「array cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

On the opposite side of the address signal line region RA of the first word line driver region WD1, a memory cell array CA is arranged.例文帳に追加

また、第１のワード線ドライバ領域ＷＤ１のアドレス信号線領域ＲＡとは反対側にメモリセルアレイＣＡが配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device including a semiconductor memory which helps to promote microfabrication and higher integration of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの微細化、及び高集積化を進展させ易い半導体メモリを含む半導体集積回路装置を提供すること - 特許庁

A control circuit 70 controls erasion of the first or the second sector of the memory cell array 64 in accordance with the first or the second decoding signal.例文帳に追加

制御回路は、前記第１または第２復号信号に応じて前記メモリアレイの第１または第２セクタの消去を制御する。 - 特許庁

According to this pulling force, the force of the airflow W, which is going to lift the solar cell array 11, can be canceled or weakened.例文帳に追加

この引力により、太陽電池アレイ１１を持ち上げようとする空気流Ｗの力を相殺または弱めることができる。 - 特許庁

The decoder is connected to the memory cell array through a word line, and provides a word line voltage to a selected word line in response to a fetch address.例文帳に追加

デコーダはワードラインを介してメモリセルアレイと接続され、フェッチアドレスに応答して選択されたワードラインにワードライン電圧を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory with a reduced area of a memory cell array while maintaining the same function as that of a conventional one.例文帳に追加

従来と同等の機能を維持しつつ、メモリセルアレイの面積をより縮小した不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

First well regions W1, W2 and second well regions V1, V2, which are extended in the column direction of a memory cell array, are formed alternately.例文帳に追加

メモリセルアレイの列方向に延びる第１のウエル領域Ｗ_1 、Ｗ__2 及び第２のウエル領域Ｖ_1 、Ｖ_2 が交互に設けられている。 - 特許庁

A storage device comprises a cell array 101 provided on a driving circuit 102, in which potential from the driving circuit 102 is supplied to wiring connected to memory cells 100.例文帳に追加

セルアレイ１０１の内部において、メモリセル１００に接続された配線に、駆動回路１０２から電位の供給が行われる。 - 特許庁

Write-in data DQ is taken in by a latch circuit 22 in a period in which read-out of data from a memory cell array is not performed and held.例文帳に追加

書込データＤＱは、メモリセルアレイからのデータの読出が行なわれていない期間にラッチ回路２２により取込まれて保持される。 - 特許庁

To provide a method, apparatus and program for speedily, precisely and easily executing a circuit simulation of a large scale memory cell array such as a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等、大規模メモリセルアレイの回路シミュレーションを高速、高精度で容易に実行可能とする方法、装置、プログラムの提供。 - 特許庁

The semiconductor memory has a function to divide a page in the memory cell array into a plurality of e segments and to check the presence of fail bits for each segment in block.例文帳に追加

メモリセルアレイ内のページを複数のセグメントに分割し、各セグメント毎にフェイルビットの存否を一括検知する機能を具備する。 - 特許庁

The semiconductor storage device 100 comprises a memory cell array MCA including memory cells MC arranged in a matrix form, a plurality of word lines WL connected to the memory cells MC of each row in the memory cell array MCA, and a counter cell array CCA which includes counter cells prepared correspondingly to each word line, and stores the frequency of activating the word lines WL for reading the data of the memory cells MC.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、マトリクス状に配置されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＣＡと、メモリセルアレイＭＣＡの各行のメモリセルＭＣに接続された複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬの各々に対応して設けられたカウンタセルＣＣを含み、メモリセルＭＣのデータを読み出すためにワード線ＷＬを活性化させた回数を記憶するカウンタセルアレイＣＣＡとを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a memory cell array including nonvolatile memory cells, a sense amplifier for verifying discriminating data of the memory cell array at program operation, a data input buffer receiving data from the outside, and a coincidence/noncoincidence determination circuit determining whether an input password inputted to the data input buffer from the outside coincides with a readout password read from the memory cell array and determined by the sense amplifier for verifying or not.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルを含むメモリセルアレイと、プログラム動作時にメモリセルアレイのデータを判定するベリファイ用センスアンプと、外部からのデータを受け取るデータ入力バッファと、外部からデータ入力バッファに入力される入力パスワードとメモリセルアレイから読み出されベリファイ用センスアンプでデータ判定される読み出しパスワードとが一致するか否かを判定する一致／不一致判定回路を含む。 - 特許庁

Even when the memory cell array 100 is put in the busy state, necessary data can be input to the first memory device 10 by the first to third buffers 14 to 16.例文帳に追加

第１〜第３バッファ１４〜１６により、ビジー状態であっても第１メモリ装置１０に必要なデータを入力可能になる。 - 特許庁

To provide an inspection method of an integrated circuit memory which selects a memory cell near the peripheral part of a memory array and a memory twist part.例文帳に追加

