「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable to use a GaP, GaInP mixed crystal, AlGaP mixed crystal, GaPSb mixed crystal, or AlGaPSb mixed crystal as the component of the electron barrier layer 16 when, for example, the active layer 14 is constituted of the GaInP mixed crystal.例文帳に追加

電子障壁層１６の構成材料としては、例えば、活性層１４がＧａＩｎＰ混晶により構成されている場合には、ＧａＰ，ＧａＩｎＰ混晶，ＡｌＧａＰ混晶，ＧａＰＳｂ混晶またはＡｌＧａＰＳｂ混晶が好ましい。 - 特許庁

To an Al-free semiconductor laser device which has a high output and high reliability and has 760 to 800 nm by compensating a strain in the active regions of a barrier layer and a quantum well layer, and to provide a reproducer/recorder for an optical disk using the same.例文帳に追加

バリア層と量子井戸層の活性領域における歪を補償し、高出力でありかつ信頼性の高い、７６０〜８００ｎｍのＡｌフリーの半導体レーザ装置、及びそれを用いた光ディスク用再生記録装置を提供する。 - 特許庁

The total thickness (about 3 μm) of the p-side electrode 10 and the p-side pad electrode 11 is larger than a distance (about 1.0 μm to about 2.1 μm) from the lower face of an n-type clad layer 3 below an MQW active layer 4 to the upper face of the ridge part.例文帳に追加

そして、ｐ側電極１０とｐ側パッド電極１１との合計厚み（約３μｍ）は、ＭＱＷ活性層４の下のｎ型クラッド層３の下面からリッジ部の上面までの距離（約１．０μｍ〜約２．１μｍ）よりも大きい。 - 特許庁

(1) The enteric release coating has a defined minimum thickness and/or (2) there is a protective layer between the pharmaceutically active amphetamine salt and the enteric release coating and/or (3) there is a protective layer over the enteric release coating.例文帳に追加

（１）腸溶放出剤皮が定められた最小厚みを持ち、およびまたは、（２）薬理活性アンフェタミン塩と腸溶放出剤皮との間に保護層があり、およびまたは、腸溶放出剤皮の上を覆う保護層があることを特徴とする送達システム。 - 特許庁

The semiconductor laser element, having a ridge 1 above an active layer 14, a support layer 2 having a recess 2a at least above the ridge 1 and protruding support portions 2b on the opposite sides of the recess 2a, is formed to cover at least the ridge 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、活性層１４の上方にリッジ１を有し、少なくともリッジ１を覆い、且つ少なくともリッジ１の上方に凹部２ａを有し、凹部２ａの両側に凸状のサポート部２ｂを有するサポート層２が積層された構成である。 - 特許庁

A sensor device 1 includes: first electrodes 11b, 11d, and 11f provided on an active surface 10a of a silicon substrate 10; a stress relaxation layer 15; and external connection terminals 12b, 12d, and 12f provided on the stress relaxation layer 15.例文帳に追加

センサーデバイス１は、シリコン基板１０の能動面１０ａ側に設けられた第１の電極１１ｂ，１１ｄ，１１ｆと、応力緩和層１５と、その応力緩和層１５上に設けられた外部接続端子１２ｂ，１２ｄ，１２ｆと、を含む。 - 特許庁

The light emitting diode comprises: a transparent substrate 51; semiconductor material layers 53 and 54 including an light emitting active layer 57 laminated on the top surface of the substrate and emitting light; and a fluorescent layer 59 formed on the back surface of the substrate 51 and having varied thicknesses.例文帳に追加

光透過性の基板５１と、基板５１の上面に積層され光を放出する活性層５７を備える半導体物質層５３、５４と、基板５１の背面に相異なる厚さ分布に形成された蛍光層５９と、を含む発光ダイオード。 - 特許庁

In the patch for external use containing the carboxylic acid medicine or the alkali salt thereof, particularly diclofenac sodium or loxoprofen sodium in the adhesive layer as the active ingredient, a peeled turning up or twisted turning up inhibitor is added to the adhesive layer.例文帳に追加

粘着剤層中にカルボン酸系薬物またはそのアルカリ塩、特にジクロフェナクナトリウムまたはロキソプロフェンナトリウムを有効成分として含有する外用貼付剤において、粘着剤層へ剥れ捲れまたは捩れ捲れ防止剤を添加する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of all solid lithium ion secondary battery in which thinness and large size necessary for high performance and high capacity of a lithium ion battery can be achieved and movement of an active material of an electrode material layer to the solid electrolyte layer side can be prevented.例文帳に追加

