「compound interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a MIS compound semiconductor device that uses an InP-based compound semiconductor and have good characteristics by making a gate insulating film having excellent MIS interface characteristics to be formed in a short time at a low process temperature.例文帳に追加

ＭＩＳ界面特性の優れたゲート絶縁膜を低いプロセス温度でより短時間で形成できるようにし、ＩｎＰ系化合物半導体を用いた特性のよいＭＩＳ型デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

The light emitting element comprising a negative electrode, the organic compound layer and the positive electrode is characterized in that a protection body is formed on an interface between the positive electrode served as the light take-out electrode and the organic compound layer.例文帳に追加

陰極と、有機化合物層と、陽極とからなる発光素子において、光取り出し電極である陽極と有機化合物層との界面に保護体を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor.例文帳に追加

Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

The organic thin-film electronic device comprising at least one electron transport layer or electrode interface layer between an anode and a cathode is characterized in that the at least one electron transport layer or electrode interface layer contains 0.1-70 wt.% of a carbene compound.例文帳に追加

陽極と陰極の間に少なくとも一層の電子輸送層または電極界面層を有する有機薄膜電子デバイスであって、電子輸送層または電極界面層の少なくとも一層にカルベン化合物を０．１〜７０重量％含有することを特徴とする有機薄膜電子デバイス。 - 特許庁

To improve conductivity by making current easy to flow across a hetero interface in a semiconductor device or a semiconductor light-emitting element containing the hetero interface where two nitride III-V compound semiconductor layers different from each other are in contact with each other and a band discontinuity exists.例文帳に追加

互いに異なる二つの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、ヘテロ界面を横切って電流が流れやすくし、伝導性の向上を図る。 - 特許庁

Further based on molecular diffusion on an interface 22 between the first fluid 3 and the second fluid 11 and on an interface 24 between the first fluid 3 and the photocatalyst 18, the hardly decomposable organic compound 2 in the first fluid 3 is oxidized and decomposed by generated OH radicals.例文帳に追加

そして、生成されたＯＨラジカルにより、第１流体３と第２流体１１との界面２２、および第１流体３と光触媒１８との界面２４における分子拡散に基づき、第１流体３中の難分解性の有機化合物２が、酸化，分解される。 - 特許庁

To provide a serial communication data processor capable of adjusting the frequency of interruptions by a USB device (data processor), reducing the load of a CPU and integrating a USB interface (serial interface) into a compound system.例文帳に追加

ＵＳＢデバイス（データ処理装置）側で割込み回数を調整することができ、かつＣＰＵに対する負荷を軽減してＵＳＢインターフェース（シリアルインターフェース）の複合システムへの組込みを可能とするようなシリアル通信用データ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The Ir-based conductive coating material having excellent characteristic in resistance to deterioration with time is characterized in that an interface thin layer containing an Ir-Sn-based intermetallic compound is formed to the bonding or pressing interface where Sn or the Sn-based alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｉｒ−Ｓｎ系金属間化合物を含む界面薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＩｒ基導電性被覆材料。 - 特許庁

The organic EL device 10 is formed so as to include a metal compound Li_2O layer on the interface of a first negative electrode 5A with an organic luminous layer 4 and to have a concentration gradient in which the Li_2O layer is more highly concentrated at the interface side with the organic luminous layer 4.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１０は、第１の陰極５Ａの有機発光層４との界面に金属酸化物であるＬｉ_2Ｏ層を含有し、Ｌｉ_2Ｏ層が有機発光層４との界面側で高濃度となる濃度勾配を有するように形成されている。 - 特許庁

The optical compensation sheet has, on a base, an optical anisotropic layer formed of a cylindrical liquid crystalline compound and a liquid crystalline compound containing a photopolymerization initiator, and the reaction rate of polymerizable groups present in the liquid crystalline composition is ≥70% on a base-side interface of the optical anisotropic layer and ≥70% on an interface on the opposite side from the base.例文帳に追加

支持体上に、棒状液晶性化合物および光重合開始剤を含む液晶性組成物から形成された光学異方性層を有する光学補償シートであって、該液晶性組成物中に存在する重合性基の反応率が、光学異方性層の支持体側界面においては７０％以上であり、かつ支持体と反対側の界面においては２０％以上である光学補償シート。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an interface layer formed on the semiconductor substrate and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more; a metal semiconductor compound layer formed on the interface layer and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more in approximately whole region; and a metal electrode on the metal semiconductor compound layer.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁

The blocking region 23 is formed in an interface between the first and second control electrodes 17 and 18 by implantation of dopant elements having solubility in the metal-semiconductor compound lower than solubility in the metal from which the metal-semiconductor compound is formed.例文帳に追加

ブロック領域２３は、第１および第２の制御電極１７、１８の間の境界面に形成され、金属半導体化合物がそれから形成される金属中での溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を注入することにより形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.例文帳に追加

