「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

To inhibit etching of an island-like semiconductor film which is an active layer, in etching a raised region, in a semiconductor device having a raised source and drain structure.例文帳に追加

せり上げ構造を有する半導体装置において、せり上げる領域をエッチングする際に、活性層である島状半導体膜がエッチングされるのを抑制する。 - 特許庁

The preferred active material is silver vanadium oxide (SVO) coated with a protective layer of an inert metal oxide (M_xO_y) or lithiated metal oxide (Li_xM_yO_z).例文帳に追加

好ましい活物質は、不活性金属酸化物（Ｍ_ｘＯ_ｙ）あるいはリチウム化された金属酸化物（Ｌｉ_ｘＭ_ｙＯ_ｚ）の保護層で被覆された酸化バナジウム銀（ＳＶＯ）である。 - 特許庁

The lithium secondary battery has a positive electrode, a negative electrode containing a negative active material layer comprising an amorphous silicon film, and a nonaqueous electrolyte 9 added with aluminum iodide.例文帳に追加

このリチウム二次電池は、正極と、非晶質シリコン膜からなる負極活物質層２を含む負極と、ヨウ化アルミニウムが添加された非水電解質９とを備えている。 - 特許庁

To achieve a uniform and optimum recrystallization process by laser annealing on a semiconductor thin film as an active layer of a thin film transistor and to reduce resistance of gate wiring.例文帳に追加

薄膜トランジスタの活性層となる半導体薄膜のレーザアニールによる再結晶化処理を均一化及び最適化するとともに、ゲート配線の低抵抗化を図る。 - 特許庁

A negative electrode plate 131 for a lithium ion secondary battery includes a negative electrode collector plate 132 and a negative electrode active material layer 133 formed on the negative electrode collector plate.例文帳に追加

負極板１３１は、負極集電板１３２とこの上に形成された負極活物質層１３３とを備える、リチウムイオン二次電池用の負極板である。 - 特許庁

To provide an improved edge emission type semiconductor laser capable of moderating heat generation by non-emissive re-coupling in a side facet of a semiconductor laser in an active layer.例文帳に追加

半導体レーザの側方ファセットにおける非放射性再結合による熱発生がアクティブ層において緩和される、改善されたエッジ発光型半導体レーザを提供する - 特許庁

To provide a piezoelectric element in which crosstalk between adjacent individual electrodes in an active layer, and deformation of an element to the side opposite to a displacement transmitting surface are prevented certainly.例文帳に追加

活性層における隣り合う個別電極間のクロストークや、変位伝達面の反対側への素子変形を確実に防止することができる圧電素子を提供する。 - 特許庁

To provide composite particles, in forming an active material layer of an electrochemical element electrode, with an improved diffusion property of electrolytic ions, and resistance lowered of the electrodes.例文帳に追加

電気化学素子用電極の電極活物質層を形成する複合粒子において、電解質イオンの拡散性を向上し、電極を低抵抗化すること。 - 特許庁

With respect to the semiconductor device, there is provided in the position of an opening present just under its active element a conductor layer for filling therewith the opening, and other conductor layers are also formed in the positions having no opening.例文帳に追加

半導体装置において、能動素子直下の開口の位置に開口を充填するための導体層を有し、開口のない位置にも導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device having an active layer of Zn_1-XMg_XO in which Zn_1-XMg_XO (wherein X is more than 0.33) is available.例文帳に追加

Ｚｎ_１−ＸＭｇ_ＸＯを活性層とした発光デバイスにおいて、Ｘ＝０．３３を超えるＺｎ_１−ＸＭｇ_ＸＯを利用可能とすることを課題とする。 - 特許庁

In the TFT, spacings between contact holes 13a, 13b, 13c, 13d, 13e are made to be narrow, as it advances from the center portions toward both the ends of source region 7 and drain region 8 of active layer 5 in the longitudinal direction.例文帳に追加

活性層５のソース領域７およびドレイン領域８の長手方向の中央部から両端部に向けてコンタクトホール13a,13b,13c,13d,13eの間隔を徐々に狭くする。 - 特許庁

To provide an element which prevents a crystal defect due to damage generated during etching processing from propagating to an active layer by a current conducting operation and has a long operation lifetime.例文帳に追加

エッチング加工時に生じた損傷による結晶欠陥が、通電動作によって活性層に伝播することを防ぎ、動作寿命の長い素子を提供する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition which forms a coating layer excellent in coating film physical properties, antistatic properties and optical properties.例文帳に追加

