - 特許庁

A manufacturing method of an optical waveguide comprises a first step for forming a layer 910 containing a polymer 915; and a second step for forming a refractive index distribution in the layer 910 by irradiating the layer 910 with an active radiation beam 930, isomerizing or dimerizing a part of a chemical structure in the polymer 915 to change a refractive index.例文帳に追加

ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に活性放射線のビーム９３０を照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を異性化または二量化させ、屈折率を変化させることにより、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。 - 特許庁

A manufacturing method of an optical waveguide comprises a first step for forming a layer 910 containing a polymer 915; and a second step for forming a refractive index distribution in the layer 910 by irradiating the layer 910 with an active radiation beam 930, isomerizing or dimerizing a part of a chemical structure in the polymer 915 to change a refractive index.例文帳に追加

ポリマー９１５を含有する層９１０を形成する第１の工程と、層９１０に活性放射線９３０を照射し、ポリマー９１５中の化学構造の一部を異性化または二量化させ、屈折率を変化させることにより、層９１０中に屈折率分布を形成する第２の工程と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 1 includes: a light emitting laser structure portion 2 composed of an n-type clad layer 6, an active layer 7 and a p-type clad layer 8; a semiconductor multilayer film 3 having a structure formed by alternately laminating the first semiconductor film and second semiconductor film, differing in refractive index from each other; and a pair of electrodes 4 and 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子１は、ｎ型クラッド層６、活性層７及びｐ型クラッド層８からなる発光レーザ構造部２と、互いに屈折率の異なる第１の半導体膜と第２の半導体膜とを交互に積層した構造を有する半導体多層膜３と、一対の電極４，５とを有する。 - 特許庁

On the surface of an opposite side to an active layer 3 of a second conduction type semiconductor crystal layer 4, a penetrating dislocation defective 11 is exposed, the internal surface of the penetrating dislocation defective 11 and its periphery are covered with a material (a coating portion 13) which has non-ohmic contact nature to a second conduction type semiconductor crystal layer 4.例文帳に追加

第２導電型半導体結晶層４の活性層３とは反対側の表面に貫通転位欠陥１１が露出し、貫通転位欠陥１１の内表面及びその周囲を、第２導電型半導体結晶層４に対して非オーミックコンタクト性の材料で被覆（被覆部１３）した。 - 特許庁

The quantum cascade laser includes a semiconductor substrate and an active layer 15 wherein a cascade structure provided on the substrate and having quantum well light emitting layers 17 and injection layers 18 stacked alternately is formed by stacking unit stacks 16 each comprising a quantum well light emitting layer 17 and an injection layer 18 in stages.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されることで発光層１７と注入層１８とが交互に積層されたカスケード構造が形成された活性層１５とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

On the substrate of a semiconductor on insulator having a dielectric layer 2 formed on a support substrate 1 and an active layer 3 formed on the dielectric layer 2, a P-type well region 4 is formed by the implantation of impurity ions, and at least one NMOS transistor 20 is formed in the P-type well region 4.例文帳に追加

本発明は、支持基板１上に形成される誘電体層２と、誘電体層２上に形成される活性層３とを有するＳＯＩ基板上に、不純物イオンの注入によりｐ型ウェル領域４を形成したものであり、ｐ型ウェル領域４には、少なくとも一つのNMOSトランジスタ２０が形成される。 - 特許庁

In an electrode body 60 for an all-solid battery comprising an electrode laminate including one or more of solid electrolyte layer 61 and one or more of active material layer 64, a separator layer is arranged in a direction intersecting the lamination direction of the electrode laminate so as to come into contact with the end of the electrode laminate.例文帳に追加

１以上の固体電解質層６１及び１以上の活物質層６４を含む電極積層体からなる全固体電池用電極体６０であって、電極積層体の端部に接するように、電極積層体の積層方向と交差する方向にセパレータ層が配置される、全固体電池用電極体。 - 特許庁

By putting this into a drying furnace 28, heating it to dry the applied active material slurry 12a, and making it pass between a pair of rollers 29 to be rolled, the electrode for alkaline storage battery provided with the active material layer 12 on both sides of the conductive core body 11 is obtained.例文帳に追加

ついで、乾燥炉２８内に投入して、塗着された活物質スラリー１２ａを加熱して乾燥させた後、一対の圧延ロール２９間に通して所定の厚みに圧延して、導電性芯体１１の両面に活物質層１２を備えたアルカリ蓄電池用電極を得るようにしている。 - 特許庁

The electrode for the lithium secondary battery has a thin film containing an active material storing/releasing Li formed on a collector, and the active material thin film has a surface layer made of nitride on its surface, with a thickness of more than 1 nm and smaller than 100 nm.例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用電極は、Liを吸蔵・放出する活物質を含有する薄膜が集電体上に形成されたリチウム二次電池用電極であって、活物質薄膜は、表面に窒化物から成る表面層を有し、表面層の厚さは、1nm超100nm未満であることを特徴とする。 - 特許庁

The electrical device has a substrate 12 including a transmissive low reflectivity layer 14; a first conductor 16 on the substrate 12; an active material 20 on the first conductor 16; and a second conductor 18 on the active material 20.例文帳に追加

本発明の電子装置は、光透過性の低反射率層１４を有する基板１２と、この基板１２上の第１の導電体１６と、この第１の導電体１６上の活性材料２０と、この活性材料２０上の第２の導電体１８とを備えている。 - 特許庁

To provide a recording method using an active ray curable ink, in which a high-quality image having a glossy feeling but no unevenness is obtained by emitting an active ray with a reduced height of ink dot, and a less amount of ink is needed for printing because of a thin layer.例文帳に追加

活性光線硬化性インクを用いる記録方法において、インクのドット高さを抑えた状態で活性光線を照射することにより、凹凸形状が無く、光沢感のある高画質な印刷画像が得られ、かつ薄層となるために少ないインク量で印刷が可能な記録方法の提供。 - 特許庁

The method for producing the filtration membrane having the active layer of the inorganic material by producing a sol solution of an inorganic substance, applying the sol solution to a porous support, and firing the porous support includes a step of producing the sol solution in the presence of a surface active agent.例文帳に追加

および無機物質のゾル液を調製したのち、該ゾル液を支持多孔体上に被覆し焼成して無機材質より成る活性層を有する濾過膜を作製する方法において、界面活性剤の存在下でゾル液を調製することを特徴とする上記膜の製造方法。 - 特許庁