本発明によれば、Ｇａ（III族）とヒ素、窒素（Ｖ族）とを含むIII−Ｖ化合物半導体結晶中の水素濃度を低減可能であり、再成長界面におけるパイルアップも低減可能な、III−Ｖ化合物半導体層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The composite material comprises the organic polymer substrate, all or a part of the surface of which is coated with the calcium phosphate compound layer, and is characterized by containing a needle crystal or a plate crystal contacting with the interface between the calcium phosphate compound layer and the organic polymer substrate.例文帳に追加

リン酸カルシウム系化合物層を有機ポリマー基材の表面の一部又は全部にコーティングした複合材料であって、リン酸カルシウム系化合物層と有機ポリマー基材との界面に接触する、針状あるいは板状の結晶を含むことを特徴とする複合材料を形成する。 - 特許庁

In the compound semiconductor crystal for a semiconductor element which is obtained by forming an epitaxial layer on a group III-V compound semiconductor substrate, the ratio of the concentration of oxygen to the concentration of silicon, accumulated in the interface between the substrate and the epitaxial layer, is controlled to ≥2.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にエピタキシャル層を形成した半導体素子用の化合物半導体結晶において、基板とエピタキシャル層との界面に蓄積する酸素と硅素の濃度比（酸素／珪素）が２以上であるようにした。 - 特許庁

This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO_xN_y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO_xN_y metal compound.例文帳に追加

仕事関数が約４．７５から約５．３、好ましくは約５ｅＶであるｐ型金属であり、高ｋ誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なＭＯ_ｘＮ_ｙを含む金属化合物、およびこのＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物を製作する方法が提供される。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex form projected to the melt side in the whole growth process with a good reproducibility in a production method of the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

To provide a field effect transistor of high output wherein a structure for preventing a hetero interface between arsenic compound and phosphorus compound from affecting characteristics of a device is adopted, and a high frequency module whereon an MMIC prepared by using the transistor is mounted and high output is obtained.例文帳に追加

砒素化合物と燐化合物のヘテロ界面がデバイスの特性に影響を及ぼさないようにする構造を採用した高出力の電界効果トランジスタと、それを用いて作製したＭＭＩＣを搭載した高出力が得られる高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.例文帳に追加

アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, which can prevent polycrystallization by optimizing the shape of the solid-liquid interface of the growing crystal in the production of a large-diameter compound semiconductor single crystal of a crystal diameter φ of 200 mm or more by an LEC method (Liquid Encapsulated Czochralski method).例文帳に追加

ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, generation of voids at the interface of the tungsten silicide and polysilicon surface can be prevented, by conducting the pretreatments on the surface polysilicon with a hydrogen compound, before the evaporation of tungsten silicide.例文帳に追加

したがって、本発明では、タングステンシリサイドを蒸着する前にポリシリコン表面を水素化合物に前処理することにより、タングステンシリサイドとポリシリコン界面でボイド生成を防止することができる。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including liquid crystal composition held between substrates, a layer obtained by crosslinking and curing polymerizable component containing polymerizable compound having the negative permittivity anisotropy is formed on a liquid crystal layer interface.例文帳に追加

および液晶組成物を基板間に挟持した液晶表示装置で、前記負の誘電率異方性を有する重合性化合物を含む重合性成分を架橋硬化した層が液晶層界面に形成されている液晶表示装置。 - 特許庁

This method for producing the organic nanotubes is characterized by self-aggregating a surface-active organic compound having a hydrophobic hydrocarbon group and a hydrophilic group in a two-phase solvent having a stable oil/water interface.例文帳に追加

疎水性の炭化水素基及び親水基から成る界面活性有機化合物を溶媒中で自己集合させることによる有機ナノチューブの製法において、油／水界面を反応場に用いる。 - 特許庁

An ion source containing a group 13 metal and an ion source containing nitrogen are continuously supplied to a liquid layer formed in the interface between a substrate and a compound adjacent to the substrate, and the ion sources are allowed to react in the liquid layer.例文帳に追加

基板と該基板と隣接する化合物との界面に形成される液層に、第１３族金属を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させる。 - 特許庁

Further, the Cr film is formed having an area larger than the Ti or Ti compound film to prevent peeling caused at the interface between the both.例文帳に追加

さらに、Ｔｉ膜またはＴｉ化合物膜とシリコン酸化膜との界面に生じる剥離を防止するため、Ｃｒ膜がＴｉ膜またはＴｉ化合物膜よりも大きな面積で形成された構造とする。 - 特許庁

The metal material preferably has a compound oxide produced by reacting the metal substrate with the metal oxide on the interface between the metal substrate and the metal oxide.例文帳に追加

