「cl」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

In the pneumatic tire having an inner liner 10 on the inner surface, the inner liner 10 is divided into right and left on the tire circumference with the center line CL of the tire as an boundary, the right side inner liner 13 is composed of the inner liner having the orientation in the tire axial direction, and the left side inner liner 14 is composed of the inner liner having the fine orientation or no orientation.例文帳に追加

タイヤ内面にインナーライナー１０を有する空気入りタイヤ１において、前記インナーライナー１０は、該タイヤのセンターラインＣＬを境界としてタイヤ周上で左右に分割され、右側インナーライナー１３はタイヤ軸方向に配向性を有すインナーライナーからなり、左側インナーライナー１４は微小配向を有すか若しくは無配向であるインナーライナーからなる。 - 特許庁

A mixture gas, containing a chlorinated silane gas such as hydrogen and dichloro-silane and having an H/Cl ratio of 1 to 50 as a ratio of the number of hydrogen atoms to the number of chlorine atoms is used as a material gas, polycrystalline silicon is deposited on a substrate, such as a glass substrate through a plasma chemical vapor deposition method to form a polycrystalline silicon film which does not substantially contain amorphous silicon phase.例文帳に追加

水素、及びジクロルシラン等の塩素化シランガスを含む混合ガスであって、且つ該混合ガス中の塩素原子数に対する水素原子数の比（Ｈ／Ｃｌ）が１〜５０である混合ガスを原料ガスとして用いて、プラズマ化学蒸着法によりガラス基板等の基層上に多結晶シリコンを析出させ、実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

The high-quality titanium target contains as additional components, at least one element selected from Al, Si, S, Cl, Cr, Fe, Ni, As, Zr, Sn, Sb, B and La in 3-100 ppm by mass in total, and the purity of the target excluding the additional components and gas component is ≥99.99 mass%.例文帳に追加

高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｃｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｌａから選択される１種以上の元素を合計３〜１００質量ｐｐｍ含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が９９．９９質量％以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。 - 特許庁

The optical pickup device has a semiconductor laser (LD) emitting a laser beam having a prescribed polarization direction, a wavelength plate (PDP) for polarizing the polarization direction of the laser beam, and other optical parts (GRT, BS, CL, MIR, EL, PD and FD), in which the wavelength plate (PDP) is integrated by being stuck together to one (GRT) of the other optical parts.例文帳に追加

所定の偏光方向を持つレーザ光を出射する半導体レーザ（ＬＤ）と、レーザ光の偏光方向を偏光するための波長板（ＰＤＰ）と、その他の光学部品（ＧＲＴ、ＢＳ、ＣＬ、ＭＩＲ、ＥＬ、ＰＤ、ＦＤ）とを有する光学ピックアップ装置に於いて、波長板（ＧＲＴ）はその他の光学部品の１つ（ＧＲＴ）に貼り合わせて一体化されている。 - 特許庁

A step for determining a point of time when adjustment of the tip clearance CL is started may include a step using learning algorithm in which an operation experience of a gas turbine engine for the aircraft and/or operation experience of an aircraft including the gas turbine engine for the aircraft and/or other jet engines of other aircrafts can be used.例文帳に追加

先端間隙ＣＬを調整し始める時点を決定するステップは、その航空機用ガスタービンエンジンの運転経験並びに或いはその航空機用ガスタービンエンジンを含む航空機の及び又は他の航空機の他のジェットエンジンの運転経験を用いることができる学習アルゴリズムを使用するステップを含むことができる。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: supplying a hydrogen chloride gas into a reaction chamber simultaneously with supply at least a B source out of a material gas including the B source containing Cl and a Si source containing H when growing a polysilicon film doped with B on a semiconductor substrate by supplying the material gas into the reaction chamber; and supplying a purge gas into the reaction chamber to discharge the material gas and the hydrogen chloride gas.例文帳に追加

Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

When an interlayer insulation film LI2 is formed by a plasma CVD method, the flow rate of porogen supplied into a CVD device is adjusted to 30% or more but not exceeding 60% of the total flow rate of porogen and methyl diethoxysilane to reduce the size of holes 10 formed within the interlayer insulation film LI2, thereby preventing an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film LI2 by process damage.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

The method of manufacturing the ammonium tungstate aqueous solution from the sodium tungstate aqueous solution is carried out by passing the sodium tungstate aqueous solution through the CL type strong basic anion exchange resin to form a tungstic acid type strong basic anion exchange resin on which tungstic ion is adsorbed and bringing an ammonium chloride and ammonia-containing aqueous solution into contact with the tungstic acid type strong basic anion exchange resin to elute the ammonium tungstate aqueous solution.例文帳に追加

