「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor Hall sensor, for example, an active layer 2 of N-type silicon is provided, in an island-separated manner, on a semiconductor substrate 1 of P-type silicon, and input-voltage contact layers 3a, 3b of N+ silicon and input-voltage electrodes 6a, 6b are provided on lengthwise both end parts of the active layer 2, respectively.例文帳に追加

本発明の半導体ホールセンサーでは、例えばＰ型シリコンの半導体基板１上に、Ｎ型のシリコンの能動層２が島分離されて設けられており、この能動層２の長手方向の両端部に、Ｎ^+ シリコンの入力電圧コンタクト層３ａ、３ｂと入力電圧電極６ａ、６ｂがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The non-aqueous secondary battery is comprised of: a positive active material, which is a material that occludes and emits Li ions; a negative active material, which is a material that occludes and emits Li ions, or which is Li metal, or Li alloy; and a battery case, which has a stainless or aluminum inner layer 51 and a fiberglass reinforced plastics outer layer 52.例文帳に追加

Ｌｉイオンを吸蔵放出する物質を正極活物質と、Ｌｉイオンを吸蔵放出する物質もしくは金属ＬｉもしくはＬｉ合金を負極活物質と、ステンレスもしくはアルミニウム内層５１とガラス繊維強化プラスチック外層５２とを有する電槽と備えたことを特徴とする非水系二次電池とする。 - 特許庁

Here, the laser diode chip 110 is arranged at within a distance 150, which is less than the value obtained by dividing a distance 145 of a laser diode chip active layer 140 from the surface of the submount 120 by the sine of half angle as large as the vertical spread angle 135 of laser light emitted by the active layer 140, from an output-side submount 120 end.例文帳に追加

この時，レーザダイオードチップ１１０の出力側サブマウント１２０端からの位置を，レーザダイオードチップ活性層１４０のサブマウント１２０表面からの距離１４５を，活性層１４０から発せられるレーザ光の垂直方向広がり角１３５の半分の角度の正接で除した値以内の距離１５０に配置する。 - 特許庁

It is desirable that the negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or an alloy of these, and are formed by vapor growth method, liquid phase method or sintering method, and it is desirable that the negative electrode active material layer is alloyed with the negative electrode current collector 22A at least at a part of interface between the negative electrode current collector 22A and itself.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであることが好ましく、また、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

To provide a polished rice having deposited active ingredient of rice bran in which a bran layer was cleanly removed and to provide a method for producing the polished rice having deposited active ingredient of rice bran so that the rice bran layer can readily be released and removed by using a rice polisher.例文帳に追加

米糖成分を含有させた米糖有効成分蒸着白米において、糠層がきれいに除去された米糠有効成分蒸着白米とするために、米糠有効成分蒸着白米から精米機を用いて糖層を剥離除去するのが、楽に行えるようにして製造し得るようにする。 - 特許庁

To provide: a composite material for an electrode, in which all of each of active material particles for an electrode are covered with a modified layer and a surface of each of the active material particles for an electrode is covered with the uniform modified layer; a method for producing the composite material for an electrode; and a lithium ion battery employing the composite material for an electrode.例文帳に追加

電極用複合材料における各々の電極用活物質粒子に全て改質層が被覆され、且つ電極用活物質粒子の表面に均一な改質層が被覆されている電極用複合材料及びその製造方法、それを採用したリチウムイオン電池を提供する。 - 特許庁

In an SOI wafer 10 formed by placing a silicon wafer 11 for an active layer on a silicon wafer 12 for a supporting substrate via an insulating film 13, a gettering region 14 is formed on the surface of the sticking side of the silicon wafer 11 for an active layer prior to sticking.例文帳に追加

支持基板用シリコンウェーハ１２に絶縁膜１３を介して活性層用シリコンウェーハ１１を貼り合せたＳＯＩウェーハ１０として、貼り合せ前の活性層用シリコンウェーハ１１の貼り合せ側の表面に予め機械的ダメージを与えたゲッタリング領域１４を形成しておくことを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming the charge storage layer in the semiconductor nonvolatile memory in the logic process, comprises a step for forming a select gate on an active region on a substrate; a step for forming long polysilicon gates partly overlapping on the active region on the substrate; and a step for filling the charge storage layer between the long polysilicon gates.例文帳に追加

