「embedded type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with a trench type element isolation structure wherein no recess develops in the edge part of an embedded oxide film of the trench type element isolation.例文帳に追加

トレンチ型素子分離の埋込酸化膜のエッジ部において、くぼみの発生しないトレンチ型素子分離構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion prevention layer is formed between the p-type semiconductor substrate and the mesa structure part and between the p-type semiconductor substrate and the semi-insulating semiconductor embedded layer.例文帳に追加

拡散防止層は、ｐ型半導体基板とメサ構造部の間、及び、ｐ型半導体基板と半絶縁性半導体埋込層との間に設けられている。 - 特許庁

Since the embedded region has a floating structure, energy bands of the embedded region and one conductivity-type semiconductor layer are flat and the depletion layer is prevented from spreading around the embedded region when a forward direction voltage is applied, and thus, an area of Schottky contact is not impaired.例文帳に追加

埋め込み領域がフローティング構造であるので埋め込み領域と一導電型半導体層のエネルギーバンドはフラットとなり、順方向電圧印加時に埋め込み領域周囲に空乏層が広がることはなく、ショットキー接合面積を損なうことがない。 - 特許庁

After the polysilicon film is planarized, the gate electrode 6 is formed with the polysilicon layer, having embedded the trench 4a and a p^+-type body layer 7 is formed with the polysilicon layer having embedded the trench 4b.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜を平坦化したのち、トレンチ４ａを埋め込んだポリシリコン層によってゲート電極６を形成すると共に、トレンチ４ｂを埋め込んだポリシリコン層によってｐ^+型ボディ層７を形成する。 - 特許庁

A self-light emission type road rack not projected on the flat surface to be flat is embedded in both sides of the flat surface of the speed hump.例文帳に追加

スピードハンプの平面両側に、平面上への突起がないフラットタイプの自発光式道路鋲を埋め込み装着をする。 - 特許庁

A p+-type guard ring 4 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 at the outer peripheral part of the embedded layer 6.例文帳に追加

そして、埋込層６の外周部でエピタキシャル成長層２の表面側にｐ^+ 形のガードリング４が形成されている。 - 特許庁

The inside of a drain pan 32 of a ceiling-embedded type air conditioner is filled with water for inspection by using the storage pump 66 of an inspection device 60.例文帳に追加

検査装置６０の揚水ポンプ６６を用いて天井埋込型空調機のドレンパン３２内に検査用水を張り込む。 - 特許庁

THICK-FILM CAPACITOR, EMBEDDED TYPE THICK-FILM CAPACITOR INSIDE PRINTED CIRCUIT BOARD, AND METHODS FOR FORMING THE SAME AND PRINTED CIRCUIT BOARD例文帳に追加

厚膜キャパシタ、プリント回路基板内部の埋め込み型厚膜キャパシタ、および該キャパシタおよびプリント回路基板を形成する方法 - 特許庁

To facilitate design changes and function additions in a wall embedded type switching device without requiring hardware modification.例文帳に追加

壁埋め込み型のスイッチ装置において、ハードウェアの変更を必要とすることなく、意匠の変更および機能の追加を容易にする。 - 特許庁

A carrier signal is supplied to a modulator 11 and is phase- modulated, according to the output of a in-body embedded type minute device.例文帳に追加

キャリア信号は、変調器１１に供給され、体内埋込型微小機器の出力に応じた位相変調が行われる。 - 特許庁

The embedded electronic circuit type battery includes a battery unit, a control circuit layer, and a package, and the battery unit is manufactured by a method for manufacturing a printed circuit board.例文帳に追加

電池ユニット、制御回路層とパッケージ物を包含し、電池ユニットはプリント回路板製造工程により製造される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an embedded type chip with a plurality of dies in a stack array improved in electric interconnecting performance.例文帳に追加

