「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonaqueous electrolyte battery includes a positive electrode having a positive electrode active material layer provided on a positive electrode current collector, a negative electrode and a nonaqueous electrolyte, wherein the positive electrode active material layer contains a polyvinylidene fluoride-containing binder and nano ceramic particles having a primary particle size of not more than 100 nm; and the binder and the nano ceramic particle are made to be complex.例文帳に追加

正極活物質層が正極集電体上に設けられた正極、負極および非水電解質を備えた非水電解質電池であって、 前記正極活物質層は、ポリフッ化ビニリデンを含む結着剤および一次粒子径１００ｎｍ以下のナノセラミック粒子を含有し、 前記結着剤とナノセラミック粒子とが複合化していることを特徴とする非水電解質電池。 - 特許庁

To prevent short circuit between an exposed current collector part of a positive electrode and a negative electrode and improve safety in a nonaqueous electrolyte battery including the positive electrode made of a positive electrode active material layer formed on a current collector, the negative electrode made of a negative electrode active material layer formed on the current collector, and a separator put between the positive electrode and the negative electorde.例文帳に追加

集電体上に正極活物質含有層が形成されてなる正極と、集電体上に負極活物質含有層が形成されてなる負極と、前記正極と負極との間に介在するセパレータとを有する非水電解質電池において、正極の集電体露出部と負極との短絡の発生を防ぎ、安全性を向上させる。 - 特許庁

A diffraction grid 13 formed of a material having an energy gap in the vicinity of energy shown by oscillation wavelength that selects a plurality of longitudinal oscillation modes, is provided in the vicinity of a GRIN- SCH-MQW active layer 3, so that the service life of a photon generated in the GRIN-SCH-MQW active layer 3 is reduced and a spectrum width per mode is made large.例文帳に追加

ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３の近傍に、複数の発振縦モードを選択するとともに、発振波長が示すエネルギー近傍のエネルギーギャップを有する材料で形成された回折格子１３を備えることで、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３で生成されたフォトンの寿命を短くし、モード一本あたりのスペクトル幅を広げる。 - 特許庁

The transfer decorative sheet comprises a protective layer overlying on one side of a base material film with releasability, wherein the protective layer is formed by a process (1) for painting an aqueous active energy ray curing covering composition including an aqueous urethane resin and a polymerizable unsaturated bond-containing compound, and a process (2) for curing by irradiation with the active energy rays.例文帳に追加

離型性を有する基材フィルムの片面に、保護層を形成してなる転写加飾シートであって、上記保護層は、水性ウレタン樹脂及び重合性不飽和結合含有化合物を含有する水性活性エネルギー線硬化被覆組成物を塗装する工程（１）、並びに、活性エネルギー線の照射によって硬化する工程（２）によって形成されたものである転写加飾シート。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor laser includes a stage of preparing a substrate having an MQW active layer 4 formed of a nitride semiconductor containing In, a stage of selectively irradiating a light projection end surface of an MQW active layer 4 or a part nearby where the light projection end surface is expected to be formed, and a stage of performing a heat treatment thereafter.例文帳に追加

本発明に係る窒化物系半導体レーザの製造方法は、Ｉｎを含む窒化物半導体で形成されたＭＱＷ活性層４を備える基板を準備する工程、ＭＱＷ活性層４の光出射端面または光出射端面予定部の近傍に選択的にレーザを照射する工程、その後に加熱処理する工程を備えて構成される。 - 特許庁

In the laminated product, a cured layer of an active energy ray-curable composition Y, which contains a (meth)acrylate-based compound, and a cured layer of an active energy ray-curable composition X containing an iodonium salt-based photoinitiator (α) wherein a counter anion is hexafluoroantimonate or tetra(pentafluorophenyl)borate and a silicon-based compound (β) are sequentially formed on a thermoplastic resin molded product.例文帳に追加

熱可塑性樹脂成形品上に（メタ）アクリレート系化合物を含む活性エネルギー線硬化性組成物（Ｙ）の硬化層、カウンターアニオンがヘキサフルオロアンチモネートまたはテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレートであるヨードニウム塩系光重合開始剤（α）および珪素系化合物（β）を含有する活性エネルギー線硬化性組成物（Ｘ）の硬化物からなる層を順次有する積層体。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

When oxygen is ion-implanted to a wafer 10 for an active layer, the hydrogen is ion-implanted inside an oxygen ion implantation peak area 10a thereafter and the oxygen ion implantation peak area 10a and a hydrogen ion implantation peak area 10d are matched, the hydrogen and the oxygen react inside the wafer 10 for the active layer at the time of the exfoliation heat treatment at 1,100°C and steam bubbles are generated.例文帳に追加

