「drain process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a garbage disposer capable of neutralizing the hydrogen ion concentration of drain water to be generated through a decomposition process of garbage.例文帳に追加

生ごみの分解処理により生じるドレン水の水素イオン濃度を中性化することができる生ごみ処理機を提供する。 - 特許庁

Then a wiring process is performed where a wiring electrode 7 electrically connected to the source region S and the drain region D is formed.例文帳に追加

さらに配線工程を行い、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄに電気接続する配線電極７を形成する。 - 特許庁

This liquefaction preventing method has a process for injecting a liquid including the foaming agent from injection holes bored to a sandy soil layer, a process for pumping up the underground water from drain holes bored to the sandy soil layer and guiding the flow of the underground water from the injection holes to the drain holes, and a process for injecting a reaction agent from the injection holes.例文帳に追加

砂質土層まで穿孔された注入孔から発泡剤を含んだ液体を注入する工程と、砂質土層まで穿孔された排水孔から地下水を汲み上げ地下水の流れを注入孔から排水孔に導く工程と、反応剤を注入孔から注入する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnitude of the voltage applied between the drain and the source of the field effect transistor in the process read out data is set in a range, in which the current between the drain and the source of the field effect transistor is increased, accompanying the increase of voltage between a drain and a source.例文帳に追加

データを読み出す工程において電界効果型トランジスタのドレイン・ソース間に印加する電圧の大きさは、電界効果型トランジスタのドレイン・ソース間の電流がドレイン・ソース間の電圧の増加に伴って増加するような範囲内に設定する。 - 特許庁

The semiconductor device has the process (f) forming a source electrode 71 and a drain electrode 72 electrically connected to the crystallite semiconductor film 41 on the upper side of the gate electrode 20 after the process (e).例文帳に追加

そして、（ｆ）工程（ｅ）の後、ゲート電極２０上側の微結晶半導体膜４１と電気的に接続するソース電極７１，ドレイン電極７２を形成する工程を備える。 - 特許庁

The property is that in a method of driving control for a steam sterilizer performing sterilizing treatment by a process comprising an air evacuating process, a sterilizing process, and drying process, a drain that produced in a storage 2 placed in a sterilizing reservoir 1 after the sterilizing process is heated with steam and then vacuumized to be dried.例文帳に追加

空気排出工程，滅菌工程および乾燥工程の各工程により滅菌処理を行う蒸気滅菌器の運転制御方法において、前記滅菌工程の後、滅菌槽１内に収容した収納容器２内に生じたドレンを蒸気により加温した後、真空引きして乾燥させることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

To provide a water softener which hardly causes cut off of water supply and failure of drain cut off even when the position initialization process of a passage control valve fails.例文帳に追加

流路制御弁の位置初期化処理に失敗しても断水や排水止水不良が生じ難い軟水器を提供する。 - 特許庁

To carry out the inspection of the drain discharging means of a ceiling-embedded type air conditioner efficiently in the relatively early period of the construction process of a building.例文帳に追加

天井埋込型空調機のドレン排出手段の検査を建物の建設工程の比較的早い時期に能率よく実施する。 - 特許庁

The side wall spacer film 30 composed of GeCOH or GeCH is removed after the forming process of a source and drain regions.例文帳に追加

ＧｅＣＯＨまたはＧｅＣＨからなる側壁スペーサ膜３０を用い、ソース、ドレイン領域形成処理を行った後、これを除去する。 - 特許庁

After definite time treatment, the flocculated solid is discharged from the lower part of the tank and a supernatant liquid is sent to a drain treatment process from the upper part of the tank.例文帳に追加

一定時間処理した後、凝集固形分は下部より排出し、上澄み液は上部より排水処理工程に送る。 - 特許庁

Consequently, a channel portion, having a fixed width is formed, even when the source and drain electrodes are to be overetched in the wet etching process.例文帳に追加

従って、湿式エッチングの過程でソース電極及びドレイン電極がオーバーエッチングされる場合でも、一定幅のチャンネル部を形成できる。 - 特許庁

Thus, since an electric field directed toward the drain side is strengthened, it prevents the charge from overflowing to the output side in a charge discharging process.例文帳に追加

これによって、ドレイン側へ向かう電界が強まるので、電荷排出処理において、出力側に電荷がこぼれることを防止する。 - 特許庁

In the process, a first temporary gate sidewall spacer defines a rising source/drain formation area, a second temporary spacer defines a source/drain injection and source/drain silicification area, and the temporary gate is protected from being silicified by the hard mask.例文帳に追加