電気相互接続性能を向上させたスタック式配列での複数ダイの埋め込み型チップの製作方法を提供する。 - 特許庁

Or a bone conductive microphone unit is embedded in the inserting part 1 and constituted to a bone conductive microphone and bone conductive speaker integrated type.例文帳に追加

また、前記挿入部１に骨導マイクユニットを埋設して、骨導マイク・骨導スピ−カ一体型に構成することもある。 - 特許庁

To provide an embedded type beacon light in which a lamp body can be removed smoothly from an adjust ring or a base.例文帳に追加

灯体を調整リングまたは基台から円滑に取り外すことができる埋込型標識灯を提供することである。 - 特許庁

To provide a ceiling embedded type air conditioner can easily dispose of drainage and prevent leakage of the drainage to indoors.例文帳に追加

ドレン水の処理に手間がかからず、ドレン水が室内に漏れるのを防止できる天井埋込形空気調和機を提供する。 - 特許庁

Into a fixing recess part 8 provided to a support block 2, a base 1c of a tuning fork type vibrator 1 is embedded and fixed with an adhesive 7.例文帳に追加

支持ブロック２に設けた取付凹部８に音叉型振動子１の基部１ｃを埋設して接着剤７により固定した。 - 特許庁

Each n-type and p-type MIS forming region A and B on a semiconductor substrate 12 is electrically separated by an insulating and separating film 16 embedded within a trench 15, and an n-type and a p-type MISFETs 13, 14 are formed in the n-type and p-type MIS forming regions A and B respectively.例文帳に追加

半導体基板１２のｎ型およびｐ型ＭＩＳ形成領域Ａ、Ｂの各領域が、トレンチ１５内に埋め込まれた絶縁分離膜１６により電気的に分離され、ｎ型およびｐ型ＭＩＳ形成領域Ａ、Ｂにｎ型およびｐ型ＭＩＳＦＥＴ１３、１４がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

In a power MOSFET, having a p+-type embedded layer 9 in an n--type drift layer 1, a p+-type carrier injection layer 10 connected to a second gate electrode 11 is formed at the side of a p-type base layer 4 to inject holes into the n--type drift layer 1 from the p+-type carrier injection layer 10 at turning on.例文帳に追加

ｎ−型ドリフト層１中にｐ＋型埋込み層９を有するパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ｐ型ベース層４の側方に第２のゲート電極１１に接続されたｐ＋型キャリア注入層１０を設け、ターンオン動作時にｐ＋型キャリア注入層１０からホール（正孔）をｎ−型ドリフト層１中に注入する。 - 特許庁

To reduce the series resistance of a differential voltage controlled variable capacitor, a p-type electrode embedded on an n-type semiconductor 25 is divided into a first p-type electrode 3 and a second p-type electrode 9 and they are made compact.例文帳に追加

差動型電圧制御可変容量の直列抵抗を低減するため、Ｎ形半導体２５上に埋め込まれたＰ型電極を、第１Ｐ型電極３と第２Ｐ型電極９として複数個に分割して形成し、かつ小型化する。 - 特許庁

The recess type connector 26 is constituted of a female type tubular part 28 and an anchor part 29 formed integrally in the rear part of the female type tubular part 28, and it is embedded with the fore end of the female type tubular part 28 opened in the ring joining end face on one side.例文帳に追加

凹形連結具２６は雌形筒部２８と、この雌形筒部２８の後部に一体に形成しているアンカー部２９とで構成して、一方のリング間接合端面に雌形筒部２８の先端を開口させて埋設する。 - 特許庁

A P-type well 3 is provided at an upper part of an N-type substrate 2, an embedded photodiode 6 and an electric charge detection part 7 are provided in the P-type well 3, and the P-type well 3 at a lower part of the electric charge detection part 7 is completely depleted.例文帳に追加

Ｎ型基板２の上部にＰ型ウエル３が設けられ、Ｐ型ウエル３内に埋め込みフォトダイオード６および電荷検出部７が設けられており、電荷検出部７の下方のＰ型ウエル３は完全に空乏化されている。 - 特許庁

