「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a TFT which uses an amorphous oxide semiconductor in an active layer, and exhibits superior drive stability, where the threshold voltage does not vary, even if the TFT is driven continuously, and to provide a process of fabricating the TFT.例文帳に追加

活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴで、連続駆動しても閾値電圧の変動のない駆動安定性に優れたＴＦＴ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A space surrounded with an active matrix substrate 450, a spacer 442 and a cover member 440 is filled with a curable sealing material, and the curable sealing material is hardened to form a sealing layer 444.例文帳に追加

アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440で囲まれる空間に、硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて封止層444が形成される。 - 特許庁

A surface light emitting type semiconductor laser element chip, having a resonator structure including reflecting mirrors which are provided in the upper part and the lower part of an active layer emitting light, is specified as a laser chip.例文帳に追加

レーザチップは、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁

The active energy ray-curable coating agent which has used the resin composition as a base is prepared, is applied to the surface of a substrate, and is cured, thereby obtaining moldings such as ink-receiving layer.例文帳に追加

該樹脂組成物をベースにした活性エネルギー線硬化性コート剤を調製し、基材表面に塗布、硬化させることによりインク受理層等の成型品を得ることができる。 - 特許庁

The filling layer 64 is divided into a plurality of annular filling zones 67 by cylindrical walls 66, and movement of the active particles 63 in a radial direction is regulated by the walls 66.例文帳に追加

また、充填層６４は、円筒状の壁６６により、複数の環状の充填領域６７に区画され、活性粒子６３は、壁６６により径方向への移動が規制される。 - 特許庁

A groove Gr is formed on the collector 11 by the pressure of the nozzle tip 523a, and the coating liquid 52p is applied to cover the groove Gr to form an active material layer 121.例文帳に追加

ノズル尖端部５２３ａの圧接により集電体１１表面に溝Ｇｒが形成され、この溝Ｇｒを覆うように塗布液５２ｐが塗布され、活物質層１２１が形成される。 - 特許庁

Thus, internal short-circuit can be prevented by insulation of the film 22C, and exfoliation of the negative electrode active material layer 22B and decomposition of the electrolytic solution are restrained by the plurality of films.例文帳に追加

被膜２２Ｃの絶縁性によって内部短絡が防止されると共に、複数の被覆によって負極活物質層２２Ｂの剥落および電解液の分解が抑制される。 - 特許庁

Thereby, even if the thickness of the negative electrode active material thin film is increased, the thickness of the silicon thin film per one layer is prevented from increasing by increasing the number of layers in the silicon thin film.例文帳に追加

これにより、負極活物質薄膜の厚みを増大させても、シリコン薄膜の層数を増大させることにより、１層あたりのシリコン薄膜の厚みの増大を防止できる。 - 特許庁

Since the active region of the second element is formed by avoiding the border surface between the support substrate and the second semiconductor layer, the leak current is suppressed, thereby enhancing the characteristic of the device.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

Accordingly, the crystal defect that might otherwise be introduced in the semiconductor substrate 2 and an active layer 12 due to strain etc., can be restrained, resulting in suppression of the degradation of light emission characteristics of a semiconductor laser element 1.例文帳に追加

したがって、歪み等によって半導体基板２や活性層１２に結晶欠陥が生じることを抑え、半導体レーザ素子１の発光特性の劣化を抑止できる。 - 特許庁

To provide a non-aqueous electrolyte secondary battery having an increased adhesive strength with a current collector of an active material mixture layer and having an improved productivity of cells, and superior in cycle life characteristics of the battery.例文帳に追加

活物質合剤層の集電体との接着強度を高め、セルの生産性が高いとともに電池のサイクル寿命特性に優れた非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminating substrate includes positioning a wafer 11 for a small-diameter supporting substrate to a wafer 12 for a large-diameter active layer by first pressing a pushing board 35 against the orientation flat part 12a, and moving the wafer 12 substantially horizontally.例文帳に追加

