「compound interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fine active layer and interface of the activity layer by suppressing an isolation of In and by enabling crystal growth excellent in controllability in a manufacturing process of compound semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a conductive coating material forming an intermetallic compound having a slow growing speed at the bonding or pressing interface of an Sn-based solder alloy and having markedly excellent characteristic in resistance, to deterioration with time.例文帳に追加

Ｓｎ基ハンダ合金の接合界面又は押圧界面における金属間化合物の成長速度が極端に遅く、耐経年劣化特性が格段に優れた導電性被覆材料を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device in which a semiconductor/metal interface of proper quality without residues can be obtained in any region which forms a source electrode, a drain electrode and a gate electrode.例文帳に追加

化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。 - 特許庁

In addition, the authentication management part 24 transmits an error showing an authentication failure to the compound machine 10A through the first interface 21 when the user A is not valid.例文帳に追加

また、認証管理部２４は、ユーザＡが正当でないときは、認証失敗を示すエラーを第１のインタフェース２１を介して複合機１０Ａに送信する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which makes a crystallization promoting function and optical characteristics of an interface layer film of a phase change recording medium compatible with each other, and which allows deposition etc. of a metal compound film.例文帳に追加

相変化記録媒体の界面層膜の結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜等を可能にするスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of reducing an interface state between a GaN layer and an insulating layer, and realizing good electric characteristics by improving a mobility, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

ＧａＮ層と絶縁層との間の界面準位を低減し、移動度を向上させて優れた電気特性を実現する化合物半導体装置、その製造方法を提供する。 - 特許庁

A light emitting layer has at least a host material, a light emitting material and a separate material having a lower ionizing potential and a hole mobility equal to or higher than a compound constituting the light emitting layer interface.例文帳に追加

発光層にホスト材料と発光材料と発光層界面側を構成する化合物と比較して、イオン化ポテンシャルが小さく、かつ、ホール移動度が同程度かまたは速い、別の材料を少なくとも設ける。 - 特許庁

In the amphipathic property compound, a boundary film for suppressing scatter and loss of water is formed at an interface between the water-based dispersing element and the air for preventing a solid consisting of an polishing particle or the like from being generated in storage and conveyance.例文帳に追加

この両親媒性化合物は、水系分散体と大気との界面に、水の散逸が抑えられる境界膜を形成し、保管時、或いは搬送時における研磨粒子等からなる固形物の発生が防止される。 - 特許庁

An intermediate film (9) which is made of a conductive compound including at least one constituent element of the nanotubes (8) and at least one constituent element of the first pad (1) is arranged at the interface between the metal film (3) and the nanotubes (8).例文帳に追加

金属膜と、ナノチューブとの界面に、ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜(9)が配置されている。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and the interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser in which the ohmic characteristics of an electrode are improved by suppressing damage on the interface between a p-electrode and a p-type contact layer, and residue of mask material.例文帳に追加

ｐ電極とｐ型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible in the LEC (liquid seal Czochralski) method to prevent the solid/liquid interface shape from bending concavely and to prevent polycrystal formation due to the evaporation of compound semiconductor elements from the surface of a crystal surface.例文帳に追加

ＬＥＣ法において、固液界面形状の凹面化及び結晶表面から化合物半導体元素の揮発による多結晶化を防ぐようにする。 - 特許庁

A hardly soluble layer 4 is formed on an interface between the low molecular hole transportation layer 3 and the high molecular light emission layer 5 by performing surface processing of the low molecular hole transportation layer 3 by using an ether compound.例文帳に追加

低分子ホール輸送層３をエーテル化合物にて表面処理することにより、低分子ホール輸送層３と高分子発光層５との界面に難溶化層４を形成する。 - 特許庁

The compound information terminal 100 is configured to comprise a user interface device 1, a terminal management controller 2, a 3GPP compatible mobile telephone terminal 3, and the GPS terminal 4.例文帳に追加

複合情報端末１００は、ユーザインタフェース装置１と、端末管理制御装置２と、３ＧＰＰ規格対応携帯電話端末装置３と、ＧＰＳ端末装置４と、を有して構成される。 - 特許庁

