「drain process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The method comprises a drain discharge process ST6 between steaming processes ST4 and ST5 and a cooling process ST7.例文帳に追加

蒸煮工程ＳＴ４，ＳＴ５と冷却工程ＳＴ７との間に、ドレン排出工程ＳＴ６を有する。 - 特許庁

After a process of forming a side spacer, a high-concentration source/drain region is formed.例文帳に追加

サイドスペーサ形成処理の後、高濃度ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The fabrication method of transistor nodes contains the process of forming gates, first source/drain regions and second source/drain regions.例文帳に追加

トランジスタノードの製造方法は、ゲートと第１ソース／ドレイン領域と第２ソース／ドレイン領域とを形成する工程を含む。 - 特許庁

The substrate comprises a process of forming a source-drain region using a halftone exposure technology, a process of forming a passivation insulating layer having an opening in a connecting part between a source-drain region and a scanning line, a source-drain wiring forming process, and a process of forming the protective insulating layer having an opening, and achieves a four-mask process.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン領域を形成する工程と、ソース・ドレイン領域と走査線の接続部に開口部を有するベーション絶縁層の形成工程と、ソース・ドレイン配線形成工程と、開口部を有する保護絶縁層の形成工程を有し、４枚マスク・プロセスを実現する。 - 特許庁

When a hybrid structure of a silicide type transistor and a non-silicide type transistor is formed, a PSD process (a process of forming P type source and drain regions) is performed first and then an NSD process (a process of forming N type source and drain regions) is carried out.例文帳に追加

シリサイド型トランジスタおよびノンシリサイド型トランジスタの混載構造を作るにあたり、まず、ＰＳＤ工程（Ｐ型ソース・ドレイン領域を形成する工程）を行い、その後に、ＮＳＤ工程（Ｎ型ソース・ドレインを形成する工程）を行う。 - 特許庁

a process used to drain fluid that has built up around the brain and spinal cord. 例文帳に追加

脳や脊髄の周囲に過剰に溜まった液体を排出するために用いられる方法。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

To provide a drain-expanded transistor for an integrated circuit for a submicron CMOS process.例文帳に追加

サブミクロンＣＭＯＳプロセス用の集積回路用ドレイン拡張型トランジスタを提供する。 - 特許庁

This starting method of the drum drier 1 includes a compressed air supply process S1, a drain discharging process S2, and a steam introducing process S3.例文帳に追加

また、本発明のドラムドライヤ１の起動方法は、圧縮空気供給工程Ｓ１と、ドレン排出工程Ｓ２と、蒸気導入工程Ｓ３と、を含んでなる。 - 特許庁

After the drying process, water is supplied to the drain trap, water sealing of the drain trap is restored, and odor from a drain outlet is inhibited even after the drying operation.例文帳に追加

乾燥工程終了後、排水トラップに水を供給し、排水トラップの水封じを回復させることにより乾燥運転終了後も排水口からの臭気を抑えることができる。 - 特許庁

Compression of air by the water lubrication type air compressor 102 is started after repeating water drain process and water supply process.例文帳に追加

排水工程と給水工程を繰り返し行った後、水潤滑式空気圧縮機１０２による空気の圧縮を開始する。 - 特許庁

Accordingly, the drain electrode 11 can be formed into an ohmic electrode by a low-temperature process without using an ion implantation process.例文帳に追加

したがって、イオン注入工程を用いることなく、かつ低温プロセスによってドレイン電極１１をオーミック電極にできる。 - 特許庁

In a drainage system to discharge drain from draining devices, a purifying device to process drain to be purified is integrally provided with the drainage system.例文帳に追加

排水機器の排水を排出する排水装置において、排水を浄化処理する浄化装置を排水装置に一体的に付加する。 - 特許庁

The drain produced in the shredding and sterilizing process is sterilized by the secondary sterilization means 2 provided at a drain discharge part 16 before discharged.例文帳に追加

