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diffusion electrodeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2261件
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing the mutual diffusion of impurities in a polysilicon layer and reducing the resistance of an n-type polymetallic gate electrode and a p-type polymetallic gate electrode in the semiconductor device having a gate electrode in a polymetallic gate structure and a dural gate structure.例文帳に追加
ポリメタルゲート構造及びデュアルゲート構造のゲート電極を有する半導体装置において、ポリシリコン層中の不純物の相互拡散を防止すると共に、N型ポリメタルゲート電極とP型ポリメタルゲート電極の抵抗を共に低くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加
メモリ素子1は、p型シリコン基板10に、2箇所の不純物拡散領域11とゲート電極13およびゲート絶縁層12から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極19と上部電極21とで可変抵抗層20を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁
A cathode conductive layer is provided with a plurality of cathode electrode parts equipped with holes in contact with and in electric conduction with a cathode gas diffusion layer for letting fuel pass through to an membrane electrode assembly and arranged in virtually the same plane, and a cathode insulating seal frame for positioning and retaining the plurality of cathode electrode parts.例文帳に追加
カソード導電層は、カソードガス拡散層に接触して電気的に導通し、膜電極接合体に燃料を通過させるための孔を有し、実質的に同一の平面に配列される複数のカソード電極部と、複数のカソード電極部を位置決め保持するカソード絶縁シール枠と、を有する。 - 特許庁
The anode conductive layer is provided with a plurality of anode electrode parts equipped with holes in contact with and in electric conduction with an anode gas diffusion layer for letting fuel pass through to an membrane electrode assembly and arranged in virtually the same plane, and an anode insulating seal frame for positioning and retaining the plurality of anode electrode parts.例文帳に追加
アノード導電層は、アノードガス拡散層に接触して電気的に導通し、膜電極接合体に燃料を通過させるための孔を有し、実質的に同一の平面に配列される複数のアノード電極部と、複数のアノード電極部を位置決め保持するアノード絶縁シール枠と、を有する。 - 特許庁
To solve such problem that in the conventional electrolytic NF_3 synthesis, NF_3 is synthesized by direct electrolysis occurring on an electrode surface and near the electrode, but when current is permitted to flow in an amount exceeding that corresponding to the rate of ammonium ion diffusion, the reaction between excess fluorine radicals and ammonium ions does not proceed on the electrode surface, resulting in a reduced current efficiency.例文帳に追加
従来のNF_3の電解合成では、電極表面や電極近傍での直接電解によりNF_3が合成されるが、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のFラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。 - 特許庁
Thus, the laser beam condensing property is enhanced on the layer immediately above the electrode 6, and thereby the degree of diffusion of laser beams penetrating the layer is enhanced, the energy density of the laser beams applied to the electrode 6 can be reduced, and any damage to the electrode 6 held by a TFT substrate 1 and the opposing substrate 2 can be prevented.例文帳に追加
そのため、電極6の直上の層においてレーザ光の集光性が向上されることで、当該層を透過したレーザ光の拡散度合いが向上し、電極6に照射されるレーザ光のエネルギー密度を低下でき、TFT基板1および対向基板2に挟まれた電極6の損傷を防止できる。 - 特許庁
By making an electrode catalyst layer with the use of the ionic conductivity imparting agent, a dispersion state of dispersion solution for making the electrode catalyst layer is improved, so that proton conduction, electron conduction and catalyst activity of gas diffusion electrodes 4, 5 each containing the electrode catalyst layer are superbly maintained to have an output of the fuel cell improved.例文帳に追加
該イオン伝導性付与剤を使用して、電極触媒層を作製することにより、電極触媒層を作製するための分散溶液の分散状態が向上し、電極触媒層を含むガス拡散電極4,5のプロトン伝導、電子伝導、触媒活性が良好に保たれ、燃料電池の出力が向上できる。 - 特許庁
Solution containing precious metal ion is made in contact with a catalyst base body containing a base metal with larger ionization tendency than the precious metal, the precious metal ion is made to deposit on the base metal by substitution plating to manufacture a gas diffusion electrode for a hydrogen electrode 3 or an oxygen electrode 2 for a fuel cell.例文帳に追加
貴金属イオンを含む溶液を、該貴金属よりイオン化傾向の大きい卑金属を含有する触媒基体に接触させ、前記貴金属イオンを置換めっきにより前記卑金属上に析出させて燃料電池用の水素極3用又は酸素極2用のガス拡散電極を製造する。 - 特許庁
