「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminated SOI substrate which restrains polishing sag in the outer circumferential part of a wafer for an active layer and enhances the planarity of a wafer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層用ウェーハの外周部の研磨ダレを抑制し、ウェーハの平坦度を高める張り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, impurity concentration distribution is provided in the parallel pn layer 12 at the active section 10, and impurity concentration at a deep portion may be set higher than that of a shallow portion.例文帳に追加

また活性部１０の並列ｐｎ層１２に不純物濃度分布を設け、深い部分の不純物濃度を浅い部分のそれより高濃度にしてもよい。 - 特許庁

On the surface of the p-side electrode 22, a protecting section 24 is provided, in correspondence with other region than the current injection region of the active layer 14.例文帳に追加

また、ｐ側電極２２の表面には活性層１４の電流注入領域以外の領域に対応して保護部２４が設けられている。 - 特許庁

To provide a light-emitting device having an active layer of Zn_1-XMg_XO in which the efficiency of light emission particularly in an ultraviolet region is improved.例文帳に追加

Ｚｎ_１−ＸＭｇ_ＸＯを活性層とした発光デバイスにおける、特に紫外領域での発光効率を向上することを課題とする。 - 特許庁

A sealing member 30 that forms a space 26 where no liquid crystal layer is present is inserted between the active matrix substrate 1 and the counter substrate 2.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間には、液晶層が存在しない空間２６を形成するシール部材３０が挟みこまれている。 - 特許庁

It is also preferable that the groove reaching the positive electrode collector 1a be formed, by laminating the positive electrode active material layer 2b on the positive electrode collector 1a.例文帳に追加

正極集電体１ａに正極活物質層２ｂなどを堆積してから、正極集電体１ａに達する溝を形成してもよい。 - 特許庁

A plurality of holes 30, reaching the current constricting layer 32 from the active region 16 are formed in the lower DBR 14 on the outside of the post P.例文帳に追加

下部ＤＢＲ１４には、ポストＰの外側において、活性領域１６から電流狭窄層３２に到達する複数の孔３０が形成されている。 - 特許庁

To provide a negative electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery for manufacturing a nonaqueous electrolyte secondary battery having good cycle characteristics by preventing fall of active material in an active material layer caused by cracks of active material, which is Si or Sn negative electrode active material used for the nonaqueous secondary battery including a lithium ion secondary battery, in accordance with expansion and contraction during charge and discharge.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池をはじめとする非水二次電池に用いられるＳｉまたはＳｎ系負極活物質の、充放電時の膨張収縮に伴う活物質の割れに起因する、活物質層中での活物質の脱落を防ぎ、サイクル特性の良好な非水電解質二次電池の製造を可能にするための、非水電解質二次電池用負極を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an ultraviolet-curing treatment method for an active energy beam-curable resin capable of improving a surface hardness and durability in the ultraviolet curing of the active energy beam-curable resin, the active energy beam-curable resin obtained by the curing treatment method and a laminate which is constituted by laminating a function layer on the surface of the cured active energy beam-curable resin.例文帳に追加

本発明は、活性エネルギー線硬化型樹脂の紫外線硬化において、表面硬度及び耐久性を改善できる活性エネルギー線硬化型樹脂の紫外線硬化処理方法及びその硬化方法により得られる活性エネルギー線硬化樹脂並びにその硬化樹脂表面に機能層を積層した密着性に優れる積層体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The metal oxide layer 5 includes an identical layer region 5a formed on a same layer of the internal electrodes 4A, 4B in the inactive part Q and a stacked region 5b formed stacking over the front surface of a part of the internal electrodes 4A, 4B extending to the active part P side from the identical layer region 5a.例文帳に追加

金属酸化物層５は、不活性部Ｑにおける内部電極４Ａ，４Ｂと同一の層に形成された同層領域５ａと、この同層領域５ａから活性部Ｐ側に延びて内部電極４Ａ，４Ｂの一部の上面に重なるように形成された重なり領域５ｂとからなっている。 - 特許庁

A light emitting device 100 is equipped with an active layer 106, which is provided with at least a first well layer 108 formed of In- containing nitride compound semiconductor and at least a second well layer 109, which emits light of main wavelength peak longer than the main wavelength peak which the first well layer emits.例文帳に追加

本発明による活性層は、Ｉｎを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも１つの第１の井戸層と、第１井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも１つの第２の井戸層と、を備える。 - 特許庁