細断及び滅菌過程で発生したドレンは、ドレン排出部１６に設けた二次滅菌手段２によって滅菌された後で排出される。 - 特許庁

To control a drain current-temperature characteristic of a MOS transistor without changing a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を変更することなくＭＯＳトランジスタのドレイン電流−温度特性を制御する。 - 特許庁

The complicatedness of the process and the manufacture cost can be reduced by omitting the doping process of a source/drain and the subsequent annealing process, which have been performed conventionally.例文帳に追加

従来行われていたソース／ドレインのドープ及びその後のアニーリング工程を省略することにより、工程の複雑度と製造コストを減少することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for forming a source/drain diffusion layer on a semiconductor substrate, a process for performing the hydrogenation treatment of a substrate surface including the source/drain diffusion layer, and a process for performing the dehydrogenation treatment of the substrate surface that has been subjected to hydrogenation treatment.例文帳に追加

半導体基板上にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、ソース・ドレイン拡散層を含む基板表面を水素化処理する工程と、前記水素化処理された基板表面を脱水素処理する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a drain material for improving the ground, capable of shortening a manufacturing process for the drain material for improving the ground by dispensing with a cooling process for curing the core material of the drain material before the fusion-bonding of a nonwoven fabric to the core material and a process for reheating the surface of the core material, and a manufacturing apparatus therefor.例文帳に追加

ドレーン材の芯材に不織布を溶着させる前の芯材を硬化させる冷却工程と芯材の表面を再加熱する工程を不要にして、地盤改良用ドレーン材の製造工程を短縮することができる地盤改良用ドレーン材の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

In this method, a drain generated in a development process is treated with at least a membrane treatment unit, the resulting treated water is recovered and reutilized in the developing process.例文帳に追加

現像工程で生じる排水を少なくとも膜処理装置で処理して得られる処理水を回収して現像工程で再利用する。 - 特許庁

Hydrogen to be added to a material for desulfurization in the process C3 is taken out after the drain is removed from the process C10 so as not to use the product hydrogen.例文帳に追加

工程Ｃ３の脱硫のために原料に加える水素を、工程Ｃ１０のドレン除去後から取出し、製品水素の使用を避ける。 - 特許庁

In the developing process device provided with the process liquid tank pooling the process liquid and a circulating pipe to circulate the process liquid inside the process liquid tank, a branching circulation pipe is provided to the circulating pipe and a drain valve is made to intervene in the middle of the branching circulating pipe.例文帳に追加

処理液を貯留する処理液槽と、処理液槽内の処理液を循環させるための循環路とが設けられた現像処理装置において、循環路に分岐循環路を設けて、この分岐循環路の途中にドレンバルブを介装した。 - 特許庁

To provide an integrated circuit that uses a process consolidation combining the substitution gate process using a three-layer hard mask consumed during the process and source/drain silicides.例文帳に追加

処理中に消費される３層ハードマスクを使用する置換ゲート・プロセスとソース／ドレイン珪化物を組み合わせるプロセス統合を使用するＣＭＯＳ技術を使用する集積回路を提供する。 - 特許庁

The second process of a drying process composed of two processes is defined as a finish drying process and such finish drying is performed by air heated by a heat exchanger with the drain of steam as a heat source.例文帳に追加

２工程で行う乾燥工程の第２工程を仕上乾燥工程とし、この仕上乾燥を、蒸気のドレンを熱源とする熱交換機で加熱された空気を用いて行う。 - 特許庁

This treatment method of ammonia-containing drain comprises a desalinating process by adding alkali to ammonia-containing drain containing the hardness components to adjust pH to 8-14 and adding a flocculant to flocculate the hardness components to thereby separate solid from liquid; and a removing process of ammonia from the drain by adding acid to the drain separated into liquid and solid in the desalinating process to lower pH of the drain, but not lower than 8.例文帳に追加