塗膜物性に優れると共に帯電防止性と光学特性に優れたコーティング層を形成する活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated substrate for preventing a wafer for an active layer and a wafer for a support substrate from being exfoliated from an adhered border at exfoliation heat treatment.例文帳に追加

剥離熱処理時に、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの貼り合わせ界面からの剥離を防止する貼り合わせ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cathode collector is put under annealing treatment beforehand so as to enable to follow expansion and contraction of the cathode active material layer accompanying charge and discharge of the battery.例文帳に追加

正極集電体は、予めアニール処理を施しておき、電池の充放電に伴う正極活物質層の膨張、収縮に追従できるようにしておく。 - 特許庁

On at least one side of a plastic film, a printed layer A printed with a solvent ink in which a binder resin is a resin not containing nitrogen atoms having an unshared electron pair is formed and, on the surface of the printed layer A, a printed layer B printed with a cationic polymerizable active energy ray curing type ink is formed without depending on another layer.例文帳に追加

プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、非共有電子対を有する窒素原子を含まない樹脂をバインダー樹脂とする溶剤型インキによる印刷層Ａが形成され、さらに該印刷層Ａの表面に、カチオン重合性活性エネルギー線硬化型インキによる印刷層Ｂが他の層を介さずに形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor laser element which has a substrate, a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer, in this order, the upper clad layer is a ridge stripe shape extending in the direction of a resonator, and a p-type electrode is formed in the upper surface of the ridge stripe.例文帳に追加

本発明では、基板と、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層とをこの順に有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であり、ｐ型電極が前記リッジストライプ上面に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

After bonding the buried insulating film 2 side to a supporting substrate 1, a part of the silicon substrate 20 is peeled off at the place of the ion implantation layer 21 by heat-treating, to form the active layer 3, and the amorphous layer 22 is turned polycrystalline by further heat-treating, to form a polycrystalline silicon layer 4 functioning as a gettering site.例文帳に追加

そして、埋込絶縁膜２側を支持基板１に貼り合せたのち、加熱処理することでイオン注入層２１の場所でシリコン基板２０の一部をスマートカット法にて剥離させることで活性層３を形成し、さらに加熱処理することでアモルファス層２１を多結晶化させてゲッタリングサイトとして機能する多結晶シリコン層４を形成する。 - 特許庁

The chromaticity conversion layer 15 has a multi quantum well structure formed, by alternately laminating a well layer and a barrier layer, with each being made of, for example, GaInN at a different composition ratio, so as to absorb the ultraviolet light emitted from the active layer and emit a light of a predetermined wavelength (in a red band, a green band, or a blue band).例文帳に追加

色度変換層１５は、例えば、組成比の互いに異なるＧａＩｎＮによりそれぞれ形成された井戸層およびバリア層を交互に積層してなる多重量子井戸構造となっており、活性層から発せられた紫外光を吸収し、所定の波長（赤色帯、緑色帯、青色帯）の光を発するようになっている。 - 特許庁

The manufacturing method of a nitride semiconductor laser element includes the steps of: laminating an n-type epitaxial layer, an active layer 14, and a p-type epitaxial layer; forming a waveguide structure by a striped ridge part 19 on the p-type epitaxial layer; and forming a photoresist film 70 to be shaped to cover only the ridge part 19.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型のエピタキシャル層と、活性層１４と、ｐ型のエピタキシャル層とを積層する工程と、ｐ型のエピタキシャル層にストライプ状のリッジ部１９による導波路構造を形成する工程と、リッジ部１９のみを被覆する形状となるようにフォトレジスト膜７０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The image display device is provided with: a transparent electrode layer; a field-effect transistor having a gate insulating film and a semiconductor active layer containing an organic compound; a display layer whose optical characteristics change according to an electric field; and a layer containing an optical brightening agent absorbing ≥90% of light of 200 to 410 nm.例文帳に追加

支持体上に、透明電極層と、ゲート絶縁膜及び有機化合物を含有する半導体活性層を有する電界効果型トランジスタと、電界に応じて光学特性が変化する表示層と、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を９０％以上吸収する蛍光増白剤を含む層と、を有することを特徴とする画像表示装置。 - 特許庁

A surface emitting laser 1 includes a DBR portion 5 in which a DBR semiconductor layer 5a and a DBR semiconductor layer 5b are alternately arranged; a DBR portion 9; a mesa portion 19 provided between the DBR portions 5 and 19, and including an active layer 13; and a group III-V compound semiconductor layer 17 provided on a side surface 9a of the mesa portion 9.例文帳に追加