メモリアレイの周辺部及びメモリツイスト部に近接したメモリセルを選択する集積回路メモリの検査方法を提供すること。 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT, SOLAR CELL, ARRAY FOR DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

有機薄膜、有機薄膜の製造方法、電界効果トランジスタ、有機発光素子、太陽電池、表示装置用アレイ及び表示装置 - 特許庁

The first inverting circuit includes an input terminal connected with the bit line of the main cell array and an output terminal connected with another end of the first load element.例文帳に追加

第１反転回路は、メインセルアレイのビットラインに入力端が連結され、第１負荷素子の他端に出力端が連結される。 - 特許庁

A nonvolatile memory device for reducing programming current and improving reliability includes a memory cell array, a write circuit, and a verification circuit.例文帳に追加

プログラミング電流を低減し、信頼性を向上させる不揮発性メモリ素子は、メモリ・セル・アレイ、書き込み回路、及び検証回路を有する。 - 特許庁

To restrain an increase in the area of a semiconductor storage device by reducing a well boundary part of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイのウエル境界部分を縮小することにより、半導体記憶装置の面積の増加を抑えることを目的としている。 - 特許庁

In the memory cell array 1, a plurality of memory cells connected to a plurality of word lines and a plurality of bit lines are arranged in a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のワード線、及び複数のビット線に接続された複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device includes a memory cell array in which electrically re-writable nonvolatile memory cells are arranged, and a control unit.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、制御部とを備える。 - 特許庁

Read data read from a memory cell array 15 by a read command in a normal operation mode are readable from an external terminal 10.例文帳に追加

通常動作モードにおいてリードコマンドによってメモリセルアレイ１５から読み出されたリードデータが外部端子１０から読み出し可能とされる。 - 特許庁

To provide a high-density cross point resistor memory array which is self-aligned to a bottom electrode and has a separated PCMO cell pillar.例文帳に追加

底部電極に対して自己整合された、分離ＰＣＭＯセルピラーを有する高密度クロスポイント抵抗体メモリアレイを提供すること。 - 特許庁

This sense circuit has a first circuit branch corresponding to an array circuit path and a second circuit branch corresponding to a reference cell circuit path.例文帳に追加

このセンス回路は、アレイ回路パスに相当する第１の回路ブランチと基準セル回路パスに相当する第２の回路ブランチを有する。 - 特許庁

Thus, a decoder circuit for deciding to select which cell block in an array becomes unnecessary for the sub row decoder and a chip size can be reduced.例文帳に追加

これにより、サブローデコーダには、アレイ内のどのセルブロックを選択するかを決めるデコーダ回路が不要になり、チップサイズを縮小出来る。 - 特許庁

The CLK synchronization SRAMIF 21 makes the PDPRAM 20 composed of the DRAM cell array operate as the pseudo-SRAM.例文帳に追加

ＣＬＫ同期ＳＲＡＭＩＦ２１は、ＤＲＡＭセルアレイで構成されているＰＤＰＲＡＭ２０を疑似的にＳＲＡＭとして動作させる。 - 特許庁

A floating gate electrode FG for information charge storage is provided in a memory cell array MR on a principal plane of a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの主面のメモリセルアレイＭＲには情報電荷蓄積用の浮遊ゲート電極ＦＧが配置されている。 - 特許庁

Partial luminous flux condensed on the predetermined cell lens constituting the second lens array 21e is intercepted by the mask 15 in alignment.例文帳に追加

そして、アライメント時には、マスク１５により、第２レンズアレイ２１ｅを構成する所定のセルレンズに集光される部分光束を遮光する。 - 特許庁

Higher-order word data LW and lower-order word data UW are reduced to 8-bit byte data and stored in a memory cell array 10.例文帳に追加

上位ワードデータＬＷおよび下位ワードデータＵＷは、それぞれ８ビットのバイトデータに縮退して、メモリセルアレイ（１０）内に格納する。 - 特許庁

The cycle of this clock signal is set according to the information storing and holding time of the memory cell of a memory array 1 during the nonoperation.例文帳に追加

このクロック信号の周期は、非動作時におけるメモリアレイ１のメモリセルの情報記憶保持時間に応じて設定されている。 - 特許庁

The memory cell array is divided in the second direction B and has a plurality of sectors 0, 1, etc., having their lengths in the first direction A.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域は、第２の方向Ｂで分割され、第１の方向Ａを長手方向とする複数のセクタ０，１，…を有する。 - 特許庁

To improve property by excluding dummy cell array or by reducing imbalance in a bit line capacity or an adjacent noise caused by the same.例文帳に追加

ダミーセルアレイの排除、またはビット線容量のアンバランス若しくはこれを原因とする隣接ノイズの低減による特性の改善ができる。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a refresh control part for performing a refresh operation of a memory cell array having dynamic memory cells.例文帳に追加

半導体メモリ装置は、ダイナミック型のメモリセルを有するメモリセルアレイのリフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュ制御部を備える。 - 特許庁