（ａ）硬度成分を含むアンモニア含有排水に、アルカリを加えてｐＨを８〜１４に調整すると共に、凝集剤を加えて前記硬度成分を凝集させ、固液分離する脱塩処理工程、及び（ｂ）前記（ａ）工程で固液分離された排水に酸を加えて、該排水のｐＨを低下させ、かつ８未満にならないようにｐＨを調整したのち、この排水からアンモニアを除去する工程、を有するアンモニア含有排水の処理方法である。 - 特許庁

Thus, a transistor that occupies less area is manufactured, and a process margin for forming the high-concentration drain is assured in a manufacturing process.例文帳に追加

これにより、少ない面積を占めるトランジスタを製造することができ、製造工程内で高濃度ドレイン形成のための工程マージンを確保することができる。 - 特許庁

To provide a self-aligned silicide process applicable to contacting silicon, sidewall, source, and drain.例文帳に追加

シリコン・サイドウォール・ソースおよびドレイン・コンタクトに適用できる新規な自己整合された（サリサイド）方法を提供すること。 - 特許庁

A raw water filtering process, a washing process for the hollow fiber membrane moduli 51, a drain process for the hollow fiber membrane moduli 51, a water filling process for the hollow fiber membrane moduli 51 and a membrane breakage detection process for the hollow fiber membrane moduli 51 are successively carried out.例文帳に追加

原水のろ過工程、複数の中空糸膜モジュール５１の洗浄工程、複数の中空糸膜モジュール５１のドレン工程、複数の中空糸膜モジュール５１の満水工程および複数の中空糸膜モジュール５１の膜破断検出工程を順に行う。 - 特許庁

The source/drain areas of a CMOS-type field effect transistor with low off current can be formed only of one photo process.例文帳に追加

オフ電流の低いＣＭＯＳ型電界効果トランジスタのソース・ドレイン領域を１回のフォト工程のみで形成できる。 - 特許庁

The stabilizing resistor element 5 can be prepared by an impurity-introducing process different from that in source-drain electrode formation of a transistor.例文帳に追加

安定化抵抗素子５は、トランジスタのソースドレイン電極形成と別の不純物導入工程により作製され得る。 - 特許庁

In the process, a parasitic bipolar transistor turns on, and impact ionization is produced on the drain side, thus increasing the injection charged amount.例文帳に追加

また、このとき寄生バイポーラトランジスタがオンし、これによりドレイン側でインパクトイオン化が生じ注入電荷量が増える。 - 特許庁

To provide a door drain member easy to process a waterproof pan side and extremely easily installable by securing water tightness.例文帳に追加

防水パン側の加工が容易で、水密性を確保して極めて容易に取り付けできるドア排水部材を提供する。 - 特許庁

The semiconductor island IL, a source electrode SE, and a drain electrode DE are formed by a single exposure process.例文帳に追加

半導体アイランドＩＬとソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは１回の露光工程で形成されたものである。 - 特許庁

Contact holes are formed in the source electrode section and gate and drain terminal sections in the seventh PR process shown in a step S207.例文帳に追加

ステップＳ２０７に示す第７ＰＲ工程でソース電極部、ゲート及びドレイン端子部にコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Thereafter, in a silicide process, a cobalt silicide film is formed on the gate electrode 4 and the high concentration source/drain region 7.例文帳に追加

その後、サリサイドプロセスにより、ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上にコバルトシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

To prevent a gate insulation film at the lower part of a drain electrode from being etched during the process of etching a protective film by extending an active layer at the lower part further on one side of the drain electrode.例文帳に追加

ドレイン電極の一側に下部のアクティブ層をさらに延ばして、保護膜をエッチングする工程中ドレイン電極下部のゲート絶縁膜がエッチングされることを防止する。 - 特許庁

The wastewater treatment process using the equipment involves removing fluorine from such drain in the fluorine removal section 10 by using calcium and thereafter, removing the residual calcium from the resulting drain in the softening treatment vessel 12.例文帳に追加

