「films」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, a gate electrode composed of a polycide film containing the cobalt silicide films 7a, 7b and polycrystalline silicon films 3a, 3b is formed.例文帳に追加

それにより、コバルトシリサイド膜７ａ，７ｂおよび多結晶シリコン膜３ａ，３ｂを含むポリサイド膜からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

On the surfaces of the electrodes 5, plated surface films composed of plated nickel films having thicknesses of ≥0.5 μm are formed.例文帳に追加

電極にはニッケルメッキ膜からなる表面メッキ膜が０．５μｍ以上の厚さに形成されている。 - 特許庁

The double bags are formed by simultaneously cutting the films for upper and lower outside bags 1 and the film for partition 2 interposed between the films for the outside bags 1.例文帳に追加

上下の外袋用フィルム１と外袋用フィルム１の間に介した仕切り用フィルム２とを同時に切断して二重袋を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming electrodeposition coating films with which outside plate coating films for automobiles may be obtained by carrying out electrodeposition coating twice.例文帳に追加

電着塗装を２度行うことにより、自動車用の外板塗膜が得られる電着塗膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The metal films 14 and 15 for electrode formation are gold (Au)/chromium (Cr) films, and the material of the metal foil 13 is platinum (Pt) or tungsten (W).例文帳に追加

電極形成用金属膜１４，１５は銀（Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）膜であり、金属箔１３の材質は白金（Ｐｔ）またはタングステン（Ｗ）である。 - 特許庁

Epitaxial films 6 are formed in the trenches 3 by an epitaxial growing method, and the trenches 3 are filled with epitaxial films 6.例文帳に追加

さらに、エピタキシャル成長法によりトレンチ３内にエピタキシャル膜６を形成してトレンチ３内をエピタキシャル膜６で埋め込む。 - 特許庁

Electrode films 21, 22 are formed on the electroosmosis material 2, and when voltage is applied between the electroosmosis films 21, 22, the liquid is fed.例文帳に追加

電気浸透材２に電極膜２１，２２が成膜され、電極膜２１，２２の間に電圧が印加されると液体が送液される。 - 特許庁

A plurality of film configuration data corresponding to a plurality of assumed multilayer films that are assumed as the multilayer films are stored (S14).例文帳に追加

前記多層膜として想定されうる複数通りの想定多層膜に対応する複数通りの膜構成データが格納される（Ｓ１４）。 - 特許庁

Then cut negative films, print photographs, and a DP bag are collated and the negative films and print photographs are put in the DP bag (step S28).例文帳に追加

その後、カットされたネガフイルムとプリント写真とＤＰ袋とを照合して、ＤＰ袋にネガフイルムとプリント写真を入れる（ステップＳ２８）。 - 特許庁

Oxide films 6 are formed on the inner walls of the trenches 4 and vanadium ion diffusion regions 7 are formed on the periphery of the oxide films 6.例文帳に追加

トレンチ４の内壁面には酸化膜６が形成されるとともに、酸化膜６の外周側にバナジウムイオン拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

The laminate includes a plurality of electrode films laminated along a first axis vertical to the first plane and an interelectrode insulation film between the electrode films.例文帳に追加

積層体は、第１平面に対して垂直な第１軸に沿って積層された複数の電極膜とそれらの間の電極間絶縁膜とを含む。 - 特許庁

Porous oxide films are formed on the surfaces of the base materials of the parts consisting of an aluminum alloy and the films of a iodine compound are formed on their surfaces.例文帳に追加

アルミニウム合金からなる部品基材の表面に多孔質酸化皮膜が形成され、その表面にヨウ素化合物の皮膜が形成されている。 - 特許庁

To provide a method, etc., of forming antireflection films capable of realizing the antireflection films to develop desired refractive indices and exhaustion coefficients.例文帳に追加

所望の屈折率及び消衰係数を発現する反射防止膜を実現できる反射防止膜の形成方法等を提供する。 - 特許庁

Flat polysilicon films 10 are formed as the polysilicon films 7 in sections not etched being covered with photo-resists 8.例文帳に追加

フォトレジスト８で覆われることによってエッチングされなかった部分のポリシリコン膜７として、平板型のポリシリコン膜１０が形成される。 - 特許庁

Intervals, among the plural pairs of electrode films, may be formed wider than intervals among the plural pairs of auxiliary films.例文帳に追加