面発光レーザ１は、ＤＢＲ半導体層５ａとＤＢＲ半導体層５ｂとが交互に配列されたＤＢＲ部５と、ＤＢＲ部１９と、ＤＢＲ部５とＤＢＲ部１９との間に設けられ活性層１３を含むメサ部９と、メサ部９の側面９ａ上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１７とを備える。 - 特許庁

In the color filter 11, the overcoat layer 12 comprising a cured material layer 16 of a coating composition (A) containing a polyfunctional compound having two or more polymerizable functional groups curable with active energy beams and a cured material layer 17 of a coating composition (B) containing a polysilazane is formed on the surface of a colored layer 15 formed on one face of a substrate 13.例文帳に追加

カラーフィルタ１１において、基板１３の一方の面に形成された着色層１５の表面に、活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を２個以上有する多官能性化合物を含有する被覆組成物（Ａ）の硬化物層１６とポリシラザンを含有する被覆組成物（Ｂ）の硬化物層１７からなるオーバーコート層１２を形成する。 - 特許庁

The inkjet recording paper sheet is coated with an ink fixing agent or provided with at least one layer of an ink absorbing layer, an ink fixing layer and a gloss developing layer on the support for inkjet recording, which is subjected to a surface treatment with a coating solution containing at least active silica on the surface of the base paper consisting essentially of cellulose pulp.例文帳に追加

主成分としてセルロースパルプからなる原紙の表面に、少なくとも活性珪酸を含む塗液で表面処理したことを特徴とするインクジェット記録用支持体上に、インク定着剤を塗工、または、インク吸収層、インク定着層、光沢発現層の少なくとも1層を設けたことを特徴とするインクジェット記録用紙である。 - 特許庁

Namely, in a nitride gallium light-emitting device, there are provided: the graphite strip 2 used as one electrode; an active layer put between an n-type gallium nitride semiconductor layer 3 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 5 on a part or the whole of a front surface of the graphite strip; and a partial electrode 6 used as the other electrode in an outermost semiconductor layer.例文帳に追加

すなわち、窒化ガリウム系発光素子において、一方の電極となるグラファイトストリップと、該グラファイトストリップの表面の一部又は全面に、ｎ型窒化ガリウム半導体層とｐ型窒化ガリウム半導体層に挟まれた活性層と、前記最外層の半導体層に他方の電極となる部分電極と、を設けた線状発光素子である。 - 特許庁

A thin film transistor circuit layer 14 wherein thin film transistors 18 are disposed for every pixel for selecting the pixels and elongating time for applying voltage to the stress imparting elements and active matrix system electric wiring lines 20 selectively driving the respective thin film transistors are formed is provided and the magneto-optical layer, the piezoelectric layer and the thin film transistor circuit layer are layered in this order.例文帳に追加

画素の選択及び応力付与要素への電圧印加時間の延長のために各画素毎に薄膜トランジスタ１８を配設すると共に、各薄膜トランジスタを選択駆動するアクティブ・マトリックス式電気配線２０を形成した薄膜トランジスタ回路層１４を具備し、磁気光学層、圧電層、薄膜トランジスタ回路層の順序で積層されている。 - 特許庁

Further, an outer alumina layer 28 is formed by covering the surface of the inner alumina layer 26 with the particles 24 whose surfaces are coated with active metal particles 27 of mean particle size of 1 to 500 nm, and the thickness of the layer 28 is 5 nm to 100 μm, and its porosity is the same as or bigger than that of the layer 26.例文帳に追加

更に表面が平均粒径１〜５００ｎｍの活性金属粒子２７により被覆されたアルミナ粒子２４にてインナーアルミナ層２６の表面を被覆することによりアウターアルミナ層２８が形成され、このアウターアルミナ層２８の厚さが５ｎｍ〜１００μｍであって気孔率がインナーアルミナ層２６と同一か又はインナーアルミナ層２６より大きい。 - 特許庁

The dicing die-bonding film includes: a dicing film having an adhesive layer provided on a base material; and a die-bonding film provided on the adhesive layer, in which the adhesive layer of the dicing film is an active energy ray-curable heat-expandable adhesive layer containing a foaming agent, and in which the die-bonding film is constituted by a resin composition containing an epoxy resin.例文帳に追加

ダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムとを有しており、前記ダイシングフィルムは、粘着剤層が、発泡剤を含有する活性エネルギー線硬化型熱膨張性粘着剤層であり、且つ前記ダイボンドフィルムは、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物により構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer made of a material containing silicon on a substrate; forming a second layer containing metal and nitrogen on the first layer; and exposing the second layer to active species that is obtained from atmospheric plasma containing a reducing gas.例文帳に追加