A fuel cell includes: a membrane electrode assembly 120; an anode side deformation member 163 and a cathode side deformation member 162 which are arranged on a periphery of the membrane electrode assembly; and gas diffusion layers 142, 143 holding the membrane electrode assembly, the anode side deformation member 163 and the cathode side deformation member 162.例文帳に追加
燃料電池は、膜電極接合体120と、膜電極接合体の外縁部に配置されるアノード側変形部材163及びカソード側変形部材162と、膜電極接合体とアノード側変形部材163及びカソード側変形部材162と、を挟持するガス拡散層142、143と、を備えている。 - 特許庁
A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加
作用電極7と電解液12との境界では、作用電極7内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極7に電流が流れる。 - 特許庁
To provide a field-effect transistor which reduces a parasitic capacitance generated between an umbrella part of a gate electrode of T-type structure and a diffusion layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加
T型構造のゲート電極の傘部と拡散層の間に生じる寄生容量を低減した電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a photoelectric conversion device wherein a high-concentration diffusion layer is formed at a lower portion of a light-receiving face electrode layer without adding heat treatment, and moreover without declining in strength of a substrate.例文帳に追加
光電変換素子において、熱処理工程を追加することなく、また基板強度を低下させることもなく、受光面電極層の下部に高濃度拡散層を形成する。 - 特許庁
Each electrode consists of reaction layers 21, 31 located at an electrolyte membrane 1 side and diffusion layers 22, 32 integrated with the reaction layers 21, 31 and located at a side contrary to the electrolyte membrane 1.例文帳に追加
各電極は、電解質膜1側に位置する反応層21、31と、反応層21、31と一体をなし、電解質膜1とは逆側に位置する拡散層22、32とからなる。 - 特許庁
To suppress increase in junction depth of source and drain diffusion layers connected to a second storage node electrode via an embedded strap in a high-temperature process, after forming the buried strap.例文帳に追加
埋込みストラップ形成後の高温工程における、埋込みストラップを介して第2ストレージノード電極に接続したソース/ドレイン拡散層の接合深さの増加を抑制すること。 - 特許庁
A silicide layer 18 is provided on a second conductivity type (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the region of the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加
上記ゲート電極14及び側壁絶縁膜17の領域を隔てて第2導電型(N型またはP型)の不純物拡散層15上にシリサイド層18が設けられている。 - 特許庁
The continuous series system of a source/drain diffusion layer 14, straddling a gate electrode 13 constituting an address line, is connected electrically at prescribed parts, with an upper layer interconnection with regard to a data line.例文帳に追加
アドレスラインを構成するゲート電極13を跨ぐソース/ドレイン拡散層14の連続する直列系はデータラインに関し、所定箇所が電気的に上層配線と繋がる。 - 特許庁
A diffusion preventing Cr layer 14 is formed tightly on the electrode pad 13 and first and second Cu layers 15 and 16 are formed tightly thereon.例文帳に追加
電極パッド13上に拡散防止用としてCr層14が密着形成され、Cr層14上に第1のCu層15、第2のCu層16が積層され密着形成されている。 - 特許庁
The anti-fuse 18 has a structure forming an electrode 16 through the insulating film 15 on an n^+- diffusion layer 14 having the reverse conductivity type to at least the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加
アンチヒューズ18は、少なくともP型半導体基板11と逆導電型のN+拡散層14上に絶縁膜15を介して電極16が形成された構造をもつ。 - 特許庁
The gas diffusion electrode has a non-woven fabric layer made of fluoro-resin as a main component, and at least a carbon material is dispersed in the non-woven fabric layer.例文帳に追加
フッ素樹脂を主成分とする不織布層を有するガス拡散電極であって、前記不織布層に、少なくとも炭素材料が分散されてなることを特徴とするガス拡散電極。 - 特許庁
The silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 15 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 17.例文帳に追加
上記ゲート電極14及び側壁絶縁膜17の領域を隔てて第2導電型(N型またはP型)の不純物拡散層15上にシリサイド層19が設けられている。 - 特許庁
A silicide layer 19 is provided on a second conductivity (N type or P type) impurity diffusion layer 16 being separated by the gate electrode 14 and the sidewall insulation film 19.例文帳に追加
上記ゲート電極14及び側壁絶縁膜18の領域を隔てて第2導電型(N型またはP型)の不純物拡散層16上にシリサイド層18が設けられている。 - 特許庁
To provide a direct thermo/electric transducer which can suitably keep electricity generating performance by preventing diffusion in a contact surface between a direct thermo/electric conversion semiconductor and an electrode.例文帳に追加