リチウムイオン電池の高性能化／高容量化に必要な薄膜化／大型化を実現し得ると共に、極材層の活物質が固体電解質層側に移動するのを防止し得る全固体リチウムイオン二次電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

When dry-etching both sides of the gate electrode 21 by using chlorine(Cl) and fluorine(F) which are brought into active states in plasma, etching is stopped in an etching stop layer (the barrier layer 17) by the relative selectivity of Al of this etching gas.例文帳に追加

ゲート電極２１の両側を、プラズマ中で活性状態となる塩素（Ｃｌ）およびフッ素（Ｆ）を含んだガスを用いてドライエッチングすると、このエッチングガスのＡｌに対する選択性によりエッチングストップ層（障壁層１７）でエッチングが停止する。 - 特許庁

The protecting insulation film 12B formed of the oxidized surface of the GaN group semiconductor layer deposited on a substrate 11 in advance is formed on an active region 12A formed of an unoxidized portion among portions of the GaN group semiconductor layer.例文帳に追加

予め基板１１上に堆積されたＧａＮ系半導体層の表面部が酸化されてなる保護絶縁膜１２Ｂが、ＧａＮ系半導体層のうち酸化されなかった部分よりなる活性領域１２Ａの上に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor dynamic quantity sensor 10 is provided with the wiring 32, which is formed by etching a silicon semiconductor crystal in which an active layer is stacked on the support board via an insulation layer and which connects respective fixed electrodes of a sensor element 12 with electrode pads 36.例文帳に追加

半導体力学量センサ１０は、支持基板の上に絶縁層を介して活性層を重ねたシリコン半導体結晶をエッチングすることにより形成され、センサ素子１２の各固定電極と電極パッド３６とを繋ぐ配線３２を備える。 - 特許庁

To prevent an electrode which is in contact with an uppermost semiconductor layer from being in contact with an active semiconductor layer which is directly involved with operations of other devices and from being separated from the mesa with respect to the mesa-structure semiconductor device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

メサ型半導体装置及びその製造方法に関し、最上層の半導体層と接する電極が、他の素子動作に直接関与する能動半導体層に接触することなく、且つ、電極がメサ上から浮かないようにする。 - 特許庁

Such a water-soluble acrylamide polymer can be produced at a high productivity by supplying a layer of an aqueous acrylamide monomer solution containing a photoinitiator onto a substrate and irradiating the layer with an active energy ray by changing the irradiation conditions.例文帳に追加

このような水溶性アクリルアミド系重合体は、光開始剤を含むアクリルアミド系単量体水溶液を基体上に層状に供給し、これに照射条件を変えて活性エネルギー線を照射することで生産性良く得られる。 - 特許庁

A shaft 3 and/or tunnel 4 are excavated toward a groundwater layer E from the ground surface of active lime containing soil 1, and carbonated water 20 or carbon dioxide eutrophied gas is poured into the groundwater layer E through the shaft 3 and/or tunnel 4.例文帳に追加

活性石灰含有土壌１の地表から地下水層Ｅに向けて縦坑３及び／または水平坑４を掘削し、該縦坑３及び／または水平坑４を経て地下水層Ｅに炭酸水２０または二酸化炭素富化ガス２５を注入する。 - 特許庁

An acceptor doped layer or/and an active function layer among thin films constituting the ZnO-based semiconductor element is/are not formed of ZnO alone, but formed of a Zn-based compound containing ZnO and other elements.例文帳に追加

ＺｎＯ系半導体素子を構成する薄膜のうち、アクセプタドープ層又はアクティブ機能層のいずれか、あるいは、アクセプタドープ層及びアクティブ機能層の両方をＺｎＯ単体で構成せずに、ＺｎＯと他の元素を含むＺｎＯ系化合物で構成する。 - 特許庁

A light emitting diode comprises: a transparent substrate 51; semiconductor material layers 53 and 54 including a light emitting active layer 57 laminated on a top surface of the substrate 51; and a fluorescent layer 59 formed on a back surface of the substrate 51 and having distribution of various thicknesses.例文帳に追加

光透過性の基板５１と、基板５１の上面に積層され光を放出する活性層５７を備える半導体物質層５３、５４と、基板５１の背面に相異なる厚さ分布に形成された蛍光層５９と、を含む発光ダイオード。 - 特許庁

