| 意味 | 例文 |
active-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7476件
The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.例文帳に追加
本実施形態に係る固体撮像装置は、n型シリコン基板20と、n型シリコン基板20上に形成されたp型エピタキシャル層21と、p型エピタキシャル層21に形成されたn型センサ部22と、p型エピタキシャル層21に形成され、n型センサ部22により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁
The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing tin (Sn).例文帳に追加
正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム(Li)と、ニッケル(Ni)およびマンガン(Mn)のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、スズ(Sn)を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁
Each active layer is so formed zigzag in the shape of a Z character as to form in itself inclusively each access transistor of each memory cell, and the access transistor of the memory cell belonging to the memory-cell row and memory-cell column adjacent to each memory cell.例文帳に追加
活性層は、メモリセルのアクセストランジスタと、隣接するメモリセル行であり、かつ隣接するメモリセル列のメモリセルのアクセストランジスタとを形成するようにZ字形状にジグザグに形成される。 - 特許庁
To provide a battery which has an electrolytic layer interposed between active substance layers, and is compact and excellent in charge and discharge characteristics, and to provide a technique which allows the arrangement of various types of equipment using the same.例文帳に追加
活物質層間に電解質層を介在させてなる電池であって、小型で充放電特性の優れた電池およびこれを利用した各種機器を構成することのできる技術を提供する。 - 特許庁
To prevent malfunctions of a circuit by suppressing the generation of a displacement current charging/discharging parasitic capacity formed of an insulation film between a support substrate and an active layer caused by a dv/dt surge.例文帳に追加
dv/dtサージにより、支持基板と活性層との間の絶縁膜にて構成される寄生容量を充放電する変位電流が発生することを抑制し、回路の誤動作を防止する。 - 特許庁
Then, an outer periphery surface in which the soft metal layer of the metal ring is formed is forced into the open edge of a cap 30 to which an electrolyte has been injected so that the periphery of the active material 20 is surrounded.例文帳に追加
そして、電解液が注入されたキャップ30の開口縁部に、その活物質20の周囲を覆うように、金属製リングの軟質金属層を形成した外周面を圧入する。 - 特許庁
Fabrication process of a semiconductor laser element is simplified by forming a structure for preventing intrusion of a returning light into an active layer using a substrate for growing semiconductor having a laser light absorbing power.例文帳に追加
レーザ光に対する光吸収性を持つ半導体成長用基板を用い、戻り光の活性層への侵入を防止する構造とすることで、半導体レーザ素子の製造工程を簡単化する。 - 特許庁
The method for recovering an oil sand oil comprises injecting a surface active agent before effecting the injection of steam from an injection well in the surface SAGD method which drills horizontal wells from the ground surface into an oil sand layer.例文帳に追加
地表面からオイルサンド層へ、水平坑井を掘削するサーフェースSAGD法において、圧入井より水蒸気圧入を行う前に、界面活性剤を圧入するオイルサンド油の回収方法。 - 特許庁
To provide a negative electrode for a lithium secondary battery, having reduced voids near the surface of a collector by adhering the collector to an active material layer with sufficiently high adhesive force, and to provide its producing method.例文帳に追加
集電体と活物質層間が十分高い接着力で接着し、集電体表面付近の空隙が減少したリチウム二次電池用負極およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A paste-like active material is filled in a lattice of a cast method, dipped in diluted sulfuric acid, dipped in sodium silicate aqueous solution, and afterwards, is aged and dried to form a layer of silica on the surface of the positive electrode plate.例文帳に追加
鋳造方式の格子にペースト状活物質を充填し、希硫酸に浸漬し、珪酸ナトリウム水溶液に浸漬した後に、熟成・乾燥をして正極板の表面にシリカの層を形成する。 - 特許庁
The method of manufacturing the electrode for a battery comprises a process for filling up with an active material an electrode base plate which is made by covering textile surfaces of textile fabric or nonwoven with a metallic layer, and next carrying out its press forming in order to shape the electrode.例文帳に追加
織布または不織布の繊維表面に金属を被覆した電極基板に活物質を充填した後、加圧成形して電極とする電池用電極の製造方法である。 - 特許庁
The positive electrode active material layer has a thickness of 30 μm or more, an average pore diameter of 0.1-5 μm, and a void ratio of 3% or more and less than 15%.例文帳に追加
本発明の特徴は、正極活物質層が、厚さが30μm以上であり、平均気孔径が0.1〜5μmであり、空隙率が3%以上であり且つ15%未満であることにある。 - 特許庁
To manufacture, with a good mass-productivity, a semiconductor light emitting device which has a high reflection rate even with a small number of pairs of light reflection layers and allows light emitted from an active layer to be taken outside effectively.例文帳に追加
