| 例文 |
array sectionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 670件
The fluid detection sensor comprising a light-projecting means, a light-receiving means, and a signal-processing means, and detachably attached outside a fluid-flowing translucent tube includes a housing section thereof freely opened and closed by a hinge mechanism, a tube catching mechanism, and a plurality of light-projecting elements comprising the light-projecting means arranged in an array.例文帳に追加
投光手段と受光手段と信号処理手段からなり、流体が流通する透光性のチューブの外側に着脱自在に設けられる流体検知センサであって、流体検知センサのハウジング部がヒンジ機構により開閉自在とされ、チューブを挟み込める機構を備え、投光手段がアレイ状に配置された複数の投光素子から構成される。 - 特許庁
To prevent the defective connection of a semiconductor device and a wiring board, and to improve reliability on connection by relaxing stress applied to the connecting section of an external electrode for the semiconductor device and a connecting electrode for the wiring board by repeated thermal stress, in an electronic circuit board in which the land grid array type semiconductor device is mounted on the wiring board.例文帳に追加
配線基板にランドグリッドアレイタイプの半導体装置を実装する電子回路基板において、繰り返し熱ストレスによる半導体装置の外部電極と配線基板の接続電極の接続部分に加わる応力を緩和することにより、半導体装置と配線基板との接続不良を防止し、接続信頼性を向上させる。 - 特許庁
When the conductivity type of the diffusion layer of a dummy cell region 22 is made opposite to that of the diffusion layers of adjacent memory cells, the diffusion layer formed in the dummy cell region 22 can also the used as a well potential supplying diffusion layer and the increase of the chip area caused by the increase of the split number of a memory cell array section can be suppressed.例文帳に追加
ダミーセル領域22の拡散層の導電型をそれと隣接するメモリセルのセルの拡散層と逆にすれば、ダミーセル領域22に形成される拡散層をウェル電位供給用拡散層として兼用することができ、メモリセルアレイ部の分割数が増大することによるチップ面積の増大を抑制することができる。 - 特許庁
The recording section 70 comprises a recording medium heating means 90 having a heating region extending in the arranging direction of a multi-nozzle array to cover a range wider than the print width of the recording medium, and a means 91 for applying hot air to the recorded surface of the recording medium independently from a rear surface side heating means 90.例文帳に追加
記録部70は加熱領域がマルチノズル列配列方向に伸びて前記記録媒体の被印写幅より大きい範囲をカバーする記録媒体加熱手段90を有するとともに、該裏面側加熱手段90とは別に、前記記録媒体の記録後の被記録面に温風を付与する温風付与手段91を有する。 - 特許庁
A calibration wireless circuit 107 obtains a phase difference or an amplitude difference among input signals received by each of antenna elements 105-1 to 105-n in the case of realizing an adaptive array antenna system and executes calibration by instructing the digital signal processing section 101 to carry out amplitude and phase control of the plurality of antenna elements 105-1 to 105-n.例文帳に追加
校正用無線回路107は、アダプティブアレイアンテナシステムを実現するにあたり、各アンテナ素子105−1〜105−nに入力する入力信号間の位相差または振幅差を求めて、複数のアンテナ素子105−1〜105−nの振幅・位相制御を行うようにディジタル信号処理部101へ指示することにより校正を行う。 - 特許庁
The separated slab wave-guide 3b is fixed, and the separated slab wave-guide 3a side is slide-moved in the directions of arrows A, B along the section 8 by using expansion/contraction of a high thermal expansion coefficient member 7 according to a used environmental temperature change, and the temperature dependent fluctuation of respective light transmission central wavelengths of the array wave-guide type diffraction grating is reduced.例文帳に追加
分離スラブ導波路3bを固定し、使用環境温度変化に応じた高熱膨張係数部材7の膨張収縮を利用して分離スラブ導波路3a側を前記切断面8に沿って矢印A,B方向にスライド移動させ、アレイ導波路型回折格子の各光透過中心波長の温度依存変動を低減する。 - 特許庁
To improve the data read-out accuracy of an optical pickup device, which forms optical disk part light spots respectively in a plurality of tracks continuously arraying in a radiation direction of an optical disk and read out the data of respective tracks by the change in the incident light quantity of the reflected light from the respective optical disk part light spots to the respective photodiodess of a photodetector array section.例文帳に追加
光ディスク20において放射方向へ連続して並ぶ複数個のトラック30にそれぞれ光ディスク部光スポット32a,32b,・・・を形成し、光検出器配列部23の各フォトダイオード24a,24b,・・・への各光ディスク部光スポット32a,32b,・・・からの反射光27a,27b,・・・の入射光量変化より各トラック30のデータを読み出す光ピックアップ装置11において、データの読み出し精度を改善する。 - 特許庁
