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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > array cellに関連した英語例文

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array cellの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2607



例文

To provide a semiconductor memory device in which read and write operation can be performed by access of only one time, even when data of bit width toward a memory cell array are read and writen from an address on a middle way.例文帳に追加

途中のアドレスからメモリセルアレイの行方向のビット幅分のデータを読み書きする場合でも、1回のアクセスでよい半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

A plurality of sense amplifier array 4 is provided between cell arrays, connected to a pair of bit lines, and have a plurality of sense amplifiers arranged in the row direction.例文帳に追加

複数のセンスアンプアレイ4はセルアレイ3の相互間にそれぞれ設けられ、ビット線対に接続され、行方向に配置された複数のセンスアンプを有している。 - 特許庁

A memory cell array 1 has a ferroelectric capacitor of which one end is connected to bit lines BL, BBL via a transistor and the other end is connected to plate lines PL, BPL.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、トランジスタを介して一端がビット線BL,BBLに、他端がプレート線PL,BPLに接続される強誘電体キャパシタを持つ。 - 特許庁

A slimmed sidewall core 4 is formed in a memory cell array area 1a by patterning a polysilicon layer formed on a silicon nitride layer 3.例文帳に追加

窒化シリコン層3上に形成されたポリシリコン層をパターニングすることによってメモリセルアレイ領域1aにスリミングされたサイドウォールコア4を形成する。 - 特許庁

例文

The nonvolatile semiconductor memory device has a memory cell array including a plurality of memory cells constituted of diodes and resistance-change elements arranged in rows and columns.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ダイオードと抵抗変化素子により構成された複数のメモリセルが行及び列に配置されたメモリセルアレイを有している。 - 特許庁


例文

The word line voltage generating circuit 2 changes a word line voltage Vw1 output to the memory cell array 4 in accordance with fluctuations of the reference voltage Vref.例文帳に追加

ワード線電圧生成回路2は、メモリセルアレイ4へ出力されるワード線電圧Vwlを、リファレンス電圧Vrefの変動に応じて、変化させる。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric converting element high in photoelectric converting efficiency and durability, a solar cell using the organic photoelectric converting element, and an optical sensor array.例文帳に追加

光電変換効率及び耐久性の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric conversion element that has high photoelectric conversion efficiency and durability, and to provide a solar cell and an optical sensor array each using the organic photoelectric conversion element.例文帳に追加

高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device is equipped with: a memory cell array MA configured by arraying memory cells MC; word lines WL; bit lines BL, and a control circuit 3.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルMCを配列してなるメモリセルアレイMAと、ワード線WLと、ビット線BLと、制御回路3とを備える。 - 特許庁

例文

The NVM device 110 includes a non-volatile memory cell array and a writing state machine 115 for monitoring a pass signal of the immediately preceding program operation in a standby state.例文帳に追加

NVMデバイス110は、不揮発性メモリ・セルのアレイと直前の待ち状態のプログラム動作のパスをモニタするための書込み状態マシン115とを備える。 - 特許庁

例文

To provide an organic photoelectric conversion element having high efficiency of photoelectric conversion and containing a low-band gap polymer and a fullerene derivative, to provide a solar cell, and to provide an optical sensor array.例文帳に追加

低バンドギャップポリマーとフラーレン誘導体を含む、高光電変換効率の有機光電変換素子、太陽電池、光センサアレイを提供する。 - 特許庁

A memory cell array 1 includes a plurality of memory cells arranged in rows and columns and a plurality of word lines and a plurality of bit lines connected to the memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、複数のメモリセルが行及び列に配置され、前記メモリセルに接続される複数のワード線及び複数のビット線を有する。 - 特許庁

The nonvolatile magnetic thin film memory device has: a substrate; and a memory cell array composed of memory cells each having a magnetoresistance effect element, the memory cells being two-dimensionally arranged on the substrate.例文帳に追加

不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。 - 特許庁

As to first and second array lenses 6 and 7 of the projection type video display device; the size of a lens cell is nearly ≥1/4.5 of the size of a liquid crystal display element.例文帳に追加

投写型の映像表示装置の第一、第二のアレイレンズにおいて、レンズセル寸法を液晶表示素子寸法の略1/4.5以上とする。 - 特許庁

Two lower bits of an address is inputted to a bank control circuit BCL and which cell array in the bank A or B uses the corresponding sense amplifier is selectively controlled.例文帳に追加

そして、アドレスの下位2ビットがバンク制御回路BCLに入力され、バンクAとバンクBのいずれのセルアレイがセンスアンプを用いるかを選択制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device that can further reduce a layout area of the whole memory array by reducing a layout area of a feed cell.例文帳に追加

給電セルのレイアウト面積を縮小することによりメモリアレイ全体のレイアウト面積をさらに縮小することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Total length of a data bus can be reduced by contriving the arrangement of a memory cell array arranged around a central region CEN of chips.例文帳に追加