To provide a good quality active layer and the interface of the active layer by suppressing liberation of In as much as possible in the fabrication process of a compound semiconductor light emitting element, thereby ensuring epitaxial growth excellent in controllability.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enable deposition of metal compound which has crystallization promoting function, optical characteristic, and adhesion to a recording medium for a sputtering target used for deposition of interface film of phase change recording medium.例文帳に追加

相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、結晶化促進機能、光学的特性、記録膜との密着性をもった金属化合物膜の成膜を可能にする。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which has a structure capable of efficiently cooling the upper part of a furnace and making the shape of the solid-liquid interface into a projected shape.例文帳に追加

炉体上部を効率よく冷やして固液界面形状を凸化させる構造を有する化合物半導体単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of joining a compound body of a Ni-based alloy layer and a steel material by which the strength of an interface and the peeling resistance thereof are increased, and to provide a joined body.例文帳に追加

界面の強度を向上させ、耐剥離性を向上しえる、Ｎｉ基合金層と鋼材の複合体の接合方法及び接合体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, and by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

A plurality of vaporization sources (302a and 302b) are provided inside a film deposition chamber 301, the functional areas formed of each organic compound are continuously formed, and a mixed area is formed on an interface between the functional areas.例文帳に追加

成膜室３０１の内部に複数の蒸発源（３０２ａ、３０２ｂ）を備え、それぞれの有機化合物からなる機能領域を連続的に形成し、さらに機能領域間の界面には混合領域を形成することができる。 - 特許庁

At first, the unsymmetrical force regarding the adhering interface is applied to the edge of the compound member, thereby forming a crack 7A which runs from a surface of the first member 1 to the isolation layer 4 through the transfer layer 5.例文帳に追加

まず、前記密着界面に対して非対称な力を前記複合部材の端部に作用させることにより、前記複合部材に前記第１の部材１の表面から前記移設層５を通り前記分離層４に至る亀裂７Ａを形成する。 - 特許庁

An inorganic electric conduction layer is formed using a material, which has a smaller work function for the interface between the negative electrode and an organic compound layer rather than the negative electrode material.例文帳に追加

本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁

Thereby, since the organic compound of the electron transport layer 3 and the electrolyte solution form the gel layer 6, and the sensitizing dye exist in the gel layer 6, the reaction interface of the organic compound becomes large and conversion efficiency is improved, while delivery efficiency of electrons from the sensitized dye to the organic compound of the electron transport layer 3 is improved to further improve transporting efficiency of electrons.例文帳に追加

このため、電子輸送層３の有機化合物と電解質溶液がゲル層６を形成すると共に増感色素がゲル層６内に存在することで、有機化合物の反応界面が大きくなり、変換効率が向上すると共に、増感色素から電子輸送層３の有機化合物への電子の受け渡し効率が向上して電子の輸送効率が向上する。 - 特許庁

A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer.例文帳に追加

酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。 - 特許庁

The optically compensated film has a liquid crystal composition, containing at least a kind of onium compound, at least a kind of cylindrical liquid crystalline compound, and at least a kind of additive for promoting vertical alignment on the air interface of the cylindrical crystalline compound, and has optical anisotropic layer formed from the liquid crystal composition.例文帳に追加

オニウム塩の少なくとも一種、棒状液晶性化合物の少なくとも一種、及び棒状液晶化合物の空気界面での垂直配向を促進する添加剤の少なくとも一種を含有する液晶組成物、及び前記液晶組成物から形成された光学異方性層を有する光学補償フィルムである。 - 特許庁

In a semiconductor device or a semiconductor light-emitting element containing a hetero interface where two nitride III-V compound semiconductor layers different from each other are in contact with each other and a band discontinuity exists, a superlattice layer or a composition gradient layer extinguishing or decreasing the band discontinuity falsely is inserted in the hetero interface.例文帳に追加

互いに異なる二つの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、そのヘテロ界面に、バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層または組成傾斜層を挿入する。 - 特許庁