前記金属基材と前記金属酸化物との界面に、金属基材と金属酸化物が反応して生成した複合酸化物を有することが好ましい。 - 特許庁

To obtain an epitaxial wafer which can be used for manufacturing a semiconductor laser diode, having higher output by reducing the resistance components of the interface of a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層の界面の抵抗成分を低減し、より高出力な半導体レーザダイオードを作製可能なエピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁

Missing oxygen generated at the interface between the zinc oxide system oxide semiconductor and the gate insulating film is completed with a surface process using sulfur and celenium as the oxygen group elements rarely generating change in physical property values and compound of these elements.例文帳に追加

酸化亜鉛系酸化物半導体とゲート絶縁膜の界面に発生する酸素欠陥を物性値変化のほとんど起こらない酸素族元素である硫黄やセレンおよびこれらの化合物を用いた表面処理により終端する。 - 特許庁

Further, the translucent substrate and the device forming layer are separated on an interface between the photocatalytic layer and the inorganic compound layer containing carbon or the simple substance layer of carbon.例文帳に追加

さらには、光触媒層及び炭素を含む無機化合物層または炭素単体層の界面において分離することで、透光性を有する基板及び素子形成層を分離する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor light emitting diode and a light emitting diode array having a high emission efficiency by reducing crystal defect on the interface of an emission layer and a clad layer.例文帳に追加

発光層とクラッド層との界面の結晶欠陥を低減させ、発光効率の高い化合物半導体発光素子及び発光ダイオードアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device reducing an interface resistance of a metal semiconductor compound electrode provided on a semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板上に設けられる金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration in power occurring at an electron trap caused by existence of an oxide layer containing P (phosphorus) formed on the interface of the surface of a recess and a gate electrode in a high output power FET of a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体の高出力パワーＦＥＴにおいて、リセス表面とゲート電極の界面に形成されるＰ（リン）を含んだ酸化物層が存在することにより生じる電子トラップで起こるパワー劣化を小さくする。 - 特許庁

Excessive titanium/ insufficient tantalum portion causes the thin film, to firmly stick to the dielectric thin film and the excessive tantalum/insufficient titanium portion suppresses formation of an intermetallic compound by forming a hetero-epitaxial interface with the interconnecting thin film.例文帳に追加

チタン過剰／タンタル欠乏部分により、誘電体薄膜に良く固着し、タンタル過剰／チタン欠乏部分は相互接続薄膜とヘテロエピタキシャル界面を形成し、金属間化合物の形成を抑える。 - 特許庁

The deposition substrate 21B is made of a metal material which has low reactivity with Li, such as Cu, Ni, Ti, Mo, Ta, stainless steel, and Li deposits on the interface with the inorganic compound layer 21C in charging.例文帳に追加

析出基板２１ＢはＣｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，ステンレスなどのＬｉとの反応性が低い金属材料よりなり、充電時に無機化合物層２１Ｃとの界面にＬｉが析出する。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁

To provide a dissimilar metal bonded member having high joint strength while being provided with an intermetallic compound layer on the bonding interface, and to provide a method of bonding dissimilar metals by which the bonded member can be efficiently produced.例文帳に追加

接合界面に金属間化合物層を有しながら、高い継手強度を備えた異種金属接合部材と、このような接合部材を効率的に製作することができる異種金属接合方法を提供すること。 - 特許庁

In addition, the authentication managing part 24 transmits an error showing an authentication failure to the compound machine 10A through the first interface 21 when the user A is not legal.例文帳に追加

また、認証管理部２４は、ユーザＡが正当でないときは、認証失敗を示すエラーを第１のインタフェース２１を介して複合機１０Ａに送信する。 - 特許庁

To provide a Group III-V compound semiconductor light-emitting diode which allows a problem of light-interception by an electrode to be completely in principle eliminated and also allows a total reflection at an interface to be suppressed effectively.例文帳に追加

電極による光の遮蔽問題を原理的に完全になくすことができ、しかも界面での全反射も効果的に抑えることのできるIII-V族化合物半導体発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing the device, in which electric resistance on an interface between an epitaxial layer and the substrate is decreased.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the adhesion of the interface of a resin compound for manufacturing artificial marble with a pattern material by a simple method to enhance the strength of the product artificial marble.例文帳に追加

簡単な方法で、人造大理石製造用樹脂コンパウンドと柄材との界面の密着性を向上できて人造大理石の製品の強度を向上できる。 - 特許庁

Since only the material 2 is plastically fluidized, but the material 3 is not plastically fluidized, the materials 2 and 3 are not mixed with each other, and production of any intermetallic compound on the bonded interface can be suppressed.例文帳に追加

材料２のみを塑性流動させ、材料３は塑性流動させないので、材料２，３が混ざり合うことがなく、したがって、結合された界面に金属間化合物が生成するのを抑制できる。 - 特許庁