In the thermosensitive recording body having a thermosensitive recording layer containing at least a leuco dye and a coloring agent and a protective layer containing an adhesive in series on the support body, the thermosensitive recording body is characterized by having an active silicate aqueous solution in a coating liquid for the protective layer forming the protective layer.例文帳に追加

支持体上に、少なくともロイコ染料と呈色剤を含有する感熱記録層、及び接着剤を含有する保護層を順次有する感熱記録体において、前記保護層を形成する保護層用塗液中に活性珪酸水溶液を含有することを特徴とする感熱記録体。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor laser element comprises: a nitride semiconductor layer that is formed above an n-type GaN substrate 10 and includes an active layer 14; a stripe-shaped waveguide structure formed in the nitride semiconductor layer; and a p-side electrode 22 that is formed above the nitride semiconductor layer and has wire-bond regions 22a.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。 - 特許庁

The MOS device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; and first and second source/drain regions of second conductivity types, 206 and 204, respectively, formed in the semiconductor layer proximate to the upper surface of the semiconductor layer and spaced laterally apart relative to each other, the first and second source/drain regions 206, 204 formed in an active region of the semiconductor layer.例文帳に追加

ＭＯＳデバイスが、第１導電型の半導体層、およびこの半導体層内で上面に近接して形成され、互いに横方向に間隔を置いて設置され、半導体層の活性領域内に形成される第２導電型の第１ソース／ドレイン領域２０６および第２ソース／ドレイン領域２０４を備える。 - 特許庁

In the surface-emitting laser element 50, the upper part of a contact layer 64, an upper DBR (distributed Bragg reflection) resonator 62, an upper clad layer 60, an active layer 58, a lower clad layer 56, and a lower DBR resonator 54 is etched to form a columnar mesa post 70 having a circular cross-section of about 30 μm in diameter.例文帳に追加

面発光レーザ素子５０では、コンタクト層６４、上部ＤＢＲ共振器６２、上部クラッド層６０、活性層５８、下部クラッド層５６、及び下部ＤＢＲ共振器５４の上部は、エッチングされて、直径３０μｍ程度の円形断面を有する、円柱状のメサポスト７０に加工されている。 - 特許庁

An electrode for electrolysis comprises an electrode base material comprising a conductive metal, the intermediate layer formed on the electrode base material, and a catalytic layer formed on the intermediate layer and comprising an electrode catalytic active material, wherein the whole of or a part of the intermediate layer comprises nitrided niobium.例文帳に追加

本発明は、導電性金属よりなる電極基材と、該電極基材上に形成される中間層と、該中間層上に形成され電極触媒活性物質よりなる触媒層と、からなる電解用電極において、前記中間層は、全部又は一部が窒化されたニオブからなる電解用電極に関する。 - 特許庁

The active layer of this light emitting element is provided with at least one first well layer composed of an In-containing nitride compound semiconductor, and at least one second well layer which emits light having a longer main peak wavelength than the light emitted from the first well layer has and is composed of an In-containing nitride compound semiconductor.例文帳に追加

本発明による活性層は、Ｉｎを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも１つの第１の井戸層と、第１井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Ｉｎを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも１つの第２の井戸層と、を備える。 - 特許庁

When in the formation, after each layer of the work function control layer 5, the intermediate layer 6, and the low resistance layer 7 are laminated on the gate insulating film 4, gate processing is performed, an LDD region 9, a sidewall 8, and a source drain region 10 are formed sequentially, active annealing of impurities introduced in the semiconductor substrate 2 is performed.例文帳に追加

その形成時には、ゲート絶縁膜４上に仕事関数制御層５、中間層６および低抵抗層７の各層の積層後、ゲート加工を行い、ＬＤＤ領域９、サイドウォール８およびソース・ドレイン領域１０を順に形成して、半導体基板２に導入した不純物の活性化アニールを行う。 - 特許庁

The gas separation membrane, which separates at least one type of acidic gas from a gas mixture, includes: a porous first layer; a second layer which is a separation active layer containing a compound having its molecular weight and interacting with the acidic gas of not more than 15,000, and a third layer with high gas permeability.例文帳に追加

ガス混合物から少なくとも１種の酸性ガスを分離するためのガス分離膜であって、多孔質の第一層と、前記酸性ガスと相互作用し得る分子量が１５，０００以下の化合物を含有する分離活性層である第二層と、ガス透過性の高い第三層とを有するガス分離膜。 - 特許庁

In the silver halide photographic sensitive material having photographic constituent layers including a photosensitive layer and a protective layer on a support, the protective layer comprises a polymer having an active methylene group (first invention) and the protective layer comprises a polymer having a maleic anhydride unit as a copolymerized component (second invention).例文帳に追加