光反射層のペア数が少なくても反射率が高く、活性層から放出された光を有効に外部に取り出すことができる半導体発光素子を量産性良く作製すること。 - 特許庁
The dopant concentration of the active layer is set to N_d(cm^-3), and the amount of voltage shift in the gate voltage-drain current characteristics is set to approximately 1.37×10^-17×N_d(V) for designing the thin-film transistor.例文帳に追加
活性層のドーパント濃度をN_d(cm^−3)と設定して、ゲート電圧−ドレイン電流特性の電圧シフト量を略1.37×10^−17・N_d(V)として薄膜トランジスタの設計を行う。 - 特許庁
A mixture of the adhesive solution 17, an active material and a conductive material are kneaded and made a gel mixture 19, and the gel mixture 19 is applied on a current collector and form a mixture layer 20.例文帳に追加
接着性溶液17と活物質と導電材との混合物を混練してゲル状合剤19を作製し、ゲル状合剤19を集電体8に塗着して合剤層20を形成する。 - 特許庁
When voltage is applied between the top face electrode plate 4 and the mobile electrode 10, scattering will not be induced on the rugged face (active face) 3, resulting in a colored display state due to the color of the elastic layer 11.例文帳に追加
一方、表面側電極板4と移動電極10間に電圧が印加されると、凸凹面(作用面)3では散乱は起こらず、弾性層11の色による有色表示状態となる。 - 特許庁
To provide a heat treatment apparatus that has reduced variance in in-plane temperature and achieves ultrahigh-speed temperature increase and decrease, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a shallow active layer of low resistance is formed with good uniformity.例文帳に追加
面内温度ばらつきを低減した超高速昇降温の熱処理装置、及び、低抵抗で浅い活性層を均一性良く形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the positive electrode body for the nonaqueous electrolyte battery includes steps of: preparing a conductive base material for a positive collector 11; and forming a positive active material layer 12 on the stacked surface of the conductive base material by a vapor deposition method.例文帳に追加
正極集電体11となる導電性基材を用意する工程と、導電性基材の積層面に正極活物質層12を気相法により形成する工程とを備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a nonaqueous electrolyte battery in which a negative electrode active material layer and a negative electrode current collector are firmly joined, and the nonaqueous electrolyte battery obtained by this manufacturing method.例文帳に追加
負極活物質層と負極集電体とが強固に接合している非水電解質電池を製造する方法、およびこの製造方法により得られた非水電解質電池を提供する。 - 特許庁
To provide a battery of high quality excellent in charge discharge cycle characteristics and low-temperature characteristic through maintenance of adhesion between active materials themselves and restraint of coating of an electrode mixture layer by a binding agent.例文帳に追加
活物質同士の密着性を維持しつつ、結着剤による電極合剤層の被覆を抑制することにより、充放電サイクル特性および低温特性に優れた高品質な電池を提供する。 - 特許庁
A device for detecting an analyte in a sample is equipped with an active layer comprising at least a dielectric material, a source electrode, a drain electrode and a semiconducting substrate operated as a current pathway between source and drain.例文帳に追加
少なくとも誘電体材料を備えた活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソースとドレインの間で電流の通過路として動作する半導体基板とを備えた装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor light-emitting device which is formed on the GaAs substrate and has a quantum dot active layer, the semiconductor light-emitting device being improved in yield by making it possible to form a diffraction grating in a semiconductor laminated structure.例文帳に追加
GaAs基板上に形成され、量子ドット活性層を備える半導体発光素子において、半導体積層構造の内部に回折格子を形成できるようにし、歩留まりを良くする。 - 特許庁
A gate insulating film 12B, a gate electrode 2, an interlayer dielectric 12C, a video line D and a source electrode 4 are layered in this order on an upper layer of an active element that a first substrate 10A has.例文帳に追加
第1の基板10Aに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜12B、ゲート電極2、層間絶縁膜12C、映像線Dとソース電極4とをこの順で積層する。 - 特許庁
At the front surface of the end part of the active region 7 wherein the capacitors C1, C2 are formed, an epitaxial layer 25 is formed with a selective epitaxial growth method and this front surface is wider than the other part.例文帳に追加
このキャパシタC1,C2が形成される活性領域7の端部の表面には、選択エピタキシャル成長法によりエピタキシャル層25が形成されており、他の部分よりも幅が広くなっている。 - 特許庁
To provide a call method which enables a user to continue comfortable communication in a communication method for performing opening and re-connection of a lower layer as maintaining an active state of an upper session.例文帳に追加
