「four-layer device」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, using a VDP for controlling only four layers, each image data of the piece images 901-904 are set to each of the first layer-fourth layer, image data that are set to each of the four layers are synthesized, and the synthesized image data are outputted and displayed to a variable display device 409.例文帳に追加

そして、４つのレイヤのみ制御可能なＶＤＰを用いて、これらピース画像９０１〜９０４の各画像データを各々第１レイヤ〜第４レイヤに設定し、４つのレイヤ毎に設定した画像データを合成し、その合成画像データを可変表示装置４０９に出力、表示する。 - 特許庁

Also, the liquid crystal device holds a liquid crystal layer between a color filter substrate with the colored layers in four colors and an element substrate with source lines formed of aluminum or the like and a scattering layer arranged on the upper side the source lines.例文帳に追加

また、この液晶装置は、４色の着色層を有するカラーフィルタ基板と、アルミニウム等にて形成されたソース線及びソース線の上側に設けられた散乱層とを有する素子基板との間に液晶層を挟持してなる。 - 特許庁

In the production method for semiconductor integrated circuit device, when forming collector areas 32 and 33 of the semiconductor integrated circuit device by laminating four epitaxial layers, collector areas 32 and 33 having layer thickness immune to high breakdown voltage are formed.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置のコレクタ領域３２、３３を形成する際、エピタキシャル層を４層積層することで、高耐圧に耐えうる層厚を有するコレクタ領域３２、３３が形成される。 - 特許庁

The resin application device 4 of the first layer divides eight coated optical fibers 2 into every four ones, applies ultraviolet curable resin and produces two optical fiber ribbon parts 5 covered with a tape cover part.例文帳に追加

１層目樹脂塗布装置４は、８本の光ファイバ心線２を４本ずつに分けて紫外線硬化樹脂を塗布し、テープ被覆部で覆われた２枚のテープ心線部５を生成する。 - 特許庁

The device allows the layer picking and carriage of the bottle case group consisting of the plurality of the bottle cases Y each formed by a square bottom plate and four outer plates with engagement holes in the outer plates and arranged on the same plane.例文帳に追加

四角形の底板と４枚の外板で構成され各外板に係合孔を有する瓶ケースＹを、同一平面上に複数個整列させた瓶ケース群を層ピッキングし搬送する装置である。 - 特許庁

To analyze presence or non-presence of failure in each wiring layer with a process failure analysis utilizing an SRAM circuit for a semiconductor device including the wiring layers of four or more layers.例文帳に追加

配線層が４層以上である半導体装置について、ＳＲＡＭ回路を利用したプロセス不良解析によって、各配線層での不良の有無を解析できる半導体装置を提供する - 特許庁

An electrode is provided on an N-type conductivity nitride semiconductor for the formation of a nitride semiconductor device, where the electrode is of a four-layered structure composed of a first W-containing layer, a second Al-containing layer, a third Pt-containing layer, and a fourth Au or Pt-containing layer, and the electrode is connected electrically through the fourth layer.例文帳に追加

ｎ型導電性を有する窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極が、Ｗを有する第１の層、該第１の層の上にＡｌを有する第２の層、該第２の層の上にＰｔを有する第３の層、該第３の層の上にＡｕ若しくはＰｔを有する第４の層であると共に、該第４の層でもって前記電極が電気的に接続されることを特徴とする。 - 特許庁

At the pixel portion of a solid-state imaging device 31, a photosensor 24 is arranged on a bottom, and above which, a smoothed layer 22 consisting of four layers and a metal wires 23 consisting of three wires are alternately stacked in such order as described.例文帳に追加

固体撮像素子３１の画素部分においては、底面にフォトセンサ２４が配置され、その上部に４層の平滑化層２２と３層の金属配線２３とが、記載の順に交互に積層されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a liquid crystal display element consisting of a liquid crystal layer having a plurality of pixels disposed in a matrix shape and a driving means performing interlace scanning by dividing one frame into four or more fields.例文帳に追加

マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶層からなる液晶表示素子と、１フレームを４フィールド以上に分割してインターレース走査を行う駆動手段とを備えた液晶表示装置。 - 特許庁

In the semiconductor device, four strip electrodes, whose longitudinal directions are the same, are formed in each layer of wiring layers M2 to M5 which are provided by a same design rule with each other, simultaneously with regular wirings.例文帳に追加

半導体装置において、相互に同一の設計ルールで設けられている配線層Ｍ２乃至Ｍ５の各層に、長手方向が同一である各４枚の短冊状の電極を、通常の配線と同時に形成する。 - 特許庁

