| 意味 | 例文 |
active-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7476件
The FET comprises an active region separated on first and second sides counter to first and second silicon oxide regions that are embedded in the first silicon layer and extend downward to physically contact to the insulating layer.例文帳に追加
FETは、第1シリコン層内に埋め込まれ且つそれぞれが下に向って延びて絶縁層に物理的に接する第1、第2酸化シリコン領域によって相対する第1、第2の側において区切られた活性領域を有する。 - 特許庁
A single-plate lead-acid battery Va of the present invention has a cathode-side capacitor layer 5a and an anode-side capacitor layer 5b respectively formed on surfaces of a cathode plate 1a and an anode plate 6a containing an active substance.例文帳に追加
本発明の単板鉛蓄電池Vaは、活物質を含む正極板1aおよび負極板6aのそれぞれの表面に正極側キャパシタ層5aおよび負極側キャパシタ層5bが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
An active region is constituted of a DQW structure of an InGaP barrier layer 26 and an InGaAsP well layer 27 constituted by lattice matching with a GaAs substrate while guide layers 24, 28 are constituted of AlGaAs having an Al composition larger than 0.20.例文帳に追加
活性領域をInGaPバリア層26とGaAs基板と格子整合したInGaAsP井戸層27とのDQW構造とし、Al組成が0.20よりも大きいAlGaAsでガイド層24,28を構成する。 - 特許庁
The first photonic crystal is formed in a cycle of λ/n or more and 10λ/n or less, wherein n denotes an index of refraction of the first conductivity type semiconductor layer and λ denotes a wavelength of light emitted from the active layer.例文帳に追加
前記第1フォトニック結晶は、nを前記第1導電型半導体層の屈折率とし、λを前記活性層から放出される光の波長としたときに、λ/n以上及び10λ/n以下の周期に形成される。 - 特許庁
Also, a diffused layer 115 of impurities of reverse conductive type, in which impurities contained in the semiconductor layer 114 are diffused through the side of the first groove 111 which functions as source/drain, is formed in an active region 102.例文帳に追加
また、活性領域102には第1の溝111の側部を通して半導体層114に含まれる不純物が拡散してソース・ドレインとして機能する逆導電型不純物の拡散層115が形成される。 - 特許庁
In another way, the source electrode 6 and the drain electrode 7 are connected with the source/drain region 5 via a contact hole arranged on an interlayer dielectric on the active layer 4 and via a conducting layer arranged on the interlayer dielectric.例文帳に追加
あるいは、ソース電極6およびドレイン電極7は、活性層4上の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールおよび層間絶縁膜上に設けられた導電層を介してソース・ドレイン領域5と接続されている。 - 特許庁
Since the electrical and optical characteristics of a device is decided by the stress and distortion condition in the active structure, the composition and layer-pressure of the nucleus generation layer are adjusted to design the characteristics to a target.例文帳に追加
デバイスの電気的及び光学的な特性はその活性構造における応力及び歪み状態により決まるため、核生成層の組成及び層圧を調節することによりそれらの特性を目的に合わせて設計できる。 - 特許庁
The power device includes: a metal support substrate 10; and a group-III nitride conductive layer 20, a group-III nitride active layer 30, and an electrode 40 that are sequentially formed on one principal surface 10m of the metal support substrate 10.例文帳に追加
本パワーデバイスは、金属製支持基板10と、金属製支持基板10の一方の主面10m側に順次形成されているIII族窒化物導電層20、III族窒化物能動層30および電極40と、を含む。 - 特許庁
A TFT substrate 10 of an active matrix drive display unit has a TFT element including a gate electrode layer 12, gate insulation film 13, semiconductor pattern layer, and source/drain electrode layers successively formed on a glass substrate 11.例文帳に追加
アクティブマトリクス駆動表示装置のTFT基板10は、ガラス基板11上に順次に形成される、ゲート電極層12、ゲート絶縁膜13、半導体パターン層、及び、ソース/ドレイン電極層を含むTFT素子を有する。 - 特許庁
A luminous semiconductor device is formed in the active area of a group III nitride and in the vicinity of the area, and contains a group III nitride layer having a thickness exceeding a critical thickness to loosen strain in the group III nitride layer.例文帳に追加
