「f-element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A reverse F element 1 and a half wavelength element 2 and a non-power feeding element 3 are arranged in the upper end part of a bottom board 4.例文帳に追加

地板４の上端部に逆Ｆ素子１、半波長素子２及び無給電素子３を配置する。 - 特許庁

Each semiconductor element 15 is removed from the supporting substrate 13 (f).例文帳に追加

次いで、支持基板１３から各半導体素子１５を剥離する（ｆ）。 - 特許庁

An ECU 40 detects an element impedance of the A/F sensor 16.例文帳に追加

ＥＣＵ４０は、Ａ／Ｆセンサ１６の素子インピーダンスを検出する。 - 特許庁

The carrier system F has mainly the carrier element 13 and/or a primary heating device P for the carrier system F.例文帳に追加

搬送システムＦは、主に搬送要素１３及び／又は搬送システムＦ用の一次加熱装置Ｐを有する。 - 特許庁

To obtain a desired resonance frequency even though the length of a radiating element is short in an inverted F-shaped antenna element comprising the radiating element and a short-circuit element.例文帳に追加

放射素子と短絡素子とからなる逆Ｆ形のアンテナ素子において、放射素子長が短くても所望の共振周波数を得る。 - 特許庁

An antenna 100 includes a ground element 113, an inverted L type radiation element 109, an excitation element 107, and an inverted F type radiation element 111.例文帳に追加

アンテナ１００は、グランド素子１１３と逆Ｌ型の放射素子１０９と励振素子１０７と逆Ｆ型の放射素子１１１を含む。 - 特許庁

In the inverted F-shaped antenna element comprising the radiating element 3 and the short-circuit element 4, an inductor 5 is loaded at a branching point between the radiating element 3 and the short-circuit element 4.例文帳に追加

放射素子３と短絡素子４とからなる逆Ｆ形のアンテナ素子において、放射素子３と短絡素子４との分岐点にインダクタ５が装荷されている。 - 特許庁

Since the formed dimension of each resonator element F will thereby not easily fluctuate, the center frequency among each resonator element F will not easily fluctuate.例文帳に追加

これにより、各共振器素子Ｆの形成寸法がばらつきにくくなるため、各共振器素子Ｆ間において中心周波数がばらつきにくくなる。 - 特許庁

"f(t)" expresses external force received from the stator blade train element of the stator blade train.例文帳に追加

ｆ（ｔ）は静翼列の静翼列要素から受ける外力を示している。 - 特許庁

An N-type first transistor and the fuse element F are mutually connected in series.例文帳に追加

Ｎ型の第１トランジスタとフューズ素子Ｆが互いに直列接続されている。 - 特許庁

The polarizing layer 55 is formed on the light emission side F of the display element substrate 50.例文帳に追加

表示素子基板５０の光出射側Ｆに偏光層５５を形成する。 - 特許庁

The heater for changing the element into the activated state is attached to the sensor element constituting the A/F sensor 21.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサ２１を構成するセンサ素子には、当該素子を活性状態とするヒータが付設されている。 - 特許庁

The key processing unit k1, key processing unit ka generate an element g1=F(g,x) and an element ga=F(ga-1, xa) on a residue field G and the elements are fed sequentially to other device.例文帳に追加

鍵処理装置ｋ_1、鍵処理装置ｋ_aは剰余体Ｇ上の元ｇ_1＝Ｆ（ｇ，ｘ_1）、元ｇ_a＝Ｆ（ｇ_a-1，ｘ_a）を生成し、これらの元は順次他装置に供給される。 - 特許庁

A reverse F antenna element is represented by a code 3 and resonates with λb.例文帳に追加

符号３を付して示したのは逆Ｆアンテナエレメントであって、λｂで共振する。 - 特許庁

The antenna unit is provided with an inverted F-shaped antenna element with a feeding point and a ground connection point and a parasitic antenna element provided in order to resonate with the inverted F-shaped antenna element by electrostatic coupling.例文帳に追加

アンテナユニットは、給電点及びグランド接続点が設けられた逆Ｆ型アンテナ素子と、逆Ｆ型アンテナ素子と静電結合により共振するべく設けられた無給電アンテナ素子とを備える。 - 特許庁

A part of a reverse-F antenna element made up of a flat element 1 and a flat element 2 is connected electrically through a short-circuiting part 3 to a grounding plate 6.例文帳に追加

板状素子１及び板状素子２からなる逆Ｆアンテナ素子の一部が短絡部３によって地板６に電気的に接地される。 - 特許庁

The bearing housing 12 is formed with a space part 20 for dispersing a rolling element load (f) by the radial load F in the width direction.例文帳に追加

軸受ハウジング１２には、ラジアル荷重Ｆによる転動体荷重ｆを幅方向に分散させるための空間部２０を形成する。 - 特許庁

A sensor control circuit 30 is connected to a sensor element 10 forming an A/F sensor.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサを構成するセンサ素子１０にはセンサ制御回路３０が接続されている。 - 特許庁