小径な支持基板用ウェーハ１１と大径な活性層用ウェーハ１２との位置合わせは、まず押圧板３５をオリフラ部１２ａに押し当て、ウェーハ１２を略水平に移動させる。 - 特許庁

In this optical semiconductor device having the active layer composed of quantum dots 18a, 18b, 26a, and 26b, the quantum dots 18a, 18b, 26a, and 26b are formed on a plurality of surfaces having different normal line directions.例文帳に追加

量子ドットより成る活性層を有する光半導体装置であって、量子ドット１８ａ、１８ｂ、２６ａ、２６ｂが、法線方向が互いに異なる複数の面に形成されている。 - 特許庁

In a negative electrode active material layer 22B of the negative electrode 22, carbon black of Ketjenblack or the like is contained, and its content is 0.1 wt.% or more and 1.0 wt.% or less.例文帳に追加

負極２２の負極活物質層２２Ｂにはケッチェンブラックなどのカーボンブラックが含まれており、その含有率が０．１質量％以上１．０質量％以下となっている。 - 特許庁

The negative electrode 22 has a negative electrode film 22C on a negative electrode active material layer 22B installed on a negative electrode current collector 22A, and the negative electrode film 22C contains a radical capture compound.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａに設けられた負極活物質層２２Ｂ上に負極被膜２２Ｃを有しており、その負極被膜２２Ｃは、ラジカル捕捉化合物を含んでいる。 - 特許庁

A positive pole 210 and a negative pole 220 are so placed that a side end surface 214a of a positive pole active material layer 214 faces a surface 224a of the negative pole 220 over the entire perimeter.例文帳に追加

正極２１０と負極２２０とが、正極活物質層２１４の側端面２１４ａが全周にわたって負極２２０の表面２２４ａと向き合うように配設する。 - 特許庁

A peel strength between an anode collector 11 and the anode active material layer 12 is preferred to be 4mN/mm or more, or more desirably, 5mN/mm or more after being dipped in a solvent.例文帳に追加

負極集電体１１と負極活物質層１２との剥離強度は、溶媒に漬け込んだのちにおいて、４ｍＮ／ｍｍ以上、特に５ｍＮ／ｍｍ以上であれば好ましい。 - 特許庁

A plurality of primary particles grown in the thickness direction are present in the negative electrode active material layer 12B, and a plurality of secondary particles are formed by aggregation of the primary particles.例文帳に追加

負極活物質層１２Ｂには、厚み方向に成長して形成された複数の１次粒子があり、この１次粒子が集合して複数の２次粒子を形成している。 - 特許庁

Word activation blocks WA1 to WA4 are laid out in an X address decoder XDAI, and word active signals WS1 to WS4 are wired in parallel between main words in the same wiring layer as the main vords MWI to MW16.例文帳に追加

Ｘアドレスデコーダ（XDA1）内にワード活性化ブロック（WA1〜WA4）を配置し、ワード活性信号（WS1〜WS4）をメインワード（MW1〜MW16）と同層の配線層にてメインワード間に平行に配線したことを特徴としている。 - 特許庁

To realize further improvement in a method of manufacturing semiconductor device in which drop of transistor characteristic can be prevented by preventing formation of a channel-stop implantation layer within an active region.例文帳に追加

チャネルストップ注入層が活性領域に形成されることを防止して、トランジスタ特性の低下を防止した半導体装置の製造方法において、さらなる改良を施す。 - 特許庁

An active layer 53, and a laser oscillator 60, including a two-dimensional photonic crystal 55 for arranging a circular hole 552 in a square lattice shape are provided between two electrodes 571, 572.例文帳に追加

２個の電極５７１及び５７２の間に、活性層５３と、円形の空孔５５２を正方格子状に配置した２次元フォトニック結晶５５を含むレーザ発振部６０を設ける。 - 特許庁

The InP layer 14 is equipped with p-type clad regions 14a and 14b arranged on the active layers 12a and 12b respectively, and an element isolation region 14c interposed between the clad regions 14a and 14b.例文帳に追加

