「embedded type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type impurity embedded region 2 that becomes a collector region, an n-type epitaxial layer 3, and an element separation region 4 using an insulating film are formed.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１上にコレクタ領域となるｎ型不純物埋込み領域２と、ｎ型エピタキシャル層３と、絶縁膜を用いた素子分離領域４を形成する。 - 特許庁

A p-type well layer 14 is formed partially on the upper surface of an n^--type embedded layer 11 in an n^--layer 12 on a part enclosed by a p-type separation layer 13.例文帳に追加

ｐ型ウェル層１４は、ｐ型分離層１３によって取り囲まれた部分のｎ^-層１２内において、ｎ型埋め込み層１１の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

This device comprises a first N-type epitaxial growth layer 112 on an N-type substrate 110, a P-type embedded layer 14 on the upper part of the layer 112 and further a second N-type epitaxial growth layer 116 over the l layer 114.例文帳に追加

Ｎ型基板１１０上に第１のＮ−型エピタキシャル成長層１１２を有し、この上層にＰ型埋め込み層１１４を有し、その上層に第２のＮ−型エピタキシャル成長層１１６を有する。 - 特許庁

A plurality of stripe shape grooves 5 are formed at a p-type base layer 4 side which has a p-type emitter layer 3, a n-type base layer 1 and a p-type base layer 4, and an insulated gate electrode 7 is embedded/formed in the groove 5.例文帳に追加

ｐ型エミッタ層３，ｎ型ベース層１，ｐ型ベース層４を持つｐ型ベース層４側に複数のストライプ状の溝５が形成され、この溝５に絶縁ゲート電極７が埋込み形成される。 - 特許庁

A plurality of striped grooves 5 are formed on the side of an n-type base layer 4 having a p-type emitter layer 3, an n-type base layer 1 and a p-type base layer 4, and an insulated gate electrode 7 is embedded and formed in the grooves 5.例文帳に追加

ｐ型エミッタ層３，ｎ型ベース層１，ｐ型ベース層４を持つｐ型ベース層４側に複数のストライプ状の溝５が形成され、この溝５に絶縁ゲート電極７が埋込み形成される。 - 特許庁

To provide an inner rotation type motor equipped with a permanent magnet embedded type rotor, for suppressing stress generated at a bridge while the rotor is rotating.例文帳に追加

永久磁石埋め込み型の回転子を備えた内転型の電動機において、回転子の回転時にブリッジに発生する応力を低減する。 - 特許庁

An embedded photodiode 14 and a p-type well region 15 are formed in the surface region of a surface part 11b of the n-type substrate 11.例文帳に追加

たとえば、Ｎ型基板１１の表面部１１ｂの表面領域には、埋め込みフォトダイオード１４およびＰ型ウェル領域１５が形成されている。 - 特許庁

A p-type cap layer 23 is formed on the stripe part, and an n-type AlGaAs embedded layer 24 is formed on parts other than the stripe part.例文帳に追加

ストライプ部上にはｐ型キャップ層２３が形成され、ストライプ部以外の部分の上にはｎ形ＡｌＧａＡｓ埋め込み層２４が形成されている。 - 特許庁

An embedded oxide film (element isolation) 3 is formed by permitting it to penetrate the n-type epitaxial growth layer 2 from the surface of the same into the n^+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル成長層２の表面からこれを貫通し、Ｎ^+型シリコン基板１にくい込んで埋込酸化膜(素子分離)３が形成されている。 - 特許庁

The ceiling embedded type or ceiling suspension type air conditioner is provided with an adsorption part 325, an activated species producing part 31, and air conditioning parts 23 and 73.例文帳に追加

天井埋設型または天井吊下型の空気調和装置は、吸着部３２５、活性種生成部３１、および空気調和部２３，７３を備える。 - 特許庁

To provide a method for suppressing noise although a partition plate of a piping connection section is removed in a ceiling-embedded type or ceiling- hung type air conditioner.例文帳に追加

天井埋設型または天井吊下型の空気調和機において、配管接続部の仕切板を削除しても、騒音が増加しないようにする。 - 特許庁

To provide a ceiling mounted air conditioner capable of adapting to both of a ceiling embedded-type configuration and a ceiling hanging-type configuration.例文帳に追加

天井埋込型の形態及び天井吊下型の形態の両方に対応することが可能な天井設置型の空気調和装置を提供する。 - 特許庁

To keep a relative distance between a centrifugal air blower and a bell-mouth at a predetermined value, in a ceilling-embedded type on ceilling- hung type air conditioner.例文帳に追加

天井埋設型または天井吊下型の空気調和機において、遠心送風機とベルマウスとの相対距離が所定の値に保たれるようにする。 - 特許庁

In this method, wherein a conductive type embedded layer 19, at least the part of which reaches to the surface of a layer 12, is formed in a conductive type semiconductor region, the embedded layer 19 is formed by implanting conductive type ions into the embedded layer 19 through the opening part of an implanting mask having a tapered edge.例文帳に追加