A rotor blade element of the rotor blade train 2 is indicated by an equation of motion: A-f(t)=0.例文帳に追加

動翼列（２）の動翼列要素は、運動方程式：Ａ−ｆ（ｔ）＝０で表される。 - 特許庁

A sensor control circuit 30 is connected to a sensor element 10 constituting an A/F sensor.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサを構成するセンサ素子１０にはセンサ制御回路３０が接続されている。 - 特許庁

The non-power feeding element 3 is arranged in a gap between the reverse F element 1 and the half wavelength element 2 and the length d is set to be close to the almost quarter of the wavelength.例文帳に追加

無給電素子３を、逆Ｆ素子１と半波長素子２との間隙に配置し、その長さｄを波長の約４分の１近傍に設定する。 - 特許庁

An auxiliary light emitting section F is attached to the GaN- based light emitting element having a laminated structure S composed of GaN- based crystalline layers and an element structure containing a light emitting section F in the structure S.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶層からなる積層構造Ｓを有し、該積層構造Ｓに発光部Ｅが含まれた素子構造を有するＧａＮ系発光素子に、副発光部Ｆを付与する。 - 特許庁

And further, this is a polyamide resin composite for a fuse element in which (D) antioxidant, (E) metallic soap system lubricant, and (F) inorganic fiber reinforcement are mixed.例文帳に追加

また、さらに（D）酸化防止剤、（E）金属石けん系滑剤、（F）無機繊維状強化材が配合されているヒューズ素子用ポリアミド樹脂組成物。 - 特許庁

In EDS measurement, correction for inter-element interactions is performed by considering the atomic number, Z, the absorption, A, and fluorescence, F. 例文帳に追加

EDS測定においては、元素間の相互作用に対する補正は、原子番号(Z)、吸収(A)、蛍光(F)を考慮することによって行われる(成し遂げられる)。 - 科学技術論文動詞集

Assuming r as an element on the finite field GF(p^k/2) and f as an element on the finite field GF(p^k) which is calculated by Miller algorithm, calculation is performed using the algorithm in which a calculating amount is less than Miller algorithm for imaging to an element f' on the finite field GF(p^k) which satisfies f'=rf.例文帳に追加

ｒを有限体ＧＦ（ｐ^ｋ／２）上の元、ｆをMillerのアルゴリズムで求められる有限体ＧＦ（ｐ^ｋ）上の元とすると、ｆ’＝ｒｆを満足する有限体ＧＦ（ｐ^ｋ）上の元ｆ’へ写像するMillerアルゴリズムよりも計算量が少ないアルゴリズム用いて計算する。 - 特許庁

An inverted-F plate antenna is configured with: a plate element 1; a ground plate 3; a short-circuit element 4; and feeding sections 5, 6.例文帳に追加

板状素子１、地板３、短絡素子４、給電部５及び給電部６によって板状逆Ｆアンテナが構成される。 - 特許庁

The noise filter F comprises an element 1, and first through sixth terminal electrodes 11-16 formed on the outer surface of the element 1.例文帳に追加

ノイズフィルタＦは、素体１と、素体１の外表面に形成された第１〜第６の端子電極１１〜１６とを備える。 - 特許庁

The first huge magnetoresistance effect element is equipped with a fixed layer P, a spacer layer S and a free layer F.例文帳に追加

第１巨大磁気抵抗効果素子は、固定層Ｐ、スペーサ層Ｓ及びフリー層Ｆを備える。 - 特許庁

The quantum type photoelectric conversion element 1 is connected to an external circuit through connection terminals 3e-f.例文帳に追加

量子型光電変換素子１は接続端子３ｅ〜ｆを介して外部回路に接続される。 - 特許庁

Also the covering membrane may further contain at least ≥1 kind of an element among H, N and F.例文帳に追加

また、被覆膜は、Ｈ、Ｎ、Ｆの内、少なくとも１種類以上の元素をさらに含んでもよい。 - 特許庁

In the cladding region enclosing the core region, an F element is added as a refractive index deterioration agent.例文帳に追加

コア領域を取り囲むクラッド領域は、屈折率低下剤としてＦ元素が添加されている。 - 特許庁

The piezoelectric element 80 is used in a state in which preload F is previsouly applied by the case 81.例文帳に追加

圧電素子８０は、ケース８１によって予めプレロードＦが与えられた状態で使用される。 - 特許庁

The model element Em is constituted of a shell element Es becoming the reference of the calculation of stress in the composite body F, and integration points I1 to I8 of the shell element Es, which correspond to the respective code layers 10 and the rubber layers 11 in the composite body F.例文帳に追加