論理工程において不揮発性メモリ・セルにおける電荷貯蔵層を形成する方法は、基板のアクティブ領域の上にセレクト・ゲートを形成するステップ、その基板のアクティブ領域に部分的に重なる長いポリシリコン・ゲートを形成するステップ、及びその長いポリシリコン・ゲートの間に電荷貯蔵層を充填するステップを含む。 - 特許庁

This nonaqueous electrolyte secondary battery includes: a positive electrode 11 including an active material particle layer; a negative electrode 13 including an active material particle layer; and a nonaqueous electrolyte; and an organic coat having low affinity to the nonaqueous electrolyte is formed in some part of an electrode plate selected from the positive electrode 11 and the negative electrode 13.例文帳に追加

本発明の非水電解液二次電池は、活物質粒子層を含む正極(11)と、活物質粒子層を含む負極(13)と、非水電解液とを含み、正極(11)及び負極(13)から選ばれる少なくとも１つの極板のいずれかの部分には、非水電解液との親和性が低い有機被膜が形成されている。 - 特許庁

A thin-film transistor 80 includes: source and drain electrodes 84, 86; an active layer 88 including an oxide semiconductor; a gate electrode 82; a first insulation film 14; a second insulation film 18; and a bias electrode 81 that is provided at a side opposite to the gate electrode to the active layer and has potential fixed independently of the gate electrode.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極８４，８６と、酸化物半導体を含む活性層８８と、ゲート電極８２と、第１の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１８と、活性層に対してゲート電極とは反対側に設けられており、該ゲート電極とは独立して電位が固定されるバイアス電極８１と、を有する薄膜トランジスタ８０。 - 特許庁

The uneven shape having a period of 6 to 500 nm is formed on the surface of the active layer by forming the active layer that is comprised of Al_xGa_1-xN not containing indium and has a film thickness between 3 nm and 500 nm at a low temperature below 950°C lower than conventional crystal growth temperature (1,040°C to 1,100°C).例文帳に追加

インジウムを含まないＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮよりなる活性層を従来の結晶成長温度（１０４０℃から１１００℃）より低温の、９５０℃以下で、且つ３ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚で形成することにより、活性層表面に周期が６〜５００ｎｍの凹凸形状を形成する。 - 特許庁

A plurality of piezoelectric layers and electrode layers composed of piezoelectric materials are laminated alternately, each piezoelectric layer among the electrode layers opposed in the laminating direction is formed as an active section expanded and contracted by applying a voltage to an electrode for the electrode layer, and the thickness of at least one layer in a plurality of the piezoelectric layers in the active sections is made thicker than those of other layers.例文帳に追加

圧電材料からなる複数の圧電層と電極層とが交互に積層され、積層方向に対向する前記電極層の間の各圧電層がその電極に電圧を印加することにより伸縮する活性部として形成され、この活性部における複数の圧電層のうちの少なくとも１層は、他の層よりも層の厚みを厚くしたことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with gate electrodes 22 and 23 formed on the semiconductor layer of a silicon substrate 11 through the intermediary of a gate insulating layer 21, impurity diffused layers 24, 25, and 26 which form a source region and a drain region provided in the semiconductor layer in an active region, and contacts 42 to 44 and contacts 47 to 49 formed on the gate electrodes 22 and 23 located in the active region.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１１の半導体層上に、ゲート絶縁層２１を介して形成されたゲート電極２２，２３、アクティブ領域の半導体層に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層２４，２５，２６、およびアクティブ領域に存在するゲート電極２２，２３上に形成された、複数のコンタクト部４２〜４４，４７〜４９、を有する。 - 特許庁

An organic EL element 40 includes an anode 60, a cathode 64 arranged to be opposed to the anode, an organic active layer 62 arranged between the anode 60 and the cathode 64 and a charge injection regulating layer 61 arranged between the anode 60 and the organic active layer 62 and exhibits such varistor characteristics that a conduction current due to an applied voltage changes.例文帳に追加