熱−電気直接変換半導体と電極との接触面における拡散を防止し、発電性能を良好に維持することができる熱−電気直接変換装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a membrane electrode structure capable of being formed in a given thickness and capable of obtaining adhesive strength between a solid polymer electrolyte membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加
所定の厚さに形成できると共に、固体高分子電解質膜とガス拡散層との間で優れた接着強度が得られる膜−電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁
The buried gate electrode 22 is formed at the bottom in the trench portion 20 in order to transfer a signal charge from the buried photodiode 23 to the buried floating diffusion 16.例文帳に追加
埋め込み型ゲート電極22は、埋め込み型フォトダイオード23から埋め込み型フローティングディフュージョン16に信号電荷を転送するために、トレンチ部20内の底部に形成されている。 - 特許庁
To provide a base material for a gas diffusion electrode, which exhibits high conductivity, gas permeability, and high water-repellency without using fluorine and to provide a method of manufacturing the material and an MEA containing the material.例文帳に追加
導電性およびガス透過性が共に高く且つフッ素を用いなくとも撥水性の高いガス拡散電極用基材、その製造方法、およびこれを備えたMEAを提供する。 - 特許庁
To provide an aluminum alloy thin film which has an electrode potential equal to that of an ITO (indium-tin-oxide) film, has no diffusion of silicon, has low specific resistance, and has excellent heat resistance.例文帳に追加
ITO膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加
低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし,素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To easily manufacture a capacitor having single-crystal SrRuO3/single- crystal (Ba, Sr) TiO3/single-crystal SrRuO3 structure which is connected to an n+ source diffusion layer through a plug electrode of Ru.例文帳に追加
Ruからなるプラグ電極を介してn^+ 型ソース拡散層と接続する、単結晶SrRuO_3 /単結晶(Ba,Sr)TiO_3 /単結晶SrRuO_3 構造のキャパシタを容易に製造できる製造方法を実現すること。 - 特許庁
An electrode 8 is provided to drift diffused electron into the opening 720 for preventing the diffusion of the plasma P through an opening 720 of the plasma shield 72.例文帳に追加
プラズマシールド72が有する開口720を通してプラズマPが拡散しないよう、開口720に向かって拡散する電子が流れ込むようにして拡散防止用電極8が設けられている。 - 特許庁
Consequently, a gate electrode 3 comes into contact with the titanium layer 8 through an opening 7a and P^+ type diffusion layers 6a and 6b, also come into contact with the titanium layer 8 respectively through openings 7b and 7c.例文帳に追加
これにより、ゲート電極3は開口部7aを介してチタン層8と接触し、P+型拡散層6a,6bはそれぞれ開口部7b,7cを介してチタン層8と接触する。 - 特許庁
At this point, an element pattern where the ion implantation stop film 7 is formed at the lower part of a memory cell is formed to a gate electrode wiring or the diffusion layer in a self-aligned manner.例文帳に追加
ここで、上記のイオン注入阻止膜がメモリセルの下層部に形成された素子パターン例えばゲート電極配線あるいは上記の拡散層に対してセルフアラインに形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which uses basic cells that are capable of changing the parallel connections of transistors in number without changing an impurity diffusion region and a gate electrode in layout.例文帳に追加
不純物拡散領域及びゲート電極のレイアウトを変更することなくトランジスタの並列接続数を変更することが可能なベーシックセルを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁
In a plan view, the gate electrode 110 has a configuration formed in a comb-like structure having comb teeth covering the second conduction type impurity diffusion region of the drift region 172.例文帳に追加
ゲート電極110は、平面視で、ドリフト領域172の第2導電型の不純物拡散領域上を覆う櫛歯を有する櫛形構造に形成された構成を有する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device where a gate electrode and impurity diffusion regions are formed in position matching without reducing a coupling ratio, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
カップリング比を減少させずにゲート電極と不純物拡散領域との位置が整合して形成される不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a solid electrolyte fuel cell capable of suppressing diffusion of an additive element or the like in the case LaCoO_3 based oxide is used as an air electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加
LaCoO_3系酸化物を空気極に用いた場合に、添加元素などの拡散を抑制させることのできる固体電解質型燃料電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A gate electrode 14 is formed on the upper surface of a p-form layer 12 through a gate insulation film 13, and a drain and source diffusion areas 15 and 16 are formed in the depth to the n-type layer 11.例文帳に追加
p型層12の上面にゲート絶縁膜13を介してゲート電極14が形成され、n型層11に達する深さにドレイン、ソース拡散層15,16が形成される。 - 特許庁