発光半導体デバイスが、III族窒化物の活性領域と、該活性領域の近くに形成され、III族窒化物層内の歪みの緩和のために臨界厚さを超える厚さを有するIII族窒化物層とを含む。 - 特許庁
The surface-emitting lasers 10A to 10D include mesas 100A to 100D which respectively have first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D, an active layer 103, a semiconductor layer 104, and a second multilayer film Bragg reflector 105.例文帳に追加
面発光レーザ10A〜10Dは、それぞれ、第一多層膜ブラッグ反射鏡102A〜102D、活性層103、半導体層104,第二多層膜ブラッグ反射鏡105を有するメサ100A〜100Dを備える。 - 特許庁
The hard coating layer being the hardened substance layer of a coating composition (A) containing polysilazane and multifunctional compound having two or more polymerizable functional groups having active energy beam hardenability is formed on the surface of the base material of the plastic lens.例文帳に追加
プラスチックレンズ基材の表面に、活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を2個以上有する多官能性化合物とポリシラザンとを含有する被覆組成物(A)の硬化物層であるハードコート層を形成する。 - 特許庁
To improve luminous efficiency, light emitting wavelength reproducibility, and in-plane uniformity in a nitride-based compound semiconductor light emitting element provided with an Al-containing evaporation preventing layer immediately above an In-containing quantum well active layer.例文帳に追加
Inを含む量子井戸活性層の直上にAlを含む蒸発防止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、発光効率、発光波長の再現性および面内均一性を良好にする。 - 特許庁
To provide a negative electrode for a lithium secondary battery structured so as to have an inorganic porous material layer having excellent durability on a negative electrode active material layer, a lithium secondary battery equipped with the negative electrode, and a manufacturing method for them.例文帳に追加
負極活物質層上に無機多孔質層を有する構成であって該多孔質層の耐久性に優れたリチウム二次電池用負極、該負極を備えたリチウム二次電池およびそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide miniaturization of a device and simplification of manufacturing processes by continuously depositing with the same target at a negative electrode (an active material layer and a collector layer) formation section in a thin film solid lithium secondary battery manufacturing process.例文帳に追加
薄膜固体リチウム二次電池製造工程中の、負極(活物質層および集電体層)形成部分において、同一ターゲットで連続的に成膜することにより、装置の小型化および製造工程の簡素化を提供する。 - 特許庁
Thereupon a high active photo-catalyst body is obtained by alternatively laminating a doped layer 1, in which the trivalent element is doped into the titanium oxide, and an undoped layer 2, in which the element is not doped on a substrate 3, by using a spatter method.例文帳に追加
そこで、スパッタ法を用いて基板3上に、酸化チタンに3価の元素をドーピングしたドープ層1と前記元素をドーピングしていない酸化チタンの無ドープ層2とを交互に積層して、高活性な光触媒体とする。 - 特許庁
After a cholesteric liquid crystal layer 16 provided on a temporary substrate 10 is laminated on a substrate 22, the cholesteric liquid crystal layer 16 is heated up to a prescribed temperature and exposed to an active light beam using a pattern at this temperature to form a first pattern.例文帳に追加
仮支持体10に設けたコレステリック液晶層16を、基板22にラミネートしてコレステリック液晶層16に対して、所定の温度に加熱し、この温度条件下で活性光線をパターン露光して第一のパターンを形成する。 - 特許庁
To improve uniformity in the image of an active matrix type display device using TFT by improving variations of characteristics among TFTs caused by unevenness in the damage which a semiconductor layer receives when a protective layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加
スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるTFT間の特性ばらつきを改善し、このTFTを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。 - 特許庁
The spring contact component is assembled by depositing at least one layer of metal materials in side an opening formed on the surface of a substrate, which can be made into electronic component such as an active semiconductor device, with a deposited mask layer.例文帳に追加