活性層用ウェーハ１０に酸素をイオン注入し、その後、酸素イオン注入ピーク領域１０ａ内に水素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域１０ａと水素イオン注入ピーク領域１０ｄとを合致させれば、１１００℃での剥離熱処理時、活性層用ウェーハ１０内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。 - 特許庁

In a semiconductor laser with unsymmetrical end face reflectivity, an optical confinement coefficient to an active layer 104 of a ridge stripe structure 117 lower part at the front end side 141 of the resonator emitting a laser beam is made smaller than the optical confinement coefficient to the active layer 104 of the ridge stripe structure 117 lower part at the side of a rear end side 140 located at the opposite side.例文帳に追加

端面反射率が非対称な半導体レーザにおいて、レーザ光が出射される共振器の前方端面１４１側でのリッジストライプ構造１１７下部の活性層１０４への光閉じ込め係数を、反対側に位置する後方端面１４０側でのリッジストライプ構造１１７下部の活性層１０４への光閉じ込め係数よりも小さくする。 - 特許庁

In the optical film which has a hard coat layer 2 on at least one surface of a transparent base material film 1, the hard coat layer 2 is consisting essentially of an active energy ray curing type resin and further contains fluoroalkyl group-containing (meth)acrylate by 0.02 to 30 wt.% based on the active energy ray curing type resin.例文帳に追加

透明基材フィルム１の少なくとも一方の面にハードコート層２を設けた光学フィルムにおいて、前記ハードコート層２は、活性エネルギー線硬化型樹脂を主成分とし、かつ前記ハードコート層２は、前記活性エネルギー線硬化型樹脂に対してフッ素化アルキル基を含む（メタ）アクリレートを０．０２重量％以上、３０重量％以下含んでなることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

The first and second deformation parts 41, 42 for fixing and the first extension/contraction deformation part 43 include: electric active polymers 44 having a layer shape to be deformed by energization; and electrodes 45, 46 having the layer shape for performing energization to the electric active polymers 44, respectively, and includes actuators 410, 420, 430 which are operated (deformed) by performing energization between the electrodes 45, 46.例文帳に追加

第１固定用変形部４１、第２固定用変形部４２および第１伸縮変形部４３は、それぞれ、通電により変形する層状をなす電気活性ポリマー４４と、電気活性ポリマー４４に通電するための層状をなす電極４５、４６とを有し、電極４５、４６間に通電することにより作動（変形）するアクチュエータ４１０、４２０および４３０を備えている。 - 特許庁

To provide an electrode plate with excellent adhesion between an active material layer and a collector which has no such problems as its active material layer being dissociated from the collector at the time of an assembly process or at discharge as well as a secondary battery which does not substantially suffer from deterioration of charge/discharge capacity and therefore has cycle characteristics improved even after a repeated charging and discharging.例文帳に追加

本発明は、活物質層と集電体との密着性に優れ、電池の組立工程や充放電時に、集電体から活物質層が剥離するなどの問題がない電極板、並びに充放電を繰返し行った場合でも、充放電容量の低下などが実質的に生じず、従ってサイクル特性が向上した二次電池を提供することを課題とする。 - 特許庁

The light emitting element includes: a conductive support member; a light emitting structure which is formed on the conductive support member, and contains a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and further contains an oxygen injection region wherein oxygen (O_2) is injected into an upper region; and an electrode on the light emitting structure.例文帳に追加

本発明による発光素子は、伝導性支持部材と、上記伝導性支持部材の上に形成され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含み、上部領域に酸素（Ｏ_２）が注入された酸素注入領域を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に電極と、を含む。 - 特許庁

In the coated molded article, the inner layer being in contact with the outermost layer of the coating layers comprises a layer comprising cured matter of a coating composition containing a polyfunctional compound having one or more spiran structure in its molecule and a polyfunctional compound having two or more active energy beam curable polymerizable functional groups and the outermost layer is a layer comprising cured matter of a coating composition containing polysilazane.例文帳に追加

被覆層のうち最外層に接する内層が活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を２個以上有し、かつ、分子内にスピラン構造を１個以上有する多官能性化合物と活性エネルギ線硬化性の重合性官能基を２個以上有する多官能性化合物とを含有する被覆組成物の硬化物の層、最外層がポリシラザンを含有する被覆組成物の硬化物の層である被覆成形品。 - 特許庁

After a positive electrode mixture slurry including a positive electrode active material is coated and dried on a positive electrode current collector 4A and a positive electrode mixture layer 4B is formed on the positive electrode current collector 4A, the positive electrode 4 in which the positive electrode mixture layer 4B is formed is rolled out.例文帳に追加