有機ＥＬ素子４０は、 陽極６０と、 陽極に対向して配置された陰極６４と、 陽極６０と陰極６４との間に配置された有機活性層６２と、 陽極６０と有機活性層６２との間に配置され、印加電圧による導電電流が変化するバリスタ特性を示す電荷注入調整層６１と、 を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide: a negative electrode plate for a nonaqueous electrolyte secondary battery including an electrode active material layer and having high output-input characteristics; a method for manufacturing a negative electrode plate having a negative active material layer formed by suitably bonding negative active material particles to the surface of a current collector without using a resin binder; a nonaqueous electrolyte secondary battery having high output-input characteristics; and a battery pack.例文帳に追加

電極活物質層を備える高出入力特性の非水電解液二次電池用負極板を提供し、また樹脂製結着材を用いずとも、集電体表面に良好に負極活物質粒子を固着させて電極活物質層を形成してなる負極板を製造する方法を提供し、これによって高出入力特性の優れた非水電解液二次電池、および電池パックを提供する。 - 特許庁

The first electrode layer 18 and the second electrode layer 20 are made by mixing and heating calcination of an amorphous solid electrolyte and the electrode active material which have relations of Ty>Tz, when the temperature at which the capacity of the electrode active material is reduced by reaction of the solid electrolyte material and the electrode active material is made Ty, and the temperature at which the solid electrolyte material shrinks by calcination is made Tz.例文帳に追加

第１電極層１８及び第２電極層２０は、固体電解質材料と電極活物質材料との反応によって、電極活物質が容量低下する温度をＴｙ、固体電解質材料の焼成収縮する温度をＴｚとしたとき、Ｔｙ＞Ｔｚの関係を有する非晶質固体電解質と電極活物質とが混合され、且つ、加熱焼成してなる。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element has an active layer, a current constriction layer 108, and a clad layer laminated in this order, wherein an opening buried portion is formed at a part of the current constriction layer 108, has a waveguide shape part, at least a part of which is bent, and is buried with at least a part of the clad layer.例文帳に追加

活性層と、電流狭窄層１０８と、クラッド層とが、前記順序で積層され、 前記電流狭窄層１０８の一部に、開口埋め込み部が形成され、 前記開口埋め込み部は、少なくとも一部が屈曲した導波路形状を有し、かつ、前記クラッド層の少なくとも一部により埋め込まれていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is constituted by forming a crystal layer with a slanting crystal surface oblique to a main surface of a substrate on the substrate and then forming a 1st conductivity type layer, and active layer, and a 2nd conductivity type layer which extend in a plane parallel to the slanting crystal surface on the crystal layer, and then removing the vicinity of a peak.例文帳に追加

本発明に係る半導体発光素子は、基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、上記傾斜結晶面に平行な面内に延在する第１導電型層、活性層、及び第２導電型層を上記結晶層に形成してなり、頂部近傍を除去した形状であることを特徴とする。 - 特許庁

The bipolar battery laminating a plurality of bipolar electrodes 100 made by forming a cathode layer 103 on one face of a collector 101 and an anode layer 102 on the other face through an electrolyte layer 106 respectively, has highly reactive active material layers 104, 105 with a thickness of 2.0 to 50 μm at an outermost part of at least either the cathode layer or the anode layer.例文帳に追加