ばね接触部品は、能動半導体デバイスのような電子部品とすることが可能な基板表面上に、堆積されたマスク層により画定された開口の中に少なくとも1層の金属材料を堆積させて組立てられる。 - 特許庁
The layer 2 network is comprised of CSWs 33, 34 duplexed by the active system (m) and the standby system (s), ESWs 32, 35 arranged at a boundary part of the network and M/Cs 31, 36 on the net side which convert a layer 2 frame into an optical signal.例文帳に追加
レイヤ2ネットワークは、現用系(m)と予備系(s)とにより2重化されたCSW33,34と、ネットワークの境界部分に配置されたESW32,35と、レイヤ2フレームを光信号に変換するネット側M/C31,36とから構成されている。 - 特許庁
The principal growth plane 10a of the GaN substrate 10 consists of a plane having an off-angle in an a-axis direction relative to an m-plane, and an In composition ratio of the active layer 14 (well layer 14a) is set at 0.15-0.45.例文帳に追加
そして、GaN基板10の成長主面10aが、m面に対して、a軸方向にオフ角度を有する面からなり、活性層14(井戸層14a)のIn組成比が、0.15以上0.45以下に設定されている。 - 特許庁
At least, a partial matte layer having fine unevenness comprising a water-soluble resin in which a matting agent is dispersed, a hard coat layer comprising an active energy beam curable resin and an adhesive resin are laminated on a substrate sheet having releasability.例文帳に追加
剥離性を有する基体シート上に、マット剤を分散させた水溶性樹脂からなる微細な凹凸を有する部分マット層、活性エネルギー線硬化性樹脂からなるハードコート層、接着層が少なくとも積層されている。 - 特許庁
A plurality of recessed parts 42 are arranged on a surface of an active matrix substrate 31 in contact with a liquid crystal layer 32, and a plurality of protruding parts 41 are arranged on a surface of a counter substrate 30 in contact with the liquid crystal layer 32.例文帳に追加
アクティブマトリクス基板31における液晶層32に接する面上に、複数の窪み部42が設けられているとともに、対向基板30における液晶層32に接する面上に、複数の凸部41が設けられる。 - 特許庁
The thin film layer 3 containing component having a larger polarizability than that of component constituting a current collector 2 on at least part between the current collector 2 and an active material layer 4 that does not form chemical bond with the current collector 2.例文帳に追加
集電体2と、集電体2と化学結合を形成しない活物質層4との間の少なくとも一部に、集電体2を構成する成分より分極率が大きい成分を含む薄膜層3を形成する。 - 特許庁
The light-emitting semiconductor laser device comprises a first reflection mirror 12, an active layer 13, the current blocking layer 16 made of a material containing aluminum, and a second reflection mirror 17, which are formed on a substrate 11 in this order from bottom.例文帳に追加
面発光半導体レーザ装置は、基板11の上に下側から順次形成された第1反射鏡12と、活性層13と、アルミニウムを含む材料からなる電流狭窄層16と、第2反射鏡17とを備えている。 - 特許庁
Since a thickness of each of the layers in the multi-layer structure is 50 nm or more and 1,050 nm or less, adhesiveness between each of the layers and adhesiveness and between the anode active material layer 2 and the anode current collector 1, and current collecting property are improved.例文帳に追加
多層構造における各層の厚みは、50nm以上1050nm以下であるので、各層間の密着性、ならびに負極活物質層2と負極集電体1との密着性および集電性が向上する。 - 特許庁
To provide an electrode of a structure capable of effectively preventing the interference with a member to be treated and eventually the layer dislodgment, or the like, based thereon and hardly gives rise to negative polarization even when a brittle conductive active material layer is formed on the electrode.例文帳に追加
脆い導電性活物質層が形成されている場合でも、被処理部材との干渉、ひいてはそれに基づく層脱落等を効果的に防止でき、また陰極化現象の生じにくい構造の電極を提供する。 - 特許庁
For the structure, an equation λLD+0.4 (nm/°C)×ΔT≤λDET≤lLD+0.6 (nm/°C)×ΔT is established, where active layer band gap wavelength is λLD, light-receiving layer band gap wavelength is λDET, and the ambient temperature change width is ΔT.例文帳に追加
この構造において、活性層バンドギャップ波長をλ_LD、受光層バンドギャップ波長をλ_DET 、周囲温度変化幅をΔTとすると「λ_LD+0.4(nm/℃)×ΔT≦λ_DET ≦λ_LD+0.6(nm/℃)×ΔT」なる関係が成立する。 - 特許庁
Recesses 20 for defining the parts of the second contact layer 14 and the active layer 13, which are opposed to the cathode electrode 16, in order to specify the areas for functioning as the Gunn diode are cut in from the periphery of the cathode electrode.例文帳に追加
