「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

The active material layer has mixtures containing a lithium-ion conductive polymer, and a complex consisting of a compound with an alkylene oxide structure and lithium salt existing at least on a part of the surface of the active material.例文帳に追加

そして、前記活物質層において、リチウムイオン伝導性ポリマーと、アルキレンオキシド構造を有する化合物およびリチウム塩からなる錯体とを含む混合物が、活物質表面の少なくとも一部に存在することで、上記課題が解決されうる。 - 特許庁

On the superlattice layer of InN and In_xGa_1-xN, the active region is disposed to relax strain generated on the active region, so that crystallinity of the quantum well is improved to enhance a recombination rate.例文帳に追加

ＩｎＮとＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの超格子層上に活性領域が配置されることによって、活性領域に発生するストレインを緩和させることができ、量子井戸の結晶性を改善することによって再結合率を高めることができる。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with a cathode 21, an anode 22 and electrolyte solution, the cathode 21 includes a cathode collector 21A and a cathode active material layer 21B containing a cathode active material fitted on the cathode collector 21A.例文帳に追加

正極２１および負極２２と共に電解液を備える非水電解質二次電池において、正極２１は、正極集電体２１Ａと、この正極集電体２１Ａに設けられ、正極活物質を含む正極活物質層２１Ｂとを有する。 - 特許庁

The electrode for electric double layer capacitor contains an electrode material containing active carbon activated with alkali metal hydroxide, active carbon activated with steam, and a binder, the binder being a polymer containing no fluorine.例文帳に追加

アルカリ金属水酸化物で賦活した活性炭、水蒸気にて賦活した活性炭、および結着剤を含有する電極材料を含んでなり、前記結着剤がフッ素を含まない重合体であることを特徴とする電気二重層キャパシタ用電極。 - 特許庁

The first transistor and the second transistor are formed in a first active region and a second active region which are separated from each other, and the source region of the first transistor is electrically connected to the drain region of the second transistor through an interconnection composed of a conductive layer.例文帳に追加

第１トランジスタ及び第２トランジスタは各々互いに分離された第１及び第２活性領域に形成され、第１トランジスタのソース領域は導電層から成った配線を通じて第２トランジスタのドレイン領域と電気的に接続される。 - 特許庁

Since the plurality of metal fibers provides sufficient conductive paths among the plurality of the negative active material particles, compared with a general negative electrode in which an active material layer is formed on a current collector made of a metal foil or the like, current collecting property is improved.例文帳に追加

複数の金属繊維によって複数の負極活物質粒子間に十分な導電パスが得られるため、金属箔などからなる集電体上に活物質層が設けられた一般的な負極と比較して、集電性が向上する。 - 特許庁

Then, by irradiating and heating electron beams from an electron beam irradiation part 59 in vacuum atmosphere from the mixed powder 40 side in curtain state, the negative electrode active material 41b is adhered on the copper foil 50, and a first layer negative electrode active material 41b is formed.例文帳に追加

そして、電子線照射部５９からの電子線を真空雰囲気中で混合粉体４０の側からカーテン状に照射・加熱して銅箔５０に負極活物質４１ｂを固着させ１層目の負極活物質４１ｂを形成する。 - 特許庁

Ion diffusion on the surface of a positive active material is improved, growth of a positive electrode film is suppressed even when the thickness of a positive active material layer is increased, and increase in charge transfer resistance in the positive electrode can be suppressed.例文帳に追加

これにより、正極活物質層表面でのイオン拡散性を改善し、正極活物質層の厚みを厚くした場合であっても正極皮膜の成長を抑制し、正極での電荷移動抵抗の上昇を抑制することができる。 - 特許庁

The image forming material comprises an image forming layer, which is provided on a hydrophilic substrate, contains core/shell structure particulates which comprises a chemically active shell and a core with a softening point lower by 40°C than that of the chemically active shell, and a hydrophilic polymer.例文帳に追加

親水性支持体上に、化学的活性シェルと軟化点が該化学的活性シェルより４０℃低いコアを有するコア／シェル構造微粒子及び親水性ポリマーを含有する画像形成層を有することを特徴とする画像形成材料。 - 特許庁

