「drift current」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

Thus, even when an amplitude change in the deflection current takes place due to temperature drift the amplitude change is suppressed to cause stabilization and the continuity of a displayed video image on a large sized screen consisting of pluralities of CRTs is ensured.例文帳に追加

これにより、温度ドリフトに起因して偏向電流の振幅変化が生じた場合でも、この振幅変化を抑制して安定化を図ることができ、複数のＣＲＴで構成される大型画面上の表示映像の連続性を確保することができる。 - 特許庁

The guide vane can prevent a velocity distribution caused by a drift current generated with the bend pipe of the suction pipe, and can suppress or prevent the noise of the frequency with the vane number times as many as the rotational speed generated thereby.例文帳に追加

この案内翼によって前記吸気管の曲管によって発生する偏流が引き起こす流速分布の発生を防止することができ、これによって発生する回転数の翼枚数倍の周波数を持った騒音を抑止又は、防止することができる。 - 特許庁

The temperature compensation signal utilizing the characteristic of the temperature sensing element by the temperature compensation circuit is added on the way to the circuit for amplifying the output voltage out of the Hall element to compensate temperature, and a Hall current detector with very little temperature drift is obtained.例文帳に追加

この温度補償回路によって前記温度感知素子の特性を利用した温度補正信号を、ホール素子からの出力電圧を増幅する回路の途中に加算して温度補償を行い温度ドリフトのきわめて少ないホール電流検出器を得る。 - 特許庁

To provide a vehicle-mounted navigation apparatus capable of reducing the effects of zero-point drift of a 3D gyrosensor when a vehicle comes close to a slope road and determining the current position of the vehicle without any delays in determination on the entrance to the slope road nor confusing users.例文帳に追加

車両が勾配路に差し掛かった際に、３Ｄジャイロセンサの０点ドリフトとの影響を軽減し、勾配路への進入における判定が遅れずにユーザを混乱させることなく車両の現在位置を判定することができる車両用ナビゲーション装置を提供する。 - 特許庁

Both the reverse leak current and the on voltage are reduced by bringing a partial region at an exposed part of an n^- drift region 1 between p-base regions 3 of a reverse block IGBT, and a partial region of an emitter electrode 10 into Schottky contact (Schottky junction 11).例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴのｐベース領域３に挟まれたｎ^- ドリフト領域１の露出した箇所の一部領域とエミッタ電極１０の一部領域をショットキー接触（ショットキー接合１１）させることで、逆漏れ電流とオン電圧を共に低減することができる。 - 特許庁

At least one of n drift 22a and a p partition 22b, for example, the p partition 22b in which a current flows in an on-state while being depleted in an off-state is formed by ion implantation, more particularly, by ion implantation in which an accelerating voltage is continuously changed.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive device having a wide range of application and high energy efficiency, resistant to drift of a ship by wind, water stream, or tidal current when anchoring the ship on-water, capable of anchoring the ship at an arbitrary position, and enabling a ship operator to finely move the ship to a designated position.例文帳に追加

水上で船を停泊させるとき、風や水流または潮流によって船が流されるのを防止し任意の位置に停泊させることができ、且つ操船者が希望する位置に船を微細に移動もできる、安価で適用範囲が広くエネルギー効率のすぐれた装置の提供。 - 特許庁

Therefore, since an electric field intensity of an opening neighborhood of the trench 11 is almost equal to an electric field intensity of a bottom neighborhood of the trench 11, a current path for the n-drift region 3 becomes shorter, and as a result, increase of an ON-voltage can be suppressed even when a device is driven with a high withstand voltage.例文帳に追加

これによって、トレンチ１１の開口部近傍の電界強度と、トレンチ１１の底部近傍の電界強度と、がほぼ同等となるため、ｎドリフト領域３の電流経路が短くなり、デバイスを高耐圧で駆動する場合にも、オン電圧の増加を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method of control of a wavelength in a light element that performs blanking operation for preventing a wavelength other than a desired wavelength from being output, and suppresses a wavelength drift because of thermal fluctuation caused by a current change in a wavelength change, thereby improving wavelength stability.例文帳に追加

所望の波長以外の波長が出力されるのを防ぐためにブランキング動作をしつつ、波長切り替え時の電流変化に起因する熱変動による波長ドリフトを抑制し、波長安定性を高める光素子の波長制御方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an electromagnetic flowmeter for an open waterway receiving no influence of a drift current (flow speed distribution nonuniformity) and a vortex by bent pipe members installed on the upstream side in the electromagnetic flowmeter for the open waterway for measuring a discharging flow rate of the open waterway having a dam.例文帳に追加

堰を有する開水路の放流流量測定のための開水路用電磁流量計において、その上流側に取り付けられた曲がり管部材による偏流（流速分布不均一）や渦の影響を受けない開水路用電磁流量計を実現する。 - 特許庁

In this manufacturing method, in an on-state, a current flows, and in an off-state, at least one of a depleting n drift region 22a and p partition region 22b, for example, the p partition region 22b is formed with ion implantation, in particular, ion implantation in which an accelerating voltage continuously changes.例文帳に追加

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化するｎドリフト領域２２ａ、ｐ仕切り領域２２ｂのうち少なくとも一方、例えばｐ仕切り領域２２ｂを、イオン注入、特に加速電圧を連続的に変えたイオン注入で形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a second parallel p-n structure as a voltage withstand structure section even around a drift section which is a first parallel p-n structure and can be increased further in withstand voltage and electric current by relieving the surface electric field of the voltage withstand structure.例文帳に追加

