「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a surface emitting semiconductor laser element having a tunnel junction layer with a C-added p-type semiconductor layer on a GaInNAs containing active layer and attaining favorable optical characteristic and element characteristics and high element reliability.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層上にＣ添加のｐ型半導体層を有するトンネル接合層を備えており、良好な光学特性及び素子特性を実現でき素子信頼性の高い面発光半導体レーザ素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A protective layer containing an insulating inorganic material, a conductive material and lithium particles is arranged on the surface of the anode active material layer, with a part of the surface of the lithium particles exposed from the surface of the protective layer.例文帳に追加

そして、当該前記負極活物質層の表面には絶縁性無機材料、導電性材料、およびリチウム粒子を含む保護層がさらに配置され、当該リチウム粒子の表面の一部が保護層の表面から露出している点に特徴を有する。 - 特許庁

As a result, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 are grown only on the respective buffer layers 5, and an element isolation groove 4 for separating the respective semiconductor light-emitting elements 3 is of necessity formed between them.例文帳に追加

その結果、各バッファ層５上のみに、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８を成長させることができ、各半導体発光素子３間に、それらを分離するための素子分離溝４が必然的に形成される。 - 特許庁

In this semiconductor optical device and its manufacturing method, a quantum well active layer which includes an InxGa1-xNyAs1-y (0<x≤1, 0<y≤1) quantum well layer and GaNzAs1-z (0<z≤1) barrier layers which are adjacent to the upper part and the lower part of the quantum well layer is arranged on a substrate.例文帳に追加

Ｉｎ_xＧａ_1-XＮ_yＡｓ_1-y（０＜ｘ≦１，０＜ｙ≦１）井戸層と、該井戸層の上下に隣接するＧａＮ_zＡｓ_1-z（０＜ｚ≦１）バリア層とを含む量子井戸活性層を基板上に有することを特徴とする半導体光デバイス装置及びその製造方法。 - 特許庁

A layer made of a resist (resist layer) is formed on a substrate, a resist-protecting film comprising an antistatic resin and a photo-acid generating agent is formed on the resist layer, active-energy rays are made to selectively irradiate over the resist-protecting film, and the resist is developed to form a resist pattern.例文帳に追加

基板上にレジストよりなる層（レジスト層）を形成し、レジスト層上に制電性樹脂と光酸発生剤とを含んでなるレジスト保護膜を形成し、レジスト保護膜に対し選択的に活性エネルギー線を照射し、レジストを現像し、レジストパターンを形成する。 - 特許庁

The buried semiconductor laser 1 is formed of a p-type InP substrate 2 and has a ridge 6 consisting of a first clad layer 3 made of p-type InP, an AlGaInAs distortion quantum well active layer 4 and a second clad layer 5 made of n-type InP which are laminated.例文帳に追加

埋め込み型半導体レーザ１は、ｐ型のＩｎＰ基板２を用いて形成され、ｐ型ＩｎＰからなる第１クラッド層３、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層４、ｎ型ＩｎＰからなる第２クラッド層５を積層したリッジ部６を有している。 - 特許庁

Semiconductor layers of different kinds (In_0.53Al_0.17Ga_0.30As layer 104a-1 and Al_0.53Ga_0.65As_0.51Sb_0.49 layer 104a-2) forming a hetero junction belonging to a type II for every predetermined interval in a waveguide direction of an active layer 104 are alternately arranged.例文帳に追加

