「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To eliminate a bad influence on the characteristics of a semiconductor device in the semiconductor device using a crystallized silicon film utilizing a metal element as an active layer.例文帳に追加

金属元素を用いて結晶化させた珪素膜を活性層として用いた半導体装置において、金属元素による半導体装置の特性への悪影響を排除する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery using an electrode formed causing little rupture of a pole plate when pressurizing and compressing an active material mix layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

活物質合剤層を加圧圧縮する際に極板の破断が少ない形状の電極を用いた非水電解質二次電池及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An optical device having an active layer (1108) is formed on the (4 4-8 m) (wherein m is 1 or -1) plane of a GaN substrate or an SiC substrate (1101).例文帳に追加

ＧａＮ基板またはＳｉＣ基板（１１０１）の(４ ４ −８ ｍ)（ただしｍは１または−１）面上に、活性層（１１０８）を有する光デバイスを形成する。 - 特許庁

After forming a gate electrode 32 and a gate insulating film on a substrate 12, an active layer 34 made of a polycrystalline semiconductor film is formed by a reactive thermal CVD method.例文帳に追加

基板１２上にゲート電極３２、ゲート絶縁膜を形成した後、反応性熱ＣＶＤ法によって多結晶性半導体膜からなる活性層３４を形成する。 - 特許庁

By this configuration, the change in temperature on the end face of the active layer can be accurately measured, thus predicting deterioration on the end face of the semiconductor laser element.例文帳に追加

こうした構成によれば、活性層端面の温度変化を高精度に測定することができるので、半導体レーザ素子の端面劣化を予知することができる。 - 特許庁

To obtain stable operation by inhibiting the positional displacement of the abutting surfaces of an active layer and the core of an optical waveguide in a semiconductor laser even when there is a temperature change.例文帳に追加

温度変動があった場合でも、半導体レーザの活性層と光導波路のコアの突き合わせ面の位置ずれを抑えたことにより、安定した動作を得るようにする。 - 特許庁

At the surface layer portion of a semiconductor substrate, a device isolation insulating film which projects from a surface of the semiconductor substrate is formed to demarcate the active region.例文帳に追加

半導体基板の表層部に、該半導体基板の表面よりも上方に突出した素子分離絶縁膜を形成することにより活性領域を画定する。 - 特許庁

To enable the relative position of an active layer to a positioning mark to be accurately measured when the positioning mark is provided for passive alignment mounting.例文帳に追加

パッシブアライメント実装を行うための位置決めマークを設けた半導体レーザにおいて、活性層と位置決めマークとの相対位置を高精度に測定できるようにする。 - 特許庁

To optimize wiring structure and assembly structure for all of an anode, grid and cathode, in an active matrix type fluorescent display device using a multi-layer ceramic substrate.例文帳に追加

多層セラミック基板を用いたアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，アノードとグリッドとカソードのすべてについて，その配線構造や組立構造を最適化する。 - 特許庁

A two-dimensional diffraction grating 24 is provided so as to determine the wavelength of light to be generated in the active layer 16 and extends along the direction in which the main surface of the substrate 10 extends.例文帳に追加

２次元回折格子(24)は、活性層(16)において発生されるべき光の波長を規定するように設けられ、基板(10)の主面が延びる方向に沿って延びている。 - 特許庁

A pair of selection gates are arranged on the gate oxide layer and the separation region while the pair of selection gates are provided with shapes of stripes and are orthogonal to the stripe-shape active region.例文帳に追加

一対の選択ゲートはゲート酸化層と分離領域上に配置され、一対の選択ゲートはストライプ状で、ストライプ状アクティブ領域に対し垂直である。 - 特許庁

For example, an active layer 1 as a light-emitting element is made of a structure, where GaAs quantum dots 1a are arranged in a fractal form and is mode into confined structure by an I-type AlGaAs 1b.例文帳に追加

例えば、発光素子の活性層１を、ＧａＡｓ量子ドット１ａをフラクタル状に配置し、これをｉ型ＡｌＧａＡｓ１ｂにより閉じ込めた構造とする。 - 特許庁

To prevent inter-layer short-circuits even when a defective part such as a pinhole is present on a gate insulation film in an active matrix liquid crystal display element provided with a thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、ゲート絶縁膜にピンホール等の欠陥部があっても、層間ショートが発生しないようにする。 - 特許庁

COMPOSITE FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING ACTIVE MATRIX DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

有機半導体層用組成物、薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that is constituted to impart extremely large tensile strain to an active layer without relying upon lattice mismatching.例文帳に追加

本発明は、格子不整合に依ることなく能動層に極めて大きな引張歪みを付与できるようにした半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride LED (light-emitting diode) superior in emission efficiency by preparing a constitution capable of extracting more light generated in active layer outside element.例文帳に追加