タングステン酸ナトリウム水溶液からタングステン酸アンモニウム水溶液を製造する方法において、タングステン酸ナトリウム水溶液をＣＬ形強塩基性陰イオン交換樹脂に通液し、タングステン酸イオンを吸着したタングステン酸形強塩基性陰イオン交換樹脂となした後、溶離剤として、塩化アンモニウム及びアンモニア含有水溶液を該タングステン酸形強塩基性陰イオン交換樹脂に接触させ、タングステン酸アンモニウム水溶液を溶離させることを特徴とするタングステン酸アンモニウム水溶液の製造方法。 - 特許庁

The electroconductive polymer has a structure of formula (1) (wherein R is an alkyl group having ≥4 carbon atoms which is bound to the β-carbon in a thiophene ring; X and X' are each independently an element chosen from the group consisting of H, Cl and Br; and n is the repeating number of thiophene rings).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有する導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．４以下であり、重量平均分子量（Ｍｗ）から求められるチオフェン環の平均繰り返し数（ｎ）が３０以上８６以下であり、且つ、隣り合うアルキルチオフェン環同士の結合様式の９２％以上が立体規則性を示すようにする。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

The error correction circuit 26 detects an error position in the code word and generates error detection data indicating the error position by applying error correction processing to the sequence of the code word read from the memory cell of cross regions of the selected word line and bit line out of memory cells CL through the bit line, and generates error correction data by correcting information bits at the detected error position.例文帳に追加

誤り訂正回路２６は、メモリセルＣＬのうち選択されたワード線およびビット線の交差領域のメモリセルからビット線を介して読み出された符号語の系列に対して誤り訂正処理を施すことにより、前記符号語中の誤り位置を検出して当該誤り位置を表す誤り検出データを生成し、且つ当該検出された誤り位置における情報ビットを訂正して誤り訂正データを生成する。 - 特許庁

Valve opening timing for a solenoid valve fluctuates to resultantly change an electrification period to the solenoid valve for prescribing the fuel injection quantity of an internal combustion engine, because Zener voltage clamped by a Zener diode ZD1 so as to suppress flyback voltage (flyback energy) caused by electrification cutting off for the coil CL of the solenoid valve by a transistor Tr1, has fluctuation due to such as assembly part tolerance in manufacturing.例文帳に追加

トランジスタＴr1による電磁弁のコイルＣＬの通電遮断で発生するフライバック電圧（フライバックエネルギ）を抑えるようツェナダイオードＺＤ1 でクランプされるツェナ電圧が、製造上における例えば、組付部品公差等に起因するばらつきを有しているため電磁弁の開弁タイミングがばらつき、結果として、内燃機関の燃料噴射量を規定する電磁弁への通電期間が変化してしまうこととなる。 - 特許庁

The photoresponsive copper ion adsorption material includes a copolymer prepared by copolymerizing a photoresponsive compound which reversibly exhibits transition of adsorption and desorption of a metal ion in a metallic ion solution according to the presence or absence of light irradiation and a monomer component containing a quaternary amine compound, wherein the copolymer selectively adsorbs Cu(II) ion in a dark place from the metallic ion solution including Cl ion, Na ion and Cu(II) ion.例文帳に追加

金属イオン溶液中で金属イオンの吸着及び脱離の転移を光照射の有無により可逆的に示す光応答性化合物と、四級化アミン化合物とを含む単量体成分を共重合させてなる共重合体を含む光応答性銅イオン吸着材料であり、前記共重合体は、塩素イオン、ナトリウムイオンおよび銅（II）イオンを含む金属イオン溶液から、暗所下で銅（II）イオンを選択的に吸着する。 - 特許庁

In this estimation method of the impurity component concentration (Cl_n) in the liquid phase in a container storing the liquified gas including one or more component of the impurity components (I_n) having higher volatility than the liquified gas which is a main component.例文帳に追加

主成分である液化ガスよりも易揮発性の不純物成分（Ｉ_ｎ）を１成分以上含む液化ガスが貯蔵されている容器内の液相における、不純物成分濃度（Ｃｌ_ｎ）の推定方法であって、該容器における気相中の不純物成分濃度の実測値（Ｃｖ_ｎ）と、該容器内において一定温度（ｔ℃）で平衡状態にある該液化ガス液相中と気相中における各不純物成分（Ｉ_ｎ）の濃度比（気液平衡定数Ｋ_ｎ＝［液相中の不純物成分濃度（Ｃｌ_ｎ）］／［気相中の不純物成分濃度（Ｃｖ_ｎ）］）から、下記式〔１〕により、該液相中の不純物成分濃度（Ｃｌ_ｎ）を推定することを特徴とする、液化ガスの液相中の不純物成分濃度の推定方法。 - 特許庁