「ch S」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The channel whose insertion stuff ratio is closest to about 17.65 ppm is decided when multiplexing 4 CH of 2.48832 Gb/s to an OTU 2, and the channel whose insertion stuff ratio is closest to about 35.46 ppm is decided when multiplexing 4 CH of 9.95328 Gb/s to an OTU 3.例文帳に追加

２．４８８３２Ｇｂ／ｓの４ＣＨをＯＴＵ２に多重する場合では、挿入スタッフ率が約１７．６５ｐｐｍ、９．９５３２８Ｇｂ／ｓの４ＣＨを、ＯＴＵ３に多重する場合では、挿入スタッフ率が約約３５．４６ｐｐｍに最も近いチャネルを判定する。 - 特許庁

In input CH mode, one recorder 12 is made to correspond to one input channel CH, the recorder 12 made to correspond to the input channel CH corresponding to a currently operated fader 3 (having passed a threshold S) is a controlled system, and a fader-ON or OFF event is sent from the fader 3.例文帳に追加

入力ＣＨモードでは、ある入力チャネルＣＨに、あるレコーダ１２が対応付けられており、入力パッチ設定にかかわらず、今回操作された（閾値Ｓを通過した）フェーダ３に対応する入力チャネルＣＨに対応付けられているレコーダ１２が制御対象となり、フェーダ３からフェーダオンまたはオフイベントが送信される。 - 特許庁

To provide a ferroelectric liquid crystal composition which exhibits a phase series of liquid phase (Iso)-cholesteric phase (Ch)-smectic A phase (Sa)- chiral smectic C phase (Sc), has a wide temperature range wherein the Sc phase is exhibited, especially has low crystallization temperature and melting point, and does not crystallize at low temperatures.例文帳に追加

液体相(Iso)−コレステリック相(Ch)−スメクチックA相(S_Ａ)−キラルスメクチックC相(Sc^*)の相系列を示し、Sc^*相を示す温度範囲が広く、特に結晶化温度や融点が低く、低温で結晶化が起こらない強誘電性液晶組成物を提供する。 - 特許庁

When a sub-array S of some memory block MB is selected, the sub-array S is not selected along one lateral line of semiconductor chips CH, but selected laterally while shifting slantedly.例文帳に追加

あるメモリブロックＭＢのサブアレイＳを選択する場合、サブアレイＳは半導体チップＣＨの横一列に選択されずに、斜め横にずらしながら選択する。 - 特許庁

The document (CH 172689) merely discloses the dispensing top is introduced the ingot mouth of a conventional car’s oil tank. It does not disclose its size. 例文帳に追加

文献（CH172689）は、従来の車両用オイルタンクの鋳塊口に供給先端部が導入されたことを開示しているだけであり、その大きさは開示していない。 - 特許庁

In the high-pressure discharge lamp, with tungsten electrodes arranged in opposition in an arc tube and a predetermined volume of bromine sealed in, encapsulated bromine concentration C_s in the arc tube is regulated to the concentration calculated by Formula CS=E(CW+CH).例文帳に追加

発光管内にタングステン電極が対向配設されると共に、所定量の臭素が封入されて成る高圧放電ランプにおいて、発光管内の封入臭素濃度Ｃ_Ｓを、次式により算出される濃度に規定した。 - 特許庁

In the alkylene chains, a methylene group may be substituted by -O-, -S-, -CO-, -COO-, -NH- or -CONH-, and H bonded to carbon may be substituted by CH or -NH_2.例文帳に追加

そのアルキル鎖は、メチレン基が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＮＨ−に置換されてもよく、炭素に結合したＨがＯＨまたは−ＮＨ_２に置換されていてもよい。 - 特許庁

In a TFT, a source S, a channel Ch and a train D becoming the path of a current which is to be supplied to an OLED are formed in a semiconductor thin film 4.例文帳に追加