このモデル要素Ｅｍを、複合体Ｆの応力の計算の基準となるシェル要素Ｅｓと、複合体Ｆの各コード層１０、各ゴム層１１に相応する前記シェル要素Ｅｓの積分点Ｉ１〜Ｉ８とにより構成する。 - 特許庁

In the A/F detection in the engine ECU 20, voltage is applied to the sensor element 10, and an element current that flows following the application of voltage is measured as an A/F output voltage AFO.例文帳に追加

エンジンＥＣＵ２０において、Ａ／Ｆ検出時には、センサ素子１０に電圧が印加されその電圧印加に伴い流れる素子電流がＡ／Ｆ出力電圧ＡＦＯとして計測される。 - 特許庁

The reverse F element 1 and the half wavelength element 2 are constituted by one continuously-connected conductive board, the whole length (a+c) of the reverse F element 1 is set to be nearly the quarter of the wave length of an operation frequency and the whole length L of the half wavelength element 2 is set to be nearly the half of the wavelength.例文帳に追加

逆Ｆ素子１と半波長素子２を連続的に接続された一つの導体板で構成し、逆Ｆ素子１の全長（ａ＋ｃ）を動作周波数の波長の約４分の１に設定し、半波長素子２の全長Ｌを波長の約半分に設定する。 - 特許庁

The piezoelectric element 11 rapidly bends and deforms for power generation when the buckling spring 14 is pressed and buckled through the piezoelectric element 11 by applying an external force F to the piezoelectric element 11 or when the external force F applied to the piezoelectric element 11 is removed to restore the buckling spring 14 to its original shape.例文帳に追加

圧電素子１１は、圧電素子１１に外力Ｆを印加することにより座屈バネ１４が圧電素子１１から押圧されて座屈する際に、および、圧電素子１１に印加されている外力Ｆが取り除かれて座屈バネ１４が元の形状に戻る際に、急峻に屈曲変形して発電する。 - 特許庁

Further, the exhaust temperature is estimated based on the element impedance of the A/F sensor 16 and the generated heat amount of the heater.例文帳に追加

更に、Ａ／Ｆセンサ１６の素子インピーダンスとヒータ発熱量とに基づいて排気温度を推定する。 - 特許庁

A limit current type A/F sensor 10 has a sensor element part 11 using a solid electrolyte.例文帳に追加

限界電流式のＡ／Ｆセンサ１０は、固体電解質を用いたセンサ素子部１１を有している。 - 特許庁

An A/F sensor 30 has a sensor element using a solid electrolyte body, and a heater 39 for heating the sensor element into an active state.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサ３０は、固体電解質体を用いたセンサ素子、並びに該センサ素子を活性状態に加熱するためのヒータ３９を有する。 - 特許庁

An A/F sensor 30 comprises a sensor element 50 using a solid electrolyte, and the sensor element 50 is heated to an activated state by a heater 67.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサ３０は、固体電解質体を用いたセンサ素子５０を具備し、該センサ素子５０がヒータ６７により活性状態に加熱される。 - 特許庁

An MI (magnetic impedance) element 1 is arranged inside an exciting coil 2 and the magnetic flux T of an eddy current from a metallic body F is detected by the MI element 1.例文帳に追加

励磁コイル２の内側にＭＩ素子１を配置し、このＭＩ素子１により金属体Ｆからの渦電流磁束Ｔを検出する。 - 特許庁

A positive voltage Vp1 is applied to a sensor element ((A) in the figure) usually (at the times t0-t1, after the time t3), and the air/fuel ratio A/F is calculated ((C) in the figure)based on a sensor current ((B) in the figure).例文帳に追加

通常（時刻t0〜t1、時刻t3以降）は、センサ素子に正電圧Vp1を印加し（図７（Ａ））、センサ電流（図７（Ｂ））に基づいて空燃比A/Fを算出する（図７（Ｃ））。 - 特許庁

In a text classification processing part 2, when the text F to be classified is input, the feature vector having a similar element as the reference vector is created from the text F.例文帳に追加

テキスト分類処理部２では、分類対象のテキストＦが入力されると、このテキストＦから基準ベクトルと同種の要素を有する特徴ベクトルを生成する。 - 特許庁

The vibration of the magnetization direction F is resonated, when a frequency f_F of the magnetization direction F in a free layer 1A_F of the magnetoresistance effect element 1A is consistent with a frequency f of the alternating current i flowing in the magnetoresistance effect element 1A, and a voltage V increases between output terminals OUTPUT1, OUTPUT2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。 - 特許庁

The convex part 9 is fitted at a position corresponding to a projection element and a light-receiving element 7, as a mark at the time of insertion of the finger F of the operator at a detection area between the projection element and the light receiving element 7.例文帳に追加

凸部９は、投光素子及び受光素子７に対応する位置に設けられており、投光素子及び受光素子７の間の検出領域に操作者の指Ｆを挿入する際の目印となっている。 - 特許庁