その処理において、第１の一時ゲート側壁スペーサは隆起したソースおよびドレインの形成用の領域を定義し、第２の一時スペーサはソースおよびドレインの注入用ならびにソースおよびドレインの珪化用の領域を定義し、一時ゲートはハードマスクによって珪化から保護される。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, metal silicide films 64 are so formed by a silicide process on a gate electrode 30 and an n^+-type source region 53 of an LDMOSFET as to form no metal silicide film on an n^--type offset drain region 33, an n-type offset drain region 51, and n^+-type drain region 52.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴのゲート電極３０およびｎ^+型ソース領域５３上にサリサイド工程により金属シリサイド膜６４を形成し、ｎ^-型オフセットドレイン領域３３、ｎ型オフセットドレイン領域５１およびｎ^+型ドレイン領域５２上にはこの金属シリサイド膜を形成しない。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having an intermediate breakdown voltage structure including a large drain breakdown voltage, small capacitance between a source-drain region and a gate electrode and a high junction breakdown voltage of a channel stop and the source-drain region formed under a field oxide film and capable of controlling the drain breakdown voltage by a simple process.例文帳に追加

ドレイン耐圧が大きく、・ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、・フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

In these treatments, LDD width WD11, WD13 are each set separately, by setting a source region/drain region implantation process of the Tr 33 after the formation of the first sidewall, and a source region/drain region implantation process of the Tr 35 after the formation of the second sidewall, respectively.例文帳に追加

これらの処理において、第１のサイドウォール形成後にＴｒ３３のソース領域／ドレイン領域インプラ工程を、第２のサイドウォール形成後にＴｒ３５のソース領域／ドレイン領域インプラ工程を、それぞれ打ち込むことにより、各ＬＤＤ幅ＷＤ１１，ＷＤ１３を別個に設定する。 - 特許庁

This abrasive recovery device for recovering the abrasives from the CMP process drain containing an organic dispersant is provided with a ceramic film separating means of monolayer honeycomb structure mainly composed of columnar β-type silicon nitride crystal into which the process drain is led.例文帳に追加

有機物系の分散剤を含有するＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、該工程排水が導入される主として柱状のβ型窒化珪素結晶からなる単層ハニカム構造のセラミック膜分離手段を備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁

In a manufacturing method of the drain pipe, the manufacturing method of the drain pipe is characterized by being composed of a first process of forming a perforated part in the longitudinal direction of a steel plate and a second process of molding the plate in a cylindrical shape by bending in the direction for crossing with the longitudinal direction.例文帳に追加

また、前記水抜管の製造方法であって、鋼製の平板の長手方向に有孔部を形成する第１工程と、前記平板を長手方向と交差する方向に折曲して筒状に成形する第２工程とからなることを特徴とする水抜管の製造方法。 - 特許庁

Then, a pattern forming process is carried out for the transparent conductive layer, a source and a drain are formed, an active layer is formed in such a manner that the source, the drain, and the dielectric layer are covered, and a self-alignment TFT structure is completed.例文帳に追加

次に、該透明導電層にパターン形成プロセスを実行して、ソースとドレインとを形成し、ソース、ドレイン、及び誘電体層を覆うようアクティブ層を形成して、自己整合ＴＦＴ構造体が完成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which can be manufactured in a simple process even a size of a semiconductor layer is small and does not increase contact resistances between a source electrode and a source area and between a drain electrode and a drain area.例文帳に追加

半導体層のサイズを小さくしても簡素な工程で製造でき、ソース電極とソース領域との接触抵抗やドレイン電極とドレイン領域との接触抵抗を増加させない薄膜トランジスタの提供。 - 特許庁

To provide a pixel set with a design for compensating the variables of gate-drain parasitic capacitance that is produced due to displacement error in a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスの変位誤差により生じるゲート・ドレイン寄生キャパシタンスの変量を補償するための設計を備える画素セットを提供する。 - 特許庁

To form a semiconductor island and a source drain electrode just by a single exposure process, and control an optical leakage current that leads to image degradation.例文帳に追加

半導体アイランドとソース・ドレイン電極を１回の露光工程で形成し、かつ画質の劣化につながる光リーク電流を抑制する。 - 特許庁

The unit base 47 is made to communicate/be connected with the frame 51 by a freely expandable/contractable exhaust duct 67, process liquid piping, and drain piping.例文帳に追加

さらに、ユニットベース４７とフレーム５１との間を、伸縮自在の排気ダクト６７と、処理液配管と、排液配管とで連通接続してある。 - 特許庁

To provide a full silicide field effect transistor capable of being manufactured through silicide process of one time and provided with small source and drain resistance.例文帳に追加

一度のシリサイド化工程により製造でき、かつ小さなソース及びドレイン抵抗を有するフルシリサイド型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A back surface exposure process is executed and a photoresist layer 212 is patterned on this passivation layer with the use of the gate and the source/drain terminal as a mask.例文帳に追加

裏面露光プロセスを実行して、このパシベーション層上に、前記ゲート、ソース／ドレイン端子をマスクとして用いて、フォトレジスト層２１２をパターン化する。 - 特許庁

The voltage impressing region 17 is formed in the same process as a source region 25a and a drain 27a of the PMOS transistor 20.例文帳に追加

電圧印加領域１７はＰＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２５ａおよびドレイン領域２７ａと同一工程により形成される。 - 特許庁

As the fluorine-containing solution, a fluorine-containing drain generated in the process for manufacturing metallic tantalum or niobium powder, for instance, is cited.例文帳に追加