After a field oxide film is formed on a semiconductor substrate and an active region of the substrate is set, a tunnel oxide film, a first conductive layer, an interlayer dielectric field, a second conductive layer, and a first insulating film are sequentially formed on the substrate.例文帳に追加

半導体基板の上部にフィールド酸化膜を形成して前記基板にアクティブ領域を設定した後、基板の上部にトンネル酸化膜、第１導電層、層間誘電膜、第２導電層、および第１絶縁膜を順次に形成する。 - 特許庁

The double-sided self-adhesive tape for fixing the decorative panel includes a self-adhesive agent layer containing air bubbles and/or hollow microspherical bodies, and the self-adhesive agent layer preferably comprises an acrylic self-adhesive agent, in particular, an active energy ray-curable acrylic self-adhesive agent.例文帳に追加

気泡及び／又は中空微小球状体を含有する粘着剤層を有することを特徴とし、上記粘着剤層は、アクリル系粘着剤、特に活性エネルギー線硬化型アクリル系粘着剤より構成されていることが好ましい。 - 特許庁

Subsequently, a support 7 is deposited on the stripping face of the single crystal SiC layer 1a of the deposition substrate 6 and the base substrate 3 is removed thus obtaining a structure where the support 7 is deposited on the single crystal SiC layer 1a becoming the active region of the element.例文帳に追加

続いて、堆積用基板６の単結晶ＳｉＣ層１ａの剥離面に支持体７を堆積させたのち、ベース基板３を除去し、素子の活性領域となる単結晶ＳｉＣ層１ａの上に、支持体７が堆積された構成とする。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery is provided with: a positive electrode; a negative electrode; an electrolyte layer interposed between the positive electrode and the negative electrode; and the armoring material; and characterized by forming the negative electrode by coating the inside surface of the armoring material with a negative electrode active material layer.例文帳に追加

本非水電解液二次電池は、正極と、負極と、正極と負極との間に介挿した電解質層と、外装材とを備え、負極が外装材の内面に負極活物質層を塗布して形成したことを特徴としている。 - 特許庁

An N-type clad layer 4 is grown into a shape like a chevron on a substrate 1 of sapphire or the like, and a plurality of nitride based III-V compound semiconductor layers including an active layer 6 are grown thereon into a shape like a chevron for the formation of a light emitting device structure.例文帳に追加

サファイア基板などの基板１上に山形にｎ型クラッド層４を成長させ、その上に活性層６を含む複数の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を山形に成長させて発光素子構造を形成する。 - 特許庁

Discrete active element chips 3 mounted on a circuit board 1 where wiring 2 is provided are coated with an electromagnetic wave absorbing layer 6, which is composed of an insulating resin of resistance 10^10 Ωcm or above and metal particles that are dispersed in it, through the intermediary of a coating resin layer 5.例文帳に追加

配線２を設けた回路基板１上に搭載した個々の能動素子チップ３を被覆樹脂層５を介して、１０^10Ωｃｍ以上の絶縁性樹脂中に金属粒子を分散させた電磁波吸収体層６で被覆する。 - 特許庁

If there is no microlens 30 inside the P-GaN layer 20, when light emitted from the active layer 10 travels through a path(A) having an angle(θ1) larger than a critical angle, the emitted light cannot be emitted outside since the light is subjected to total internal reflection, and the light travels to a path(B).例文帳に追加

活性層１０から放出される光が臨界角より大きい角度(θ１)を有する経路(Ａ)に進む時、Ｐ-ＧａＮ層２０の内部にマイクロレンズ３０が存在しない場合、全反射されて外部に放出できず、‘Ｂ'の経路に進む。 - 特許庁

To provide a coating composition for an active material layer capable of stably manufacturing an electrode plate for a nonaqueous electrolytic secondary battery high in capacity and superior in battery characteristics by preventing peeling-ff of a plywood layer in an electrode plate manufacturing process.例文帳に追加

極板製造工程での合材層剥がれを予防することにより、高容量で且つ電池特性に優れた非水電解液二次電池用極板を、安定して製造し得る活物質層用塗工組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device of surface light emission, a Bragg reflection mechanism comprising DBR multi-layer reflectors 64 and 69 on upper and lower layers sandwiching an active layer 66 is provided to restrict light emitting patterns by light quantum containment effect by the Bragg reflection mechanism.例文帳に追加