正極集電体４Ａ上に正極活物質を含む正極合剤スラリーを塗布・乾燥させて、正極集電体４Ａ上に正極合剤層４Ｂを形成した後、正極合剤層４Ｂが形成された正極４を圧延する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device has such a structure that the surface of an active layer 6 composed of the gallium nitride series semiconductor has the uneven structure of a pyramid shape, and the recess of this uneven structure is filled with a first clad layer 7 composed of a p-type gallium nitride series semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体からなる活性層６の表面がピラミッド状の凹凸構造となっており、この凹凸構造の凹部がｐ型窒化ガリウム系半導体からなる第１クラッド層７で埋められた構造を有する半導体発光素子とする。 - 特許庁

Subsequently, a light absorbing antireflective coating material is deposited on the interlayer insulating layer to form a light shield and is followed by another planarized IMD layer so as to reduce the transmission of the incident light toward the underlying active devices.例文帳に追加

その後、本発明の実施形態では、光吸収反射防止コーティング材料を層間絶縁層の上に析出し、光シールドを形成し、それに他のプレーナ処理したＩＭＤ層が続き、下に存在する能動デバイスに向かう入射光の透過を低減するようにする。 - 特許庁

In the lithium-ion secondary battery 1 including a positive electrode 11, a negative electrode 12, a separator 14, a positive electrode lead 15, a negative electrode lead 16, a gasket 17, and an outer case 18, an ion conductive resin layer 13 is formed on a negative electrode active material layer 12b surface of the negative electrode 12.例文帳に追加

正極１１、負極１２、セパレータ１４、正極リード１５、負極リード１６、ガスケット１７および外装ケース１８を含むリチウムイオン二次電池１において、負極１２の負極活物質層１２ｂ表面にイオン伝導性樹脂層１３を形成する。 - 特許庁

In the dicing/die-bonding film, the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film is an active energy-ray curable type pressure-sensitive layer which contains a gas-generating agent in a ratio of 10 to 200 pts.wt. with respect to 100 pts.wt. of a base polymer which is the following acrylic polymer A.例文帳に追加

ダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルムにおける粘着剤層が、ガス発生剤をベースポリマー１００重量部に対して１０〜２００重量部の割合で含有し、且つベースポリマーが下記のアクリル系ポリマーＡである活性エネルギー線硬化型粘着剤層である。 - 特許庁

Between the gate electrode 29 and the gate insulating film 31, and between the 1st conductive layer 25 and the 2nd conductive layer 26, an anode oxide film 30 for maintaining high electric reliability is arranged as one body, and thus, an active matrix substrate 21 is constructed.例文帳に追加

ゲート電極２９およびゲート絶縁膜３１の間と、第１導電層２５および第２導電層２６の間とに、電気的信頼性を高く保持するための陽極酸化膜３０が一体的に設けられて、アクティブマトリクス基板２１が構成される。 - 特許庁

As a material for a conductive material layer of a cathode 10, graphite, a carbon material having a laminated structure is used and as a material for a conductive material layer of an anode 12, an active carbon, a carbon material having a high specific surface area.例文帳に追加

正極１０の導電性材料層６の材料として、層状構造を有する炭素材料であるグラファイトを使用し、負極１２の導電性材料層８の材料として、高比表面積を有する炭素材料である活性炭を使用する。 - 特許庁

A semiconductor layer 8 composed of GaN containing arsenic is formed on a substrate 7, and a semiconductor element which is an active element such as a field effect transistor and a bipolar transistor, or a passive element such as a capacitor and a resistor is formed on the semiconductor layer 8.例文帳に追加

基板７の上に砒素を含むＧａＮよりなる半導体層８が形成され、この半導体層８の上に電解効果トランジスタやバイポーラトランジスタの能動素子またはコンデンサや抵抗等の受動素子の半導体素子が形成されたものである。 - 特許庁

The electromotive layer 3 is mixed with a powder material of an active material containing actinoid system substance to generate radioactive ionization electrons and an activation substance to generate electric energy accompanying oxidation-reduction reaction, and this is coated in a thin-film shape on the cathode electrode layer 2.例文帳に追加

起電層３は放射性の電離電子を発生するアクチノイド系物質を含有する活物質の粉末材と、酸化還元反応を伴う電気エネルギを発生する賦活物質を混合し、これを正極電極層２に薄膜状に被着して構成される。 - 特許庁

The integrated circuit includes at least one interconnection level and an acoustic resonator provided with a support comprising at least one bilayer assembly comprising a layer of high acoustic impedance material and a layer of low acoustic impedance material, and an active element.例文帳に追加