In a second region adjacent to the first region, a floating gate 10 insulated from the n+ type drain layer 3, the p-type semiconductor layer 4 and the n+ type source layer 5, and formed on the embedded oxidized layer 2 is formed.例文帳に追加

第１領域に隣接する第２領域には、ｎ＋型ドレイン層３、ｐ型半導体層４及びｎ＋型ソース層５と絶縁分離され、埋め込み酸化層２の上に形成されるフローティングゲート１０が形成される。 - 特許庁

A method of forming the sensor has a step of forming a first-type epitaxial layer 3 on a first-type semiconductor substrate 1, and a step of forming an embedded barrier layer 5 in the first-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

このセンサを形成する方法は、第１型の半導体基板上に第１型のエピタキシャル層を形成する段階と前記第１型のエピタキシャル層内に埋没バリヤ層を形成する段階とを具備する。 - 特許庁

An n^+-layer 15 is formed partially on the upper surface of the n-type embedded layer 11 while enclosing the p-type well layer 14 in the n^--layer 12 on the part enclosed by the p-type separation layer 13.例文帳に追加

ｎ^+層１５は、ｐ型分離層１３によって取り囲まれた部分のｎ^-層１２内において、ｐ型ウェル層１４を取り囲んで、ｎ型埋め込み層１１の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁

On a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11, a charge transmission path 13, floating diffusion region 14 composed of an n-type impurity region, n-type embedded region 16 and resetting drain region 15 are formed.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

Characteristics of this tire are that it possesses belt layers and belt-reinforcing layers arranged outside the belt layers in the radial direction of the tire, that cords embedded in the belt layers consist of polyester-type monofilament cords, and that the cords embedded in the belt-reinforcing layers consisting of polyester-type twisted cords.例文帳に追加

ベルト層及び、該ベルト層のタイヤ半径方向外側に配設されたベルト補強層を有し、該ベルト層に埋設されたコードがポリエステル系モノフィラメントコードからなり、かつ、該ベルト補強層に埋設されたコードがポリエステル系撚りコードからなることを特徴とするタイヤ。 - 特許庁

A PN junction diode 22 which comprises an N type impurity diffusion region 21 and a P type semiconductor support substrate 11 by which padding formation is carried out after this embedded insulating film 12 has dissociated electrically SOI layer 13 is formed at a portion which is in the P type semiconductor support substrate 11, and touches the embedded insulating film 12.例文帳に追加

Ｐ型の半導体支持基板１１にあって埋込絶縁膜１２に接する部位に、該埋込絶縁膜１２によってＳＯＩ層１３とは電気的に分離された状態で埋め込み形成されるＮ型の不純物拡散領域２１とＰ型の半導体支持基板１１とからなるＰＮ接合ダイオード２２を形成した。 - 特許庁

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

An embedded layer 103 composed of n-type SiC is formed in the low concentration layer 102 so as to make contact with the high concentration layer 101.例文帳に追加

低濃度層１０２内には、高濃度層１０１と接するように、ｎ型ＳｉＣからなる埋め込み層１０３が形成されている。 - 特許庁

A non-contact type IC tag 2 is affixed to or embedded in a packaging paper 1 to package a plurality of the paper sheets in a stacked state.例文帳に追加

複数枚の用紙を積層した状態で包装するための包装紙１に、非接触ＩＣタグ２を貼付または埋め込む。 - 特許庁

To provide a ceiling-embedded type air conditioner capable of accurately measuring an air temperature while preventing a user from directly touching a temperature sensor.例文帳に追加

ユーザが温度センサに直接触れるのを防止しつつ、正確な気温を測定できる天井埋込型空気調和機を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure in which a high-concentration impurity diffusion layer 9 is embedded in a polysilicon film as a gate electrode of the groove type transistor.例文帳に追加