チップの中央領域CENの周囲に配置されるメモリアレイの配置を工夫することによりデータバスの総延長を低減させることができる。 - 特許庁

The device has a memory cell array having a plurality of CMOS static type memory cells provided at the intersections of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.例文帳に追加

複数のワード線と複数の相補ビット線の交差部に設けられた複数のCMOSスタティック型メモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

The columnar spacer 2 does not override a color overlap portion of the colored films 4, and thus the variation in a cell gap between the array substrate and the counter substrate can be suppressed.例文帳に追加

柱状スペーサ2が着色膜4の色重なり部を跨がないため、アレイ基板と対向基板とのセルギャップのばらつきを抑制できる。 - 特許庁

A control circuit makes voltage VRESET+N*Vα change based on a position of selection memory cells MC10-MC13 in the memory cell array MA.例文帳に追加

制御回路は、電圧VRESET+N*VαをメモリセルアレイMA内での選択メモリセルMC10〜MC13の位置に基づいて変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can generate a plurality of memories constituted of arbitrary word bits from a single memory cell array by only modifying a wiring layer.例文帳に追加

配線層のみの変更によって、1つのメモリセルアレイから任意のワード・ビット構成の複数のメモリを生成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction(MTJ) device can be used as a magnetic field sensor in a magnetic disk drive or as a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM) array.例文帳に追加

磁気トンネル接合(MTJ)装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス(MRAM)アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。 - 特許庁

To optimize the internal data readout timing by varying the electric potential of a dummy bit line at a high speed, independently of the structure of a memory cell array, in a semiconductor storage device.例文帳に追加

半導体記憶装置において、メモリセルアレイ構成にかかわらず、高速でダミービット線の電位を変化させて、内部データ読出タイミングを最適化する。 - 特許庁

Also, memory cells in each memory cell array Way0 and Way1 are arranged so that the same addresses are positioned at the same position in the column direction.例文帳に追加

また、各メモリセルアレイWay0及びWay1内のメモリセルは、同一のアドレスがカラム方向において同一の位置にあるように配列されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。 - 特許庁

To secure stability of refresh-operation in a semiconductor memory device provided with a memory cell array including a plurality of memory cells arranged in a matrix state.例文帳に追加

行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、リフレッシュ動作の安定性を確保する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device, etc., capable of overwriting a memory cell array while preventing an increase of a circuit size without requiring a large-scaled modification of the circuit.例文帳に追加

大規模な回路の変更を必要とせず、回路サイズの増大を防止しながら、メモリセルアレイの上書きが可能な不揮発性記憶装置等を提供すること。 - 特許庁

To rewrite data of one part of data read of one page portion read from a memory cell array and to write the result in a different page.例文帳に追加

本発明は、メモリセルアレイから読み出された1ページ分の読み出しデータの一部のデータの書き換えを行なって、異なるページに書き込むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a memory apparatus which can suppress the decrease of readout margin due to fluctuation in reference potential while reducing the area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積を縮小しながら、リファレンス電位の変動に起因する読み出しマージンの減少を抑制することが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, by changing the light transmission state of the liquid crystal cell of each LCS array 31 in accordance with the original image, a desired image is formed on the photographic printing paper.例文帳に追加

そして、原画像に応じて各LCSアレイ31における液晶セルの光透過状態を変えることで、印画紙に所望の画像を形成する。 - 特許庁

This memory is a memory cell array in which plural memory cells arranged in plural rows and pleural columns are included and the number of plural rows is made larger than that of plural columns.例文帳に追加

複数の行および複数の列に配列される複数のメモリセルを含み、複数の行を複数の列より大きくしたメモリセルアレイが開示される。 - 特許庁

A system and method are provided which are operable with a wireless communication cell having at least one aperture array and broker wireless communication resources.例文帳に追加

少なくとも1つのアパーチャアレイを有する無線通信セルと共に操作可能な、無線通信リソースを仲介するシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

A control circuit directly writes the outside depth information in the memory cell array, or outputs it to the information changing circuit based on a first control signal.例文帳に追加

第1制御信号に基づき、制御回路は外部深さ情報を直接前記メモリセルアレイに書込んだり、或いは情報変更回路に出力する。 - 特許庁

Thereby, in the orthogonal memory cell array (110), the effective data can be stored in different entries according to the bit width of the effective data.例文帳に追加

これにより、直交メモリセルアレイ(110)においては、有効データのビット幅に応じて異なるエントリに有効データをそれぞれ格納することができる。 - 特許庁

A dummy region having a dummy bit line set to a prescribed voltage at least in the operation of the memory cell array is formed between memory regions.例文帳に追加