基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light emitting element is formed by laminating a substrate and an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer in order on the substrate top surface; and the n-type nitride semiconductor layer has at least two exposed top surfaces and also has nearly vertical flanks between the top surfaces differing in height.例文帳に追加

基板と、基板上面に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が順に積層されてなる窒化物半導体発光素子であって、ｎ型窒化物半導体層は、露出された上面を少なくとも２つ有し、かつ高さの異なる上面の間には、ほぼ垂直な側面を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, an InGaAsP strained multiple quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、ＩｎＧａＡｓＰ多重歪量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a plurality of semiconductor layers including an active layer 6 and a light take-out layer 4, and a reflective metal film layer 11, the light take-out layer 4 is composed of a plurality of layers 23 and 24 having different composition ratios and protrusions and recesses 22 for roughening a major surface S are formed only over the plurality of layers 23 and 24.例文帳に追加

活性層６と光取り出し層４とを含む複数の半導体層を有し、反射金属膜層１１を有する半導体発光素子において、上記光取り出し層４が組成比の異なる複数の層２３，２４からなり、これら複数の層２３，２４にわたり主面Ｓを粗面とするための凹凸２２が形成された。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor comprises a conductive supporting body 2 and a photosensitive layer 3 formed on the conductive supporting body 2, wherein the photosensitive layer 3 includes a crosslinked layer 7 formed in the farthest position from the conductive supporting body 2, the crosslinked layer 7 containing a resin having a crosslinked structure and a fluorine atom-containing polymer having an active hydrogen group,.例文帳に追加

導電性支持体２と、該導電性支持体２上に形成された感光層３とを備え、感光層３が、導電性支持体２から最も遠い位置に設けられた、架橋構造を有する樹脂及び活性水素基を有するフッ素原子含有ポリマーを含有する架橋層７を有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The face light-emitting type semiconductor laser device 30 comprises an n-type lower semiconductor multilayer film reflector 32, a lower cladding layer 33, an active layer 34, an upper cladding layer 35, a p-type upper semiconductor multilayer film reflector 36, and a p-type GaAs cap layer 37 successively formed on an n-type GaAs substrate 31 as constituting layers.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上に、順次に形成された、ｎ型の下部半導体多層膜反射鏡３２、下部クラッド層３３、活性層３４、上部クラッド層３５、ｐ型の上部半導体多層膜反射鏡３６、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層３７を構成層として備える。 - 特許庁

An oxide semiconductor element includes: a gate electrode disposed on a substrate; a gate insulation layer including a recess structure; a source electrode disposed on one side of the gate insulation layer; a drain electrode disposed on the other side of the gate insulation layer; and an active pattern disposed on the gate insulation layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加

酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。 - 特許庁

The antiglare antireflection film is obtained by sequentially stacking an antiglare layer and an antireflection layer on a transparent substrate directly or across another layer, wherein the antiglare layer comprises inorganic fine particles having an average particle diameter of 0.001-0.2 μm, fine particles having an average particle diameter of 0.5-10 μm and an active energy ray curing resin.例文帳に追加

透明基材上に直接または他の層を介して防眩層、反射防止層が順次積層された防眩性反射防止フィルムであって、防眩層が平均粒径０．００１〜０．２μｍの無機微粒子および平均粒径０．５〜１０μｍの微粒子および活性エネルギー線硬化型樹脂を含むことを特徴とする防眩性反射防止フィルム。 - 特許庁

The semiconductor laser device 10 includes: an n-type semiconductor substrate 21 containing III-V group compound semiconductor; an n-type clad layer 11 formed on the semiconductor substrate 21; a semiconductor lamination part 12 including an active layer 15 which is formed on the n-type clad layer 11; and a p-type clad layer 13 formed on the semiconductor lamination part 12.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、III−Ｖ族化合物半導体を含むｎ型半導体基板２１と、半導体基板２１上に設けられたｎ型クラッド層１１と、活性層１５を有しｎ型クラッド層１１上に設けられた半導体積層部１２と、半導体積層部１２上に設けられたｐ型クラッド層１３とを備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element, including a first-conductivity-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a second-conductivity-type nitride semiconductor layer successively stacked on a substrate, in which a light extraction surface located above the second-conductivity-type nitride semiconductor layer has a conical or pyramidal projecting portion, as well as a method for manufacturing the nitride semiconductor light-emitting element are provided.例文帳に追加