The finger print detection device of an electrostatic capacity detection system is provided with a sensor section that forms an insulation protective membrane 42 covering a detection electrode 22 arranged in an array style, where the detection electrode 22, more preferably, the detection electrode 22 and wiring directly therebelow (26, 27, 36S, 36D) are composed of refractory metals or the compounds of refractory metal.例文帳に追加
アレイ状に配置された検出電極22を覆って絶縁保護膜42が形成されたセンサ部を有する静電容量検出方式の指紋検出装置であって、検出電極22、より好ましくは検出電極22及びその直下の配線(26,27,36S,36D)が高融点金属、または高融点金属の化合物で形成されて成る。 - 特許庁
The line section signal detection circuit 15 detects a line selection signal S3 which shows that any line of a memory cell array 2 when data is written into a memory cell 1 corresponding to the writing request signal S1, and when the line selection signal detection circuit 15 detects the line selection signal S3, it outputs the response signal S4 corresponding to the writing request signal S1.例文帳に追加
行選択信号検出回路15は、書き込む要求信号S1に応じてメモリセル1にデータを書き込む際に、メモリセルアレイ2の何れの行が選択されたことを示す行選択信号S3を検出し、これを検出したときに、書き込み要求信号S1に対応する応答信号S4を出力するように構成される。 - 特許庁
The erasion operation control device 10 of a flash memory is provided with a common discharge circuit section 20 connecting electrically and directly at least one out of a source part CSL, a drain part CBL, and a substrate part CWL constituting respective cell MC00-MCmn constituting a cell array 9 of a flash memory circuit, and a gate part WL during erasion operation in the flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリ回路のセルアレイ9を構成するそれぞれのセルMC00〜MCmnを構成するソース部CSL、ドレイン部CBL及び基板部CWLの少なくとも一つと、ゲート部WLとを当該フラッシュメモリに於ける消去動作中に電気的に直接接続させる共通放電回路部20が設けられているフラッシュメモリの消去動作制御装置10。 - 特許庁
The first memory cell array contains a lower electrode 38 formed in a striped shape, an upper electrode 36 formed in the striped shape in the direction crossed with the electrode 38, the ferroelectric capacitors 34 arranged at least at the crossed section of the electrode 38 and the electrode 36, and a buried insulating layer 32 formed between the mutual capacitors 34.例文帳に追加
第1メモリセルアレイは、ストライプ状に形成された下部電極38と、下部電極38と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極36と、下部電極38と、上部電極36との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ34と、強誘電体キャパシタ34の相互間に形成された埋め込み絶縁層32とを含む。 - 特許庁
The radar signal processor is provided with a receiving array antenna 21 for receiving the spread spectrum code-multiplex modulation wave; an A/D converter 22 for converting the received signal into a digital signal; a covariance matrix calculating section 23 for calculating the covariance matrix of the received signal without despreading the code multiplex modulation wave, and for obtaining integrated processing effect in the temporal and channel directions.例文帳に追加
スペクトル拡散による符号多重変調波を受信する受信アレーアンテナ21と、受信信号をディジタル信号に変換するA/D変換器22と、符号多重変調波を逆拡散することなく受信信号の共分散行列を求めることで時間方向及びチャネル方向の両方に積分処理した効果を得る共分散行列演算部23とを設けた。 - 特許庁
The light-emitting diode array where a plurality of light-emitting areas 21 and a separate longitudinal electrode 23 connected with the light-emitting areas 21 though an electrode wire 22 are disposed is characterized in that a protective film 25 is formed on the surface of the wire 22 and the surface of an edge section of the electrode 23 and the protective film on a long-side edge of the electrode 23 is removed.例文帳に追加
複数の発光領域21と、この発光領域21に電極配線22を介して接続された縦長の個別電極23とを、配置してなる発光ダイオードアレイにおいて、前記電極配線22の表面と前記個別電極23のエッジ部分の表面に保護膜25を形成するとともに、前記個別電極23の長辺エッジ上の保護膜は除去されていることを特徴とする。 - 特許庁
A semiconductor memory device includes a plurality of input/output ports different from one another, a memory array divided into a plurality of memory regions different from one another, and a selection control section that variably controls access paths between the memory regions and the input/output ports such that each of the memory regions is accessed through at least one of the input/output ports.例文帳に追加
