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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > array cellに関連した英語例文

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array cellの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2610件



例文

To provide an organic photoelectric converting element high in photoelectric converting efficiency and durability, a solar cell using the organic photoelectric converting element, and an optical sensor array.例文帳に追加

光電変換効率及び耐久性の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。 - 特許庁

The NVM device 110 includes a non-volatile memory cell array and a writing state machine 115 for monitoring a pass signal of the immediately preceding program operation in a standby state.例文帳に追加

NVMデバイス110は、不揮発性メモリ・セルのアレイと直前の待ち状態のプログラム動作のパスをモニタするための書込み状態マシン115とを備える。 - 特許庁

To provide an organic photoelectric conversion element having high efficiency of photoelectric conversion and containing a low-band gap polymer and a fullerene derivative, to provide a solar cell, and to provide an optical sensor array.例文帳に追加

低バンドギャップポリマーとフラーレン誘導体を含む、高光電変換効率の有機光電変換素子、太陽電池、光センサアレイを提供する。 - 特許庁

A memory cell array 1 includes a plurality of memory cells arranged in rows and columns and a plurality of word lines and a plurality of bit lines connected to the memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、複数のメモリセルが行及び列に配置され、前記メモリセルに接続される複数のワード線及び複数のビット線を有する。 - 特許庁

例文

The nonvolatile magnetic thin film memory device has: a substrate; and a memory cell array composed of memory cells each having a magnetoresistance effect element, the memory cells being two-dimensionally arranged on the substrate.例文帳に追加

不揮発磁気薄膜メモリ装置は、基板と、その基板上に磁気抵抗効果素子を有するメモリセルが二次元状に配されたメモリセルアレイとを有している。 - 特許庁


例文

The reformer 5 is disposed at a side farther inward than an end part, in an array direction of the plurality of the fuel battery cells 4 in the fuel battery cell assembly 401.例文帳に追加

改質器5は、燃料電池セル集合体401における複数の燃料電池セル4の配列方向の端部よりも内側に配置されている。 - 特許庁

A source line of a nonvolatile memory cell array is grounded through an element having a resistance component, and a resistance value is switched depending on the time of write-in operation and the read-out operation.例文帳に追加

不揮発性メモリセルアレイのソース線を抵抗成分をもつ素子を介して接地し、書き込み動作時と読み出し動作時で抵抗値を切り換える。 - 特許庁

A memory cell array is provided with a pair of reference cells 10a, 10b for each same control word line CWL to which a plurality of memory cells 10 are connected.例文帳に追加

メモリセルアレイには、複数のメモリセル10が接続される同一のコントロールワード線CWL 毎に一対の基準セル10a,10bがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

As to first and second array lenses 6 and 7 of the projection type video display device; the size of a lens cell is nearly ≥1/4.5 of the size of a liquid crystal display element.例文帳に追加

投写型の映像表示装置の第一、第二のアレイレンズにおいて、レンズセル寸法を液晶表示素子寸法の略1/4.5以上とする。 - 特許庁

例文

Two lower bits of an address is inputted to a bank control circuit BCL and which cell array in the bank A or B uses the corresponding sense amplifier is selectively controlled.例文帳に追加

そして、アドレスの下位2ビットがバンク制御回路BCLに入力され、バンクAとバンクBのいずれのセルアレイがセンスアンプを用いるかを選択制御する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor storage device that can further reduce a layout area of the whole memory array by reducing a layout area of a feed cell.例文帳に追加

給電セルのレイアウト面積を縮小することによりメモリアレイ全体のレイアウト面積をさらに縮小することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Total length of a data bus can be reduced by contriving the arrangement of a memory cell array arranged around a central region CEN of chips.例文帳に追加

チップの中央領域CENの周囲に配置されるメモリアレイの配置を工夫することによりデータバスの総延長を低減させることができる。 - 特許庁

The device has a memory cell array having a plurality of CMOS static type memory cells provided at the intersections of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.例文帳に追加