基板上に順次積層された、第１導電型窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含み、第２導電型窒化物半導体層の上方に位置する光取り出し面が錐体状の凸部を有している窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

A plurality of units of epitaxial layers of one unit as the laser units 10, 20 each having a structure where an active layer 105 or 205 is sandwiched between two clad layers 104, 204 or 106, 206 of different conductivity types are laminated in the same wafer, and a separating high resistance layer 30 is provided between the epitaxial layer of the one unit and the epitaxial layer of next one unit.例文帳に追加

導電型の異なる二つのクラッド層１０４、２０４又は１０６、２０６で活性層１０５又は２０５を挟んだ構造を有するレーザ部１０、２０としての一単位のエピタキシャル層を、複数単位、同一ウェハ内に積層し、一単位のエピタキシャル層と次の一単位のエピタキシャル層との間に分離用高抵抗層３０を設ける。 - 特許庁

Since it becomes possible to form a window area at a lower temperature than the conventional example by utilizing a 'blocking effect' and an 'extruding effect' by laminating a semiconductor layer doped with Si, etc., on another semiconductor layer containing an impurity for forming a window structure, the diffusion and intrusion of an impurity from a p-type clad layer to an active layer can be prevented.例文帳に追加

窓構造を形成するための不純物を含有した半導体層の上にＳｉなどをドープした半導体層を積層することにより、「ブロック効果」と「押し出し効果」とを利用して、従来よりも低温で窓領域を形成することが可能となり、ｐ型クラッド層から活性層への不純物の拡散・侵入を防ぐことができる。 - 特許庁

Since the water repellent thin film layer is formed on the photocatalyst-containing layer, by removing the water-repellent thin film layer selectively by irradiation with active rays to turn a part corresponding to the water-repellent layer hydrophilic, the lithographic printing plate having an enough contrast between the water-repellent part and the hydrophilic part can be produced.例文帳に追加

本発明によれば、光触媒含有層の上層に撥水性薄膜層を形成したので、活性線を照射して、撥水性薄膜層を選択的に除去すると共に当該部分を親水化することにより、撥水性部分と親水性部分とが、十分なコントラストをもって形成された平版印刷版を製造することができる。 - 特許庁

The side emission semiconductor element comprises an AlGaN layer of which Mg is doped down to 5×10^19 cm^-3 or less in concentration, a stripe ridge formed at the upper part of the lamination structure including the AlGaN layer and an active layer, and a Schottky barrier formed on the upper surface of the lamination structure other than the ridge where the AlGaN layer is exposed.例文帳に追加

本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０^19ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 - 特許庁

A semiconductor layer in a VCSEL including an n-type lower DBR 104, an active layer 106, a p-type upper DBR 108, and a p-type contact layer 110 is laminated on a GaAs substrate 100; and a post structure P emitting laser light is separated from a pad forming region Q by a trench 114 formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、ＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型の第下部ＤＢＲ１０４、活性層１０６、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８、およびｐ型のコンタクト層１１０を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポスト構造Ｐとパッド形成領域Ｑとが半導体層に形成された溝１１４によって分離されている。 - 特許庁

In the DFB laser 1 having an MQW-SCH active layer 4 and a grating provided on the MQW-SCH active layer 4 in a lamination structure provided on an n-type semiconductor substrate 2, a difference is more than 150 meV between the oscillation wavelength of the DFB laser 1 and the wavelength of a compound semiconductor band gap constituting the grating layer 6 of the grating.例文帳に追加

ｎ型半導体基板２上に設けられた積層構造内にＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４及びＭＱＷ−ＳＣＨ活性層４上に設けられた回折格子を有するＤＦＢレーザ１において、前記ＤＦＢレーザ１の発振波長と、前記回折格子の回折格子層６を構成する化合物半導体バンドギャップ波長の差が１５０ｍｅＶ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

This hard coated film is such that a hard coating layer (3) comprising the polymer of an active energy ray-polymerizable monomer is formed on the corresponding transparent base film (1); wherein at least hard coating layer side of the transparent base film surface bears an undercoating layer (2) which comprises the polymer of a polymerizable material containing 1-5 mass% of the active energy ray-polymerizable monomer.例文帳に追加

透明基材フィルム（１）上に活性エネルギー線重合性モノマーのポリマーを含んでなるハードコート層（３）を形成してなるハードコートフィルムであって、透明基材フィルム表面の少なくともハードコート層側に下塗り層（２）を有し、該下塗り層が活性エネルギー線重合性モノマーを１質量％以上５０質量％以下の範囲で含有する重合性物質のポリマーよりなるハードコートフィルム。 - 特許庁