The cell and the array are formed in a semiconductor substrate having a plurality of separated trenches wherein a flat surface is formed between respective trenches.例文帳に追加

セル及びアレイは、離間した複数のトレンチを有し、各トレンチの間には平面が設けられている半導体基板内に形成される。 - 特許庁

Picture data of respective 18 pixels, 4 pixels, 1 pixel of hierarchies 1-3 (8 bits data respectively) are stored in one part 160 of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの一部１６０ａには、階層１〜３の夫々１６画素、４画素、１画素の画像データ（夫々８ビットデータ）を記憶する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR EXAMINING EFFECT OF TRANSFECTION OF siRNA INTO CELL BY ANALYZING PLURALITY OF GENE EXPRESSIONS ON MICRO-ARRAY例文帳に追加

マイクロアレイ上で多数の遺伝子発現を分析することにより、ｓｉＲＮＡを細胞にトランスフェクトした効果を調べる方法と装置 - 特許庁

A semiconductor memory device has a memory cell array 22, a row decoder 21, a column decoder 22, an error correction circuit 26, and output circuits 27, 28.例文帳に追加

半導体記憶装置２は、メモリセルアレイ２２、行デコーダ２１、列デコーダ２２、誤り訂正回路２６および出力回路２７，２８を有する。 - 特許庁

To provide a memory array from which readout can be performed satisfactorily by reducing the influence of signals from nonselected memory cells when a memory cell is operated.例文帳に追加

メモリセルの動作時に非選択セルからの信号の影響を小さくし、良好な読み出しが可能となるメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a single clock signal is supplied to output circuits corresponding to each memory cell array.例文帳に追加

単一のクロック信号が各メモリセルアレイに対応する出力回路に供給される半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁

A wordline drive circuit 21 for driving each of wordlines (22a, 22b, 22c, 22d,...) is arranged in one direction only of single side of a memory cell array 10.例文帳に追加

各ワード線（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、・・・）をドライブするワード線ドライブ回路２１をメモリセルアレイ１０の片側一方向のみに配置する。 - 特許庁

In one embodiment of this invention, the nonvolatile semiconductor storage device includes a plurality of memory blocks connecting a plurality of memory cells thereto, and is equipped with the memory cell array for storing the test data in a predetermined memory block and an operation testing section for executing the operation test of the memory cell array by using the test data.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを接続したメモリブロックを複数含み、所定のメモリブロック内にテストデータを記憶するメモリセルアレイと、前記テストデータを用いて前記メモリセルアレイの動作テストを実行する動作テスト部と、を備える。 - 特許庁

In this semiconductor memory device, a load voltage correction circuit 12 corrects load voltage input from a load voltage signal line 13 in accordance with output of a dummy cell array 11 in which rewriting operation of the almost same number of times of rewriting as the number of times of rewriting of a memory cell array 16m are performed.例文帳に追加

この半導体記憶装置によれば、負荷電圧補正回路１２は、メモリセルアレイ１６ｍの書換え回数と略同じ回数の書換え動作が行われているダミーセルアレイ１１の出力に応じて、負荷電圧信号線１３から入力される負荷電圧を補正する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device including a cell array or a word line driver constituted to suit high integration, and a word line driving method and a driving method for reading/writing data in a semiconductor memory device constituted of the cell array.例文帳に追加

高集積化に適合するように構成されたセルアレイまたはワードラインドライバを備えた強誘電体メモリ装置と、前記セルアレイから構成された半導体メモリ装置においてワードラインドライバ駆動方法及びデータのリード/ライトを行うための駆動方法を提供することにある。 - 特許庁

A semiconductor memory device 1 is provided with a normal RAM 2, a redundancy RAM 3 provided independently from the normal RAM 2, serving as the redundancy circuit, and a control unit 4 for replacing a normal memory cell array of the normal RAM 2 by a redundancy memory cell array of the redundancy RAM 3.例文帳に追加

半導体記憶装置１は、正規ＲＡＭ２と、正規ＲＡＭ２とは独立して設けられ、冗長回路として機能する冗長ＲＡＭ３と、正規ＲＡＭ２の正規メモリセルアレイを、冗長ＲＡＭ３の冗長メモリセルアレイで置換する制御部４とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device 1 is equipped with; a SRAM (Static RAM) cell array 11 in which a plurality of memory cells each of which consists of CMOSFETs are arranged in matrix; and power source lines VL1 and GL1, etc., which are provided every one bit column , such as one bit column of the SRAM cell array 11.例文帳に追加

半導体集積回路装置１は、ＣＭＯＳＦＥＴから構成される複数のメモリセルが格子状に配置されたＳＲＡＭセルアレイ１１と、ＳＲＡＭセルアレイ１１の１ビット列等の１ビット列ごとに設けられた電源線ＶＬ１、ＧＬ１等を備えている。 - 特許庁