また複数対の電極膜の間隔は、複数対の補助電極膜の間隔よりも広く形成しても良いものである。 - 特許庁

This invention relates to multilayer films and structures such as greenhouses and agricultural tunnels covered in such films.例文帳に追加

本発明は、多層フィルムならびにかかるフィルムで被覆された温室および農業用トンネルなどの構造物に関する。 - 特許庁

The deodorant molded part includes molded parts such as a powder and granular materials, fibers, coating films, films or sheets, bags, containers or the like.例文帳に追加

消臭性成形品には、粉粒体，繊維，コーティング膜，フィルム又はシート，袋および容器などの成形品が含まれる。 - 特許庁

For a lithium-ion secondary battery 20, two sheets of films 1, 1' having polypropylene (PP) films of a melting layer are used for a battery container.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池２０は、溶着層のＰＰフィルムを有する２枚のフィルム１、１’が電池容器に使用されている。 - 特許庁

A memory laminated body is formed by respectively alternately laminating a plurality of insulation films 15 and electrode films WL on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上にそれぞれ複数の絶縁膜１５及び電極膜ＷＬを交互に積層させてメモリ積層体を形成する。 - 特許庁

The respective dummy films 16 (upper magnetic layers 11) on the different lower electrodes 3 and antiferromagnetic films 8 are connected using upper electrodes 4.例文帳に追加

異なる下部電極3及び反強磁性膜８上の各ダミー膜１６（上磁性層１１）を上部電極４によりそれぞれ接続する。 - 特許庁

The active layer includes at least two chemically distinct crosslinked polyamide films, and the films are crosslinked with each other at an interface.例文帳に追加

活性層は少なくとも２つの化学的に異なる架橋ポリアミド膜を含み、これらの膜は界面で互いに架橋結合する。 - 特許庁

Dielectric films 45 and polycrystalline silicon films 46 are formed on the separated island shaped lower electrodes 48, to form a stacked capacitor cell structure.例文帳に追加

分離された島状の下部電極４８上に誘電体膜４５、多結晶シリコン膜４６を形成して、スタックトキャパシタセル構造を形成する。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor storage device has a plurality of dielectric films GD laminated on a semiconductor SUB and a gate electrode GE on the dielectric films GD.例文帳に追加

半導体ＳＵＢ上に積層された複数の誘電体膜ＧＤと、複数の誘電体膜ＧＤ上のゲート電極ＧＥとを有している。 - 特許庁

Gate insulation films 5a and 5b are formed on the semiconductor layers 3a and 3b, respectively, and a gate electrode material is stacked on the gate insulation films 5a and 5b.例文帳に追加

そして、半導体層３ａ，３ｂ上にゲート絶縁膜５ａ，５ｂを形成し、ゲート絶縁膜５ａ，５ｂ上にゲート電極材料を積層する。 - 特許庁

The films F1 are separated from the liquid crystal panel 100A by irradiating the films F1 with the ultraviolet ray.例文帳に追加

そして、フィルムＦ１に対して紫外線を照射することで液晶パネル１００ＡからフィルムＦ１を剥離する。 - 特許庁

The plurality of perovskite oxide films have a relation such that directions of spontaneous polarization axes of the films adjacent to each other are different.例文帳に追加

複数のペロブスカイト型酸化物膜は、互いに隣接する膜の自発分極軸方向が異なるという関係を有している。 - 特許庁

A plurality of third insulation thin film 51 and a plurality of fourth insulation thin films 52 smaller than the films are laminated alternately to form a plug connector 5.例文帳に追加

複数の第３の絶縁薄膜５１とこの膜より小さい複数の第４の絶縁薄膜５２とを交互に積層してプラグコネクタ５を構成する。 - 特許庁

To prevent a plurality of thin films 13 from being accompanied when transporting the thin films 13 such as copper foils and papers by using adsorbing force.例文帳に追加

吸着力を用いて銅箔や紙等の薄膜材１３を輸送する際に、複数枚の薄膜材１３が同伴してしまうのを防止する。 - 特許庁

A plurality of the dielectric films GD contain a bottom dielectric film BTM on the semiconductor SUB and charge storage films CHS having charge storage capacity.例文帳に追加

複数の誘電体膜ＧＤが、半導体ＳＵＢ上のボトム誘電体膜ＢＴＭと、電荷蓄積能力を有した電荷蓄積膜ＣＨＳとを含む。 - 特許庁

The infrared filter is provided with: a substrate 2 transmitting infrared light; and Ge films and YF_3 films which are alternately laminated on the surface of the substrate 2 in multilayer.例文帳に追加