活性層１０４の導波方向において所定間隔毎にタイプIIに属するヘテロ接合を形成する異種の半導体層（Ｉｎ_０．５３Ａｌ_０．１７Ｇａ_０．３０Ａｓ層１０４ａ−１とＡｌ_０．５３Ｇａ_０．６５Ａｓ_０．５１Ｓｂ_０．４９層１０４ａ−２と）を交互に配列する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor 120 has a GaN buffer layer 102 and an n-type GaN layer 103 as group III nitride semiconductor layers formed on a first main surface 101a, and an MQW active layer 104 formed thereon.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体１２０は、第１の主表面１０１ａに形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層としてのＧａＮバッファ層１０２およびｎ型ＧａＮ層１０３と、その上に形成されたＭＱＷ活性層１０４とを有する。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A surface emitting laser element 1 comprises, on a p-GaAs substrate 2, a lower multilayer film reflecting mirror 3, a lower cladding layer 4, an active layer 5 of a multiquantum well structure, an upper cladding layer 6, and an upper multilayer film reflecting mirror 7 laminated in the order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

On a first conduction type semiconductor substrate 101, a first conduction type lower clad layers 103, 104, an active layer 106, a first upper clad layer 108 of a second type, and a second upper clad layer 109 of the conduction type are formed in order.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０１上に順に積層された第１導電型の下クラッド層１０３,１０４、活性層１０６、第２導電型の第一上クラッド層１０８、および第２導電型の第二上クラッド層１０９を備える。 - 特許庁

A conductive paint layer made of carbon as a conducting agent is provided between the aluminum foil of the current collector of the positive electrode 1 and the mixture layer containing positive electrode active material, and the ratio of the thickness of the conductive paint layer/the positive electrode mixture is made in the range of 0.02-0.1.例文帳に追加

正極１における集電体であるアルミニウム箔と正極活物質を含む合剤層との間にカーボンを導電剤とする導電性塗料層を設け、導電性塗料層／正極合剤層の厚みの比を０．０２〜０．１の範囲とした。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 101, there are provided n-AlGaAs first, second bottom cladding layers 103, 104; a multiplex distorted quantum well active layer 106; p-AlGaAs first, second top cladding layers 109, 111; a p-GaAs contact layer 112; and a p^+-GaAs contact layer 113.例文帳に追加

ｎ−ＧaＡs基板１０１上に、ｎ−ＡlＧaＡs第１,第２下クラッド層１０３,１０４と、多重歪量子井戸活性層１０６と、ｐ−ＡlＧaＡs第１,第２上クラッド層１０９,１１１と、ｐ−ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+−ＧaＡsコンタクト層１１３を備える。 - 特許庁

The self oscillation type or a high power semiconductor laser including an n-type clad layer (308, 302), an active layer (309, 303), and a p-type clad layer (310, 304) on an n-type GaN substrate (301), comprises AlGaInN based compound, wherein the carrier concentration of the GaN substrate is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

n型のGaN基板（３０１）上にn型クラッド層（３０８、３０２）と活性層（３０９、３０３）とp型クラッド層（３１０、３０４）を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

To provide a method to make an impurity layer by ion implantation of an impurity into an edge part in side part and of an active region to prevent generation of a parasitic transistor phenomenon or an edge transistor phenomenon along the edge part in the side part of the active region even when the active region is refined to the limit.例文帳に追加

アクティブ領域を極限にまで微細化しても、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に不純物をイオン注入して、不純物層を形成でき、前記アクティブ領域側部のエッジ部分に沿っての寄生トランジスタ現象又はエッジトランジスタ現象の発生を防止することができるようにする。 - 特許庁

An electrode manufacturing device 1 comprises: a wind-out roll 10 for winding out belt-like metal foil M; a coating part 11 for coating an active material mixture to both surfaces of the metal foil M; a drying part 12 for forming an active material layer by drying the active material mixture on the metal foil M; and a winding roll 13 for winding the metal foil M.例文帳に追加

電極製造装置１は、帯状の金属箔Ｍを巻き出す巻出ロール１０と、金属箔Ｍの両面に活物質合剤を塗工する塗工部１１と、金属箔Ｍ上の活物質合剤を乾燥させて活物質層を形成する乾燥部１２と、金属箔Ｍを巻き取る巻取ロール１３とを有している。 - 特許庁