The red light-emitting organic electroluminescent device 11 is configured by holding an organic layer 14 which includes a light-emitting layer 14c, between an anode 13 and a cathode 15, wherein the light-emitting layer 14c includes a red light-emitting guest material and a host material composed of a polycyclic aromatic hydrocarbon compound whose mother skeleton has a four to seven-membered ring.例文帳に追加

陽極１３と陰極１５との間に発光層１４ｃを備えた有機層１４を挟持してなる赤色発光性の有機電界発光素子１１において、発光層１４ｃは、赤色発光性のゲスト材料と共に、母骨格が環員数４〜７の多環式芳香族炭化水素化合物からなるホスト材料を含有している。 - 特許庁

The semiconductor device 1A (1) includes: a rectangular semiconductor substrate 10 arranged with a semiconductor device on one surface side; and a reinforcing layer 20 arranged on the one surface side of the semiconductor substrate, wherein the reinforcing layer is arranged at a part located in an outer edge of the semiconductor substrate, and extending along at least one side out of four sides surrounding the semiconductor device.例文帳に追加

本発明の半導体装置１Ａ（１）は、一面側に半導体デバイスが配された矩形状の半導体基板１０と、前記半導体基板の一面側に配された補強層２０と、を備え、前記補強層は、前記半導体基板の外縁部であって、前記半導体デバイスを囲む四辺のうち少なくとも一辺に沿う部位に配されていること、を特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device where the semiconductor element is fixed to a surface of the insulating substrate in the solder layer and a rear face of the insulating substrate is fixed to the base plate in the solder layer, spacers which are arranged between the insulating substrate and the base plate and which keep an interval to be constant are arranged at least in four corners of the rear face of the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板の表面に半導体素子が半田層で固定され、絶縁基板の裏面がベース板に半田層で固定された半導体装置が、絶縁基板の裏面の少なくとも四隅に、絶縁基板とベース板との間に配置されてその間隔を略一定に保つスペーサを備える。 - 特許庁

The array substrate for the lateral type liquid crystal display device is manufactured through four-mask steps: in a structure wherein a semiconductor layer is exposed at both sides of a data line, a first blocking pattern which blocks light is formed under the semiconductor layer, and second blocking pattern which blocks influence of the semiconductor layer is formed over the data line, while being brought into contact with the data line.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device having the liquid crystal layer between a pair of substrates is constituted in such a manner that a sealing agent to surround the display region is arranged, the region surrounded by this sealing agent has openings formed in the four corners of the region and that another sealing agent to seal the opening is applied.例文帳に追加

一対の基板間に液晶層を有する液晶表示装置が、表示領域を囲うシール剤を配置し、このシール剤により囲まれた領域の四隅に開口部を有し、またこの開口部を封止する封止剤を有する構成とする。 - 特許庁

In fabrication of the array substrate for liquid crystal display device according to a new four-mask process, an island-like active layer is formed on the above part of a gate electrode and an opaque metal pattern of a small width is formed on one end of a transparent pixel electrode.例文帳に追加

本発明は、新しい４マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板の製作において、ゲート電極の上部に、アクティブ層をアイランド状で構成して、透明な画素電極の一端に不透明な金属パターンを小幅で構成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a magnetic field sensor, capable of surely controlling, in a desirable direction, individual magnetization of an exchange bias layer of each of four bridge-connected macro-magnetoresistance effect elements, and a manufacturing method as well as a manufacturing device.例文帳に追加

本発明の目的は、４つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を提供することにある。 - 特許庁

The exhaust emission device body 2 has a structure of four layers, in total, such that, when seen from a flat plane, permanent magnets 20 arranged in 2 vertical rows and 5 horizontal rows are nipped from both sides by general rectangular magnetic plates 21, and the nipped structure is used as a basic unit of a layer.例文帳に追加

排気ガス浄化装置本体２は、平面視で縦２列、横５列に配置した永久磁石２０,…を、平面視略長方形状で磁性板２１,２１で両側から挟む込み、更にその挟み込んだ構造を基本単位として、合計で４段の層構造としたものである。 - 特許庁

To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 10 is provided with: a substrate 12; electrode wirings 14 formed on the substrate 12; four semiconductor light emitting elements 16a, 16b, 16c and 16d mounted on the electrode wirings 14; and a waveform converting layer 18 formed around the semiconductor light emitting elements 16a, 16b, 16c and 16d.例文帳に追加

半導体発光装置１０は、基板１２と、基板１２上に形成された配線電極１４と、電極配線１４上に実装された４つの半導体発光素子１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄと、複数の半導体発光素子１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの周囲に形成された波長変換層１８と、を備えている。 - 特許庁