An authentication management part 24 receives an inquiry result from an external authentication server 30A through a second interface 27, and reads restriction information of a user A from a restriction information storing part 23 to transmit the restriction information to a compound machine 10A through a first interface 21 when the user A is valid.例文帳に追加

認証管理部２４は、第２のインタフェース２７を介して外部認証サーバ３０Ａからの問い合わせ結果を受信し、ユーザＡが正当であるときは、制限情報記憶部２３からユーザＡの制限情報を読み出し、この制限情報を第１のインタフェース２１を介して複合機１０Ａに送信する。 - 特許庁

Based on an appropriate reflow scope having no reduction in strength at connection interfaces acquired by performing a connection interface strength evaluation test, an appropriate reflow scope in a temperature profile having one temperature peak is acquired with the compound thickness of the connection interface determined uniquely by a thermal load as a standard.例文帳に追加

基板の電極部上に溶融温度を一定とした温度プロファイルを用いてはんだ接続を行い、それぞれ接続界面強度評価試験を行って求めた接続界面での強度低下のない適正リフロー範囲をもとに、熱負荷によって一意に決定される接続界面の化合物厚さを基準として、温度ピークを一つもつ任意の温度プロファイルでの適正リフロー範囲を求める。 - 特許庁

A digital compound device 32 side detects the mounting of an interface board 31, and only when the interface board 31 is mounted, an image for selecting 'other sizes' of special paper to be used for an image data output from a personal computer 15 and an image for setting a PC-FAX receiving function are shown on an operation displaying part 7 in a settable way.例文帳に追加

ディジタル複合装置３２側でインタフェースボード３１の装着を検出し、そのインタフェースボード３１が装着された場合のみ、操作表示部７にパソコン１５からの画像データ出力に用いる特殊用紙の「ソノタノサイズ」を選択するための画面、及びＰＣ−ＦＡＸ受信機能を設定するための画面を設定可能に表示する。 - 特許庁

To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.例文帳に追加

電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

The avalanche photodiode has such a structure as at least one crystal layer (referred to interface layer) having a forbidden band width larger than that of a light absorbing layer is formed with a composition or a material different from that of the light absorbing layer on the connection interface of a compound semiconductor (referred to light absorbing layer) absorbing a signal light and an Si multiplication layer.例文帳に追加

信号光を吸収する化合物半導体（光吸収層と称する）とＳｉ増倍層との接続界面に，少なくとも一層の，光吸収層とは異なる組成もしくは材料で形成され光吸収層よりも大きな禁制帯幅をもつ結晶層（界面層と称する）が形成されている構造をもつ。 - 特許庁

An authentication managing part 24 receives an inquiry result from an external authentication server 30A through a second interface 27, and reads restriction information of a user A from a restriction information storing part 23 to transmit the restriction information to a compound machine 10A through a first interface 21 when the user A is legal.例文帳に追加

認証管理部２４は、第２のインタフェース２７を介して外部認証サーバ３０Ａからの問い合わせ結果を受信し、ユーザＡが正当であるときは、制限情報記憶部２３からユーザＡの制限情報を読み出し、この制限情報を第１のインタフェース２１を介して複合機１０Ａに送信する。 - 特許庁

To provide a reversible thermal recording medium which can hold a clear recording image by preventing the occurrence of layer exfoliation in a metallic compound containing layer (gas barrier layer), and the interface exfoliation between the metallic compound containing layer and the other layer, even when using for a long period under a severe environment, and a reversible thermal recording member having the reversible thermal recording medium.例文帳に追加

厳しい環境下で長期間使用しても、金属化合物含有層（ガスバリア層）の層内剥離、及び金属化合物含有層と他層の層間剥離の発生を防止して、鮮明な記録画像を保持することができる可逆性感熱記録媒体及び該可逆性感熱記録媒体を有する可逆性感熱記録部材の提供。 - 特許庁

Inside molten solder 3' of a joint area, a diffusible metallic compound layer 9a of Cu and Zn is formed around the metal grain 7 to inhibit the formation of a diffusible metallic compound layer 9b on the joint interface between the copper terminal 2 or the copper bump 5 and the molten solder 3' and then prevent strength reduction, ensuring post-joint reliability.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