In the InGaN well layer 21, a thickness d_21b of the second portion 21b is thinner than a thickness d_21a of the first portion 21a, and the InGaN well layer 21 partially becomes thin by growing up the active layer 17 on the semiconductor surface 19 having the facet side.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ井戸層２１において、第２の部分２１ｂの厚さｄ_２１ｂは第１の部分２１ａの厚さｄ_２１ａより薄く、ファセット面を有する半導体表面１９上に活性層１７を成長することによってＩｎＧａＮ井戸層２１が部分的に薄くなっている。 - 特許庁

This stain resistant heat peelable adhesive sheet is provided by having a thermally swellable layer containing thermally swellable fine spheres and a binder on at least one side surface of a substrate material, and laminating an active energy beam-curing type adhesive layer containing non-adhesive fine spheres through the heat swellable layer.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に熱膨張性微小球と結合材とを含有する熱膨張性層を有し、該熱膨張性層を介して非粘着性微小球を含む活性エネルギー線硬化型粘着層が積層された非汚染性熱剥離型粘着シート。 - 特許庁

Between a substrate 101 and an active layer 106, a first nitride semiconductor layer 103 of n-type, a second nitride semiconductor 104 which comprises n-type impurity to form an n-type electrode and comprises a third nitride semiconductor layer 105 of an n-type in this order starting from the substrate 101 side.例文帳に追加

基板と活性層との間に基板側から順にｎ型の第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物を有しｎ型電極が形成される第２の窒化物半導体と、ｎ型の第３の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子である。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor laser element comprises: a first reflector 102; a first spacer layer 104; an active layer 105; a second spacer layer 106; and a second reflector 108 that are sequentially provided on a substrate 101; and a first electrode 109 and a second electrode 110.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。 - 特許庁

The identifying operation to each device from another device can be performed quickly without making the link layer 12, transaction layer 13, and register 14 of each device active by precopying 16 all or part of the individual information 15 contained in the configuration ROM 14 provided in the register 14 on the physical layer 11 as individual information 17.例文帳に追加

このレジスタ１４内のConfiguration ＲＯＭ１４に含まれる個別情報１５の全部又は一部を個別情報１７として予め物理層１１にコピー動作１６を行うことにより、リンク層１２以上をアクティブにすることなく他の装置から迅速に装置の識別動作を可能にする。 - 特許庁

In a method for producing the multi-layer film, the acrylate compound, after being applied on at least one side of the polyester film, is cured by active energy rays to form the acrylate compound layer, and then the silicone resin, after being applied on the acrylate compound layer, is cured.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、アクリレート化合物を塗布した後、活性エネルギー線により硬化させてアクリレート化合物層を形成させた後、次いで、当該アクリレート化合物層上にシリコーン樹脂を塗布した後、硬化させることを特徴とする多層フィルムの製造方法。 - 特許庁

Moreover, part of the outer circumferential side of the current constriction layer 31 is oxidized to form an oxidation region 31a and the area of a current constriction region 31b surrounded by the oxidation region 31a is formed gradually smaller from the DBR layer 22 toward the active layer 21.例文帳に追加

そして、電流狭窄層３１の外周側の一部を酸化させて酸化領域３１ａとするとともに、酸化領域３１ａで囲まれる電流狭窄領域３１ｂの面積がＤＢＲ層２２側から活性層２１側に向けて徐々に小さくなるようにする。 - 特許庁

The active substance layer 5 is formed by material which is equivalent to the negative electrode substance 47 when the outer most periphery electrode layer of the rolled electrode body 4 is the positive electrode 41, and by material which is equivalent to the positive electrode substance 45 when the outer most periphery electrode layer is the negative electrode 42.例文帳に追加

該活物質層５は、巻き取り電極体４の最外周の電極層が正極４１の場合は負極活物質４７と均等な材料から形成され、最外周の電極層が負極４２の場合は正極活物質４５とは均等な材料から形成されている。 - 特許庁

In the secondary battery that can be charged and discharged and is equipped with a positive electrode layer 2 and a negative electrode layer 4, such a positive electrode layer 2 is constituted by using a metal complex cluster as a positive electrode active material in which transition metal atoms are aggregated via a ligand, and this is mixed with carbon material.例文帳に追加

正極層２及び負極層４を備えた、充放電可能な二次電池において、正極活物質として、配位子を介して遷移金属原子が集合した金属錯体クラスターを用い、これと炭素材料を混合して、かかる正極層２を構成した。 - 特許庁