For the manufacturing method of the information recording medium including the molding process of the substrates 202, a manufacture line is constituted by including one injection molding device 12 which molds two substrates 202 by injection at the same time and four pigment solution coating machines 38 which form a pigment recording layer 204 where information is recorded.例文帳に追加

また、基板２０２の成形工程を含む情報記録媒体の製造方法において、該基板２０２を２枚同時に射出成形する１台の射出成形装置１２と、情報を記録するための色素記録層２０４を形成する４台の色素溶液塗布機３８とを含んで製造ラインを構成する。 - 特許庁

With respect to the array substrate for an in-plane switching mode liquid crystal display device, a structure which is manufactured through four mask steps and exposes semiconductor layers at both sides of a data line has a first feature that a first blocking pattern for blocking light is formed under the semiconductor layer, and a second feature that a second blocking pattern for blocking an influence of the semiconductor layer is formed over and in contact with the data line.例文帳に追加

本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、第１特徴は、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、第２特徴は、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

In the diagonal coordinate detection device, a single-layer face resistor and a resistive peripheral electrode surrounding the face resistor are arranged on the lower face of a rectangular glass substrate, and lead wires are arranged on the four vertexes of the resistive peripheral electrode to match the impedance of each of the lead wires along the lower face of the resistive peripheral electrode.例文帳に追加

長方形のガラス基板下面に一層の面抵抗体と該面抵抗体を取り囲む抵抗性周囲電極を配設し、該抵抗性周囲電極の４頂点に引き出し線を取り付け、該抵抗性周囲電極下面に沿って引き出し線の各々のインピーダンスを合わせたことを特徴とする対角方式座標検出装置。 - 特許庁

The method for holding includes steps of fitting a cross-shaped auxiliary member with locks formed to protrude at respective ends into a resin sealed face of the CSP 6 and then mounting the locks protruding outwardly from a side peripheral end face of a resin mold layer 6 of the CSP 6 respectively on the receives 11 on the four sides of the holding device for supporting.例文帳に追加

また、本発明の保持方法では、ＣＳＰ６の樹脂封止面に、各端部に係止部１５が突出形成された十字形の補助部材１６を嵌め込んだ後、ＣＳＰ６の樹脂モールド層７の側周端面より外側へ突出された係止部１５を、保持器の４辺側の受け部１１にそれぞれ載せて支持させる。 - 特許庁

A semiconductor device has an emitter electrode 107 formed on a circular emitter layer 104 in a circular shape, the center points of four circular emitters are equal in distance between circular emitters which are adjacent at the shortest distance, and the center points P1, P2, and P3, and P2, P3, and P4 are uniformly arranged almost at vertexes of regular triangles.例文帳に追加

円形型形状を有する円形エミッタ層１０４上にエミッタ電極１０７が形成され、４個の円形型エミッタの中心点が、最も近距離で隣接する円形型エミッタ間で等距離となり、中心点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と中心点Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４はそれぞれほぼ正三角形の頂点をなすように均一に配置されている。 - 特許庁

The semiconductor device is formed of a zinc oxide semiconductor having a hexagonal crystal structure and comprises a substrate 1 where four side surfaces orthogonal to a first main surface 111 being a polar surface are adjoined to the first main surface 111 at an angle 40-50° with respect to a reference non-polar surface orthogonal to the first main surface 111, and a semiconductor layer 2 arranged on the first main surface 111.例文帳に追加

六方晶構造の酸化亜鉛系半導体からなり、極性面である第１の主面１１１、及びその第１の主面１１１に対し直交する基準の非極性面と４０度乃至５０度の角をなして第１の主面１１１と直交する４つの側面を第１の主面１１１に隣接させた基板１と、第１の主面１１１上に配置された半導体層２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor module has a multilayered substrate 103, at least four terminal electrodes 102 provided on the surface of the multilayered substrate 103, an electrical function layer 109 selectively provided at an internal area of the multilayered substrate 103, placed on the lower position of all terminal electrodes 102 in the substrate thickness direction, and the semiconductor device 101 flip-chip bonded to the terminal electrodes 102.例文帳に追加

本発明の半導体モジュールは、多層基板１０３と、多層基板１０３の表面に少なくとも４つ設けられた端子電極１０２と、全ての前記端子電極１０２の基板厚み方向の下方に位置する前記多層基板１０３の内部領域に選択的に設けられた電気機能層１０９と、端子電極１０２にフリップチップ実装された半導体装置１０１とを有している。 - 特許庁