このＩｎＰ層は、各活性層上に配置されたｐ型クラッド領域１４ａ、１４ｂと、それらのクラッド領域の間に介在する素子分離領域１４ｃを有している。 - 特許庁

In a producing step for the negative electrode for use in lithium secondary battery, a mixture layer 2 containing an active material and a binder is coated on the surface of a metallic foil 1 and thermal treatment is applied after drying it.例文帳に追加

リチウム二次電池用負極を製造する過程で、金属箔１の表面上に活物質、結着剤を含む合材層２を塗布、乾燥した後に加熱処理を施す。 - 特許庁

In the negative active material layer 12B, a plurality of primary particles 123 grown in the thickness direction in formation, and the primary particles are gathered for forming a plurality of secondary particles.例文帳に追加

負極活物質層１２Ｂには、厚み方向に成長して形成された複数の１次粒子１２３があり、この１次粒子が集合して複数の２次粒子を形成している。 - 特許庁

As shown in chart (b) in Fig.3, meanwhile, a VCSEL that has suffered ESD damage exhibits, when it has a damaged active layer, an emission spectrum showing a smaller number of peaks than the initial number of peaks.例文帳に追加

一方、図３（ｂ）に示すように、ＥＳＤダメージを受けたＶＣＳＥＬは、活性層にダメージがある場合、当初のピーク数よりも少ないピークを示す発光スペクトラムが得られる。 - 特許庁

In charging and discharging with the positive electrode body 1 in a battery, pulverization and inactivation due to volumetric change of the positive electrode active material layer 12 are suppressed and the excellent charge-discharge cycle characteristics are achieved.例文帳に追加

この正極体１を電池に用いて充放電した際、正極活物質層１２の体積変化による微粉化・不活化を抑制して、優れた充放電サイクル特性を実現できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bonded wafer which is inexpensive and excels in productivity without complicating polishing work, and can easily control the thickness of an active layer in a desired standard.例文帳に追加

研磨作業が煩雑化することがなく、低コストで生産性に優れ、活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single-crystal substrate having an extremely flat surface such that a surface of an active layer of the SiC single-crystal substrate has a center-line average roughness of approximately 0.1 nm.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板の活性層表面の中心線平均粗さが、０．１ｎｍ程度と、極めて平坦な表面を持つＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する - 特許庁

To efficiently perform carrier injection into an active layer and suppress a drop of voltage at an electrode contact or the like, and to operate at a low threshold and a low voltage for high realiability.例文帳に追加

活性層へのキャリア注入を効率的に行うと共に、電極コンタクト等での電圧降下を抑制することができ、低しきい値、低電圧で動作し、高い信頼性を達成する。 - 特許庁

A field oxide film for electrically isolating an NMOS from a PMOS is formed by depositing a silicon oxide film on the active layer of an SOI substrate by using a LOCOS method.例文帳に追加

ＮＭＯＳとＰＭＯＳとを電気的に分離するフィールド酸化膜を、ＬＯＣＯＳ法を用いてＳＯＩ基板の活性層にシリコン酸化膜を成膜することにより形成する。 - 特許庁

Similarly, an insulating layer under a pixel electrode on an active matrix substrate is removed to form a groove, the pixel electrode is formed so as to cover the groove and the groove is made the alignment means instead of a slit.例文帳に追加

同様にアクティブ基板上の絵素電極下の絶縁層を除去して溝を形成し、この溝を覆うように絵素電極を形成してスリットに代えて溝を配向手段とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of making lithium stored uniformly in the thickness direction and over the whole area, in a planar direction of an active material layer of an anode.例文帳に追加

負極の活物質層の厚み方向及び平面方向の全域にわたって均一にリチウムを吸蔵させ得る非水電解液二次電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

The configuration described above forms a number of circular channel regions on the Si layer 5 of an active region and highly efficiently increase the channel width of the MOSFET diode.例文帳に追加