カソード電極16に対応する第2のコンタクト層14及び活性層13の部分をガンダイオードとして機能させる領域として区画するための凹部20をカソード電極16の周囲から切り込んで形成する。 - 特許庁
The active element 20 is provided with a semiconductor layer 13 to turn on/off a current between electrodes (11 and 12), and the semiconductor layer 13 is formed of a synthetic resin composition having a dispersed organic semiconductor material.例文帳に追加
半導体層13を介して電極(11,12)間に流れる電流のON/OFFを行うようにした能動素子20において、該半導体層13を、有機半導体材料が分散された合成樹脂組成物で構成する。 - 特許庁
The hard coat layer composed of a transparent cured material layer of covered composition (A) containing a compound having one or more polymerizable functional group curable with active energy beam and polysilazane is formed on the laser beam incident surface of the blue laser disk.例文帳に追加
青色レーザーディスクのレーザー光入射面に、活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を1個以上有する化合物とポリシラザンとを含有する被覆組成物(A)の透明硬化物層からなるハードコート層を形成する。 - 特許庁
As an electrode catalyst layer of a solid polymer fuel cell, a layer which consists of a conductive catalyst carrier, a catalyst active material carried by the conductive catalyst carrier, a proton conductive polymer, and a water repellent material is used.例文帳に追加
固体高分子型燃料電池の電極触媒層として、導電性触媒担体、前記導電性触媒担体に担持されてなる触媒活物質、プロトン伝導性高分子、および撥水性材料からなる層を用いる。 - 特許庁
In the optical film having a clear hard coat layer at least on one side of a transparent film, the clear hard coat layer contains active energy beam setting acrylate resin and metallic oxide particulate with a void.例文帳に追加
透明フィルムの少なくとも片面にクリアハードコート層を有する光学フィルムにおいて、該クリアハードコート層が、活性エネルギー線硬化アクリレート系樹脂と、ボイドを有する金属酸化物微粒子を含有することを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁
The negative-electrode active material comprises composite material particles containing silicon and graphite, a carbon layer covering surfaces of the composite material particles and a silicon-metal alloy formed between interfaces of the composite material and the carbon layer.例文帳に追加
シリコン及びグラファイトを含む複合材料粒子と、複合材料粒子の表面をカバーするカーボン層と、複合材料とカーボン層との界面間に形成されたシリコン−金属合金と、を含む陰極活物質である。 - 特許庁
The invention relates to the oral formulation having at least one layer containing a medicine tablet keeping a biologically active substance in one of the layer, wherein the dosage formulation of the tablet contains the hydrophilic and lipophilic materials and an adjuvant in different ratio.例文帳に追加
1以上の層を有し、そのうちの1層が生物学的に活性な物質を保持する医薬錠剤を含む経口製剤で、該錠剤の製剤は、親水性及び親油性材料、並びに佐剤を異なる割合で含む。 - 特許庁
The buffer layer is formed between the source and drain electrodes and the active layer, thereby preventing contact resistance due to oxidation from increasing, so that the electrical characteristics of the thin-film transistor can be improved.例文帳に追加
ソース電極及びドレイン電極とアクティブ層との間にバッファ層が形成されることによって、酸化による接触抵抗が増加することを防止することができ、薄膜トランジスタの電気的な特性を向上させることができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加
電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁
This thermal transfer ink sheet, where an ink layer containing at least a thermally diffusible dye is provided on a substrate, is characterized in that a surface-active agent with an HLB of 10 or more is contained in the ink layer.例文帳に追加
支持体上に少なくとも熱拡散性色素を含有するインク層を有する熱転写インクシートにおいて、該インク層中にHLBが10以上の界面活性剤を含有することを特徴とする熱転写インクシート。 - 特許庁
A space required for wire bonding is eliminated by providing a connection hole in a supporting layer side of an SOI board, and by connecting a terminal part of an active layer to a land on the circuit board from a reverse face using a bump or an anisotropic conducting film.例文帳に追加