赤外線フィルタ１は、赤外線を透過する基板２と、基板２表面上に交互に多層積層されたＧｅ膜及びＹＦ_３膜とを備える。 - 特許庁

Organic conductive films having a plurality of projections on surfaces thereof are used as resistance films of the upper electrode plate 20 and the lower electrode plate 30.例文帳に追加

上部電極板２０や下部電極板３０の抵抗膜には、表面に複数の凸部を有する有機導電膜を用いる。 - 特許庁

Thermoplastic resin films 10a and 10b are formed on non- thermoplastic resin films 11a and 11b, and metal wiring 8 is formed on them.例文帳に追加

非熱可塑性樹脂フィルム１１_a、１１_b上に熱可塑性樹脂フィルム１０_a、１０_bを形成し、その上に金属配線８を形成する。 - 特許庁

This memory device comprises a plurality of dielectric films SIN, SIO laminated on a semiconductor SUB and a control electrode GE on a plurality of dielectric films.例文帳に追加

半導体ＳＵＢ上に積層された複数の誘電体膜ＳＩＮ，ＳＩＯと、複数の誘電体膜上の制御電極ＧＥとを有している。 - 特許庁

Silicon oxide films 10c, 20c made of polysilazane are formed inside of the silicon oxide films 10a, 10b, 20a, 20b.例文帳に追加

これらのシリコン酸化膜１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂの内側にポリシラザンによるシリコン酸化膜１０ｃ、２０ｃが形成されている。 - 特許庁

At the time of forming each the film by sputtering, all the films that constitute the multilayer films are carried out patterning using the same metal mask.例文帳に追加

スパッタ法により各膜を成膜するに際し、多層膜を構成する全ての膜を同一のメタルマスクを使用してパターニングする。 - 特許庁

First gate insulating films constituting the first TRs are formed of oxide films into which nitrogen is not introduced.例文帳に追加

第１トランジスタを構成する第１ゲート絶縁膜を、窒素が導入されていない酸化膜から形成する。 - 特許庁

The resistor 4 and top surface electrodes 2 and 3 can be formed of thick films or thin films.例文帳に追加

この抵抗体４や上面電極２、３は厚膜により形成することもできるし、薄膜により形成することもできる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３と、銅拡散防止膜６，９とを備えている。 - 特許庁

It addition, insulating films 15 and sidewalls 9 are formed so as to cover the end sections of the first electrode 6, dielectric films 7, and second electrodes 8.例文帳に追加

そして、第一電極６、誘電体膜７および第二電極８の端部を覆うように、絶縁膜１６とサイドウォール９とを形成する。 - 特許庁

Then after cobalt films 19 are respectively deposited on the layers 16, a heat treatment is performed to form CoSi2 films 23 on the layers 16.例文帳に追加

次にソース／ドレイン拡散層１６上にコバルト膜１９を堆積した後、熱処理を行ってＣｏＳｉ_2 膜２３を形成する。 - 特許庁

It is preferable that, in the plurality of perovskite oxide films, crystal systems of the films adjacent to each other are different.例文帳に追加

複数のペロブスカイト型酸化物膜は、互いに隣接する膜の結晶系が異なっていることが好ましい。 - 特許庁

Because the polymer has good moldability to films and gives a film having good transparency and a low phase difference, it is desirable for optical films.例文帳に追加

前記重合体はフィルムへの成形性が良く、得られたフィルムの透明性が良く、位相差も低いため、光学用フィルムとして好適である。 - 特許庁

To provide a water base printing ink composition for styrene films having excellent adhesion even when the water base ink is applied to the styrene films.例文帳に追加

水性印刷インキをスチレンフィルムに適用しても接着性に優れるスチレンフィルム用水性印刷インキ組成物を提供すること。 - 特許庁

Regions of the pin diodes not right below the variable resistance films are positioned below the regions right below the variable resistance films.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードにおける可変抵抗膜の直下域以外の領域は、直下域よりも下方に位置している。 - 特許庁

Then, by depositing conductor films 16b and 16c while heating, the conductor films 16a, 16b and 16c are poured into the grooves 11 and 13.例文帳に追加

その後、導体膜１６ｂ，１６ｃを加熱しながら堆積することで導体膜１６ａ，１６ｂ，１６ｃを溝１１，１３内に流し込む。 - 特許庁