A lower mirror layer 14 having a p-type AlGaAs system DBR structure, an active layer 24 having a GaAs/AlGaAs system MQW structure, and an upper mirror layer 28 having an n-type AlGaAs system DBR structure are formed on a p-type GaAs substrate 12 to constitute a vertical resonator.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｐ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の下部ミラー層１４、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のＭＱＷ構造の活性層２４、及びｎ−ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ構造の上部ミラー層２８等が積層され、垂直共振器を構成している。 - 特許庁

An element structure is formed on a surface layer of an SOI substrate 22, a mask oxide film is formed on a surface thereof, and the opening width of a mask is varied to form a trench 31 for element isolation which reaches a buried insulating layer 24 and an active portion trench 35 which does not reach the buried insulating layer 24 at the same time.例文帳に追加

ＳＯＩ基板２２の表面層に素子構造を形成し、その表面にマスク酸化膜を形成し、マスクの開口幅を変えることにより、埋め込み絶縁層２４に達する素子分離用トレンチ３１と、埋め込み絶縁層２４に達しない活性部トレンチ３５を同時に形成する。 - 特許庁

In the light-emitting diode having an n-type semiconductor layer, an active layer consisting of thirty or fewer of quantum well layers, and a p-type semiconductor layer as a semiconductor multilayer structure on a substrate, a flat portion and a plurality of holes are formed on the surface of the semiconductor multilayer structure.例文帳に追加

基板上に少なくともｎ型半導体層、３０層以下の量子井戸層から成る活性層、ｐ型半導体層を半導体積層構造として有する発光ダイオードにおいて、半導体積層構造の表面に平坦部分と複数の穴を形成する。 - 特許庁

A laser chip 21 comprises a clad layer 23, an active layer 24, a clad layers 25 and a cap layer 26 or laminated on an n-type GaAs substrate 22, a top electrode 29 formed thereon via a strip-like perforated insulation film 27 and a bottom electrode 30 on the bottom surface.例文帳に追加

レーザチップ２１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２２上にクラッド層２３，活性層２４，クラッド相２５，キャップ層２６を順次積層形成し、この上にストライプ状に開口した絶縁膜２７を介して上部電極２９を形成すると共に、下面に下部電極３０を形成する。 - 特許庁

A "p" clad layer is grown on the active layer having the semiconductor layer containing In at first temperature (800 to 900°C), and then while only nitrogen gas and ammonia gas are circulated, a laminate of a semiconductor is heat-treated at second temperature (900 to 1,000°C) higher than the first temperature.例文帳に追加

Ｉｎを含む半導体層を備える活性層の上にｐクラッド層を第１の温度（８００〜９００℃）で成長させ、その後、窒素ガスとアンモニアガスのみを流通させながら、第１の温度より高い第２の温度（９００〜１０００℃）で半導体の積層体を熱処理する。 - 特許庁

After a light-emitting diode structure is formed on the nitride-based III-V compound semiconductor 15 by growing a nitride-based III-V compound semiconductor layer containing an active layer, the ZnO layer 11 is wet-etched to be removed, thereby peeling the substrate 10.例文帳に追加

この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成した後、ＺｎＯ層１１をウエットエッチングして除去することにより基板１０を剥離する。 - 特許庁

(B) A semiconductor film including, from the growth substrate side, a first conductivity type first semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type second semiconductor layer respectively constituted of Al_xIn_yGa_zN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤ z≤1, x+y+z=1) on the growth substrate is formed.例文帳に追加

（ｂ）成長基板上に、成長基板側から、各々Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で構成される、第１導電型の第１半導体層、活性層、第２導電型の第２半導体層を含む半導体膜を形成する。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁

In a composition of the buffer layer 12, a region (substrate connection region 121) where the value of p is set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the lower end side, and a region (active layer connection region 122) where the value of p is also set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the upper end side (electron transit layer 13 side).例文帳に追加

この緩衝層１２の組成においては、下端側においてｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（基板接続領域１２１）が、上端側（電子走行層１３側）においてもｐ＝０（ＧａＮ）となった領域（能動層接続領域１２２）が、それぞれ設けられている。 - 特許庁

To provide a nitrogen compound semiconductor light-emitting element with large emission intensity, which comprises an n-type layer composed of AlGaN, an active layer composed of AlGaInN, and a p-type layer, and emits ultraviolet light with an emission peak wavelength of 400 nm or less, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＡｌＧａＮよりなるｎ型層、ＡｌＧａＩｎＮよりなる活性層、およびｐ型層を有し、発光ピーク波長が４００ｎｍ以下の紫外光を放射する、発光強度の大きい窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this semiconductor laser device, the free carrier absorption loss of the current block layer 15 can be reduced in the vicinity of the active layer 13 without lowering the withstand voltage of the unit block layer 15, optical output can be increased and high reliability can be obtained.例文帳に追加