ＴＦＴは、ＯＬＥＤに供給される電流の通路となるソースＳ、チャネルＣｈ及びドレインＤが半導体薄膜４に形成されている。 - 特許庁

Where in the formula, X is -NH(CH_2)_4-, -O-C_6H_4-CH_2-, -O-CH(CH_3)-, -S-CH_2- or -O-proline; and R is H or CH_3.例文帳に追加

（式中、Ｘは−ＮＨ（ＣＨ_２）_４−、−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２−、−Ｏ−ＣＨ（ＣＨ_３）−、−Ｓ−ＣＨ_２−、−Ｏ−プロリンであり、ＲはＨまたはＣＨ_３である） - 特許庁

This invention provides: the cathode catalyst for a fuel cell which contains one kind of metal selected from the group consisting of In and Ga, and Ru-Ch supported on the metal, and is characterized in that Ch is one kind of element selected from the group consisting of S, Se and Te; the membrane-electrode assembly for a fuel cell; and the fuel cell system each including the cathode catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、Ｉｎ及びＧａからなる群より選択される一種の金属と、金属に担持されるＲｕ−Ｃｈと、を含み、Ｃｈは、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群より選択される一種の元素であることを特徴とする燃料電池用カソード触媒と、このカソード触媒を含む燃料電池用膜電極接合体、及び燃料電池システムが提供される。 - 特許庁

A transfer power supply CH is controlled to apply voltage of polarity opposite to that of the transfer polarity to a transfer roller 54 during the time elapsed from when the leading edge of the sheet S in the carrying direction enters a transfer nip part N1 until a predetermined non-image area in the sheet S passes through the transfer nip part N1.例文帳に追加

シートＳの搬送方向先端が転写ニップ部Ｎ１に進入してから、シートＳにおける所定の非画像領域が転写ニップ部Ｎ１を通過するまで、転写極性と逆極性の電圧を転写電源ＣＨを制御して転写ローラ５４に印加する。 - 特許庁

Voltage having a reverse polarity to a transfer polarity is applied to a transfer roller 54 by controlling a transfer electric power source CH, until a prescribed nonimage area in the sheet S passes a transfer nip part N1 after the conveying-directional tip of the sheet S is advanced into the transfer nip part N1.例文帳に追加

シートＳの搬送方向先端が転写ニップ部Ｎ１に進入してから、シートＳにおける所定の非画像領域が転写ニップ部Ｎ１を通過するまで、転写極性と逆極性の電圧を転写電源ＣＨを制御して転写ローラ５４に印加する。 - 特許庁

The center frequencies of the pass bands of ports A1, B1 are shifted from the center frequency of the 10-Gbit/s signal, so that overlapped portions of the pass bands of both ports are approximately equal to the signal band of channels ch[4i-2] (i: integer over 1).例文帳に追加

ポートＡ１およびＢ１の透過帯域の重複部分がチャネルｃｈ［４ｉ−２］（ｉ：１以上の整数）の信号帯域と略一致するように、両ポートの透過帯域の中心周波数は１０Ｇｂｉｔ／ｓ信号の中心周波数からシフトしている。 - 特許庁

The compound is represented by formula [wherein, Q is C or N; A is O or S; Z is O or a bond; X is CH or N; and R^1, R^2, R^2a, R^2b, R^2c, R^3, Y, x, m and n are each as defined in the specification].例文帳に追加

式： ［式中、ＱはＣまたはＮ；ＡはＯまたはＳ；ＺはＯまたは結合；ＸはＣＨまたはＮ；およびＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^２ａ，Ｒ^２ｂ，Ｒ^２ｃ，Ｒ^３，Ｙ，ｘ，ｍおよびｎは明細書の記載と同意義である］で示される化合物。 - 特許庁

Concerning a plurality of system bands, the bandwidth BW_ch of the down-convert image of the desired channel further determines a bandwidth BW of other system bands and a sampling frequency F_s not to interfere in a frequency domain.例文帳に追加