支持体上に感光層および保護層を含む写真構成層を有する熱現像用ハロゲン化銀写真感光材料において、前記保護層は活性メチレン基を有するポリマーを含有すること（第１の発明）、前記保護層は無水マレイン酸ユニットを共重合成分として有するポリマーを含有すること（第２の発明）。 - 特許庁

This electrode for a lithium secondary battery is provided with: the collector 9; and an active material layer formed on the collector 9 and comprising the silicon layer 10 containing silicon and having first density, and the second silicon layer 11 formed on the silicon layer 10 and having second density larger than the first density.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極は、集電体９と、集電体９上に形成され、シリコンを含むとともに、第１の密度を有するシリコン層１０、および、シリコン層１０の上に形成され、第１の密度より大きい第２の密度を有する第２シリコン層１１からなる活物質層とを備えている。 - 特許庁

Differently from the conventional case where the magnitude of the refractive index or band gap is considered, the overflow of electrons from the first p-type clad layer 17 or a second p-type clad layer 19 can be suppressed certainly, because the ΔEc of the electron barrier layer 16 with respect to the active layer 14 can be enlarged certainly.例文帳に追加

従来のように屈折率あるいはバンドギャップの大小のみを考慮する場合と異なり、電子障壁層１６の活性層１４に対するΔＥｃを確実に大きくすることができ、第１ｐ型クラッド層１７ないし第２ｐ型クラッド層１９における電子の溢れ出しを確実に抑制することができる。 - 特許庁

The first clad layer 5, the etching stop layer 6 and the second clad layer 8 are subjected to impurity doping of Mg which is hard to diffuse in the solid of a compound semiconductor as compared with Zn, and the impurities are prevented from diffusing into the light emitting region of the MQW active layer 4 during a thermal process for forming an end face window.例文帳に追加

第１クラッド層５、エッチングストップ層６、第２クラッド層８には、Ｚｎよりも化合物半導体の固体中で拡散しにくいＭｇが不純物としてドーピングされており、端面窓形成の熱プロセス中にＭＱＷ活性層４の発光領域への不純物拡散が防止される。 - 特許庁

To obtain high yield in a self-oscillating type nitride semiconductor laser element, wherein a substrate is overlaid with an n-type clad layer, an active layer and a p-type clad layer, the p-type clad layer is provided with a stripe part protruding upward, and n-type current-constriction layers are formed on both sides of the stripe part, respectively.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型クラッド層３、活性層４、及びｐ型クラッド層５が形成され、ｐ型クラッド層５は上向きに突出するストライプ部53を具え、該ストライプ部53の両側にｎ型電流狭窄層６、６を形成している自励発振型の窒化物半導体レーザ素子において、従来よりも高い歩留まりを実現する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, method for manufacturing an active layer of the thin film transistor, and a display device for minimizing deterioration of semiconductor properties of a polycrystalline semiconductor layer due to density difference of metal catalysts even if a silicon layer is formed to the polycrystalline semiconductor layer by using diffusion of the metal catalysts.例文帳に追加

金属触媒の拡散を利用してシリコン層を多結晶半導体層に形成しても、金属触媒の濃度差によって多結晶半導体層の半導体特性が低下することを最少化する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置を提供する。 - 特許庁

A decorative sheet is constituted by providing a surface protective layer 3 comprising an ionizing radiation curable resin on a thermoplastic resin layer 1 provided with a pattern layer 4 if necessary through an intermediate layer 2 pref. formed from a resin compsn. containing a polymerizable double bond, an active hydrogen group and an isocyanate group.例文帳に追加

必要に応じて絵柄層４等を設けた熱可塑性樹脂層１上に、好ましくは、重合性二重結合と、活性水素基と、イソシアネート基とを含有する樹脂組成物から形成されてなる中間層２を介して、電離放射線硬化性樹脂からなる表面保護層３を設けて化粧シートを構成する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting device including a compound semiconductor layer containing an active layer, a ridge-type compound semiconductor layer formed on the opening into which current is poured, and a current blocking layer formed on and even outside a protective film covering the both sides of the opening, on a substrate, and its manufacturing method, are provided.例文帳に追加

基板上に、活性層を含む化合物半導体層、電流が注入される開口部上に形成されたリッジ型の化合物半導体層、該開口部の両側を覆う保護膜及び該保護膜の更に外側に形成された電流ブロック層を有することを特徴とする半導体発光装置及びその製造方法。 - 特許庁

