「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This gate circuit 1 is provided with the gate type semiconductor element 5, a first on gate circuit for supplying a first on-gate current to the gate type semiconductor element 5 and a second on-gate circuit for starting the supply of a second on-gate current to the gate type semiconductor element 5 after the lapse of prescribed time after starting the supply of the first on-gate current.例文帳に追加

ゲート型半導体素子５と、ゲート型半導体素子５に第１のオンゲート電流を供給する第１のオンゲート回路と、第１のオンゲート電流を供給開始してから所定時間経過後、ゲート型半導体素子５に第２のオンゲート電流を供給開始する第２のオンゲート回路とを具備するゲート回路。 - 特許庁

To reduce gate leakage current while reducing current collapse and increasing drain current.例文帳に追加

電流コラプスを低減し、ドレイン電流を増大しながら、ゲートリーク電流を減少できるようにする。 - 特許庁

Further, the gate of the constant-current transistor M2 and the gate of the constant-current transistor M1 are connected to each other to form a current mirror.例文帳に追加

また、第２の定電流トランジスタＭ２のゲートと第１の定電流トランジスタＭ１のゲートを相互に接続し、カレントミラーを構成する。 - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR COMPRISING CURRENT SUPPRESSING LAYER例文帳に追加

電流抑制層を備える絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ - 特許庁

CURRENT MODE LOGIC GATE FOR LOW-VOLTAGE HIGH-SPEED APPLICATION例文帳に追加

低電圧高速アプリケ—ション用電流モ—ド論理ゲ—ト - 特許庁

After the injection of the voltage-compensated gate current, a charge amount substantially equivalent to the injection amount of the gate current is drawn from the IGBT 1 as a gate current.例文帳に追加

電圧補償ゲート電流を注入した後にこのゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分をＩＧＢＴ１からゲート電流として引き抜く。 - 特許庁

The gate driver comprises a means for measuring the gate current flowing through a gate resistor or a means for integrating the gate current, and a means for comparing it with a normal value range, and a means for transmitting a signal to a gate drive circuit.例文帳に追加

ゲート抵抗に流れるゲート電流を測定する手段、あるいはゲート電流を積分する手段を設け、正常値範囲と比較し、ゲート駆動回路に信号を伝達する手段を設ける。 - 特許庁

The insulation film 11 contributes to a decrease in the gate leak current.例文帳に追加

絶縁膜１１はゲートリーク電流の低減に寄与する。 - 特許庁

To reduce leakage current of a multi-gate type pixel transistor.例文帳に追加

マルチゲート型の画素トランジスターのリーク電流を低減する。 - 特許庁

FLOATING GATE MEMORY DEVICE HAVING A LOW CURRENT PAGE BUFFER例文帳に追加

低電流ページ・バッファーを有するフローティング・ゲート・メモリー・デバイス - 特許庁

This can regulate a current flowing to the gate of the IGBT 110d and a current extracted from the gate.例文帳に追加

これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。 - 特許庁

To provide a PLL system and its method for compensating current leak which may include gate-leak current attributable to a gate capacitor.例文帳に追加

ゲートキャパシタに起因するゲートリーク電流を含み得る電流リークを補償するためのＰＬＬシステムおよび方法。 - 特許庁

To prevent the occurrence of gate leakage current and to reduce gate capacitance, in a method of manufacturing a trench-gate type transistor.例文帳に追加

トレンチゲート型トランジスタの製造方法において、ゲートリーク電流の発生を防止すると共に、ゲート容量を低減する。 - 特許庁

The drive is provided with a gate current detection circuit 50 (gate current detection means) which detects gate current of the IGBT (the switching device for electric power) and a control means 10 (adjusting means) which adjusts ability of driving a gate of the IGBT based on a variation pattern of the detected gate current.例文帳に追加

ＩＧＢＴ（電力用スイッチング素子）のゲート電流を検出するゲート電流検出回路５０（ゲート電流検出手段）と、検出したゲート電流の変化パターンに基づいて、ＩＧＢＴのゲートを駆動する能力を調整する制御手段１０（調整手段）を備えている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device having less gate leakage current and fewer current collapse.例文帳に追加

ゲートリーク電流および電流コラプスの少ない窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the failure detector, a short-circuit failure detecting section 17 detects the short-circuit failure by comparing an on-gate current flowing from a gate driving circuit 13 of the semiconductor element 12 to a gate G or an off-gate current flowing from the gate G to the gate driving circuit 13 of the semiconductor element 12 with a normal current.例文帳に追加