そこで、後段の固定床硝化槽２２などの生物学的脱窒処理におけるカルシウム濃度が低くなり、ここにおける微生物濃度を十分高くして効率的な処理が行える。 - 特許庁

The method includes: a process for preparing a substrate at least having a drain region and a bottom electrode to be electrically coupled to the drain region, a process for forming a first barrier layer on the bottom electrode, a process for forming a dielectric layer having a high dielectric constant, a process for forming a second barrier layer on the dielectric layer, and a process for forming an uppermost electrode.例文帳に追加

少なくともドレイン領域と該ドレイン領域に電気的に結合される底部電極とを備える基板を準備する工程と、前記底部電極上に第１のバリア層を形成する工程と、高誘電率を有する誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に第２のバリア層を形成する工程と、最上部電極を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

A second thermal process is carried out at a temperature lower than the first thermal process for a short period to cause the source/drain diffusion layer 131 to be activated.例文帳に追加

そして第１の熱処理工程よりも低い温度或いは短い時間で第２の熱処理工程を行い浅いソース−ドレイン拡散層１３１を活性化させる。 - 特許庁

To extract and process a drain wire by a simple process in the vicinity of an arbitrary earthing treatment part set at an intermediate position of a shield wire.例文帳に追加

シールド電線の中間位置に設定される任意のアース処理個所の近くで、簡易な工程によりドレン線を引き出し処理可能することを課題としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which reduces damage to an element due to a plasma process in an LDD (Lightly Doped Drain) forming process as much as possible.例文帳に追加

ＬＤＤ形成工程に於けるプラズマプロセスが原因となり生じる素子の損傷を極力低減した半導体装置の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which the cost required for forming a source and a drain can be reduced, and to provide a thin film transistor fabricated by that process.例文帳に追加

ソースおよびドレインの形成にかかるコストを低減することができる薄膜トランジスタの製法およびそれによって得られた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The method further includes a process of doping a channel region 124 disposed under the bottom surface of each of the concave portions 118, a process of depositing an electrode material 126 on each of the concave portions 118, and a process of forming source/drain regions.例文帳に追加

さらに、凹部１１８底面下に配されたチャンネル領域１２４をドープする工程と、凹部１１８にゲート電極材料１２６を堆積する工程とソース／ドレイン領域を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the case of temporary stop during a washing process, when the progress condition of the process is more than 90%, all the washing water in a water tank 23 is drained out of a machine by driving a drain pump 30 and the process is finished.例文帳に追加

洗い工程中、一時停止させたとき、工程の進行状況が９０％以上であると、排水ポンプ３０を駆動して水槽２３内の洗濯水を全て機外に排水し、工程を終了させる。 - 特許庁

In this treatment process comprising heating a drain to a 80-370°C under pressure sufficient to retain the drain in the liquid phase, and subjecting the drain to oxidation treatment and/or decomposition treatment while supplying an oxygen-containing gas, the drain is treated in cocurrent upward gas/liquid stream and thereafter, further treated by using a solid catalyst in cocurrent downward gas/liquid stream.例文帳に追加

排水が液相を保持する圧力下、該排水を８０〜３７０℃に加熱して酸素含有ガスの供給のもとに酸化処理および／または分解処理する方法において、該排水を気液上向並流で処理した後、固体触媒を用いて気液下向並流で更に処理を行う。 - 特許庁

To prevent a short circuit between a contact and a gate electrode connected to a source-drain region in a gate structure formed by a gate last process.例文帳に追加

ゲートラストプロセスで形成されたゲート構造において、ソース・ドレイン領域に接続するコンタクトとゲート電極とのショートを防ぐ。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device in which conduction between drain and substrate contact can be prevented, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ドレイン−基板コンタクト間導通を防止できる、高信頼性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