「compound interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

CONTROL DEVICE HAVING PARALLEL COMMUNICATION INTERFACE, PRINTER CONTROLLER, PRINTER, AND COMPOUND APPARATUS例文帳に追加

パラレル通信インタフェースを備えた制御装置、プリンタコントローラ、プリンタ、及び複合機 - 特許庁

Therefore, the non-polymerizable fluorine-substituted low molecular compound is forced to move to the interface between the liquid crystal and the polymer.例文帳に追加

よって、液晶と高分子との界面に非重合性フッ素置換低分子化合物がはきだされる。 - 特許庁

The laminate also comprises an intermediate layer made of a reaction product of an alumina with an yttria compound along an interface between the base and the yttrium compound film.例文帳に追加

基体とイットリウム化合物膜との界面に沿って、アルミナとイットリア化合物との反応生成物からなる中間層を備えている。 - 特許庁

To provide a method firmly adhering an interface between a silicone system sealing compound and the other sealing compound.例文帳に追加

シリコーン系シーリング材と他材種のシーリング材の相互界面を強固に接着させる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of preventing an organic compound, an inorganic compound or bubbles of gasses from entering an interface of two wafers.例文帳に追加

有機物や無機物又はガスの気泡が二枚のウエハーの界面に混入しないようにする方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer 12 intervenes in lamination interface of the compound semiconductor layers 11, 13, and the lattice constant difference is made 0.7% or less in a junction interface of the compound semiconductor layers 11, 13 at both ends.例文帳に追加

この場合、中間層１２は、化合物半導体層１１，１３の積層界面に介在し、両端の化合物半導体層１１，１３の接合界面での格子定数差を０．７％以下にする。 - 特許庁

A compound layer L comprising at least one kind of intermetallic compound is formed on the bonding interface between dissimilar metallic materials 1, 2, wherein the intermetallic compound layer L is formed in an area 52% or greater of an area of the bonding interface and has a thickness of 0.5 to 3.2 μm.例文帳に追加

異種金属材料１，２の接合界面に、少なくとも１種の金属間化合物を含む化合物層Ｌを形成し、この金属間化合物層Ｌが接合面積の５２％以上の領域に、０．５〜３．２μｍの厚さに分布するようにする。 - 特許庁

A metal oxide film 2 with a metal element other than the components of a compound semiconductor 1 as a component is inserted into the interface between an insulation film 3 and the compound semiconductor 1 for composing this insulated gate compound semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型化合物半導体装置を構成する絶縁膜３と化合物半導体１との界面に、化合物半導体１の構成元素以外の金属元素を構成要素とする金属酸化膜２を挿入する。 - 特許庁

To provide a secondary ion mass spectrometry capable of specifying the position of a compound film/substrate interface by measuring the concentration and the distribution of a trace element highly sensitively and highly quantitatively, and specifying the position of a compound film/substrate interface, concerning material having information of an elemental composition of the polar surface of a sample and an interface such as the compound film/substrate or the like.例文帳に追加

本発明は、試料の極表面の元素組成の情報や化合物膜／基板のような界面を有する材料において、微量元素の濃度および分布を高感度でかつ高定量的に測定し、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能である二次イオン質量分析(SIMS)法を提供する。 - 特許庁

Also, since the reactiveness of iridium with silicon is low, an unnecessary silicon compound is not prepared in an interface, and then the excellent contact is obtained.例文帳に追加

また、イリジウムはシリコンとの反応性が低いので、界面において不要なシリコン化合物が生成されず、良好なコンタクトが得られる。 - 特許庁

To provide a method for bonding a plurality of dissimilar metals without producing any brittle intermetallic compound on a bonding interface.例文帳に追加

複数の異なる金属材料を結合する方法において、結合界面に脆い金属間化合物を生成させずに結合する方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, interface states, crystal defects and the like in a semiconductor device using the compound semiconductor can be decreased.例文帳に追加

これにより、化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which reduces interface resistance of a metal semiconductor compound electrode.例文帳に追加

金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the interface of the plating layer and base iron, an Fe-Zn intermetallic compound layer is present.例文帳に追加