SOI基板の支持層側に接続穴を設け、バンプや異方性導電膜を用いて、裏面から活性層の端子部と回路基板上のランドを接続することにより、ワイヤーボンディングに要するスペースを不要とする。 - 特許庁
The active layer 105 is a layer of a structure where a plurality of island-shaped parts 105a made of InN are arrayed on the same plane, and each island-shaped part 105a is formed to be, for example, a diameter of approximately 2 nm and a height of approximately 1 nm.例文帳に追加
活性層105は、InNからなる複数の島状部分105aが同一平面に配列された構造の層であり、島状部分105aは、例えば、径が2nm程度高さ1nm程度の大きさに形成されている。 - 特許庁
In a process for performing the active patterning with respect to the Si layer 13, leg parts 13a are left in the groove h1 by allowing the Si layer 13 to be supported on the Si substrate 1 as it is even after the formation of the cavity part 25.例文帳に追加
Si層13に対してアクティブのパターニングを行う工程では、空洞部25を形成した後もSi層13がSi基板1上でそのまま支えられるようにその脚部13aを溝h1内に残しておく。 - 特許庁
An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加
有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁
In the antireflection film having a hard coat layer principally composed of active energy ray curing resin and the low refractive index layer provided by a coating system on the hard coat layer directly or through another layer on a transparent supporting body composed of polylactic acid resin, the low refractive index layer contains hollow silica particulates which have an outer shell layer and whose inside is porous or void, or fluororesin.例文帳に追加
ポリ乳酸系樹脂からなる透明支持体上に、活性エネルギー線硬化樹脂を主成分とするハードコート層及び該ハードコート層上に直接または他の層を介して、塗布方式により設けられた低屈折率層を有する反射防止フィルムにおいて、該低屈折率層が外殻層を有し内部が多孔質または空洞の中空シリカ系微粒子、またはフッ素系樹脂を含有することを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁
A main surface 12a of the active layer 12 and main surfaces of the layers 11, 13, 14 of the semiconductor multilayer structure 3 each consist of an m-surface as a non-polarity surface.例文帳に追加
半導体積層構造3の活性層12の主面12a及び各層11、13、14の主面は無極性面であるm面により構成されている。 - 特許庁
To efficiently flatten a pixel part by utilizing a constitution providing a light-shielding layer at the lower side of a TFT, in a TFT-driven active matrix drive type liquid crystal panel.例文帳に追加
TFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいて、TFTの下側に遮光層を設ける構成を利用して、効率良く画素部を平坦化する。 - 特許庁
To provide a transflective liquid crystal display device which is provided with a reflective layer on an inner-surface side of an active substrate, the liquid crystal display device being improved reflection factor and made free of coloration.例文帳に追加
アクティブ基板の内面側に反射層が設けられた半透過反射型の液晶表示装置において、反射率が向上し、色づきがなくなるようにする。 - 特許庁
In place of a conventional direct transition semiconductor laser, there is employed a laser using an indirect transition semiconductor as an active layer material and is made a light source for reproduction.例文帳に追加
従来の直接遷移型半導体レーザに代えて、間接遷移型半導体を活性層材料とした間接遷移型半導体レーザを用いて、再生用の光源とする。 - 特許庁
To improve the durability of an electric double layer capacitor constituted by using an electrode containing a low specific surface area active carbon when compared to a conventional one.例文帳に追加
低比表面積活性炭を含む電極を用いて構成される電気二重キャパシタの耐久性を従来に比して向上させることを目的としている。 - 特許庁
A nitride active layer of group III including a stress absorbing structure including a plurality of specified stress removing regions in a crystal structure of a buffer structure is formed.例文帳に追加
緩衝構造の結晶構造内に複数の所定の応力除去領域を含む応力吸収構造を含む第III族窒化物活性層を形成する。 - 特許庁
Negative pressure in an engine intake air passage 30 is introduced into a canister 20 closed to the atmospheric air, in order to vaporize evaporated fuel absorbed to an active carbon layer 23.例文帳に追加
大気に対して閉塞状態のキャニスタ20内に機関吸気通路30の負圧を導入して、活性炭層23に吸着された蒸発燃料を気化させる。 - 特許庁
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