メモリ領域の間には、少なくともメモリセルアレイの動作時に所定の電圧に設定されるダミービット線を有するダミー領域が形成されている。 - 特許庁

The basic cell array has a checker board pattern and is suitable for minimizing the clock parasitic capacitance at the time of laying out a clocked inverter at the apex of the checker board pattern.例文帳に追加

基本セルアレイはチェッカー盤パターンを有し、クロックドインバータをチェッカー盤パターンの頂点にレイアウトするときにクロック寄生容量を最小化するのに適する。 - 特許庁

To display a high-quality image by preventing uneven thickness of a cell caused by thermal deformation of a microlens array attached to an electro-optic device.例文帳に追加

電気光学装置に付設されるマイクロレンズアレイの熱的変形に原因したセル厚むらを発生させないことで、高品質な画像を表示する。 - 特許庁

To suppress an increase of an area of a memory cell array while selectively achieving both a 1T1C system and a 2T2C system in one ferroelectric memory.例文帳に追加

1つの強誘電体メモリにおいて、1T1C方式、2T2C方式の両方を選択的に実現しつつ、メモリセルアレイの面積増加を抑制する。 - 特許庁

Each of program units PU0-PU2 arranged being adjacent to a memory cell array 10 stores every one bit of redundancy information required for replacement relieving.例文帳に追加

メモリアレイ10に隣接して配置されたプログラムユニットPU0〜PU2の各々は、置換救済に必要な冗長情報の1ビットずつを記憶する。 - 特許庁

This semiconductor memory 5 has an interface 10, a memory cell array 11, a YUV-RGB conversion circuit 121, an α blend circuit 122 and a control circuit 124.例文帳に追加

半導体メモリ5は、インタフェース10、メモリセルアレイ11、YUV−RGB変換回路121、αブレンド回路122および制御回路124を有する。 - 特許庁

The systems (8, 24 and 26) for optically forming an image are provided with a cell array (10), a charge shift register (12), two or more charge detection nodes (16 and 18) and a charge demultiplexer (14).例文帳に追加

光学的に画像を形成するためのシステム(8,24,26)は、セルのアレイ(10)、電荷シフトレジスタ(12)、2つ以上の電荷検出ノード(16,18)、及び、電荷デマルチプレクサ(14)を備える。 - 特許庁

An input/output control circuit 20 is formed along one side of a memory cell array 17 disposed between a data input pad 11 and a data output pad 14.例文帳に追加

データ入力パッド11とデータ出力パッド14との間に配置されたメモリセルアレイ17の一方の側に、入出力制御回路20を形成している。 - 特許庁

A plurality of memory cell array regions 3 are arranged on a semiconductor substrate of a DRAM in matrix respectively apart in a line-column direction.例文帳に追加

DRAMにおいて、複数のメモリセルアレイ領域3は、半導体基板上に、行方向と列方向とにそれぞれ間隔を隔ててマトリックス状に配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for which the timing control can be facilitated and a layout size is reduced by arranging a word line drivers at one side of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの片側にワード線ドライバを配置して、タイミング制御を容易にし、また、レイアウトサイズを小さくする半導体記憶装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a cubic array type solar cell module which is effective even at the time of installation of a vertical wall by improving electric power generating capacity per an installation area.例文帳に追加

設置面積あたりの発電量を向上させ、垂直壁面設置時にも有効な立体配列セル型太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, reducing a test time for outputting a result of comparing a data pattern for testing with a data read out from a memory cell array.例文帳に追加

テスト用のデータパターンとメモリセルアレイから読み出したデータとの比較結果を出力するテスト時間を短縮する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Block selection information RDATA which indicates necessity or needlessness of refresh in the block unit of a memory cell array is stored in latch means 20-1, 20-2.例文帳に追加

ラッチ手段20−1,20−2には、メモリセルアレイのブロック単位にリフレッシュの要、不要を示すブロック選択情報RBDATAが格納される。 - 特許庁

A memory cell array block 310 of the MRAM 300 is arrayed with a plurality of magnetic memory cells 311 at the intersection points of word lines, digit lines and bit lines.例文帳に追加

MRAM300の、メモリセルアレイブロック310には、ワードライン、デジットライン、及びビットラインの交差点に複数個の磁気メモリセル311が配列される。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array 11, selection gate transistors SGD, SGS, a control gate driving circuit 12, a selection gate driving circuit 13, and a source line driving circuit 14.例文帳に追加

メモリセルアレイ11、選択ゲートトランジスタSGD、SGS、制御ゲート駆動回路12、選択ゲート駆動回路13、ソース線駆動回路14を備える。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor memory device in which influence of a sneak current at reading can be excluded, and the area of a reference cell array can be reduced.例文帳に追加

読み出し時におけるまわりこみ電流の影響を排除できるとともに、リファレンスセルアレイの面積を削減できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁




  
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