一方の導電型の半導体領域内に、少なくとも一部が表面に達している他方の導電型の埋込層を形成する方法において、前記埋込層を、前記領域に前記他方の導電型のイオンビームを、テーパ状のエッジを有する打ち込みマスクの開口部を通して打ち込むことにより形成するようにして解決される。 - 特許庁

The source and drain of the memory cell are constituted by an inverting layer (local data line) formed in a p-type well 3 at the lower part of the embedded gate 8 when a positive voltage is applied to the embedded gate 8.例文帳に追加

メモリセルのソース、ドレインは、埋め込みゲート８に正の電圧を印加した時に、埋め込みゲート８の下部のｐ型ウエル３に形成される反転層（ローカルデータ線）によって構成される。 - 特許庁

An embedded gate electrode 3 is embedded in an oxide film 2, so that the film thickness of amorphous Si 5 can be fixed at carrying out excimer laser irradiation, for forming a reverse staggered-type transistor.例文帳に追加

逆スタガ型のトランジスタ形成におけるエキシマレーザー照射の時にアモルファスＳｉ５の膜厚が一定の膜厚になるように、埋め込みゲート電極３を酸化膜２中に埋め込む。 - 特許庁

In a semiconductor device for electrostatic protection in a two-way SCR structure formed on an SOI substrate, an embedded n^+-type region 12 is formed on an embedded insulating film 11, and an anode p-type region 20 and a cathode p-type region 21 comprise extension regions 20a, 21a.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成された双方向型ＳＣＲ構造の静電気保護用半導体装置において、埋め込み絶縁膜１１上に埋め込みｎ^+ 型領域１２を形成し、アノードｐ型領域２０、カソードｐ型領域２１は、延長領域２０ａ、２１ａを備えている。 - 特許庁

A recess type connector 26 made of a resin is embedded in a segment main body and a ring joining end face on one side of this segment main body in the central direction of lining, while a projection type connector made of a resin which fits in with the recess type connector 26 is embedded in a piece joining end face on the other side.例文帳に追加

セグメント本体と、このセグメント本体の覆工中心方向の一方のリング間接合端面に樹脂製の凹形連結具２６を埋設し、他方のピース間接合端面に凹形連結具２６に嵌り合う樹脂製の凸形連結具を埋設する。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

An exchangeable anchor of a throwing type is embedded into a through-hole of the spectacle lens and the frame parts are fixed to this anchor.例文帳に追加

眼鏡レンズの貫通孔に、投げ込み式の交換可能なアンカーを埋め込み、当該アンカーに枠部品を固定する。 - 特許庁

An embedded gate layer 15 made of a p-type group III nitride semiconductor is provided on second to fourth areas 27d to 27f.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体からなる埋め込みゲート層１５は第２〜第４のエリア２７ｄ〜２７ｆ上に設けられる。 - 特許庁

The device includes a pulse generator, a lead, a sensor, and a controller, in each of various embodiments of an embedded type device.例文帳に追加

埋め込み型装置の種々の実施形態において、装置は、パルス発生器と、リードと、センサと、制御装置とを含む。 - 特許庁

To provide a controller for controlling an embedded permanent magnet type synchronous motor to stably operate at a low speed even under a heavy load.例文帳に追加

埋込磁石形同期電動機を低速、重負荷時においても安定に運転可能な制御装置を提供する。 - 特許庁

Paper type information is embedded in the created color conversion profile conforming to a predetermined rule (step S12).例文帳に追加

そして、作成された色変換プロファイルに予め定められた規則に則って紙種情報を埋め込む（ステップＳ１２）。 - 特許庁

To provide technology to solve problems in forming a semiconductor embedded region of a p-type MOS transistor.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳトランジスタの半導体埋め込み領域形成に付随する不具合が抑制される技術を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF EMBEDDED TYPE SOFT MOLD FOR FORMING BULKHEAD OF PLASMA DISPLAY PANEL AND FORMING METHOD OF BULKHEAD UTILIZING THE SAME例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの隔壁形成用埋め込み型ソフトモールド製造方法及びそれを利用した隔壁形成方法 - 特許庁

When employing the rotating machine 1 of an embedded magnet type, the axial hole 26 of the rotor 20 serves as a permanent magnet installation hole.例文帳に追加

また、埋込磁石式の回転機１の場合は、回転子２０の軸方向孔２６を、永久磁石取付孔とする。 - 特許庁

In a so-called ceiling embedded cassette type indoor unit 10, a heat insulator 46 made of a foamed styrol is provided in a casing 20.例文帳に追加

いわゆる天井埋込カセット型の室内機（10）では、ケーシング（20）内に発泡スチロール製の断熱材（46）が設けられる。 - 特許庁

The embedded semiconductor region 24 is n-type gallium nitride (GaN) electrically insulated from a surrounding semiconductor region.例文帳に追加