複数のワード線と複数の相補ビット線の交差部に設けられた複数のCMOSスタティック型メモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

The columnar spacer 2 does not override a color overlap portion of the colored films 4, and thus the variation in a cell gap between the array substrate and the counter substrate can be suppressed.例文帳に追加

柱状スペーサ2が着色膜4の色重なり部を跨がないため、アレイ基板と対向基板とのセルギャップのばらつきを抑制できる。 - 特許庁

A control circuit makes voltage VRESET+N*Vα change based on a position of selection memory cells MC10-MC13 in the memory cell array MA.例文帳に追加

制御回路は、電圧VRESET+N*VαをメモリセルアレイMA内での選択メモリセルMC10〜MC13の位置に基づいて変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can generate a plurality of memories constituted of arbitrary word bits from a single memory cell array by only modifying a wiring layer.例文帳に追加

配線層のみの変更によって、1つのメモリセルアレイから任意のワード・ビット構成の複数のメモリを生成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction(MTJ) device can be used as a magnetic field sensor in a magnetic disk drive or as a memory cell in a magnetic random access memory(MRAM) array.例文帳に追加

磁気トンネル接合(MTJ)装置は、磁気ディスク・ドライブ内の磁界センサとして、または 磁気ランダム・アクセス(MRAM)アレイ内のメモリ・セルとして使用可能である。 - 特許庁

To optimize the internal data readout timing by varying the electric potential of a dummy bit line at a high speed, independently of the structure of a memory cell array, in a semiconductor storage device.例文帳に追加

半導体記憶装置において、メモリセルアレイ構成にかかわらず、高速でダミービット線の電位を変化させて、内部データ読出タイミングを最適化する。 - 特許庁

Also, memory cells in each memory cell array Way0 and Way1 are arranged so that the same addresses are positioned at the same position in the column direction.例文帳に追加

また、各メモリセルアレイWay0及びWay1内のメモリセルは、同一のアドレスがカラム方向において同一の位置にあるように配列されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。 - 特許庁

To secure stability of refresh-operation in a semiconductor memory device provided with a memory cell array including a plurality of memory cells arranged in a matrix state.例文帳に追加

行列状に配置される複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを備える半導体記憶装置において、リフレッシュ動作の安定性を確保する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device, etc., capable of overwriting a memory cell array while preventing an increase of a circuit size without requiring a large-scaled modification of the circuit.例文帳に追加

大規模な回路の変更を必要とせず、回路サイズの増大を防止しながら、メモリセルアレイの上書きが可能な不揮発性記憶装置等を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that an FG-type NAND memory cell array, which is made fine, has potential interference between proximity cells and becomes unstable in operation due to malfunction, depending on the circumstances.例文帳に追加

微細化されたFG型NANDメモリセルアレイでは、近接セル間で電位干渉が生じ、動作が不安定になり、場合によっては誤動作する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for which the timing control can be facilitated and a layout size is reduced by arranging a word line drivers at one side of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの片側にワード線ドライバを配置して、タイミング制御を容易にし、また、レイアウトサイズを小さくする半導体記憶装置を提供するものである。 - 特許庁

An oblique line is a region used as one memory cell, and the memory cells, not shown, are integrated in an array form with the oblique line formed as a unit region.例文帳に追加

斜線部が1つのメモリセルに使われる領域であって、この斜線部領域を単位領域としてアレイ状にメモリセル(図示せず)が集積される。 - 特許庁

A P channel MOS transistor G1 is a switch for supplying and cutting off a power source, and inserted in a path supplying a power source to a memory cell array.例文帳に追加

PチャネルMOSトランジスタG1は、本発明の電源供給遮断用スイッチであり、メモリセル・アレイに電源を供給する経路に挿入されている。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, a memory cell array 20 is divided into four blocks, that is, a block (0) 22A, a block (1) 22B, a block (2) 22C, a block (3) 22D.例文帳に追加