A liquid crystal device 1 comprises; an active matrix substrate 2 including a glass substrate 6; a facing substrate 3 including a thinner glass substrate 7 than the glass substrate 6, which is provided facing the active matrix substrate 2; and a liquid crystal layer 4 which is provided between the active matrix substrate 2 and the facing substrate 3.例文帳に追加

液晶表示装置１は、ガラス基板６を有するアクティブマトリクス基板２と、アクティブマトリクス基板２に対向して設けられ、ガラス基板６よりも薄いガラス基板７を有する対向基板３と、これらアクティブマトリクス基板２と対向基板３との間に設けられた液晶層４とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the negative active material for the nonaqueous electrolyte secondary battery is that the negative active material made of a material capable of absorbing and releasing lithium is mixed with an aqueous solution containing an alkali metal ion, a reducing agent, and a reducing polymerization material, and a passive layer is formed on the surface of the negative active material.例文帳に追加

リチウムの吸蔵・放出が可能な材料からなる負極活物質を、アルカリ金属イオンと還元剤と還元重合性材料を含む水溶液とを混合し作用させ、負極活物質の表面に不動態化層を形成することを特徴とする非水電解液二次電池用負極活物質の製造方法。 - 特許庁

An electrode manufacturing device comprises an unwind roll unwinding a belt-like metal foil M, a coating part coating an active material compound S on both sides of the metal foil M, a dehydration part 12 dehydrating the active material compound S coated on the metal foil M to form an active material layer, and a wind roll winding the metal foil M.例文帳に追加

電極製造装置は、帯状の金属箔Ｍを巻き出す巻出ロールと、金属箔Ｍの両面に活物質合剤Ｓを塗工する塗工部と、金属箔Ｍ上の活物質合剤Ｓを乾燥させて活物質層を形成する乾燥部１２と、金属箔Ｍを巻き取る巻取ロールとを有している。 - 特許庁

An electrode manufacturing device 1 comprises an unwind roll 10 unwinding a belt-like metal foil M, a coating part 11 coating an active material compound on both sides of the metal foil M, a dehydration part 12 dehydrating the active material compound coated on the metal foil M to form an active material layer, and a wind roll 13 winding the metal foil M.例文帳に追加

電極製造装置１は、帯状の金属箔Ｍを巻き出す巻出ロール１０と、金属箔Ｍの両面に活物質合剤を塗工する塗工部１１と、金属箔Ｍ上の活物質合剤を乾燥させて活物質層を形成する乾燥部１２と、金属箔Ｍを巻き取る巻取ロール１３とを有している。 - 特許庁

In the negative electrode for the lithium ion secondary battery having a current collector and a negative electrode active material layer which is arranged on the current collector and which contains the hard carbon as the negative electrode active material, this is the negative electrode for the lithium ion secondary battery in which the negative electrode active material furthermore contains polyvinylidene fluoride and carbon black.例文帳に追加

集電体と、前記集電体上に配置された、負極活物質としてハードカーボンを含有する負極活物質層と、を有するリチウムイオン二次電池用負極において、前記負極活物質層は、ポリフッ化ビニリデンおよびカーボンブラックをさらに含有する、リチウムイオン二次電池用負極である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された埋込み絶縁膜２と、埋込み絶縁膜２上に形成された活性領域３０と、活性領域３０の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜４と、活性領域３０に形成されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁

To provide a releasing film which has an excellent heat resistance and dimensional stability and can be produced at a lower cost, an active energy ray-curable film obtained by forming and hardening an active energy ray-curable composition layer using the same film as a releasing film and an optical disk formed by using the active energy ray-curable film.例文帳に追加

耐熱性や寸法安定性等に優れ、低コスト化に応えられる離型フィルムと同フィルムを用いて活性エネルギー線硬化性組成物層を形成し、硬化させて得られる活性エネルギー線硬化フィルム、及び該活性エネルギー線硬化フィルムを用いて形成された光ディスクを提供すること。 - 特許庁