フッ素含有溶液としては、たとえば金属タンタルもしくはニオブ粉末の製造プロセスにおいて生成されるフッ素含有排水が挙げられる。 - 特許庁

Then, an implanting process for selectively implanting impurities to the semiconductor thin film and forming a source area and a drain region is executed.例文帳に追加

この後、半導体薄膜に不純物を選択的に注入してソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程を行なう。 - 特許庁

Only a mask opened at a site opposed to the scheduled region of forming a drain region 2 is formed on the semiconductor substrate through photolithographing process.例文帳に追加

半導体基板上にドレイン領域２の形成予定領域に対向する部位を開口したマスクのみをフォトリソグラフィ工程により形成する。 - 特許庁

An oblique halogen implantation process is carried out to form a halogen implantation region under the gate, on the side of the extension source/drain region 310a on the substrate 300.例文帳に追加

基板内の延長ソース／ドレインの側のゲートの下に、ハロゲン注入領域を形成するため、斜めハロゲン注入工程が実施される。 - 特許庁

To provide a MOS transistor for applying a self-alignment contact process while reducing the sheet resistance and contact resistance of source/drain regions.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のシート抵抗とコンタクト抵抗を低減させながら自己整合コンタクト・プロセスが適用できるＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which can solve the problem of lowering of reliability of the device to be caused in a process of forming drain contacts, while simplifying the process.例文帳に追加

工程を単純化させるとともに、ドレインコンタクトを形成するための工程過程で発生する素子の信頼性の低下問題を解消することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a constant current circuit of which variation in the output current is minimized even when a drain current at zero bias in a depression type MOS transistor fluctuates greatly due to a process variation in a manufacturing process, etc.例文帳に追加

製造工程のプロセス変動等で、ディプレッション型のＭＯＳトランジスタにおける０バイアス時のドレイン電流が大きくばらついても出力電流の変動が小さい定電流回路を得る。 - 特許庁

The cathode region 11 of the diode and the drain region 5 of the LDMOS are formed in the same process, and the anode 14 of the diode and the back gate region 4 of the LDMOS are formed in the same process.例文帳に追加

ダイオードのカソード領域１１とＬＤＭＯＳのドレイン領域５とは同じ工程で形成され、ダイオードのアノード１４とＬＤＭＯＳのバックゲート領域４とは同じ工程で形成される。 - 特許庁

This manufacturing method of the organic thin-film transistor has an electrode-forming process of forming a source electrode 103 and a drain electrode 104; an organic semiconductor layer process of forming an organic semiconductor layer 105, connected to the source electrode 103 and the drain electrode 104; and an aging process of heating the organic semiconductor layer 105 and applying an AC voltage to a portion between the source electrode 103 and to the drain electrode 104.例文帳に追加

本発明に係る有機薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４を形成する電極形成工程と、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４に接続される有機半導体層１０５を形成する有機半導体層工程と、有機半導体層１０５を加熱し、ソース電極１０３及びドレイン電極１０４間に交流電圧を印加するエージング工程とを含む。 - 特許庁

In the stage of a semiconductor wafer, the power MOSFET forms a source terminal layer, a gate terminal layer and a drain terminal layer by a process for separating a terminal board, and a method for depositing electrode layers on the source electrode, the gate electrode and the drain electrode.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴは、半導体ウエハの段階で、端子板を分離する工程、またはソース電極、ゲート電極、ドレイン電極に金属層を蒸着する方法によって、ソース端子層、ゲート端子層、ドレイン端子層を形成する。 - 特許庁

To resolve the problem that conventionally polycrystalline silicon transistor which requires heat treatment process at a high temperature for the formation of source and drain regions, and that it is difficult to form a minute transistor due to diffusion of impurities from the source and drain regions.例文帳に追加

多結晶シリコントランジスタは、ソースおよびドレイン領域の形成のために高温の熱処理工程を必要とし、ソースおよびドレイン領域からの不純物拡散により微細なトランジスタを形成することが困難である。 - 特許庁

To provide a terminal processing method of a coaxial cable for high-speed transmission in which movement of a drain wire is prevented and a joining work in an assembly process is easily carried out.例文帳に追加

ドレイン線の移動を防止し、アセンブル工程における接合作業を容易に行う高速伝送用同軸ケーブルの端末加工方法及を提供する。 - 特許庁

Next, not more than 1,500 mg/L of PAC (polyaluminum chloride) are added to the drain within the pH range of 6 to 10 in a reaction tank 2 to perform the flocculation process.例文帳に追加

次に、反応槽２において、ｐＨ６〜１０の範囲内でＰＡＣを１５００ｍｇ／Ｌ以内の添加量で添加し凝集処理を行う。 - 特許庁

To provide a thin film transistor having improved conductivity of source and drain electrodes while a manufacturing process thereof is simplified, and to provide a method for manufacturing the thin film transistor.例文帳に追加

製造工程を簡略化しつつソース電極及びドレイン電極の導電性を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the drain current can be increased while suppressing the increase in leak current, and to provide a process for fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

ドレイン電流を増大することが可能でリーク電流の増加は低減できる、半導体装置と半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