このような構成であれば、アクティブ領域のＳｉ層５に、多数の環状のチャネル領域を形成することができ、ＭＯＳＦＥＴダイオードのチャネル幅を効率良く広げることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having high joint efficiency with an optical fiber in which a luminous point position is controlled with a high degree of accuracy by reducing variation of an active layer stripe at etching.例文帳に追加

活性層ストライプのエッチング時のばらつきを低減し、発光点位置を高精度に制御した光ファイバーとの結合効率の高い半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁

In an active region of a semiconductor substrate, a conductive layer 32 and offset insulating film 23a are formed, while a side wall insulating film 24a on its side wall part, with an etching stopper film 25 formed on the entire surface.例文帳に追加

半導体基板の活性領域に導電層３２、オフセット絶縁膜２３ａおよびその側壁部にサイドウォール絶縁膜２４ａを形成し、全面にエッチングストッパ膜２５を形成する。 - 特許庁

The active layer has at least one channel forming region and three impurity doped regions or over, and each of the connection electrodes is respectively in contact with one different region among the doped regions.例文帳に追加

活性層は、少なくとも１つのチャネル形成領域と、３つ以上の不純物ドープ領域とを有しており、接続電極はそれぞれ異なる不純物領域の１つに接している。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can suppress reduction in element characteristics caused by an increase in the dislocation of an active region while suppressing cracking in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層にクラックが発生するのを抑制しながら、能動領域の転位の増加に起因する素子特性の低下を抑制することが可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

By oxidation treatment, the wettability of the conductive assistant is improved, and the dispersion performance in the negative electrode active material layer 22B is improved, and the electron conductivity of the negative electrode 22 is improved.例文帳に追加

酸化処理により導電助材の濡れ性が改善され、負極活物質層２２Ｂにおける分散性が向上し、負極２２の電子伝導性を向上させることができる。 - 特許庁

An optical active layer has a quantum confinement structure where micro particles about 1-10 nm in size, or quantum dot of material with large interaction between light and electron, are carried.例文帳に追加

光活性層を、光と電子の大きな相互作用を持つ物質の量子ドット、概ね１〜１０ｎｍ程度の大きなの超微粒子を担持させた量子閉じ込め構造とした。 - 特許庁

To provide an upper surface emission type light emitting device of active matrix type, having a positive electrode formed on the upper part of an organic compound layer serving as a light taking-out electrode.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の発光装置において、有機化合物層の上部に形成された陽極が光取り出し電極となる上面出射型の発光装置を提供する。 - 特許庁

Ohmic electrodes 14a and 14b as source and drain electrodes and a Schottky electrode 15 as a gate electrode are formed on the n-type gallium nitride active layer 13.例文帳に追加

当該ｎ型窒化ガリウム活性層１３上には、ソース電極及びドレイン電極としてのオーミック電極１４ａ、１４ｂと、ゲート電極としてのショットキー電極１５とを形成する。 - 特許庁

In an active substance layer of a paste type negative electrode plate, is comprised 0.2 to 2 wt.% of activating carbon, of which relative surface area is 1,500 m2/g or larger, to manufacture a lead battery with a miniature control valve.例文帳に追加

ペースト式負極板の活物質層に、比表面積が１５００m2/g以上の活性炭を０．２〜２質量％含有させて小形制御弁式鉛蓄電池を作製する。 - 特許庁

At least one out of the positive electrode 1 and the negative electrode 2 has a collector 2A and an active material layer 2B, and a lead 6 is electrically connected to an exposed part 21 of the collector 2A.例文帳に追加

正極１および負極２の少なくとも一方は集電体２Ａと活物質層２Ｂとを有し、集電体２Ａの露出部分２１にはリード６が電気的に接続されている。 - 特許庁

The metal core layer is formed therein with through-holes 40-2, 40-3 and a counter sinking 42, which have passive components 20-1, 20-2 and an active component 22 located therein respectively.例文帳に追加

金属コア層には、貫通孔４０−２、４０−３および座繰り４２が形成され、それぞれの内部に受動部品２０−１、２０−２および能動部品２２が配置される。 - 特許庁