半導体メモリ装置において、互いに異なった複数個の入出力ポートと、互いに異なった複数個のメモリ領域に分割されたメモリアレイと、前記メモリ領域のそれぞれが前記入出力ポートのうち少なくとも1つ以上の入出力ポートを通じてそれぞれアクセスされるように前記メモリ領域と前記入出力ポートの間のアクセス経路を可変的に制御する選択制御部と、を備える。 - 特許庁
A flat panel X-ray detector includes: a semiconductor layer for converting X rays into a charge; a plurality of divided electrodes for collecting the charge converted by the semiconductor layer as a detection signal; a switching element for reading the collected detection signal; two amplifier array circuits for processing the read detection signal; and a light irradiating section for irradiating the divided electrodes in the semiconductor layer with a light.例文帳に追加
フラットパネル型X線検出器は、X線を電荷に変換する半導体層と、この半導体層で変換された電荷を検出信号として収集する複数個の分割電極と、収集した検出信号を読み出すためのスイッチング素子と、読み出した検出信号を処理する2個のアンプアレイ回路と、半導体層の分割電極が設けられている一方面へ向けて光を照射する光照射部とを備えている。 - 特許庁
The semiconductor device 100b includes: a substrate 101; an imaging region A formed on the substrate 101 and arranged with an array of photoelectric conversion cells each having a photoelectric converting section 103; a control circuit region B formed on the substrate 101 and performing the control of the imaging region and the delivery of a signal therefrom; and copper-containing wiring layers 132, 134 formed on the substrate 101 and formed of a material containing copper.例文帳に追加
半導体装置100bは、基板101と、基板101上に形成され、光電変換部103を有する光電変換セルがアレイ状に配置された撮像領域Aと、基板101上に形成され、撮像領域の制御及び撮像領域からの信号の出力を行なう制御回路領域Bと、基板101上に形成され且つ銅を含む材料よりなる銅含有配線層132、134とを備える。 - 特許庁
There is provided the liquid crystal display device including a liquid crystal panel which includes a number of pixels having polarity array of first and second two-dot inversion system and has a number of common wiring lines which are horizontally extended to receive the supply of a common voltage, and includes a driving circuit section for converting one of first and second dot inversion systems to another one.例文帳に追加
本発明は、第1または第2の2ドット反転方式の極性配列を有する多数の画素を含み、水平方向に延長されて、共通電圧の供給を受ける多数の共通配線を有する液晶パネルと;前記液晶パネルの共通電圧が一定なレベルを脱した場合、前記第1及び第2の2ドット反転方式のうちから一つを他の一つに転換する駆動回路部を含むことを特徴とする液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for writing data into a nonvolatile semiconductor memory that is constructed by arranging in an array a plurality of memory cells each of which has a plurality of charge storing sections, the method securing a current window by regulating current degradation for reading data written in other charge storing section caused by writing data into one of the charge storing sections within the same memory cell and enabling shortening of writing time.例文帳に追加
各々が複数の電荷蓄積部を有する複数のメモリセルがアレイ状に配置されて構成される不揮発性半導体メモリにおいて、同一メモリセル内の一方の電荷蓄積部へのデータ書込みに起因して生じる他方の電荷蓄積部に書き込まれたデータの読出し電流の低下を抑えて電流ウィンドウを確保するとともに、書込み時間の短縮をも実現することができる不揮発性半導体メモリのデータ書込み方法を提供する。 - 特許庁
A maintenance cap 1 comprises a synthetic resin body section 21 having recesses 15, 17 defining a predetermined enclosed space while covering a nozzle array provided on the ejection face of an ink jet head and an integrally molded part 19 of specified height projecting upward from the circumferential edge of the recesses 15, 17, and a rubber lip member 23 fixed to cover the protruding part 19.例文帳に追加
メンテナンスキャップ1は、インクジェットヘッドの吐出面に設けられているノズル列を覆い、所定の密閉空間を形成するための窪み15,17を有すると共にこの窪み15,17の周縁から上方に突出する所定高さの突出部19を基部20に対して一体成形されている合成樹脂製の本体部21と、この本体部21の突出部19を覆う様に装着されているゴム製のリップ部材23とによって構成されている。 - 特許庁
A maintenance cap 1 comprises a synthetic resin body section 21 having recesses 15, 17 defining a predetermined enclosed space while covering a nozzle array provided on the ejection face of an ink jet head and an integrally molded part 19 of specified height projecting upward from the circumferential edge of the recesses 15, 17, and a rubber lip member 23 fixed to cover the protruding part 19.例文帳に追加
メンテナンスキャップ1は、インクジェットヘッドの吐出面に設けられているノズル列を覆い、所定の密閉空間を形成するための窪み15,17を有すると共にこの窪み15,17の周縁から上方に突出する所定高さの突出部19を一体成形されている合成樹脂製の本体部21と、この本体部21の突出部19を覆う様に装着されているゴム製のリップ部材23とによって構成されている。 - 特許庁
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