活性層で生じた光をより多く素子外に取り出すことができる構成を付与することによって、発光効率の優れた窒化物ＬＥＤを提供すること。 - 特許庁

Grated layers 5 and 7 nearby an active layer 6 suppress absorption of emitted light due to a free carrier, so the carrier density is set low (non-dope).例文帳に追加

活性層６の近傍に位置するグレーデッド層５，７は、フリーキャリアに起因する発光の吸収を抑制するため、そのキャリア濃度は低く設定されている（ノンドープ）。 - 特許庁

The negative active material layer 42 is composed of a metal material containing at least one kind selected from the group comprising Sn, Bi and Sb.例文帳に追加

ここで、本発明にかかる負極活物質層４２は、Ｓｎ、ＢｉおよびＳｂからなる群から選択される少なくとも１種を含む金属材料で構成されている。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor substrate in which a vertical element can be formed and resistance can be decreased on the interface of a low concentration SiC layer and a supporting substrate becoming the active region of the element.例文帳に追加

縦型の素子の形成が可能であり、素子の活性領域となる低濃度のＳｉＣ層と支持基板の界面抵抗が小さい半導体基板を製造する。 - 特許庁

The hard coat layer 12 contains the hindered phenol antioxidant by the range of 1-10 pts.wts for 100 pts.wts. of the active energy ray curable resin.例文帳に追加

ハードコート層１２は、ヒンダードフェノール系酸化防止剤を活性エネルギー線硬化性樹脂の１００重量部に対して１重量部〜１０重量部の範囲で含有する。 - 特許庁

To achieve uniform crystallization, and to increase the diameter of a particle in a semiconductor thin film that turns into the active layer of a thin-film transistor which is integrated and formed in a thin-film semiconductor device.例文帳に追加

薄膜半導体装置に集積形成される薄膜トランジスタの活性層となる半導体薄膜の均一な結晶化及び大粒径化を達成する。 - 特許庁

When self-generation of heat occurs, in the way that a current flows in the channel region of the active layer 5, the local temperature rise at the center of the channel region in the longitudinal direction can be suppressed.例文帳に追加

活性層５のチャネル領域に電流が流れて自己発熱したときに、チャネル領域の長手方向の中央部での局所的な温度上昇を抑制できる。 - 特許庁

The peripheral rim of an active layer 6, exposed so as to be projected outward from the gate insulating film 16 of the thin film transistor 5, is nitrided along the peripheral direction thereof to obtain an insulated region 14.例文帳に追加

薄膜トランジスタ５のゲート絶縁膜16よりも外側に突出して露出した活性層６の周縁を周方向に亘って窒化して絶縁化領域14とする。 - 特許庁

By this setup, the region of an active layer 11 is varied in lattice structure, so that the element 1 is capable of compensating a characteristic change caused by heat.例文帳に追加

これにより、特に活性層１１の領域における格子の構造に変化を与えることができ、熱による素子１の特性変化を補償することが可能となる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element in which a light radiated from an active layer is extracted more effectively, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

活性層から放射される光をより効率的に取り出すことができる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for producing a multiplayer substrate in which a thin film semiconductor active layer having a uniform thickness can be formed while enhancing the work efficiency.例文帳に追加

作業効率を向上させ、また、膜厚が均一で薄膜化された半導体活性層を形成することが可能である多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, an electromotive force of 2.35 V is achieved at 30°C, and the negative electrode active material layer 12 has a capacity in the range of 60 to 80 mAh/g at a charge and discharge rate of 0.3 C.例文帳に追加

このような構成で、３０℃において２．３５Ｖの起電力、負極活物質層１４が０．３Ｃレート充放電で６０〜８０ｍＡｈ／ｇの容量を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated wafer in which a region differing in crystal plane is easily formed on a surface of a wafer for an active layer of a laminated substrate.例文帳に追加

貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成可能な貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a low-viscosity composition curable with active energy rays, capable of forming a cured material layer having excellent transparencey, a low cure shrinkage, excellent light transmittance, and an excellent ability to protect a recording film.例文帳に追加

透明性、低硬化収縮率、光線透過率、及び記録膜保護性能に優れる硬化物層を形成しうる低粘度な活性エネルギー線硬化性組成物を得る。 - 特許庁

Adhesion of the negative electrode collector 22A to the negative electrode active material layer 22B is move improved than the case where the intensity ratio I(200)/I(111) is out of the range.例文帳に追加

強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が上記した範囲外である場合よりも、負極集電体２２Ａと負極活物質層２２Ｂとの間の密着性が向上する。 - 特許庁

The curvature center position 10 of the corner of an isolated layer pn junction 7 is set to outside (an outer peripheral direction of a chip) of the curvature center position 9 of an active end 6.例文帳に追加