集電体１０１の片面に正極層１０３が形成され、他方の片面に負極層１０２が形成されてなるバイポーラ電極１００を、電解質層１０６を介して複数積層したバイポーラ電池において、前記正極層および前記負極層の少なくとも一方の最外部に、厚さ２．０〜５０μｍの高反応性活物質層１０４、１０５を有するバイポーラ電池。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1A includes a semiconductor substrate 10, and an active layer 15 which is provided on the substrate 10 and has a cascade structure in which a unit laminate consisting of a quantum well emission layer and an injection layer is stacked in multiple stages so that the emission layer and the injection layer are alternately laminated, for generating light by inter-subband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a light emitting element includes a step of forming an MQW (Multi Quantum Well) active layer 24 that includes: the steps of forming a well layer 21 made of a nitride semiconductor; and forming a barrier layer 23 made of a nitride semiconductor on the well layer 21 at a growth temperature which is 130 to 150°C higher than the growth temperature of the well layer 21.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に、窒化物半導体からなりバリア層２３を、井戸層２１の成長温度より１３０℃以上１５０℃未満高い成長温度で形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor laser device is provided with a first conductivity-type GaAs substrate 1, a first clad layer 8 formed of a first conductivity-type AlGaInP, an active layer and a second clad layer 10 formed of second conductivity-type AlGaInP, which are sequentially formed on the GaAs substrate 1, and a second conductivity-type GaAs cap layer 13 formed on the second conductivity-type second clad layer 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、第１導電型ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に順次形成された、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰよりなる第１クラッド層８、活性層および第２導電型ＡｌＧａＩｎＰよりなる第２クラッド層１０と、第２導電型第２クラッド層１０上に形成された第２導電型ＧａＡｓキャップ層１３とを備える。 - 特許庁

With the positive electrode active substance for the alkaline storage battery equipped with a core layer including nickel hydroxide and a surface layer including a cobalt compound and coating the core layer, the surface layer is made of a hydroxide including cobalt and at least one kind of rare-earth element of which, the oxidation number of the cobalt contained in the surface layer is to be three or more.例文帳に追加

水酸化ニッケルを含む芯層と、コバルト化合物を含みかつ前記芯層を被覆する表面層とを備えたアルカリ蓄電池用正極を製造するために用いられるアルカリ蓄電池用正極活物質において前記表面層がコバルトと少なくとも一種の希土類元素を含む水酸化物から成り、該表面層に含まれるコバルトの酸化数を３価以上とする。 - 特許庁

On a Si substrate 1, an Si-containing first semiconductor layer 2, an SiGe-containing second semiconductor layer 3, and a GaAs-containing third semiconductor layer 4 are successively formed in a laminated state in the order; and then active elements are formed respectively on the first or second semiconductor layer 2 or 3, and on the third semiconductor layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、Ｓｉを含む第１の半導体層２と、第１の半導体層２上に形成され、ＳｉＧｅを含む第２の半導体層３と、第２の半導体層３上に形成され、ＧａＡｓを含む第３の半導体層４とを形成し、第１の半導体層２または第２の半導体層３と、第３の半導体層４とにそれぞれ能動素子を形成する。 - 特許庁

After an n-type AlInP clad layer 11, an active layer 12 having a multiple quantum well structure, a p-type AlInP clad layer 13, and a p-type GaAs layer 14 are grown in sequence on an n-type GaAs substrate via an n-type GaAs etching stop layer, those layers are patterned through dry etching using a resist pattern 19 having a rectangular plane shape as a mask.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓエッチングストップ層を介してｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層１１、多重量子井戸構造を有する活性層１２、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層１３およびｐ型ＧａＡｓ層１４を順次成長させた後、長方形の平面形状を有するレジストパターン１９をマスクとしてこれらの層をドライエッチングによりパターニングする。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method of an embodiment comprises: a process of forming a photodiode layer 4 which is an active region including a photodiode on a principal surface of a first substrate 1; a process of forming a wiring layer 7 including wirings 70, 71 and an insulation layer 6 covering the wirings 70, 71 on the photodiode layer 4; and a process of forming an insulation film 8 on the wiring layer 7.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の基板１の主表面上にフォトダイオード含んだ活性領域であるフォトダイオード層４を形成する工程と、前記フォトダイオード層４の上に、配線７０、７１およびそれを覆う絶縁層６を含む配線層７を形成する工程と、前記配線層７の上に絶縁膜８を形成する工程を備える。 - 特許庁

This semiconductor light emitting device comprises a semiconductor laminate 5 stacking a first semiconductor layer 2 with an active layer (light emitting layer) 3, and a second semiconductor layer 4; and a light extraction layer 10 which is formed at least partially on the surface of the above semiconductor laminate 5 and is composed of a silicon resin material whose refraction factor is smaller than that of the semiconductor laminate 5.例文帳に追加