少なくとも１つの相互接続平面部と、高音響インピーダンス材レイヤおよび低音響インピーダンス材レイヤを備える少なくとも１つの２層アセンブリを有する支持部および能動素子を備えた音響共振器と、を備える集積回路を本発明は提供する。 - 特許庁

The negative electrode 3 is made of a laminated structure film having an ultra-thin-film MgAg layer 31 having a thickness of not more than 10 nm (preferably, not more than 3.0 nm, and more preferably not more than 2.5 nm) arranged at the side of the organic semiconductor laser active layer 2; and a second transparent conductive film 32.例文帳に追加

陰極３は、有機半導体レーザ活性層２側に配置された厚さ１０ｎｍ未満（好ましくは、３．０ｎｍ以下、さらに好ましくは、２．５ｎｍ以下）の超薄膜ＭｇＡｇ層３１と、第２透明導電膜３２とを有する積層構造膜からなる。 - 特許庁

A small square dummy patterns in a lower layer and a higher layer Ds2 are disposed over a wide region of a space between patterns serving as elements in a product region PR and a scribe region SR (active region L1, L2, L3, gate electrode 17 and the like).例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

To reduce harmful effects caused by recesses or irregularities on pixel electrode surface caused by existence of multiple contact holes connecting a semiconductor layer and pixel electrodes via a conductive layer, in an electro- optical device such as a liquid crystal device of an active matrix driving system.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置において、半導体層と画素電極とを導電層を介して結ぶ複数のコンタクトホールの存在に起因する画素電極表面における窪みや凹凸による悪影響を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting element reducing the resistance of a p-type nitride semiconductor layer without degrading the light emission intensity of an active layer in a nitride semiconductor laminate grown on a nonpolar nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、ｐ型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

At a pair of resonator end-face parts of a resonator having a front end-face 140 and a rear end-face 141, end-face window regions 120 and 121 with Zn diffused therein are formed from the second second- conductivity-type clad layer 106 to the active layer 103.例文帳に追加

前端面１４０及び後端面１４１を有する共振器の一対の共振器端面部において、第２の第２導電型クラッド層１０６から活性層１０３までＺｎが拡散された端面窓領域１２０及び１２１が形成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided with a current narrowing projection 17a, in correspondence with a current injection region of the active layer 14, and a projecting part 23 is formed on the surface of the p-side electrode 22, in correspondence with the current narrowing projection 17a.例文帳に追加

ｐ型半導体層には活性層１４の電流注入領域に対応して電流狭窄用突部１７ａが設けられており、ｐ側電極２２の表面には電流狭窄用突部１７ａに対応して突出部２３が形成されている。 - 特許庁

The hard-coat film is laminated a hard-coat layer on at least one side of a thermoplastic film, wherein the said hard-coat layer is substantially composed of a thermosetting resin or an active ray-curing type of resin, and the said thermoplastic film contains a low-molecular weight polymerization inhibitor.例文帳に追加

熱可塑性フィルムの少なくとも片面にハードコート層を積層してなり、該ハードコート層が熱硬化型樹脂または活性線硬化型樹脂を主成分とし、前記熱可塑性フィルムが低分子重合禁止剤を含むことを特徴とする、ハードコートフィルム。 - 特許庁

In a secondary battery provided by the present invention, an anode 84 comprises an anode current collector 82 and an anode mixture layer 90 which is a mixture layer formed on the current collector and including at least anode active materials 85 and binding members 86.例文帳に追加

本発明によって提供される二次電池において、負極８４は、負極集電体８２と、該集電体上に形成された合材層であって少なくとも負極活物質８５と結着材８６とを含む負極合材層９０とを備えている。 - 特許庁

In the sensor element 10 of this gas sensor, an active brazing material has not only high wettability to a surface in each of electrode pad parts 118, 119, 232 comprising base metal but also high wettability to surfaces of an insulation layer 51 comprising mainly alumina and the second base layer 123.例文帳に追加

ガスセンサのセンサ素子１０において、活性ロウ材は、卑金属からなる各電極パッド部１１８，１１９および２３２の表面との濡れ性のみならず、アルミナを主体とする絶縁層５１および第２基層１２３の表面との濡れ性も高い。 - 特許庁

A small square dummy pattern in a lower layer and a small square dummy pattern Ds2 in the higher layer are disposed over a wide region of space between patterns serving as elements in a product region PR and a scribe region SR (active region L1, L2, L3, gate electrode 17 and the like).例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

A semiconductor device is one constituted by connecting a semiconductor element 1 to a wiring board 3 by a flip-chip bonding method and the joint of a cap 5 provided on the board 3 with the rear of the surface of the element 1 provided with an active layer, is conducted through a metal solid phase diffusion joint layer 91.例文帳に追加