A message service protocol according to the invention includes an identifier field showing the usage of an active content, a size field showing the ratio of a display screen size of the active content, and an information field showing information on the active content in the transport layer of a message service protocol.例文帳に追加

本発明に係るメッセージサービスプロトコルは、メッセージサービスプロトコルのトランスポート層（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）において、アクティブコンテンツの使用を示す識別子フィールドと、前記アクティブコンテンツのディスプレイ画面のサイズの比率を示すサイズフィールドと、前記アクティブコンテンツの情報を示す情報フィールドと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The adsorbing apparatus (50) is filled with active carbon; while a gas containing hydrogen as a main ingredient is passed through the active carbon-filled layer, unseparated chlorosilanes, hydrogen chloride, nitrogen, carbon monoxide, methane and monosilane contained in the gas are adsorbed by the active carbon, and removed from the gas; and purified hydrogen is thus obtained.例文帳に追加

吸着装置（５０）には活性炭が充填されており、水素主体のガスが該活性炭充填層を通過する間に、ガス中に含まれる未分離のクロロシラン類、塩化水素、および窒素、一酸化炭素、メタン、モノシランが活性炭に吸着されてガス中から除去され、精製された水素が得られる。 - 特許庁

The electrode active material layer at least containing the anode active material and metal oxide or a metal simple body is laminated on a collector, and the anode active material is to be firmly fixed on the collector by the metal oxide or the metal simple body, without depending on existence of the resin binder.例文帳に追加

集電体上に、負極活物質と、金属酸化物あるいは金属単体とを少なくとも含む電極活物質層が積層し、且つ、上記負極活物質を、樹脂性のバインダーの存在に依らず、上記金属酸化物または上記金属単体により集電体上に固着させる。 - 特許庁

The anode of a nonaqueous electrolyte secondary battery is composed of a mixture layer containing an active substance nucleus which can charge/discharge lithium ions and a composite anode active substance made of a carbon nano fiber (CNF) deposited on a surface of the above active substance nucleus and a CNF, whose impurities of the surface are removed, is used.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、リチウムイオンの充放電が可能な活物質核と、この活物質核の表面に付着されたカーボンナノファイバ（ＣＮＦ）とからなる複合負極活物質を含む合剤層を有し、ＣＮＦとして表面の不純物を除去したものを用いたことを特徴とする。 - 特許庁

An electrode manufacturing device comprises an unwind roll 10 unwinding a belt-like metal foil M, a coating part 11 coating an active material compound on both sides of the metal foil M, a dehydration part 12 dehydrating the active material compound coated on the metal foil M to form an active material layer, and a wind roll 13 winding the metal foil M.例文帳に追加

電極製造装置は、帯状の金属箔Ｍを巻き出す巻出ロール１０と、金属箔Ｍの両面に活物質合剤を塗工する塗工部１１と、金属箔Ｍ上の活物質合剤を乾燥させて活物質層を形成する乾燥部１２と、金属箔Ｍを巻き取る巻取ロール１３とを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT which is enhanced in transistor characteristics, even if a polycrystalline semiconductor film obtained by making an amorphous semiconductor undergo laser annealing process is used as an active layer, a method of manufacturing an active matrix substrate, and an electro-optic device provided with an active matrix substrate formed by this method.例文帳に追加

非晶質の半導体膜にレーザアニールを施して得た多結晶性の半導体膜を能動層として用いた場合でも、良好なトランジスタ特性を有するＴＦＴの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびこの方法で製造したアクティブマトリクス基板を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

An active device chip 3, operating at a high-frequency band higher than the millimeter wave band among a plurality of active device chips 3 mounted on a circuit board 1 provided with a wiring 2, is shielded with an insulation resin layer 6 obtained by dispersing metal particles 8 having electromagnetic wave absorption effect in the operation frequency band of the active device chip 3.例文帳に追加