半導体装置1は、メモリセルアレイ20が四つのブロック、すなわち、ブロック(0)22A、ブロック(1)22B、ブロック(2)22C、ブロック(3)22Dに分割されている。 - 特許庁

A local decoder is arranged in common with first and second two cell array sections, either of them is selected by a control signal from a main word line driving section.例文帳に追加

第1、第2の二つのセルアレイ部に共通にローカルデコーダを配置して、メインワードライン駆動部からの制御信号でいずれかを選択するようにした。 - 特許庁

A memory system MSYS comprises: a semiconductor memory MEM including a memory cell array ARY and a field programmable section FP; and a program storage section PRG.例文帳に追加

メモリシステムMSYSは、メモリセルアレイARYおよびフィールドプログラマブル部FPを有する半導体メモリMEMと、プログラム記憶部PRGとを有している。 - 特許庁

An integrated circuit of an nonvolatile memory cell array comprises a dielectric stack layer over a substrate, and an ion implementation region in the substrate under the dielectric stack layer.例文帳に追加

不揮発性メモリセルアレイの集積回路は、基板を覆う誘電体スタック層と、該誘電体スタック層下の該基板内のイオン注入領域とを有する。 - 特許庁

To provide a memory apparatus which can suppress the decrease of readout margin due to fluctuation in reference potential while reducing the area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積を縮小しながら、リファレンス電位の変動に起因する読み出しマージンの減少を抑制することが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, by changing the light transmission state of the liquid crystal cell of each LCS array 31 in accordance with the original image, a desired image is formed on the photographic printing paper.例文帳に追加

そして、原画像に応じて各LCSアレイ31における液晶セルの光透過状態を変えることで、印画紙に所望の画像を形成する。 - 特許庁

This memory is a memory cell array in which plural memory cells arranged in plural rows and pleural columns are included and the number of plural rows is made larger than that of plural columns.例文帳に追加

複数の行および複数の列に配列される複数のメモリセルを含み、複数の行を複数の列より大きくしたメモリセルアレイが開示される。 - 特許庁

A system and method are provided which are operable with a wireless communication cell having at least one aperture array and broker wireless communication resources.例文帳に追加

少なくとも1つのアパーチャアレイを有する無線通信セルと共に操作可能な、無線通信リソースを仲介するシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To rewrite data of one part of data read of one page portion read from a memory cell array and to write the result in a different page.例文帳に追加

本発明は、メモリセルアレイから読み出された1ページ分の読み出しデータの一部のデータの書き換えを行なって、異なるページに書き込むことを特徴とする。 - 特許庁

Each of program units PU0-PU2 arranged being adjacent to a memory cell array 10 stores every one bit of redundancy information required for replacement relieving.例文帳に追加

メモリアレイ10に隣接して配置されたプログラムユニットPU0〜PU2の各々は、置換救済に必要な冗長情報の1ビットずつを記憶する。 - 特許庁

This semiconductor memory 5 has an interface 10, a memory cell array 11, a YUV-RGB conversion circuit 121, an α blend circuit 122 and a control circuit 124.例文帳に追加

半導体メモリ5は、インタフェース10、メモリセルアレイ11、YUV−RGB変換回路121、αブレンド回路122および制御回路124を有する。 - 特許庁

The systems (8, 24 and 26) for optically forming an image are provided with a cell array (10), a charge shift register (12), two or more charge detection nodes (16 and 18) and a charge demultiplexer (14).例文帳に追加

光学的に画像を形成するためのシステム(8,24,26)は、セルのアレイ(10)、電荷シフトレジスタ(12)、2つ以上の電荷検出ノード(16,18)、及び、電荷デマルチプレクサ(14)を備える。 - 特許庁

Afterwards, contact holes are formed in the memory cell array area and the peripheral area but the interlayer dielectric is thin, the aspect ratio of the contact holes can be reduced.例文帳に追加

