「dislocation source」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This enables to eliminate substantially a dislocation of the opening timing of the purge control valve even though a variation exists in the source voltage and/or coil temperature.例文帳に追加

このようにすれば、電源電圧の変動やコイル温度の変化があっても、パージ制御弁の開弁タイミングのずれをほぼ無くすことができる。 - 特許庁

To provide a carrier belt device having a constitution capable of preventing dislocation of a moving position of a belt without having influence of vibration from a driving source on a driving part of the belt, having a constitution capable of preventing dislocation of an image forming position by the dislocation of the moving position, and having a constitution capable of improving maintainability.例文帳に追加

駆動源からの振動の影響がベルトの駆動部に影響しないようにすることでベルトの移動位置ずれを防止できる構成および移動位置ずれによる画像形成位置ずれを防止できる構成を備えると共に保守性を向上させることができる構成を備えた搬送ベルト装置を提供する。 - 特許庁

To transfer a cargo with a simple constitution, even if dislocation is caused in a central position of a frontage between a carrying source and a carrying destination.例文帳に追加

搬送元と搬送先との間において間口の中心位置にずれが生じていても、荷物の移載を簡単な構成で実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a multi-beam light source scanning device that can prevent dislocation of a light beam in the scanning direction due to temperature differences among semiconductor lasers.例文帳に追加

各半導体レーザの温度差に起因する光ビームの走査方向の位置ずれを防止することができるマルチビーム光源走査装置を提供する。 - 特許庁

When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.例文帳に追加

ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser element with a low thermal resistance and a low dislocation, a surface emitting laser array element, a surface emitting laser device, a light source device, and an optical waveguide module.例文帳に追加

低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a GaN crystal, which is low in dislocation density and high in crystallinity, without adding impurities other than the source material to a melt and also without increasing the scale of a crystal growth apparatus.例文帳に追加

融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The auxiliary particles are discharged onto a photosensitive drum 1 by applying a discharging bias to the developing roller 8 by a developing bias power source 13 between sheets of paper and the auxiliary particles are temporarily stuck on a transfer roller 5 by applying a dislocation bias to the transfer roller 5 from a transfer bias power source 14.例文帳に追加

そこで、紙間中に、現像バイアス電源１３により現像ローラ８に吐出バイアスを印加して補助粒子を感光ドラム１上に吐き出させ、この補助粒子を転写バイアス電源１４により転写ローラ５に転移バイアスを印加して転写ローラ５に一時的に付着させる。 - 特許庁

To provide a laser light source capable of enhancing coupling efficiency of a semiconductor laser element and a wavelength conversion element by preventing dislocation of a connection surface of an optical fiber and the wavelength conversion element and to provide a laser exposure device.例文帳に追加

光ファイバ及び波長変換素子の接続面の位置ずれを防止し、半導体レーザ素子と波長変換素子の結合効率を向上させることが可能なレーザ光源及びレーザ露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate, with which fine dislocation defects or the like present in a source silicon carbide substrate can be sufficiently terminated and production of new micro-defects can be suppressed, and to provide a semiconductor substrate manufactured by using the method.例文帳に追加

原炭化珪素基板に内在する微細な転移欠陥等を十分に終端すると共に、新たな微細欠陥の発生を抑制することのできる半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板を提供する。 - 特許庁

To provide a combined metering device capable of avoiding occurrence of malfunction and the like by preventing dislocation of a rotating shaft behind a speed modulating mechanism, even if the speed ratio contains fraction in the speed modulating mechanism converting rotation speed of a rotary drive source to a predetermined rotation speed.例文帳に追加

回転駆動源の回転速度を所定の回転速度に変換する速度変換機構における速度比が端数を含んでいる場合でも、速度変換機構後の回転軸の位置ずれを防止して動作不良等の発生を回避することが可能な組合せ計量装置を提供する。 - 特許庁

To provide a highly-sensitive nondestructive measuring method of a secular deterioration of the strength of a ferromagnetic structural material, capable of inspecting nondestructively the dislocation density and its distribution change in the pre-stage of crack generation, and capable of nondestructive measurement with a compact magnetic yoke and a small-capacity exciting power source.例文帳に追加

亀裂が発生する前段階での転位密度及びその分布の変化を非破壊的に検査でき、しかも小型の磁気ヨークと小容量の励磁電源で非破壊測定が可能な、高感度の強磁性構造材強度の経年劣化非破壊測定方法を提供することにある。 - 特許庁

With the super-junction formed over the entire surface of the main surface 1a of the n+ type substrate 1, the super-junction is formed surely under a p-type base region 5 and n-type source region 6, even if the super-junction formation position deviates due to dislocation of a mask, etc., providing surely an MOSFET with withstand voltage.例文帳に追加

このように、スーパージャンクションがｎ^+型基板１の主表面１ａ全面に形成されるようにすれば、マスクずれ等によってスーパージャンクションの形成位置がずれても、必ずｐ型ベース領域５やｎ型ソース領域６の下にスーパージャンクションが形成されるため、確実にＭＯＳＦＥＴの耐圧を得ることができる。 - 特許庁

Although tensile stress is applied to the SOG film 4b at a point in time of activation treatment of impurity ions introduced to the source/drain region 2c, generation of crystal defects in impurity diffusion regions 2a, 2b can be suppressed because of interposition of the O_3-TEOS film 4c, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域２ｃに導入された不純物イオンの活性化の処理の時点でＳＯＧ膜４ｂに引っ張り応力が発生するものの、Ｏ_３−ＴＥＯＳ膜４ｃが介在しているため結晶欠陥が不純物拡散領域２ａ、２ｂに発生することを抑制でき転位の発生を抑制できる。 - 特許庁