The material for the gas diffusion electrode has a conductive material supported by a porous body having three-dimensional continuous fine pores formed of continuous and discontinuous PTFE (Poly Tetra Fluoro Ethylene) fine fiber.例文帳に追加
連続及び不連続のPTFE微細繊維で形成された三次元連続微細孔を有する多孔質体に、導電性材料を保持させたガス拡散電極用材料である。 - 特許庁
A diffusion-controlled part 19 by which an ambient atmosphere communicates with a first recess 11a (consequently, the first electrode 3) is installed at the first support 9a in the support 9.例文帳に追加
この支持体11のうち、第1支持体9aには、周囲雰囲気と第1凹部11a(従って第1電極3)とを連通する拡散律速部19が設けられている。 - 特許庁
A cathode electrode for the fuel cell is provided with a diffusion layer and a cathode catalyst layer with its ratio of peak height P and a half width W of pore distribution, P/W to be 0.4 or more and 1.8 or less.例文帳に追加
燃料電池用カソード電極が,拡散層と,細孔分布のピーク高さPと半値幅Wの比P/Wが0.4以上,1.8以下のカソード触媒層を具備する。 - 特許庁
The groove-embedded gate electrode 3 is provided to a substrate equipped with a p-type well layer 2, a p-type channel doped layer 4, and n-type diffusion layers 5 serving as a source region and a drain region.例文帳に追加
p型ウエル層2と、p型チャネルドープ層4と、ソース領域およびドレイン領域となるn型拡散層5とを有する基板に溝埋め込み型のゲート電極3が設けられている。 - 特許庁
To provide a gas diffusion layer capable of keeping good supply/drainage conditions of water around an electrolyte layer and an electrode without causing degradation of durability or battery performance.例文帳に追加
耐久性や電池性能の低下を伴うことなく、電解質層および電極周辺における水の給排状態を良好に保つことができるガス拡散層を提供する。 - 特許庁
To provide a fuel cell securing diffusion of gas and liquid produced/consumed in an electrode and preventing decrease in power generation performance in high current density operation.例文帳に追加
高電流密度における運転において、電極内で生成・消費するガスおよび液体の拡散性を確保し、発電性能が低下を防止する燃料電池セルを提供する。 - 特許庁
To provide an electrolytic tank capable of effectively and appropriately coping with the leakage of a caustic solution into a gas chamber from a gas diffusion electrode by providing a lower gas chamber at a lower external end of a cathode element.例文帳に追加
下部ガスチャンバーを陰極エレメントの下方外端部に設けることによって、ガス拡散電極からのガス室への苛性液漏れに、有効適切に対処できる電解槽を提供する。 - 特許庁
Further, the cathode catalyst layer 30 is composed of two layers of a cathode catalyst layer 30a contacting with the solid polymer electrode membrane 20 and a cathode catalyst layer 30b contacting with a cathode gas diffusion layer 32.例文帳に追加
また、カソード触媒層30は、固体高分子電解質膜20に接するカソード触媒層30aとカソードガス拡散層32に接するカソード触媒層30bの2層からなる。 - 特許庁
Then, porous gas diffusion layers 10, 11 are arranged on both sides in the thickness direction of the intermediate laminate 25, and by applying hot press and integrating it, the membrane electrode jointed assembly (MEA) is formed.例文帳に追加
次に、多孔質のガス拡散層10,11を中間積層体25の厚み方向の両側に配置し、ホットプレスして一体化させて膜電極接合体(MEA)30を形成する。 - 特許庁
Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加
その後、ゲート酸化膜3及びゲート電極4をマスクとしてN型の不純物イオンを注入することで、N型のソース・ドレイン拡散領域6を複数離間形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device reducing the thin wire resistor of a gate electrode and having a silicide film formation structure where the reduction of the bonding leak of a diffusion layer can be achieved, and its manufacturing method.例文帳に追加
ゲート電極の細線抵抗の低減、及び、拡散層の接合リークの低減が図れるシリサイド膜形成構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the pressurization process, the amount of pressurization on the air outlet side of the membrane electrode junction 100 or the gas diffusion layer is set to a value less than the amount of pressurization on the air inlet side of the MEA 30.例文帳に追加
加圧工程では、膜電極接合体100またはガス拡散層の空気出口側の加圧量を、MEA30の空気入口側の加圧量よりも少なく設定する。 - 特許庁
The MOSFETs each comprise a gate electrode 34 and 54 formed on the semiconductor layer via a gate insulation film 32 and 52 and impurity diffusion regions 42 and 62.例文帳に追加
MOSFETは、半導体層上にゲート絶縁膜32及び52を介して設けられているゲート電極34及び54と、不純物拡散領域42及び62とを備えている。 - 特許庁
To provide a separator for a fuel cell capable of making a fuel cell body compact, having sufficient corrosion resistance even if noble metal is not used, and having low contact resistance with a gas diffusion electrode.例文帳に追加
燃料電池本体をコンパクト化でき、貴金属を使用しなくても十分な耐食性を有し、ガス拡散電極との接触抵抗値が低い燃料電池用セパレータを提供する。 - 特許庁
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