複数のシステム帯域については、更に、所望チャネルのダウンコンバートイメージの帯域幅ＢＷ_ｃｈが、他のシステム帯域の帯域幅ＢＷと、周波数領域で干渉しないようなサンプリング周波数Ｆ_ｓを決定する。 - 特許庁

In the silver halide photographic emulsion, ≥70% of the total grain projected area is occupied by silver halide grains satisfying the following requirement (a) and chemical sensitization has been carried out using a compound which releases AuCh^- (where Ch represents S, Se or Te).例文帳に追加

全投影面積の７０％以上が下記要件(a)を満たすハロゲン化銀粒子で占められており、かつ、ＡｕＣｈ^-イオンを放出する化合物（ここで、ＣｈはＳ、ＳｅまたはＴｅを表す）を用いて化学増感されたことを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤。 - 特許庁

Next, a foaming molten resin low in viscosity in which a physical blowing agent such as supercritical liquid carbon dioxide is dissolved is injected into a cavity (Ch) formed between the skin layer (S) and the main body (B) and expanded to obtain the laminated molding (W) in which the skin layer (S), the foam layer (H) and the main body (B) are laminated.例文帳に追加

次いで表皮層（Ｓ）と本体（Ｂ）との間に形成されるキャビテイ（Ｃｈ）に、超臨界状態の二酸化炭素流体等の物理的発泡剤が溶解された、低粘性の発泡溶融樹脂を射出し発泡させて、表皮層（Ｓ）と発泡層（Ｈ）と本体（Ｂ）とが貼り合わされた貼合成形品（Ｗ）を得る。 - 特許庁

There are provided the catalyst for a cathode electrode of a fuel cell carried by a carrier and containing an active material containing metal M selected from Ru, Pt, Rh and their combination, as well as a chalcogen element Ch selected from among S, Se, Te and their combination, its manufacturing method, and the membrane electrode assembly for a fuel cell using the catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、担体に担持され、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ及びこれらの組み合わせから選択される金属Ｍ、ならびに、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ及びこれらの組み合わせから選択されるカルコゲン元素Ｃｈを含む活性物質を含む燃料電池のカソード電極用触媒とその製造方法、および、この触媒を使用した燃料電池用膜電極接合体が提供される。 - 特許庁

A bandwidth BW_ch of a down-convert image of a desired channel determines a return signal with a frequency "0" or a half sampling frequency F_s/2 in a bandwidth BW of a down-convert image of a system band as a boundary and a bottom sampling frequency F_s not to interfere in a frequency domain.例文帳に追加

所望チャネルのダウンコンバートイメージの帯域幅ＢＷ_ｃｈが、システム帯域のダウンコンバートイメージの帯域幅ＢＷにおける周波数０又はサンプリング周波数の半分Ｆ_ｓ／２を境界とする折り返し信号と、周波数領域で干渉しないような最低のサンプリング周波数Ｆ_ｓを決定する。 - 特許庁

Therefore, even if a large pulsed disturbing wave Jp1 remains in the main CH signal Ym output from the SLC3, the amplitude limiting means 71 is activated by the detector in the coherence signal producing means 73 and so the amplitude of the pulsed disturbing wave Jp1 is limited and target signals S1 and S2 are detected and indicated with a good S/N.例文帳に追加

従って、たとえＳＬＣ３から出力される主ＣＨ信号Ｙmに大きなパルス妨害波Ｊp1が残存したとしても、一致信号生成手段７３における検出により振幅制限手段７１を駆動するので、パルス妨害波Ｊp1の振幅は制限され、目標信号Ｓ１，Ｓ2は良好なＳ／Ｎのもとで検出表示できる。 - 特許庁

A channel region CH and a first low-concentration impurity region LDD1 that is continuous therewith are formed in the first region, and a conductive region served as a source S or a drain D is formed in the second region, while a second low-concentration impurity region LDD2 for connecting the first low-concentration impurity region LDD1 with the conductive region is formed in the intermediate region.例文帳に追加

第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 - 特許庁