半導体発光装置は、活性層（発光層）３を含む第１の半導体層２及び第２の半導体層４が積層されてなる半導体積層体５と、該半導体積層体５の少なくとも一部の表面上に形成され、半導体積層体５の屈折率よりも小さい屈折率を有するシリコーン樹脂材からなる光取り出し層１０とを有している。 - 特許庁

A first conductivity clad layer, an active layer, a second conductivity first clad layer, and a second conductivity second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate as crystal, and the second conductivity clad layer is processed to form a plurality of stripe-like ridge structure parts 5, and cleaved in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the ridge structure part 5 to form a laser bar 1.例文帳に追加

半導体基板上に、第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型の第１クラッド層、および第２導電型の第２クラッド層を順次結晶成長させ、第２導電型の第２クラッド層を加工して、ストライブ状の複数のリッジ構造部５を形成し、リッジ構造部５の長手方向に対し直交する方向にへき開させて、レーザバー１を形成する。 - 特許庁

At either side of a positive or negative pole collector in substrate plate form, a successive stacking is provided for the positive or negative pole active material layer, the negative or positive pole active material, and the negative or positive pole collector.例文帳に追加

基体となる平板状の正極もしくは負極集電体の両面に、正極もしくは負極活物質層、固体電解質層、負極もしくは正極活物質層、および負極もしくは正極集電体を順次積層した。 - 特許庁

The carrying amount of the negative active material in the negative active material layer 20 is 2.0-6.0 mg/cm^2, the porosity of the separator 40 is 45-90%, and Gurley permeability of the separator 40 is less than 200 s/100 cm^3.例文帳に追加

負極活物質層２０における負極活物質の担持量は２．０〜６．０ｍｇ／ｃｍ^２であり、セパレータ４０の空孔率は４５〜９０％であり、さらに、セパレータ４０のガーレ式通気度は２００ｓ／１００ｃｍ^３未満である。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery and a manufacturing method for it with excellent binding strength of a negative electrode active material layer and a collector, binding strength of negative electrode active materials, and binding strength to a separator and having excellent discharging characteristics and cycle characteristics.例文帳に追加

負極活物質層と集電体との結着強度や負極活物質同士の結着強度及びセパレータとの結着強度に優れ、放電特性やサイクル寿命特性に優れたリチウム二次電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The power storage device 1 is provided with a positive electrode 2 employing oxygen as a positive electrode active substance, a negative electrode 3 containing a negative electrode active substance having an ionization tendency higher than hydrogen, and an electrolytic layer 4 interposed between the positive electrode 2 and the negative electrode 3.例文帳に追加

酸素を正極活物質とする正極２と、水素以上のイオン化傾向を有する負極活物質を含有する負極３と、正極２及び負極３の間に介在された電解質層４とを有する蓄電デバイス１である。 - 特許庁

Thus, the contact plug can be formed without using a diffusion layer contact pattern, and also, since the fringe of the contact plug substantially coincides with a boundary between the element isolation area and the active area, the active area can be reduced.例文帳に追加

これにより、拡散層コンタクトパターンを用いることなく、コンタクトプラグを形成できるとともに、コンタクトプラグの周縁が素子分離領域と活性領域の境界と実質的に一致することから、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁

After filling a paste-form active material in a current collector made of a lead alloy, a slurry containing active carbon, a conductive assistant, a lead compound, and a binder is coated, thereby, a paste type electrode plate formed with a surface layer 3 is manufactured.例文帳に追加

鉛合金製の集電体に、ペースト状活物質を充填した後に、その表面に活性炭、導電助剤、鉛化合物及び結着剤を含むスラリを塗着し、表面層3が形成されているペースト式電極板を製造する。 - 特許庁

The method of manufacturing the electrode for the electrochemical element has steps of: performing warming processing on a collector; and forming on the collector an electrode active material layer comprising an electrode compound constituted by containing an electrode active material, a conductive agent and a binder.例文帳に追加

集電体を加温処理する工程、電極活物質、導電剤および結着剤を含んでなる電極組成物からなる電極活物質層を集電体上に形成する工程とを有する電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁

To provide an active ray curable resin composition which is excellent in dust-proof performance such as contamination adhesion preventive performance and contamination removal performance when the composition is made to be a coating layer by being cured by the irradiation of an active energy ray, and also excellent in coating rigidity and abrasion resistance.例文帳に追加