The plastic container has a barrier layer on the inside face of the container, and this barrier layer contains a silicon oxide and at least one kind of compound consisting of at least one element selected from carbon, hydrogen, silicon, and oxygen, and the concentration of the compound in the barrier layer is continuously changed in the depth direction from the interface of a substrate composing the container to the surface of the barrier layer.例文帳に追加

本発明は、容器の内面にバリアー層を有し、該バリアー層は珪素酸化物と、炭素、水素、珪素及び酸素の中から少なくとも１種あるいは２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種類含有し、前記バリアー層中の前記化合物濃度を、前記容器を構成する基材の界面からバリアー層表面への深さ方向において、連続的に変化させてなる。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film of an organometallic compound by stably forming the film of the organometallic compound to enhance adhesion of a bonding interface and to perform the formation of ultrathin film, and to provide organometallic thin films and organic electronic devices such as organic electroluminescence devices, organic solar cells, organic thin film transistors, and electronic equipment.例文帳に追加

有機金属化合物を安定して成膜することで、接合界面の密着力を増大させると共に、超薄膜化の実現が可能となる有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイス（有機エレクトロルミネッセンス装置・有機太陽電池・有機薄膜トランジスタ）及び電子機器を提供する。 - 特許庁

By forming a diffusive metal compound layer 9a of Cu and Zn surrounding the metal grain 7 inside melting solder 3' of the junction, a diffusive metal compound layer 9b in a joint interface of the melted solder 3' with the copper terminal 2 and the copper bump 5 is suppressed; the strength degradation is prevented and the reliability after joining is ensured.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

The hydrogen forms an atomic hydrogen by a catalyst action of a noble metal, such as Pt and Pd, of the gate electrode and performs annealing, and the interface between the semiconductor compound 11 and the gate dielectric 19 is passivated and further defects are repaired.例文帳に追加

水素はゲート電極のＰｔやＰｄのような貴金属による触媒作用により原子状水素を形成しアニールを行い半導体化合物１１とゲート誘電体１９との界面を界面をパッシベートし、更には欠陥を回復する。 - 特許庁

To provide a millimeter wave module requiring a waveguide interface and mounted with a compound semiconductor bare chip with the intention of reducing drastically a transmission loss, by eliminating a feed through part and making the module small by simplifying its structure.例文帳に追加

導波管インターフェースを必要とする化合物半導体ベアチップ実装型ミリ波帯モジュールにおいて、チップパッケージにおけるフィードスルー部を不要として、伝送損失を大幅に改善するとともに、構成を簡素化して小型化を図る。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

The phase difference film has the optical anisotropic layer consisting of liquid crystal composition containing more than a predetermined amount of liquid crystal compound having at least one kind of polymerization group and an additive having at least one kind of polymerization initiating function in an air interface.例文帳に追加

少なくとも一種の重合性基を有する液晶性化合物と、空気界面に少なくとも一種の重合開始能を有する添加剤を所定量以上含有する液晶組成物からなる光学異方性層を有する位相差膜。 - 特許庁

To provide the dissimilar metal welding method of a steel sheet and an aluminum alloy sheet for suppressing formation of an intermetallic compound on a weld interface, and can improve joint strength, fatigue strength and corrosion resistance, and dissimilar metal welded joint.例文帳に追加

接合界面に金属間化合物が生成するのを抑制でき、継手強度、疲労強度および耐食性を向上させることが可能な、鋼板とアルミニウム合金板との異種金属接合方法および異種金属接合継手を提供する。 - 特許庁

The material has, on a hydrophilic surface of its support, a non-photopolymerizing intermediate layer containing a coloring agent absorbing a light in the wavelength range above 400 nm and a compound having thermal reactivity with the interface of the support.例文帳に追加

支持体上の親水性表面に、４００ｎｍ以上の波長領域に吸収を有する着色剤と該支持体の界面と熱反応性を有する化合物を含有する非光重合性の中間層を有することを特徴とする平版印刷版支持体。 - 特許庁