前記めっき鋼材において、めっき層と地鉄界面にFe-Zn金属間化合物層が存在することを特徴とするめっき鋼材。 - 特許庁

An inorganic conductive layer is formed in an interface between the cathode and an organic compound layer with a material of a smaller work function than a cathode material.例文帳に追加

本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁

The rod-like polymerizable liquid crystal compound is vertically aligned or obliquely aligned on the interface of the aligning film for vertical alignment.例文帳に追加

このとき、上記棒状重合性液晶化合物は、垂直配向用配向膜界面において、垂直配向もしくは傾斜配向する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor single crystal preventing the formation of a concave solid/liquid interface and restraining the generation of a polycrystal part.例文帳に追加

固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of growing a group III-V compound semiconductor, capable of reducing unwanted change of nitrogen composition near an interface.例文帳に追加

界面付近における窒素組成の望まれない変化を縮小可能な、III−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

5B element is contained as a major compound element on an interface (middle layer 104), between the p-type semiconductor layer 103 and the p-side electrode 105.例文帳に追加

ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 - 特許庁

To suppress formation of an Sn-rich AuSn compound on an interface when an Au bump electrode and a wiring pattern are joined together using Sn solder.例文帳に追加

Ａｕバンプ電極と配線パターンをＳｎはんだで接合する際に、界面にＳｎリッチがＡｕＳｎ化合物が形成されるのを抑制する。 - 特許庁

The coating of the fiber with the metal is facilitated by the presence of the compound forming an interface capable of being wetted by the metal.例文帳に追加

金属によって濡らすことができる界面を形成する化合物の存在によって、金属による繊維の被覆が容易にされる。 - 特許庁

To provide a nitride-based compound semiconductor element, in which lattice misalignment at an interface with a substrate is relaxed.例文帳に追加

基板との間の界面における格子不整合が緩和された窒化物系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To form a good interface between a III-V compound semiconductor and an oxide layer by a practically simple method.例文帳に追加

実用的に簡単な手法で、良好な３−５族化合物半導体と酸化層との界面を形成する。 - 特許庁

To provide a light emitting device which has a structure of alleviating energy barrier generated in the interface of an organic compound layer having a laminated structure.例文帳に追加

積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。 - 特許庁

At the stage of the formation, the rodlike polymerizable liquid crystal compound undergoes a tilt alignment at the interface of the vertical alignment film.例文帳に追加

このとき、上記棒状重合性液晶化合物は、垂直配向膜界面において、傾斜配向する。 - 特許庁

To provide an etching method for a compound semiconductor, by which an embedded re-grown interface having few crystal defects is realized.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない埋込再成長界面を実現する化合物半導体のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To relate to a method for manufacturing a low-defect interface between a dielectric and a group III/V compound.例文帳に追加

本発明は、誘電体材料とＩＩＩ／Ｖ化合物との間に低欠陥界面を製造する方法に関する。 - 特許庁

In the compound layer 2, a barrier layer is formed by Cu6Sn5 phase deposition on or migration to a surface of the Ni plating, whereby an interface reaction is suppressed.例文帳に追加

化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 - 特許庁

To form MIS structure where interface level density has been reduced by a method suited for mass production in an insulated gate compound semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型化合物半導体装置に関し、量産に適した方法によって界面準位密度の低減したＭＩＳ構造を形成する。 - 特許庁

Etching in the depth direction has selectivity, depending on the kind of compound constituting the layer, and reaction comes to a halt at the interface between the upper and lower layers.例文帳に追加

また、深さ方向のエッチングには層を構成する化合物の種類により選択性があり、下層との界面で反応は停止する。 - 特許庁

To provide a light emitting device having a structure in which an energy barrier generated in an interface of an organic compound layer with a laminate structure is mitigated.例文帳に追加

積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, the amount of Si on an interface between the compound semiconductor substrate 10 and an epitaxial layer 14 formed thereon is reduced, resulting a decrease in the electric resistance on the interface.例文帳に追加

これにより、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 - 特許庁

The interface layer may be intentionally added with n-type or p-type impurities for the purpose of canceling the electrical effect of impurities including the compound semiconductor on the connection interface and oxides existing on the surface of Si.例文帳に追加

この界面層には，接続界面の化合物半導体およびＳｉの表面に存在する酸化物をはじめとする不純物の電気的な影響を相殺する目的でｎ型またはｐ型の不純物が意図的に添加されていても良い。 - 特許庁