第１の並列ｐｎ構造であるドリフト部の周りにも耐圧構造部として第２の並列ｐｎ構造を有する半導体装置において、耐圧構造部での表面電界を緩和することにより、高耐圧化及び大電流化を一層図り得る半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a method of controlling a wavelength-variable laser array element for improving wavelength stability, by suppressing a wavelength drift because of thermal fluctuation caused by a current change in a wavelength change, without adding any special structure, even if an interval of the wavelength-variable laser array is relatively wide.例文帳に追加

波長可変レーザアレイの間隔が比較的広い場合においても、特別な構造を付加することなく、波長切り替え時の電流変化に起因する熱変動による波長ドリフトを抑制し、波長安定性を高める波長可変レーザアレイ素子の制御方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an apparatus for treating an exhaust gas enhancing absorption performance by performing so as not to cause channeling (blow by) locally due to a drift current of the gas inside an absorption column by dispersing a liquid droplet without causing the deviation even if the flow rate of the exhaust gas is increased.例文帳に追加

排ガスの流速を上げても液滴の偏りを生じることなく分散し、吸収塔内のガス偏流により局所的にチャネリング（吹き抜け）が生じたりしないようにして、吸収性能を向上させるようにした排ガス処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In spite of having a simple structure in which two constant current sources are provided, two constant resistances are connected in series and a switch for switching the constant current is provided, a highly accurate resistance value (measured value of a temperature sensor) with small errors can be measured, and the occurrence of the component failure and the drift can be detected by internally having the failure detection part.例文帳に追加

２個の定電流源を備え、２個のレファレンス用の定抵抗を直列に接続するとともに、定電流を切り換えるスイッチを設けたという簡単な構造でありながら、誤差の少ない高精度な抵抗値（温度センサの測定値）を計測することができるとともに、内部的に故障検出部を備えることにより、部品故障やドリフトの発生を検出することができる。 - 特許庁

The detection precision of the air flow rate can be heighten by decreasing the temperature drift of the differential amplifier Da, because the output level of the differential amplifier Da can follow the fluctuation of the emitter voltage of a transistor Ta for current control, even the offset voltage of the differential amplifier Da is set zero.例文帳に追加

また、差動増幅器Ｄａの入力オフセット電圧をゼロに設定しても、電流制御用トランジスタＴａのエミッタ電位の変動に対して差動増幅器Ｄａの出力レベルが追従可能であるため、差動増幅器Ｄａの温度ドリフトを小さくして空気流量の検出精度を高めることができる。 - 特許庁

The current amplification rate (HFE) is measured while using an emitter electrode 16 of the IGBT 1 as a collector terminal C1 of the PNP transistor 30, an EQR (equipotential ring) 20 connected to the drift layer 11 of the IGBT 1 as a base terminal of the PNP transistor 30, and a collector electrode of the IGBT as an emitter terminal E1 of the PNP transistor 30.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１のエミッタ電極１６をＰＮＰトランジスタ３０のコレクタ端子Ｃ１とし、ＩＧＢＴ１のドリフト層１１に接続されるＥＱＲ２０をＰＮＰトランジスタ３０のベース端子とし、ＩＧＢＴのコレクタ端子をＰＮＰトランジスタ３０のエミッタ端子Ｅ１として電流増幅率（ＨＦＥ）を測定する。 - 特許庁

By providing a working electrode 2 having a conductive DLC film containing 10-40 atomic% of hydrogen and 30-85 atomic% of carbon, the surface is smoother than that of a conventional electrode and as the result the residual current in the electrochemical sensor 1 is small and thus the drift of an electric signal is controlled.例文帳に追加

１０〜４０原子％の水素と３０〜８５原子％の炭素とを含む導電性のＤＬＣ膜を有する作用電極２を備えることで従来の電極と比較して平滑な表面を有しており、その結果電気化学センサ１においては残余電流が小さいことから、電気信号のドリフトが抑制される。 - 特許庁

When a frequency drift is detected, a charge pump circuit 45 minimizes the value of a current supplied to an integrator 46 to make slow the control speed of a varicap control voltage controlling a local oscillator 26, so AFC can be performed even for the narrow-band and low-bit-rate satellite signal, and a data error in program reception can be suppressed.例文帳に追加

周波数ドリフトが検出されると、チャージポンプ回路４５が、積分器４６に供給する電流値を最小にして、局部発振器２６を制御するバリキャップ制御電圧の制御速度を低速にするので、狭帯域で、かつ、低ビットレートの衛星信号に対してもAFCを実行することが可能となり、番組受信中のデータエラーを抑制することができる。 - 特許庁

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加

一対の主電極（エミッタ・コレクタ電極）と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極３２を備えているＩＧＢＴ(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域２８とドリフト領域２６の接合界面よりボディ領域２８側にｎ型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

Thereafter, when the diode element region is switched into an off-state, and an IGBT element region of any of the plurality of semiconductor devices is turned on, the carrier attenuation region is brought into a state without being depleted, and carriers present in the drift region are attenuated by the carrier attenuation region, and thereby a reverse recovery current in the diode element region is suppressed.例文帳に追加

この後、ダイオード素子領域をオフ状態に切り換え、複数の半導体装置のうちのいずれかのＩＧＢＴ素子領域をターンオンする場合には、キャリア減衰領域が空乏化されていない状態になり、ドリフト領域内に存在するキャリアが、このキャリア減衰領域によって減衰されるため、ダイオード素子領域の逆回復電流が抑制される。 - 特許庁