An epitaxial wafer 1b for an infrared LED, comprises an AlGaAs substrate 10 including an AlGaAs layer 11 having a main surface 11a and a back surface 11b on the opposite side to the main surface 11a; and an epitaxial layer 20 formed on the main surface 11a of the AlGaAs layer 11, and including an active layer 23.例文帳に追加

赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｂは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌＧａＡｓ層１１を含む、ＡｌＧａＡｓ基板１０と、ＡｌＧａＡｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層２３を含むエピタキシャル層２０とを備えている。 - 特許庁

The selective oxidation layer 108 is provided between the position in the reflection layer 107 corresponding to the fourth-cycle node of a stationary wave distribution in an oscillation light field, and the position in the reflection layer 107 corresponding to the antinode of a stationary wave distribution adjacent to the fourth-cycle node in a direction opposite to the active layer side 105.例文帳に追加

そして、選択酸化層１０８は、発振光の電界の定在波分布の４周期目の節に対応する反射層１０７中の位置と、活性層１０５側と反対方向において、４周期目の節に隣接する定在波分布の腹に対応する反射層１０７中の位置との間に設けられる。 - 特許庁

To provide a multilayer piezoelectric element in which an internal electrode and a terminal electrode can be electrically connected positively through a through hole (TH) formed in an inactive layer when the inactive layer is interposed between an active layer on which the internal electrode is formed and a piezoelectric layer on which the terminal electrode is formed.例文帳に追加

内部電極が形成された活性層と端子電極が形成された圧電体層との間に不活性層を配置する場合に、当該不活性層に形成されたスルーホール（ＴＨ）を介して内部電極と端子電極とを確実に電気的に接続し得る積層型圧電素子を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, a quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

The diode element comprises a P type silicon layer 3 formed at a part positioned in an underlayer of the partial separation insulating film 4 in the active region 30, and a P type diffusion layer 5 and an N type diffusion layer 6 formed to reach the buried insulating film 2 while sandwiching the partial separation insulating film 4 and the P type silicon layer 3.例文帳に追加

ダイオード素子は、活性領域３０における部分分離絶縁膜４の下層に位置する部分に形成されるＰ型シリコン層３と、埋込み絶縁膜２に達し、部分分離絶縁膜４およびＰ型シリコン層３を挟むように形成された、Ｐ型拡散層５およびＮ型拡散層６とを有する。 - 特許庁

To provide an active energy ray curable composition to be a material for forming an optical disk cured layer having excellent corrosion resistance of a reflection layer and a recording layer which constitute an optical disk and excellent durability in long time preservation of the optical disk, to provide its cured product and to provide the optical disk having a layer composed of the cured product.例文帳に追加

光ディスクを構成する反射膜や記録層の耐腐食性に優れ、光ディスクの長期間の保存に対する耐久性に優れた光ディスク硬化物層を構成する材料である活性エネルギー線硬化性組成物、その硬化物及び該硬化物からなる層を有する光ディスクを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a first conductivity-type cladding layer 3, an active layer 4 and a second conductivity-type cladding layer 5 are stacked in sequence on a first conductivity-type semiconductor substrate, a mesa construction is formed in the second cladding layer and block layers 9 and 21 for current narrowing are formed on both sides of the mesa construction.例文帳に追加

本半導体レーザは、第１導電型半導体基板の上に、第１導電型クラッド層３、活性層４、第２導電型クラッド層５を順次積層し、第２クラッド層にはメサ構造が形成されており、メサ構造の両脇には、電流狭窄のためのブロック層９，２１が形成されている。 - 特許庁

This surface-emitting laser has a resonator structure, which is constituted by laminating at least a first-conductivity first multilayered semiconductor mirror layer 103, a first-polarity contact layer 105, an active layer 107, and a second-polarity second multilayered semiconductor mirror layer 111 upon a substrate 101 in this order or in the reverse order.例文帳に追加

面発光レーザ装置は、基板１０１上に、少なくとも、第１の極性の第１の半導体多層膜ミラー層１０３、第１の極性のコンタクト層１０５、活性層１０７、第２の極性の第２の半導体多層膜ミラー層１１１、の各層をこの順或いは逆順に積層して成る共振器構造を有する。 - 特許庁

A positive electrode current collecting foil 10 includes: the metal foil 11; the carbon coated layer 13 laminated on the foil surface 11a of the metal foil 11 containing carbon particles; and a positive electrode active material layer 15 laminated on the layer surface 13a of this carbon coated layer 13 and containing the positive electrode material.例文帳に追加