To provide a Pt base conductive coating material forming an intermetallic compound having a slow growing speed at the bonding or pressing interface of an Sn base solder alloy and markedly excellent in the secular deterioration characteristic resistance at the interface.例文帳に追加

Ｓｎ基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面で、成長速度が遅い金属間化合物が生成し、上記界面での耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。 - 特許庁

The tiny resonant structure is formed at an interface with the light path length and the transparent layer, and at the interface with the organic compound layer and a reflective electrode.例文帳に追加

光路長調整層と透明層との界面と、有機化合物層と反射電極との界面で微小共振器構造が構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has oxide on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor, the interface level density of an interface between the group III nitride-based compound semiconductor and oxide being made small and the mobility being made high.例文帳に追加

III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。 - 特許庁

The optical laminate 10 includes a polarizing film 12 containing a water-soluble organic compound 13, 14, wherein the water-soluble organic compound 13, 14 is unevenly distributed near the interface with air so as to prevent an organic coloring material from coming into contact with the air interface and to prevent disturbance in the alignment of the organic coloring material.例文帳に追加

光学積層体１０においては偏光膜１２内に水溶性有機化合物１３、１４を含有させておき、水溶性有機化合物１３、１４を空気との界面近傍に偏在させ、有機色素が空気界面と接触しないようにして、有機色素の配向が乱れるのを防いだ。 - 特許庁

A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加

作用電極７と電解液１２との境界では、作用電極７内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極７に電流が流れる。 - 特許庁

A luminous liquid crystal compound layer and a non-liquid crystal luminous organic compound layer are laminated and, from their interface, electroluminescence emission that has different spectrum from the spectrum of each photoluminescence of the above luminous liquid crystal compound and the luminous organic compound is obtained.例文帳に追加

発光性液晶化合物層と非液晶性の発光性有機化合物層とを積層し、その界面から、上記発光性液晶化合物及び発光性有機化合物のそれぞれのフォトルミネッセンスのスペクトルとは異なるスペクトルのエレクトロルミネッセンス発光を得る。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal, in which the solid-liquid interface can be prevented from being concaved by accelerating the dissipation of heat transferred to the compound semiconductor single crystal from a melt of the compound semiconductor; and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

化合物半導体融液から化合物半導体単結晶に伝達された熱の放熱を促進することにより固液界面の凹化を抑止することができる化合物半導体単結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

By forming a mixture layer 105 consisting of a material constituting an organic compound layer (1) 102 and a material constituting an organic compound layer (2) 103 on the interface of the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103, energy barrier generated between the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103 can be alleviated.例文帳に追加

有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との界面に有機化合物層（１）１０２を構成する材料及び有機化合物層（２）１０３を構成する材料からなる混合層１０５を形成することにより、有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との間に生じるエネルギー障壁を緩和することができる。 - 特許庁

In the interface between an organic compound layer (1) 102 and an organic compound layer (2) 103, a mixture layer 105 made of a material composing the organic compound layer (1) 102 and a material composing the organic compound layer (2) 103 is formed and an energy barrier generated between the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103 is mitigated.例文帳に追加

有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との界面に有機化合物層（１）１０２を構成する材料及び有機化合物層（２）１０３を構成する材料からなる混合層１０５を形成することにより、有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との間に生じるエネルギー障壁を緩和することができる。 - 特許庁

The compound semiconductor crystal may also be cut by irradiating the laser in a direction parallel to an interface between the compound semiconductor crystal and the base substrate.例文帳に追加

化合物半導体結晶と下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで化合物半導体結晶を切断加工してもよい。 - 特許庁

To provide a heat treatment method of a compound semiconductor which can decrease interface states and crystal defects in a semiconductor device using a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することが可能な化合物半導体の熱処理方法を提供する。 - 特許庁

SURFACTANT FOR COSMETIC CAPABLE OF DECREASING INTERFACIAL TENSION ON FLUORINE COMPOUND/NON-FLUORINE COMPOUND INTERFACE AND COSMETIC CONTAINING THE SURFACTANT例文帳に追加

フッ素化合物／非フッ素化合物界面で界面張力低下能力を有する化粧料用界面活性剤、および該界面活性剤を配合する化粧料 - 特許庁