配線２を設けた回路基板１上に搭載した複数の能動素子チップ３の内のミリ波以上の高周波帯域で作動する能動素子チップ３を、前記能動素子チップ３の動作周波数帯域に電磁波吸収効果のある金属粒子８を分散させた絶縁樹脂層６によって封止する。 - 特許庁

The positive electrode includes a positive electrode current collector and a positive electrode layer which is formed on the above current collector and contains a binding positive electrode active material which binds a particle shaped positive electrode active material with the neighboring particle shaped positive electrode active material.例文帳に追加

本発明は、正極集電体と、上記正極集電体上に形成され、粒子状正極活物質、および隣接する上記粒子状正極活物質を結着する結着正極活物質を含有する正極層と、を有することを特徴とする正極体を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The active substance layer is formed by the current collector consisting of the rolled foil of Pb-Sn alloy containing 0.5 to 2.5 wt.% of Sn, and by the active substance slurry or the active substance paste obtained by kneading the mixed powder with the mixing water containing lead sulfate which does not contain sulfuric acid on this current collector surface.例文帳に追加

Ｓｎを０．５質量％〜２．５質量％含むＰｂ−Ｓｎ合金の圧延箔からなる集電体とこの集電体表面上に鉛および鉛酸化物からなる混合粉を硫酸を含まない硫酸鉛を含有する練水で混練した活物質スラリーもしくは活物質ペーストで活物質層を形成する。 - 特許庁

In this SOI semiconductor integrated circuit, semiconductor residue layers which exist between transistor active regions 155b and a body- contact active region 155a and are smaller in thickness than those of the active regions 155b and 155a are arranged on the embedded insulating layer of an SOI substrate and covered with the element separating layers of partial trenches.例文帳に追加

トランジスタ活性領域１５５ｂ及びボディコンタクト活性領域１５５ａの間に存在するトランジスタの活性領域及びボディコンタクトの活性領域より薄い半導体残余物層がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の上に配置され、しかも半導体残余物層は部分トレンチの素子分離層によって覆われる。 - 特許庁

The surface protective layer 2 is pref. constituted of an active energy curable resin compsn. of a semicured state wherein 60-95% of an active energy reactive functional group is reacted or an active energy curable thermosetting resin compsn. of a semicured state wherein thermally reactive functional group is reacted.例文帳に追加

該表面保護層２は、活性エネルギー線反応性官能基の６０％以上９５％以下が反応した半硬化状態の活性エネルギー線硬化性の樹脂組成物、又は、熱反応性官能基が反応した半硬化状態の活性エネルギー線硬化性且つ熱硬化性の樹脂組成物から構成することが好ましい。 - 特許庁

The electrode active material layer at least containing an anode active material and metal oxide or a metal simple body is laminated on a collector, and the anode active material is to be firmly fixed on the collector by the metal oxide or the metal simple body above, without dependence on existence of a resin binder.例文帳に追加

集電体上に、負極活物質と、金属酸化物あるいは金属単体とを少なくとも含む電極活物質層が積層し、且つ、上記負極活物質を、樹脂性のバインダーの存在に依らず、上記金属酸化物または上記金属単体により集電体上に固着させる。 - 特許庁

In this case, the layer 2 is preferably constituted of an active energy bean curable resin composition of a semicured state for reacting 60 to 95% of the active energy beam reactive functional group or an active energy beam curable and thermosetting resin composition of the semicured state for reacting a heat reactive functional group.例文帳に追加

転写層２は、活性エネルギー線反応性官能基の６０％以上９５％以下が反応した半硬化状態の活性エネルギー線硬化性の樹脂組成物、又は、熱反応性官能基が反応した半硬化状態の活性エネルギー線硬化性且つ熱硬化性の樹脂組成物から構成することが好ましい。 - 特許庁

To provide a means, capable of suppressing generation of a problem, such as short circuiting to a minimum caused by falling-off, even when an active material and a conductive aid fall off from an active material layer, in an electrochemical device in which the active material and the conductive aid of a small-particle diameter are used taking into account the high power output.例文帳に追加