この半導体レーザ装置によれば、電流ブロック層１５の耐圧を低下させることなく活性層１３の近傍での電流ブロック層１５によるフリーキャリア吸収損失を低減することができ、光出力の増大及び高い信頼性を得ることが可能となる。 - 特許庁

The active matrix substrate further has an auxiliary capacitance common wiring connected to the auxiliary capacitance common electrodes, an upper conductive layer electrically connected to the auxiliary capacitance common wiring and an interlayer insulating layer provided between the pixel electrodes and the auxiliary capacitances and between the upper conductive layer and the auxiliary capacitances.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板は、さらに、補助容量共通電極に接続された補助容量共通配線と、補助容量共通配線に電気的に接続された上層導電層と、画素電極および上層導電層と補助容量との間に設けられた層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

The nonvolatile optical memory 10 includes a GaAs substrate 1, a distribution Bragg reflection layer 2 formed on the GaAs substrate 1 by alternately laminating semiconductor films differing in refractive index, and a semiconductor active layer 3 with a quantum well structure on the distribution Bragg reflection layer 2.例文帳に追加

不揮発性光メモリ１０は、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層２と、分布ブラッグ反射層２上に、量子井戸構造を有する半導体活性層３とを備えている。 - 特許庁

Lithium ions are electrochemically injected into the n-type Si substrate 11 to peel the n-type Si substrate 11 from the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１中にリチウムイオンを電気化学的に挿入することによりｎ型Ｓｉ基板１１をバッファ層１２、ｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から剥離する。 - 特許庁

To provide a fine printing method which can perform multicolor printing with one layer photo setting resin layer and does not require positioning even upon mask exposure with respect to the method of performing the printing by removing tackiness of the photo setting resin layer with active energy ray irradiation.例文帳に追加

活性エネルギー線照射により光硬化性樹脂層の粘着性を消失させることによって印刷を行う方法であって、一層の光硬化性樹脂層で多色印刷を行うことができ、かつ、マスク露光であっても位置合わせを必要としない精密印刷方法を提供する。 - 特許庁

In the heat developable material with a layer containing at least photosensitive silver halide grains, an organic silver salt, a reducing agent and a binder on the base coated with an undercoat layer, the undercoat layer contains a polyvinyl acetate derivative having an active methylene group.例文帳に追加

下塗り層を設けた支持体上に、少なくとも感光性ハロゲン化銀粒子、有機銀塩、還元剤及び結合剤を含有する層を有する熱現像材料において、該下塗り層が活性メチレン基を有するポリ酢酸ビニル誘導体を含有することを特徴とする熱現像材料。 - 特許庁

A pixel electrode 23 provided on an inner surface of at least one of a pair of substrates 22 at least one of which is transparent and having at least one liquid crystal display layer (active element) 25 is provided, a display layer is formed between the substrates 22 and a spacer (structural supporting body) 12 is provided in the display layer.例文帳に追加

少なくとも一方が透明である一対の基板２２の少なくとも一方の内面に設けられて少なくとも１つの液晶層（能動素子）２５を有する画素電極２３を設け、基板２２間に表示層を形成し、表示層内にスペーサ（構造支持体）１２を設ける。 - 特許庁

To prevent the delamination and cracking of a mixture layer while keeping high capacity without increasing a quantity of binding agent which inhibits the charging and discharging reaction, in a case when a rolled copper foil capable of providing high capacity and the lumped graphite powder easily causing the delamination of the mixture layer layer, are used in the negative electrode active material.例文帳に追加

高容量化が期待できるが圧延銅箔と合剤層の剥離が生じやすい塊状黒鉛粉末を負極活物質に用いる場合に、充放電反応を阻害するような結着剤を増加させずに、高容量を維持したまま合剤層の剥離やクラックの発生を防止する。 - 特許庁