正極集電箔１０は、金属箔１１と、この金属箔１１の箔表面１１ａ上に積層されてなり、カーボン粒子を含むカーボンコート層１３と、このカーボンコート層１３の層表面１３ａ上に積層されてなり、正極活物質を含む正極活物質層１５とを備える。 - 特許庁

To provide an SOI substrate wherein film thickness uniformity of a semiconductor layer like an Si active layer (to which a buried insulating layer is added desirably) is superior, and especially Vth irregularity of a perfect depletion type SOI transistor can be made almost zero, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ｓｉ活性層の如き半導体層（望ましくはこれに加えて埋め込み絶縁層）の膜厚均一性に優れ、特に完全空乏型ＳＯＩトランジスタのＶ_thばらつきをほぼ零にすることが可能となるＳＯＩ基板、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A partial mat hard coat transfer material is constituted by making a hard coat layer comprising an active energy beam curable resin, a partial mat layer having fine unevenness comprising a water-soluble resin in which a matting agent is dispersed, and an adhesive layer serially overlie the base sheet with removability.例文帳に追加

部分マットハードコート転写材が、剥離性を有する基体シート上に、活性エネルギー線硬化性樹脂からなるハードコート層、マット剤を分散させた水溶性樹脂からなる微細な凹凸を有する部分マット層、接着層が少なくとも順次積層されている。 - 特許庁

A trench 31 for separating a device reaching an embedded insulating layer 24 and an active part trench 35 not reaching the embedded insulating layer 24 are simultaneously formed by forming a device structure on the surface layer of an SOI substrate 22 and varying an opening width of a mask oxide film.例文帳に追加

ＳＯＩ基板２２の表面層に素子構造を形成し、マスク酸化膜の開口幅を変えることにより、埋め込み絶縁層２４に達する素子分離用トレンチ３１と、埋め込み絶縁層２４に達しない活性部トレンチ３５を同時に形成する。 - 特許庁

When the activating solution L2, such as ozone water is sprayed over the thin film resin layer 13, atomic active oxygen oxidizes (activates) a silicone resin and a denatured silicon resin which constitute the thin film resin layer 13 to reform to an adhesive layer 9 which expresses adhesion.例文帳に追加

薄膜樹脂層１３にオゾン水などの活性化溶液Ｌ２が噴射されると、原子状の活性酸素が薄膜樹脂層１３を構成するシリコーン樹脂や変性シリコーン樹脂が酸化（活性化）され、接着性が発現した接着層９に改質される。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for a semiconductor light emitting element in which the amount of diffusion of Zn from a p-type contact layer to a p-type cladding layer and an active layer can be controlled, and to provide a semiconductor light emitting element fabricated employing the epitaxial wafer for the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The plane emission laser element 1 has a structure wherein a lower multilayer film reflector 3, a lower clad layer 4, an active layer 5 of a multi-quantum well structure, an upper clad layer 6, and an upper multilayer film reflector 7 are sequentially layered on a p-GaAs substrate 2 in this order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

A transparent resin layer 4 and a photosensitive transparent resin layer 5 in which the solvent solubility or the refractive index is varied by the irradiation with active energy rays are sequentially formed on the face of the side of the metal layer 3 reverse to the supporting material 1.例文帳に追加

金属層３の支持材１とは反対側の面に、透明樹脂層４、活性エネルギー線の照射によって溶剤溶解度が変化するか或いは屈折率が変化する感光性樹脂からなる感光性透明樹脂層１２を順次形成する。 - 特許庁

The electrode plate is manufactured by forming a phosphorus-containing layer on the surface of the collector by processing the surface of the collector with a water solution containing metal phosphate salt, and then forming an active material layer on the film layer.例文帳に追加

本発明の電極板は、例えば、リン酸金属塩を含有する水溶液を用いて集電体表面を処理することにより集電体表面にリン含有層を形成し、次いで該被膜層上に活物質層を形成することにより製造される。 - 特許庁

In a metal hierarchy structure of a semiconductor device, the penetration to an active region in the underneath is prevented by forming an oxide film, which is further thinner than a Ti-film layer, between a titanium-nitride-film layer and an aluminum-alloy layer to further enhance the barrier property.例文帳に追加

半導体装置のメタル階層構造において、チタン窒化膜層とアルミニウム合金層との間にＴｉ膜層よりさらに薄い酸化膜を形成することによって、下部の活性領域に突き抜けることを防止し、更なるバリア性の高度を図った。 - 特許庁