高出力化を念頭に粒径の小さい活物質や導電助剤を用いた電気化学デバイスにおいて、活物質や導電助剤が仮に活物質層から脱落した場合であっても、かような脱落に起因する短絡などの問題の発生を最小限に抑制しうる手段を提供する。 - 特許庁

A compound semiconductor laser has a substrate, a first conductivity type semiconductor layer including at least a first cladding layer, an active layer made up of a group III nitride semiconductor, and a second conductivity type semiconductor layer including at least a second cladding layer, wherein the second conductivity type semiconductor layer includes a ridge structure, and a dielectric film including at least ZrO_2 outside the ridge structure is formed.例文帳に追加

基板と、少なくとも第１クラッド層を含む第１導電型の半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる活性層と、少なくとも第２クラッド層を含む第２導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、第２導電型の半導体層には、リッジ構造が設けられており、リッジ構造の外部には、少なくともＺｒＯ_2を含む誘電体膜を形成する。 - 特許庁

A lateral mode control layer 13 or 7 of AlN with a thickness of 0-300 nm is provided either of between N-type clad layers 12 and 14 or between P-type clad layers 6 and 8, or between one of the above clad layers and an active layer.例文帳に追加

ｎ型クラッド層又はｐ型クラッド層の少なくとも一方のクラッド層内もしくは前記少なくとも一方のクラッド層と活性層の間に、厚さ０〜３００ｎｍのAlN からなる横モード制御層を設けた。 - 特許庁

In a process for forming a separation groove for separating into chips by dry etching and then surface-roughening a surface where the n-type nitride semiconductor layer 2 is exposed, the side of the active layer 3 is melted and the width is narrowed.例文帳に追加

チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable composition forming a coating layer excellent in appearance, abrasion resistance, scratch resistance, adhesiveness to substrates and weather resistance and to provide a molded product having a coating layer by curing the composition.例文帳に追加

外観、耐摩耗性、耐擦傷性、基材密着性及び耐候性に優れた被覆層を形成する活性エネルギー線硬化性組成物及び該組成物を硬化させてなる被覆層を有する成形品を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum foil for an electrical double layer capacitor collector body, where reliability as an electrode material is improved by improving adhesion with an electrode active material, etc., a method of manufacturing therefor, and an electrical double-layer capacitor.例文帳に追加

電極活物質との密着性を高める等、電極素材としての信頼性を高めた電気二重層コンデンサ集電体用アルミニウム箔、その製造方法及び電気二重層コンデンサを提供する。 - 特許庁

To develop a technique of delivering an active ingredient to below the epidermal horny layer and to the dermis by only its direct application to the skin and to develop a technique of enabling caring for live tissues below the horny layer.例文帳に追加

皮膚に直接塗布するだけで、有効成分を皮膚の表皮角層下及び真皮まで送達させる技術を開発し、角層下の生きた組織をケアすることを可能とする技術を開発すること。 - 特許庁

The peel film is constituted so that a peeling layer is provided on one side of a base material film and the antistatic layer, which comprises a cured material of an active energy ray curable resin composition containing carbon nanofibers, is provided to the other side of the base material film.例文帳に追加

基材フィルムの一方の面に剥離剤層を有し、かつ他方の面に、カーボンナノファイバーを含む活性エネルギー線硬化型樹脂組成物の硬化物からなる帯電防止層を有する剥離フィルムである。 - 特許庁

The protective layer composition for forming a protective layer on a formed image contains an active energy ray-curable compound, has 15-35mN/m surface tension and contains no colorant.例文帳に追加

形成した画像上に保護層を形成する保護層組成物であって、活性エネルギー線硬化性化合物を含有し、表面張力が１５〜３５ｍＮ／ｍで、かつ着色剤を含有しないことを特徴とする保護層組成物。 - 特許庁