面発光型の半導体発光素子において、活性層66を挟む上下層にＤＢＲ多層反射鏡64および69からなるブラッグ反射機構を備え、ブラッグ反射機構による光の量子閉じ込め効果により発光パターンを制限する。 - 特許庁

The fuel cell with a single cell 20 has a hydrogen permeable metal layer 22 as a layer with catalyst metal which expedites reaction of reaction active material supplied to the fuel cell at the time of electric power generation by the fuel cell, and a cathode electrode 24.例文帳に追加

単セル２０を備える燃料電池は、燃料電池の発電時に燃料電池に供給される反応活物質の反応を促進する触媒金属を備える層として、水素透過性金属層２２およびカソード電極２４を備える。 - 特許庁

In the ink jet recording sheet having a coloring material accepting layer on the surface of a support, the coloring material accepting layer includes a surface active agent having a double bond, inorganic pigment fine particles and a water-soluble resin.例文帳に追加

支持体表面に色材受容層を有するインクジェット記録用シートであって、前記色材受容層は、二重結合を有する界面活性剤と、無機顔料微粒子と、水溶性樹脂と、を含むことを特徴とするインクジェット記録用シート。 - 特許庁

To provide a light emitting diode having an active region of a multiple quantum well structure in which well layers and barrier layers are alternately laminated between a nitride gallium based N-type compound semiconductor layer and a nitride gallium based P-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

The temperature compensation DBR layer 17 is configured to decrease in reflectivity to a predetermined wavelength band including an oscillation wavelength λx and a light emission wavelength λy (<λx) corresponding to a band gap of an active layer 13 as the wavelength becomes longer.例文帳に追加

温度補償ＤＢＲ層１７は、発振波長λｘと、活性層１３のバンドギャップに相当する発光波長λｙ（＜λｘ）とを含む所定の波長帯の反射率が長波長側に向かうにつれて小さくなるように構成されている。 - 特許庁

When light is generated from the active layer 21 and the generated light is strengthened by diffraction in the 2D photonic crystal layer 23, strong laser light is generated from the periphery of the upper electrodes 33 from which the current is led to the outside.例文帳に追加

これにより、活性層２１で光が発生し、その光が２次元フォトニック結晶層２３において回折により強められることにより、電流を導入した上部電極３３の周囲から外部に向かって強いレーザ光が発せられる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a semiconductor multilayer film formed by laminating a semiconductor layer and an active layer, and the light extraction plane having many projections formed on a surface, wherein topmost parts of the projections is flat surfaces parallel to the semiconductor multilayer film.例文帳に追加

半導体層と活性層とを積層した半導体多層膜と、表面に複数の凸部が形成された光取り出し面とを有し、前記凸部の最上部が前記半導体多層膜に対して平行な平坦面である半導体発光素子。 - 特許庁

The alumina inclusion layer 40 includes the γ-type alumina particle, thereby obtaining high bond strength between the alumina inclusion layer 40 and an electrode made up of metals, a collector 11 constituting the electrode or an active material 12, or the separator.例文帳に追加

アルミナ含有層４０がγ型アルミナ粒子を含むことによって、アルミナ含有層４０と、金属からなる電極、電極を構成する集電体１１もしくは活物質１２、またはセパレータとの間に高い接合強度が得られる。 - 特許庁

The restriction layer 4 has a plurality of piezoelectrics 8 laid in layers, and individual interconnection electrodes 9 and a common interconnection electrode 10 arranged between the piezoelectrics 8 of respective layers, and regulates displacement of the active layer 2 for one side.例文帳に追加

拘束層４は、互いに積層された複数の圧電体８と、各層の圧電体８間に配置された個別中継電極９及びコモン中継電極１０とを有し、一方側に対する活性層２の変位を規制する層である。 - 特許庁

Holes (electrons) injected from an electrode flow into the p (n)-type semiconductor clad layer 12 (13) bypassing the oxidized region 17, and enter the active layer at a place sufficiently removed from the inner wall of the holes 16, and there the holes and electrons recombine and emit light.例文帳に追加

電極から注入される正孔（電子）はp(n)型半導体クラッド層１２(１３)において酸化領域１７を避けて流れ、空孔１６の内壁から十分離れた位置で活性層に入り、正孔と電子が再結合して発光する。 - 特許庁