溝型トランジスタのゲート電極であるポリシリコン膜中に高濃度不純物拡散材料９が埋設された構造を有する。 - 特許庁

The embedded oxide film (element isolation) 3 is formed to be positioned at the bottom of a base lead high concentration layer (p^+-type) 5 formed later.例文帳に追加

この埋込酸化膜(素子分離)３は、後に形成されるベース引出し高濃度層(Ｐ+型)５の底部に位置するように形成される。 - 特許庁

Anchor information to the dynamic pages is noted and embedded in the Web page groups with the URL of the type not accompanying the argument notation.例文帳に追加

これらウェブページ群には動的ページへのアンカー情報が引数表示を伴わない形式のＵＲＬで表記され埋め込まれている。 - 特許庁

The ceiling-embedded duct package air conditioner is arranged in an upper layer space, and first to fourth motor driving type switching dampers are connected in front and behind.例文帳に追加

上層空間内に天埋ダクト形パッケージエアコンが配置され、前後に第１〜第４のモータ駆動式切替ダンパが接続されている。 - 特許庁

To provide a connection structure for a duct capable of improving work efficiency in installation of a ceiling suspended/embedded type fan coil unit.例文帳に追加

天井吊り埋込み型ファンコイルユニットの設置に際し、作業効率の向上を図ることのできるダクトの接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a computer system capable of utilizing a RISC type microprocessor architecture which can be embedded in a single VLSIC semiconductor chip.例文帳に追加

単一のＶＬＳＩＣ半導体チップに実装可能なＲＩＳＣ型マイクロプロセッサ・アーキテクチャを採用できるコンピュータシステムを提供する。 - 特許庁

To obtain an indoor embedded type heat source machine efficiently discharging drain water collected in a drain pan provided on a thin and compact case body.例文帳に追加

薄型かつコンパクトな筐体のドレンパンに溜まったドレン水を効率的に排水できる屋内埋込型熱源機を得ることにある。 - 特許庁

To provide an embedded type optical repeater in which the drawing out length of an optical cable from a wall face is easily adjustable in a house.例文帳に追加

壁面からの光ケーブルの引き出し長さを宅内で容易に調整可能とする埋め込み型光中継器を提供すること。 - 特許庁

There are a plurality of second-conductivity separation p-type layers 3b that are embedded inside the lower epitaxial layer of the anode electrode.例文帳に追加

アノード電極の下方のエピタキシャル層の内部に埋め込まれた、複数の第二導電型の離間埋め込みｐ型層３ｂを備える。 - 特許庁

The embedded magnet type motor comprises a rotor 2 in which a plurality of the V-shaped permanent magnets 12 are arranged in the rotor core 11 in the circumferential direction.例文帳に追加

埋込磁石型モータは、ロータコア１１の内部にＶ字永久磁石１２が周方向に複数配設されたロータ２を備える。 - 特許庁

To obtain a low noise rotor by reducing harmonics of magnetic flux density on the rotor surface of a permanent magnet embedded type rotor.例文帳に追加

永久磁石埋め込み型回転子の回転子表面の磁束密度の高調波成分を低減し低騒音な回転子を得る。 - 特許庁

It is known that the pattern of a watermark type is embedded in an image sequence to be displayed in order to interfere with the copy of a photographed image.例文帳に追加

撮影による画像のコピーに対抗するため、ワータマークタイプのパターンを表示されるべき画像系列にはめ込むことが知られている。 - 特許庁

For the chip type electronic component, with which internal electrodes 12a, 12b and 12c are embedded inside a laminate 11, having valid and invalid layers and plural reinforcing layers 14 are provided, so as to sandwich the internal electrodes 12a, 12b and 12c.例文帳に追加

有効層と無効層を有する積層体１１の内部に内部電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃを埋設すると共に。 - 特許庁

To carry out the inspection of the drain discharging means of a ceiling-embedded type air conditioner efficiently in the relatively early period of the construction process of a building.例文帳に追加

天井埋込型空調機のドレン排出手段の検査を建物の建設工程の比較的早い時期に能率よく実施する。 - 特許庁