活性エネルギー線照射により硬化させコーティング層とした際の、汚れの付着防止性や、汚れ除去性などの防汚性能に優れ、かつ塗膜硬度、耐擦傷性にも優れる活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the positive electrode 21, a positive-electrode active material layer 21B is installed on one face of the positive-electrode current collector 21A, while negative-electrode active material layers 22B that contain CoSnC-containing material, for instance are installed on both faces of the negative-electrode current collector 22A.例文帳に追加

正極２１では正極集電体２１Ａの片面に正極活物質層２１Ｂを設け、負極２２では負極集電体２２Ａの両面に、例えばＣｏＳｎＣ含有材料を含む負極活物質層２２Ｂを設ける。 - 特許庁

The negative electrode for the secondary battery includes an active material layer formed by integrating a negative electrode active material with binder, the binder being a polyimide resin having repeating units represented by formula (1).例文帳に追加

負極活物質をバインダーで一体化した活物質層を備えた二次電池用の負極であり、バインダーとして、一般式（１）で表される繰返し単位を有するポリイミド樹脂を用いた二次電池用負極、及びこの負極を用いた二次電池。 - 特許庁

To facilitate manufacturing a composite electrode active material containing lithium excellent in cycle characteristics, charge/discharge efficiency and conductivity by sintering similar or different active materials as a coating layer and core particles to be coated.例文帳に追加

リチウム二次電池用電極活物質として、異種または同種の活物質を被覆層および被覆されるコアの粒子として焼結し、サイクル性、充放電効率および導電性に優れたリチウム含有複合活物質を簡便に製造する。 - 特許庁

An electrode for an electric double layer capacitor contains a collector electrode and an active substance that is carried on the collector electrode, and the active substance comprises a carbon-based fiber and a conductive polymer fiber that are formed by an electrospinning method.例文帳に追加

集電体電極及び集電体電極上に担持された活物質を含んでなり、前記活物質がエレクトロスピニング法により形成された炭素系ファイバー及び導電性高分子ファイバーで構成されている電気二重層キャパシタ用電極。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a process obtaining aerosol by dispersing active material particles in gas, and a process forming an active material layer on the current collector by intermittently striking the aerosol against the current collector.例文帳に追加

非水電解質二次電池用電極の製造方法は、気体中に活物質粒子を分散させてエアロゾルを得る工程と、エアロゾルを集電体に間欠的に衝突させて、集電体上に活物質層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A nitride semiconductor device comprises: a nitride semiconductor layer laminate 102 including an active region 102A; and a finger-shaped first electrode 131 and a finger-shaped second electrode 132 that are formed apart from each other on the active region.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、活性領域１０２Ａを有する窒化物半導体層積層体１０２と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第１の電極１３１及び第２の電極１３２とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a positive electrode active material part in which the surface of a positive electrode active material is covered with a transparent covering layer made of a compound containing a polyanion structure.例文帳に追加

本発明は、正極活物質の表面をポリアニオン構造含有化合物からなる透明な被覆層で被覆した正極活物質材料を得ることができる正極活物質材料の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The paste active material is filled in a lead alloy collector, aged and dried to form a yet to be formed paste positive electrode plate which has an active material layer containing 50-70% by mass of tetrabasic lead sulfate.例文帳に追加

該ペースト状活物質を鉛合金製の集電体に充填し、熟成・乾燥させて未化成のペースト式正極板を作成し、該未化成のペースト式正極板の活物質層には、50〜70質量%の四塩基性硫酸鉛を含むようにする。 - 特許庁

This manufacturing method is characterized by applying electricity to (charging) a layered product of a positive electrode 4, a negative electrode 6 and an electrolyte layer in which a phosphate compound is included at least in one of a positive electrode active material, a negative electrode active material and a solid electrolyte.例文帳に追加

少なくとも正極活物質、負極活物質及び固体電解質のいずれかにリン酸化合物を含有した、正極４、負極６、電解質層の積層体を、適度な水分の存在下で通電（充電）する事を特徴とする。 - 特許庁