An easily separable tape having a pressure sensitive adhesive layer is stuck on a substrate of a current collector made of a long metallic foil in the length direction, and the active material layer is formed on the current collector other than the easily separable tape by stripe painting.例文帳に追加

長尺状の金属箔からなる集電体上の長手方向に基体上に粘着剤層を有してなる易剥離性テープを貼り付け、易剥離性テープを除いた集電体上に活物質層をストライプ塗工により形成する。 - 特許庁

This hard coated film is obtained by coating at least one side of a transparent base film with a hard coating layer consisting mainly of an active energy ray-polymerizable resin; wherein the hard coating layer contains inorganic microparticles each ≥1.5 in the ratio of the major axis to the minor axis.例文帳に追加

透明基材フイルムの少なくとも片面に活性エネルギー線重合性樹脂を主体とするハードコート層を塗設してなるハードコートフイルムであって、該ハードコート層に長軸／短軸比が１．５以上の無機微粒子を含有するハードコートフイルム。 - 特許庁

The dielectric film includes the current non-injection region 30 which covers an end of the ridge portion to block current injection to the active layer, and the current non-injection region of the dielectric film is formed in contact with the p-type contact layer.例文帳に追加

誘電体膜は、リッジ部の端部を覆うことにより、活性層に注入される電流を阻止する電流非注入領域３０を有し、誘電体膜の電流非注入領域はｐ型コンタクト層と接して形成されている。 - 特許庁

Consequently, a uniaxial compressive strain S (Fig.2) is applied, from the oxide layer 27 to a part of an active layer 22, directly under the ridge 25 in the direction perpendicular to the extending direction of the ridge 25 (i.e., in a direction parallel to the crystal orientation of [11-20]).例文帳に追加

これにより、酸化層２７から、活性層２２のうちリッジ部２５の直下の部分に対して、リッジ部２５の延在方向と直交する方向（［１１−２０］結晶方位と平行な方向）に一軸性の圧縮歪みＳ（図２参照）が印加される。 - 特許庁

The surface emitting laser has a laminate structure including a lower DBR mirror 103, an n-type lower semiconductor layer, an active layer 105, a p-type upper semiconductor laminate, and an upper DBR mirror 109 laminated in order on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。 - 特許庁

An LED using a group III nitride light emitting active region deposited on a base layer on a substratum exhibits improved optical characteristics regarding the base layer which has a thickness greater than 3.5 μm and grown on the substratum in which alignment is shifted intentionally.例文帳に追加

基層上のベース層に堆積させたIII族窒化物発光活性領域を用いたＬＥＤは、３.５μｍより大きい厚さを有する、意図的に位置合わせをずらした基層の上に成長させたベース層について向上した光学的特性を示す。 - 特許庁

The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.例文帳に追加

基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁

After an active layer 3, an etching stopping layer 4, and a cap layer 5 are successively grown on a substrate 1 composed of a III-V compound semiconductor, an element region is separately formed by subjecting it to mesa etching (first process), and a mask having an opening for controlling the width of a gate electrode G is formed on the formed mesa.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体からなる基板１上に活性層３、エッチング停止層４、およびキャップ層５を順に成長させた後、メサエッチングを施して素子領域を分離形成し（第１の工程）、上記メサ上にゲート電極Ｇの幅を規定する開口部を有するマスク１１を形成する。 - 特許庁

A two-dimensional photonic crystal laser according to the present invention has a laminated structure including an active layer 11, a first photonic crystal layer 121 having a periodic distribution of refractive index with a first period, and a second photonic crystal layer 122 having a periodic distribution of refractive index with a second period that differs from the first period.例文帳に追加

本発明に係る２次元フォトニック結晶レーザは、活性層と１１、第１周期で周期的屈折率分布を有する第１フォトニック結晶層１２１と、前記第１周期とは異なる第２周期で周期的屈折率分布を有する第２フォトニック結晶層１２２と、を含む積層構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is equipped with: a substrate 21 having a mesa portion 23 including an active layer 9 composed of compound semiconductor; an insulating layer 15 prepared on the substrate 21 so as to embed the mesa portion 23; and an electrode 17 electrically connected to the mesa portion 23 prepared on the insulating layer 15.例文帳に追加

半導体光デバイス１は、化合物半導体から構成される活性層９を含むメサ部２３を有する基板２１と、メサ部２３を埋め込むように基板２１上に設けられた絶縁層１５と、絶縁層１５上に設けられメサ部２３に電気的に接続された電極１７とを備える。 - 特許庁