分離層ｐｎ接合７のコーナー部の曲率中心位置１０を、活性部端６の曲率中心位置９よりも外側（チップ外周方向）に設定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode, the electrode and an electrochemical element in which an adhesion between an active material layer of the electrode and a current collector can be more improved.例文帳に追加

電極の活物質層と集電体との密着性をより一層向上させることができる電極の製造方法、電極、及び電気化学素子を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, a cathode active material layer whose lower surface conforms to the unevenness and whose upper surface is substantially flat is formed by applying the application liquid by the knife coat method (a step S105).例文帳に追加

次いで、ナイフコート法により塗布液を塗布することで、下面が凹凸に追従し上面が略平坦な正極活物質層を形成する（ステップＳ１０５）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrode for a secondary battery equipped with an electrode active material layer having an excellent adhesive property hard to be peeled off from an electrode current collector.例文帳に追加

電極集電体から剥離し難く優れた接着性を有する電極活物質層を備える二次電池用の電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which does not deteriorate in quality of a device active layer even when the silicon wafer is thinned and has a high gettering capability, and its production method.例文帳に追加

シリコンウェーハを薄片化した場合にあっても、デバイス活性層の品質劣化がなく、かつ高いゲッタリング能力を有するシリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The cathode active material has a two-phase coexistence type compound containing lithium as a principal composition and contains particles composed of a lithium transition metal oxide of a layer structure.例文帳に追加

前記正極活物質は、リチウムを含有する二相共存型化合物を主体とし、層状構造のリチウム遷移金属酸化物からなる粒子を更に含む。 - 特許庁

In this way, the abnormal growth of the other layers of the second layer structure 12 is suppressed and the optical coupling between active layers 110 and 120, degradation of device characteristics and the like are prevented.例文帳に追加

これにより、第２層構造１２の他の層の異常成長が抑制され、活性層１１０、１２０との間の光結合や素子特性の劣化が防止される。 - 特許庁

To provide a pasted board which suppresses polishing sagging of the outer periphery of an active layer and in which planarity is enhanced and a device formation area is enlarged, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

活性層の外周部の研磨ダレを抑制し、平坦度が高まり、デバイス形成面積が拡大する張り合わせ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when crystal defects 240 are left at the depth position of the concentration peak at which the concentration becomes the maximum, the operation of a device is not influenced, because the defects 240 are out of an active layer.例文帳に追加

濃度が最大となる濃度ピークの深さ位置に結晶欠陥（２４０）が残存しても、これは、活性層外であるため、デバイスの作動に影響を与えない。 - 特許庁

The liquid crystal display element is constituted by sticking a counter substrate 18 and an active matrix substrate 24 together across a liquid crystal layer 22 filled with a sealant 20.例文帳に追加

対向基板１８とアクティブマトリックス基板２４とがシール材２０によって封入された液晶層２２を介して張り合わされて液晶表示素子が構成されている。 - 特許庁

ADHESIVE FOR OPTICAL MEMBER, OPTICAL MEMBER HAVING ADHESIVE LAYER ATTACHED THERETO AND OBTAINED BY USING THE SAME, AND ADHESIVE COMPOSITION FOR ACTIVE ENERGY BEAM-SETTING AND/OR THERMOSETTING OPTICAL MEMBER例文帳に追加

光学部材用粘着剤、それを用いて得られる粘着剤層付き光学部材、および活性エネルギー線および／または熱硬化型光学部材用粘着剤組成物 - 特許庁

There is adopted a polarized electrode for an electric double layer capacitor with a binding material mixed with active carbon powder and having a moisture content of 1,500(ppm) or less.例文帳に追加

活性炭粉末に結着材が混合されてなり、水分含有率が１５００(ppm)以下であることを特徴とする電気二重層コンデンサ用の分極性電極を採用する。 - 特許庁

The lithium-ion secondary battery 10 is a nonaqueous electrolyte type secondary battery which uses lithium iron phosphate having a conductive layer on a particle surface as a positive electrode active material.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池１０は、正極活物質として、粒子表面に導電層を有するリン酸鉄リチウムを用いた非水電解液型の二次電池である。 - 特許庁

The concentration of hydrogen can be reduced by reducing the flow rate of organic nitrogen compound employed as the material of nitrogen upon glowing the active layer 14.例文帳に追加

水素濃度は、活性層１４を成長させる際に窒素の原料として用いる有機窒素化合物の流量を少なくすることにより、低減することができる。 - 特許庁

The resin composition constitutes the insulating layer of the wiring board, and comprises a cyclic olefin resin and a compound having an active ester group.例文帳に追加

配線板の絶縁層を構成する樹脂組成物であって、環状オレフィン系樹脂と、活性エステル基を有する化合物とを含むことを特徴とする樹脂組成物。 - 特許庁