その後、メモリセルアレイ領域及び周辺領域にコンタクトホールを形成するが、層間絶縁膜の膜厚が小さいためコンタクトホールのアスペクト比を低減できる。 - 特許庁

An input/output control circuit 20 is formed along one side of a memory cell array 17 disposed between a data input pad 11 and a data output pad 14.例文帳に追加

データ入力パッド11とデータ出力パッド14との間に配置されたメモリセルアレイ17の一方の側に、入出力制御回路20を形成している。 - 特許庁

A plurality of memory cell array regions 3 are arranged on a semiconductor substrate of a DRAM in matrix respectively apart in a line-column direction.例文帳に追加

DRAMにおいて、複数のメモリセルアレイ領域3は、半導体基板上に、行方向と列方向とにそれぞれ間隔を隔ててマトリックス状に配置される。 - 特許庁

The global decoder 71 comprises a first logic block 96 receiving an address specifying input 101 and outputting a signal for selecting individual column 12C of a memory cell of the SRAM array 99.例文帳に追加

グローバルデコーダ(71)は、アドレス指定入力(101)を受け取り、SRAMアレイ(99)のメモリセルの個々の列(12)を選択するための信号を出力する第1の論理ブロック(96)を含む。 - 特許庁

A silicon nitrided film 11 by plasma CVD is formed covering the memory cell array, and silicon nitrided films 12a and 12b are formed as inter-layer insulating films thereupon.例文帳に追加

メモリセルアレイを覆ってプラズマCVDによるシリコン窒化膜11が形成され、この上に層間絶縁膜となるシリコン酸化膜12a,12bが形成される。 - 特許庁

In this way, word lines WL 0 to 31 of the memory cell array 10 are driven simultaneously by the row decoder 20 and the row decoder 30 for word lines.例文帳に追加

こうして、メモリセルアレイ10のワード線WL0〜31を、ロウデコーダ20とワード線用ロウデコーダ30とによって同時に駆動する構成となっている。 - 特許庁

The abnormality detection system includes a ground fault detection part detecting that a ground fault occurs from the solar cell array to a ground part and a terminal board 200 having the multiple terminals.例文帳に追加

異常検出システムは、太陽電池アレイがグランドに地絡したことを検出する地絡検出部と、複数の端子を有する端子台200とを備える。 - 特許庁

A main word line 4 and a pre-decode line 5 are disposed to extend from the main word decoder 1 to the sub word driver 2_4 of the second memory cell array 3_2.例文帳に追加

メインワード線4およびプリデコード線5は、メインワードデコーダ1から第2のメモリセルアレイ3_2のサブワードドライバ2_4まで延びるように配置されている。 - 特許庁

The resistive cross point memory cell array (12) permits high-density manufacture and high-speed operation by using the isolation diodes (28) having practical dimensions and current density characteristic.例文帳に追加

抵抗性交点メモリセルアレイ(12)は、実用的な寸法と電流密度特性を有する分離ダイオート゛(28)により高密度の製造と高速動作が可能になる。 - 特許庁

To reduce manufacturing period, compared with that of the conventional standard cell system by realizing the layout of a semiconductor integrated circuit device by means of a gate array system.例文帳に追加

半導体集積回路装置のレイアウトをゲートアレイ方式によって実現することにより、従来のスタンダードセル方式に比べて製作期間の短縮を図る。 - 特許庁

At least on the memory cell array 100, the oxides of the elements contained in the ferroelectric layer 14 are formed as hydrogen barrier films 42 and 44.例文帳に追加

少なくともメモリセルアレイ100の上に、水素バリア膜42,44として、強誘電体層に含有される元素の酸化物が形成されている。 - 特許庁

例文

An equivalent circuit for the patch cell array can comprise two or more inductance groups connected via a series capacitance and two or more shunt capacitances.例文帳に追加

パッチセルアレイに関する等価回路は、直列キャパシタンスおよび2以上のシャントキャパシタンスを介して接続される2以上のインダクタンスグループから成ることができる。 - 特許庁




  
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