This light emitting diode chip includes: a substrate; a light emitting structure positioned in an upper portion of the substrate and having an active layer arranged between a first conductivity-type semiconductor layer and a second conductivity-type semiconductor layer; and a distributed Bragg reflector that reflects light emitted from the light emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光ダイオードチップは、基板、前記基板の上部に位置し、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の間に配置された活性層を含む発光構造体及び前記発光構造体から放出された光を反射する分布ブラッグ反射器を含む。 - 特許庁

The electrode has an electrode-mixture coated layer formed by coating an electrode mixture obtained by dispersing and kneading an active material and conductive fibers on the separator, and a wire interposed between the electrode-mixture coated layer and the separator to be electrically connected to the electrode-mixture coated layer.例文帳に追加

そして、電極は、活物質と導電性繊維を分散混練した電極合剤をセパレータに塗布して形成された電極合剤塗布層と、その電極合剤塗布層とセパレータとの間に介在されて電極合剤塗布層に電気的に接続された導線を有する。 - 特許庁

The antireflection film is produced, by disposing a hard coat layer essentially comprising an active energy ray curing resin on a transparent film and further disposing a (low refractive index) layer directly or indirectly on the hard coat layer.例文帳に追加

透明フィルム上に活性エネルギー線硬化樹脂を主成分とするハードコート層を設け、ハードコート層上に直接または間接に少なくとも下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の３成分を含有する屈折率が１．２０〜１．４２の範囲にある（低屈折率）層を設けたことを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁

The waveguide optical element includes a waveguide optical element having an n-type semiconductor layer 102, a p-type semiconductor layer 104, an active layer 103 formed therebetween, and an ESD protector 114 electrically connected to the waveguide optical element in parallel.例文帳に追加

本発明に係る導波路型光素子は、ｎ型半導体層１０２と、ｐ型半導体層１０４と、その間に形成された活性層１０３と、を有する導波路型光素子部と、導波路型光素子部と電気的に並列に接続されたＥＳＤ保護部１１４と、を備える。 - 特許庁

In the molded object made of the synthetic resin wherein a substrate is flocked with piles through an adhesive layer, the substrate comprises a polyolefinic resin or a metal and an active layer comprising a modified thermoplastic elastomer having a specific composition is arranged between the substrate and the adhesive layer.例文帳に追加

基体に接着剤層を介してパイルが植毛されて成る合成樹脂製成形体であって、上記の基体がポリオレフィン系樹脂または金属から成り、上記の基体と接着剤層との間には特定組成の変性熱可塑性エラストマーから成る活性部が配置されている。 - 特許庁

In the color filter 11, the overcoat layer 15 comprising a cured material layer of a coating composition (A) containing a polyfunctional compound having two or more polymerizable functional groups curable with active energy beams and a polysilazane is formed on the surface of a colored layer 14 formed on one face of a substrate 12.例文帳に追加

カラーフィルタ１１において、基板１２の一方の面に形成された着色層１４の表面に、活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を２個以上有する多官能性化合物とポリシラザンとを含有する被覆組成物（Ａ）の硬化物層からなるオーバーコート層１５を形成する。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1 for generating light having a predetermined wavelength such as an infrared light is composed by forming an AlGaAs/GaAs active layer 11 on a GaAs substrate 10 having a cascade structure with a quantum well light emitting layer and an injection layer alternately laminated and by using an intersubband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上に、量子井戸発光層及び注入層が交互に積層されたカスケード構造を有するＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ活性層１１を形成して、量子井戸構造でのサブバンド間遷移を利用して赤外光などの所定波長の光を生成する量子カスケードレーザ１を構成する。 - 特許庁

The pixel region has the TFT 11 having a source electrode 105, a drain electrode 100, a gate electrode 104, a gate insulating film 103 and an active layer 102; a light-emitting layer 108; and a lower electrode 107 and an opposite electrode 109 sandwiching the light-emitting layer 108.例文帳に追加

この画素領域に、ソース電極１０５、ドレイン電極１００、ゲート電極１０４、ゲート絶縁膜１０３、及び活性層１０２を有するＴＦＴ１１と、発光層１０８と、この発光層１０８を挟む下部電極１０７及び対向電極１０９とを有する。 - 特許庁

In an element substrate 10x to be used by an electric-optic device such as a liquid crystal device, a base insulating layer 12 is formed on a support substrate 10d, and an active layer configuring an electric effective transistor 10y is formed on the surface of the base insulating layer 12.例文帳に追加

液晶装置などといった電気光学装置で用いられる素子基板１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙを構成する能動層が形成されている。 - 特許庁