埋込み半導体領域２４は、ｎ型の窒化ガリウム（GaN）であり、周囲の半導体領域から電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The metal layer 51 is embedded in a second contact hole 50b to connect the dummy interconnection 52 to the n^+-type region 42.例文帳に追加

メタル層５１は、第２コンタクト孔５０ｂに埋入されてダミー配線５２をｎ^＋型領域４２に接続している。 - 特許庁

To provide an embedded type heat accumulating tank an entire assembly of which can be provided inexpensively and a tank section of which can sufficiently endure an inner pressure (hydraulic pressure).例文帳に追加

全体を安価に提供でき、槽部は内圧（水圧）に充分に耐え得る埋設型蓄熱槽を提供する。 - 特許庁

This type of the housing 11 has a low manufacturing cost compared to an insert molding in which a plurality of metal plates are embedded in the housing.例文帳に追加

このようなハウジング１１は、複数の金属板をハウジングに埋め込むインサート成形より、製造コストが小さい。 - 特許庁

In the p^- substrate 200, an n^+-embedded layer 20 which is more highly doped than the n-type dopant region 121 is formed.例文帳に追加

ｐ^-基板２００内には、ｎ型不純物領域１２１よりも高濃度のｎ^+埋め込み層２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a blowing out structure for a ceiling embedded type indoor machine unit enabling more comfortable air-conditioning operation.例文帳に追加

より一層快適な空調運転が可能となる天井埋込型室内機ユニットの吹出構造を提供すること。 - 特許庁

Further, in the invention of the surface-type ceramics heater, the heat generation resistor 3 is embedded in an aluminum nitride substrate 4.例文帳に追加

また、面状セラミックスヒーターの発明は、上記抵抗発熱素子３を窒化アルミニウム基材４に埋設したものである。 - 特許庁

Consequently, current which flows in the diodes can be limited by a resistance due to the n-type high-density embedded region.例文帳に追加

これにより、ダイオードに流れる電流をｎ形高濃度埋込み領域による抵抗によって制限することができる。 - 特許庁

An n^+-type embedded impurity region 3 is formed in an interface of the semiconductor substrate 1 and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体基板１と半導体層２との界面にはｎ^+型の埋め込み不純物領域３が形成されている。 - 特許庁

The installation of the steering unit 9 other than the embedded bush member 17 is carried out by an exterior type bush member 20.例文帳に追加

また、この埋込式ブッシュ部材１７以外におけるステアリングユニット９の取り付けは、外付式ブッシュ部材２０にする。 - 特許庁

The embedded layer 15 is made of a non-doped semiconductor material, a p-type semiconductor material with lower p-type impurity concentration than the p-type semiconductor layer 5 or an n-type semiconductor material with n-type impurity concentration of 1×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

In the surface of the semiconductor regions 5, n-type diffusion regions 7 are formed, while between the n-type diffusion regions 7 and an insulation film 2, an n-type high- density embedded region is formed.例文帳に追加

また、半導体領域５の表面にはｎ形拡散領域７を形成すると共に、ｎ形拡散領域７と絶縁膜２との間にはｎ形高濃度埋込み領域を形成する。 - 特許庁

An N type embedded drift layer 5 extending from the surface of an N-type well layer 2 on the bottom of a trench T1 for forming TNDMOS to the inside thereof and connected to a P type body layer 3 is formed.例文帳に追加

ＴＮＤＭＯＳ形成のためのトレンチＴ１の底部のＮ型ウエル層２の表面から内部に延在し、Ｐ型ボディ層３と接続するＮ型埋め込みドリフト層５を形成する。 - 特許庁

In the collector forming part 11, there are formed an N-type buffer region 4 reaching the embedded oxide film 2 from the surface and a P-type collector region 5 formed on the surface of the N-type buffer region 4.例文帳に追加

当該コレクタ形成部１１に、表面から埋め込み酸化膜２に達するＮ型バッファ領域４と、Ｎ型バッファ領域４の表面部に形成されたＰ型コレクタ領域５とが形成される。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device is composed of CMOS comprising a surface channel P-type MOSFET 101 and an embedded channel N-type MOSFET 100 provided with P+type gate electrode.例文帳に追加

Ｐ＋型のゲート電極を備える、表面チャネル型Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１と埋め込みチャネル型Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１００で相補型ＭＯＳを構成し、半導体集積回路装置を構成する。 - 特許庁

A P^+-type embedded layer 11 is formed in an area under the N^+-type drain layer 9 of the MOS transistor by preventing the formation of an N^--type drain layer 11 under the drain layer 9.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのＮ＋型ドレイン層９の下にはＮ−型ドレイン層１１が形成されないようにし、かつＮ＋型ドレイン層９の下の領域にＰ＋型埋め込み層１１を形成した。 - 特許庁