上位セッションの活性状態を維持したまま下位レイアの開放および再接続を行なう通信方法において、ユーザが快適な通信の続行が可能となる発呼方法を提供する。 - 特許庁
A belt 36 stretched between at least two rolls (15, 16) is made contacted to one face of zonal raw material 44 with an electrode active material layer formed on both sides of a zonal metal foil.例文帳に追加
帯状金属箔の両面に電極活物質層が形成されている帯状素材44の一方の面には、少なくとも2つのロール(15、16)間に張られているベルト36を当接させる。 - 特許庁
An inside first DBR film 3a, an outside first DBR film 13, a quantum well active layer 5, a second DBR film 7 and an SiO_2 film 10 are formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加
n型のGaAs基板1上には、内側第1DBR膜3a、外側第1DBR膜13、量子井戸活性層5、第2DBR膜7及びSiO_2膜10を形成している。 - 特許庁
To provide a sensor for measuring an active oxygen concentration, free from the risk of damaging an insulating layer for insulating a conductive electrode (working electrode) and a counter electrode during use, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
使用中に、導電性電極(作用極)と対極とを絶縁する絶縁層が損傷してしまう危険性のない活性酸素濃度測定用センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
At least two solder contacts(29) are electrically connected with the active layer(15) and protrude from the contact side(23), thereby, enabling direct soldering to the carrier board of the single semiconductor element.例文帳に追加
少なくとも二つのはんだ接点(29)が活性層(15)に電気的に接続されて接触側(23)を越えて突出し、かくして単一半導体要素のキャリアボードへの直接のはんだ付けを可能にする。 - 特許庁
To provide a bias voltage generating circuit wherein the variation in threshold voltage does not affect a bias voltage, related to a semiconductor integrated circuit where the active layer of a FET is used as a resistance element.例文帳に追加
抵抗素子としてFETの活性層を用いる半導体集積回路において、しきい値電圧Vtのばらつきがバイアス電圧に影響を与えないバイアス電圧発生回路を提供する。 - 特許庁
In a memory cell 400, silver selenide 406 and a chalcogenide glass 404 such as germanium selenide (Ge_XSe_(1-x)) are combined in an active layer to support the formation of conductive pathways in the presence of an electric potential applied between electrodes 402, 410.例文帳に追加
メモリセル400では、セレン化ゲルマニウム(Ge_XSe_(1-x))のようなセレン化銀406とカルコゲニド・ガラス404とが、アクティブ層に混合されて、電極402,410間に加えられた電位の存在によって、導電性経路の形成を維持する。 - 特許庁
The active layer 20 of a semiconductor optical amplifier comprises the alternately combined layers of solid sub-layers which have the same bandgap width and are subjected to a tensile stress 21 and a compressive stress 22 alternately.例文帳に追加
半導体光増幅器の活性層(20)は、引っ張り応力(21)と圧縮応力(22)を交互に受ける、同じ禁制帯幅を有する固体サブレーヤの一連の交互になる層で構成される。 - 特許庁
A quantum well active layer 1104 is provided with a disordered region 1104b formed by an annealing processing in a state where a dielectric film 1601 is formed only in the opening part 1107h.例文帳に追加
量子井戸活性層1104は、開口部1107h内にのみ誘電体膜1601を形成した状態でのアニール処理により形成された無秩序化領域1104bを備える。 - 特許庁
Consequently, active FeO in the ferrous coating layer is not oxidized and is exposed on the sliding surface as it is, and adsorbs lubricating oil having polarity to secure lubricating oil on the sliding surface of the sliding member.例文帳に追加
これによって、鉄系コーティング層の活性なFeOは酸化されずにそのまま摺動面に露出し、極性を有する潤滑油を吸着して摺動部材の摺動面に潤滑油が確保される。 - 特許庁
Even if the negative electrode current collector 221 is broken by receiving effect of a stress by expansion and contraction of the negative electrode active material layer 222, electric conduction of the negative electrode 22 can be maintained by the conductor 27.例文帳に追加
負極活物質層222の膨張および収縮による応力の影響を受けて負極集電体221が破断しても、導電体27により負極22の電気的導通が維持される。 - 特許庁
In a liquid crystal device with an active element 7 with an element-side electrode 18b and a pixel electrode 6 connected to the element-side electrode 18b and formed using an aluminum alloy, a protective layer 15 is disposed between the element-side electrode 18b and the pixel electrode 6.例文帳に追加
素子側電極18bを備えたアクティブ素子7と、その素子側電極18bに接続しアルミニウム合金によって形成される画素電極6とを有する液晶装置である。 - 特許庁
To solve a problem that a sufficient long term reliability cannot be attained because COD is generated easily in the region of an active layer in the vicinity of the emission edge to cause lowering of maximum optical output at the time of high output driving.例文帳に追加
光出射端面近傍の活性層領域でCODが発生しやすくなり、高出力駆動時の最大光出力の低下を引き起こし、十分な長期信頼性が得られない。 - 特許庁
The metal 312 is electrically connected by shared contacts 216 and 219 with an active layer 300 provided on an n-well region and the n-well voltage VDDB is supplied to the n-well region.例文帳に追加