半導体装置は、半導体素子１と配線板３をフリップチップ接続したもので、配線板３に設けたキャップ５と半導体素子の能動層を設けた面の裏面との接合が、金属の固相拡散接合層９１で行われている。 - 特許庁

In the hard coat film with a hard coat layer laminated on at least one surface of the support, the hard coat layer is composed mainly of a heat-curable resin or an active energy-curable resin with a degree of volume shrinkage of 2 to 10% after curing and 4 to 10 μm thick.例文帳に追加

支持体の少なくとも片面にハードコート層を積層して成るハードコートフィルムにおいて、ハードコート層が硬化後の体積収縮率が2〜10％である熱硬化性樹脂または活性エネルギー硬化性樹脂を主成分とし、かつハードコート層の厚みを4〜10μｍとする。 - 特許庁

An infrared reflection layer (support film) 31 is formed on the upper surface of an active substrate 1, a gate insulating film 13 formed on the upper surface of the infrared reflection layer (support film) 31 is used as the measured film 32, and an opening 33 for measurement is formed on the measured film 32.例文帳に追加

アクティブ基板１の上面に赤外線反射層（支持膜）３１を形成し、赤外線反射層（支持膜）３１の上面に形成されたゲート絶縁膜１３を被測定膜３２とし、且つ、被測定膜３２に測定用開口部３３を形成する。 - 特許庁

In this constitution, deterioration at a side end part 214b of the positive pole active material layer 214 is suppressed, and deterioration of charge/discharge property is suppressed more than in conventional electric double layer capacitors, even if charge and discharge are repeated many times, so that service life is lengthened.例文帳に追加

この構成によれば、正極活物質層２１４の側端部２１４ｂでの劣化を抑制することができ、充放電を多数繰り返してもその充放電特性の低下が従来の電気二重層キャパシタよりも抑制されて、その寿命が長くなる。 - 特許庁

In the active matrix substrate, an oblique vapor deposition film composed of a plurality of layers 31, 33 is deposited on a pixel electrode 30, wherein a deposition angle of the layer 31 is closer to vertical than that of the layer 33 and the oblique vapor deposition directions of them are equal to each other.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板において、画素電極３０の上には複数層３１、３３からなる斜方蒸着膜を形成し、層３１の蒸着角度は、層３３の蒸着角度よりも垂直に近い角度であり、かつ斜方蒸着の方向は同じである。 - 特許庁

To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.例文帳に追加

CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁

In the lithium ion secondary battery 1 including a positive electrode 11, a negative electrode 12, a separator 14, a positive electrode lead 15, a negative electrode lead 16, a gasket 17, and an outer package case 18, a polymer layer 13 is formed on the surface of a negative electrode active material layer 12b of the negative electrode 12.例文帳に追加

正極１１、負極１２、セパレータ１４、正極リード１５、負極リード１６、ガスケット１７および外装ケース１８を含むリチウムイオン二次電池１において、負極１２の負極活物質層１２ｂ表面にポリマー層１３を形成する。 - 特許庁

An electrode for electrochemical elements is manufactured by a process of forming an electrode composition layer containing an electrode active material and a binder on the surface of a collector, and a process of making holes through the electrode composition layer and the collector by punching or the like.例文帳に追加

電極活物質および結着剤を含む電極組成物層を集電体表面上に形成する工程、ならびに電極組成物層および集電体にパンチング法などで孔を開ける工程により電気化学素子用電極を製造する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor laminate having a structure in which an active layer such as an InAs layer is directly formed on a substrate such as GaAs, which has a high reliability and a small deterioration of electron mobility for a bulk single crystal.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層等の活性層を直接ＧａＡｓ等の基板上に形成した構造の化合物半導体積層体であって、信頼性が高く、かつ、バルク単結晶に対して電子移動度の低下が小さい化合物半導体積層体を提供すること。 - 特許庁

Among the barrier layers 6a, 6c, 6d inside the active layer 6, the band discontinuous amount ΔE_C1 at a conduction band side of the barrier layer 6c held by the quantum well layers 6b, 6d and the quantum well layers 6b, 6d is set at 26 meV or more and 300 meV or less.例文帳に追加

活性層６内のバリア層６ａ，６ｃ，６ｄのうちの量子井戸層６ｂ，６ｄによって挟まれたバリア層６ｃと量子井戸層６ｂ，６ｄとの伝導帯側のバンド不連続量ΔＥ_C1は、２６ｍｅＶ以上、３００ｍｅＶ未満に設定される。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