メタル312は、共有コンタクト216および219によりNウェル領域に設けられた活性層300と電気的に結合され、Nウェル領域に対してNウェル電圧VDDBが供給される。 - 特許庁
Light emitted out of an active layer is reflected by the recessed and projected parts into various directions in the direction of the Ga_2O_3 substrate whereby total reflection at the interface of the Ga_2O_3 substrate is suppressed, thereby improving the take-out efficiency of light.例文帳に追加
凹凸部により活性層から出る光がGa_2O_3基板方向へ種々の方向に反射され、Ga_2O_3基板界面での全反射を抑制し、光の取出し効率が向上する。 - 特許庁
To provide a simple manufacturing method of an excellent CaAlAs-based semiconductor laser device, in which Zn diffusion arrives at an active layer sufficiently and which will not cause COD, and to provide the semiconductor laser device.例文帳に追加
活性層まで十分にZn拡散が達し、CODを起こさない良好なGaAlAs系の半導体レーザ装置の簡便な製造方法及び半導体レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁
In addition, a device which is constructed by laminating and growing at least an n-type nitride semiconductor as a device structure formed on the obtained second nitride semiconductor 3 as a substrate, an active layer and a p-type nitride semiconductor is provided.例文帳に追加
また、得られた第2の窒化物半導体3を基板としこの上に素子構造として少なくともn型窒化物半導体、活性層、p型窒化物半導体を積層成長させてなる素子。 - 特許庁
An active layer (island-like semiconductor film) is arranged so that at least a channel formation region is accommodated inside one single crystal particle, for improved electric characteristics of a TFT.例文帳に追加
そして、一つの結晶粒の内部に少なくともチャネル形成領域が収まるように活性層(島状半導体膜)の配置を設計することで、TFTの電気特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁
The reflective liquid crystal display device has: an active matrix substrate 61 having pixel switches mounted thereon; a substrate 62 opposite thereto; and a vertical alignment liquid crystal layer 39 interposed between both substrates 61, 62.例文帳に追加
反射型液晶表示装置は、画素スイッチが配置されるアクティブマトリクス基板61と、その対向基板62と、両基板61、62の間に挟持される垂直配向型の液晶層39とを有する。 - 特許庁
In the substrate where patterning is performed using this mask, a movable region of the carrier consisting of the protruded section in the active layer expanded to the outside from the channel region (i.e., a leakage region) is contracted.例文帳に追加
このマスクを用いてパターニングされた基板では、チャンネル領域から外に拡がる活性層の上記の突出部分から成るキャリアの移動可能領域(すなわち漏れ領域)が縮小する。 - 特許庁
To restore a relation of an application and a lower stage layer using small loss, when line break and reconnect on active line occur during operation of application in a portable terminal enabling communication, and the like.例文帳に追加
通信可能な携帯端末などで、アプリケーション実行中に、回線の状態で回線の切断、再接続が行なわれてしまった時のアプリケーションとの下位層の関係修復を少ないロスで行う。 - 特許庁
To provide a light emitting diode having extremely high light emitting efficiency by considerably improving extraction efficiency of light while sufficiently acquiring the volume of an active layer, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加
活性層体積を十分に確保しつつ、光の取り出し効率の大幅な向上を図ることができることにより、発光効率が極めて高い発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A surface light-emitting laser 100 is formed by laminating a lower mirror 112, an active layer 114, and an upper mirror 116 on a semiconductor substrate 110, and a step structure 150 in a convex shape is provided on the upper mirror.例文帳に追加
面発光レーザ100は、半導体基板110上に、下部ミラー112、活性層114、上部ミラー116が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造150が設けられている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film transistor mounting substrate that has a thin film transistor, such that an oxide thin film used as an active layer is made stable and high in quality, mounted on a plastic substrate.例文帳に追加
活性層として用いた酸化物薄膜の安定化と高品質化を実現した薄膜トランジスタをプラスチック基板上に搭載した薄膜トランジスタ搭載基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加
また、活性層3は、N型バッファ領域4から離間して形成されたP型ベース領域6と、P型ベース領域6の表面部に形成されたN型エミッタ領域7を備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an active carbon for an electric double layer capacitor electrode capable of enhancing mixing condition of a carbon material and an alkali activator agent and decreasing the ratio of the alkali activator agent.例文帳に追加
炭素材料とアルカリ賦活剤との混合状態を向上させ、アルカリ賦活剤の比率を低減することができる電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法を提供する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|