短絡故障検出部１７は半導体素子１２のゲート駆動回路１３からゲートＧに流れ込むオンゲート電流または半導体素子１２のゲートＧよりゲート駆動回路１３へ流れ込むオフゲート電流を健全時の電流と比較して短絡故障を検出する。 - 特許庁

To achieve a low gate leakage current and low on resistance simultaneously.例文帳に追加

低いゲートリーク電流と低オン抵抗との同時に実現する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING LARGE-AREA, HIGH-GATE-CURRENT HEMT DIODE例文帳に追加

大面積、高ゲート電流ＨＥＭＴダイオードの形成方法 - 特許庁

Thus, the gate induction drain leakage current can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート誘導ドレーン漏れ電流を下げることができる。 - 特許庁

HIGH MOBILITY MULTIPLEX GATE TRANSISTOR HAVING IMPROVED ON/OFF CURRENT RATIO例文帳に追加

改善されたオン／オフ電流比の高移動度多重ゲートトランジスタ - 特許庁

A gate-insulating film is provided between the current path pattern and the gate pattern.例文帳に追加

交差個所において、電流路パターンとゲートパターンとの間にゲート絶縁膜が配置されている。 - 特許庁

A gate charging current IC flows to the N channel transistor M3 and a gate voltage VG is increased.例文帳に追加

ＮチャネルトランジスタＭ３には、ゲート充電電流ＩＣが流れゲート電圧ＶＧが上昇する。 - 特許庁

To uniformly electrically press-contact a gate post element, in the outer peripheral gate structure or intermediate gate structure of a large-capacity element with a metallic current collecting gate electrodes.例文帳に追加

大容量素子の外周ゲート構造又は中間ゲート構造のゲートポスト電極をゲート集電金属電極に電気的に均一に圧接させる。 - 特許庁

To provide a drive circuit for an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) that solves a problem of disabled gate control by a large gate current at a high-speed in the case of switching gate resistors by an analog switch.例文帳に追加

ＩＧＢＴのドライブ回路として、ゲート抵抗をアナログスイッチで切り替えるには、高速で大きな電流によるゲート制御ができない。 - 特許庁

Each of the current cells comprises a current source and an internal logic gate, and the internal logic gate determines whether or not a current is to be outputted from the current source based on the rearranged data.例文帳に追加

各電流セルは、電流源と内部論理ゲートをそれぞれ備え、内部論理ゲートが、該再配列データに基づいて、電流源に電流を出力させるか否かを決定する。 - 特許庁

To determine a gate insulating film suitable for a fine transistor by predicting a gate insulating film whose gate leak current is minimized from the calculation result of the gate leak current with the energy distribution of a carrier taken into consideration.例文帳に追加

キャリアのエネルギー分布を考慮してゲートリーク電流を計算し、この計算結果からゲートリーク電流が最小となるゲート絶縁膜を予測して、微細トランジスタに適したゲート絶縁膜を決定する。 - 特許庁

To suppress a sub threshold current and a tunneling leakage current, while keeping the threshold voltage of a transfer gate as it is.例文帳に追加

トランスファゲートの閾値電圧を保ち、サブスレッショルド電流を抑え、トンネリングリーク電流を抑える。 - 特許庁

To provide a trench gate-type semiconductor device capable of accurately detecting current to a saturated current.例文帳に追加

飽和電流までの電流を正確に検出できるトレンチゲート型半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, gate voltage characteristics of a sense current can be suppressed.例文帳に追加

このようにすれば、センス電流のゲート電圧特性を抑制できる。 - 特許庁

To provide a transistor gate electrodes of which has a small current.例文帳に追加

ゲート電極に流れる電流が小さいトランジスタを提供する。 - 特許庁

Consequently, a leakage current between the gate and source regions can be prevented.例文帳に追加

そして、ゲート−ソース領域間のリーク電流を防ぐことができる。 - 特許庁

The diode is electrically connected with the gate electrode 16, and forms a current path releasing the excessive current generated in the gate electrode 16.例文帳に追加

ダイオードは、ゲート電極１６と電気的に接続され、ゲート電極１６に生じた過大電流を逃がす電流パスを構成する。 - 特許庁

With the discharge current thereof, an overcurrent protecting fuse 14 disconnects the current path between a gate electrode (G) and a gate pulse input terminal (Tgb).例文帳に追加

この放電電流により過電流保護ヒューズ１４がゲート電極（Ｇ）−ゲートパルス入力端（Ｔｇｂ）間の電流路を遮断する。 - 特許庁

The gate voltage of the n-type thin film transistor 4 is capable of making smaller the leak current in the vicinity of a gate voltage 0V.例文帳に追加

ｎ型薄膜トランジスタ４のゲート電圧が０Ｖ近傍でのリーク電流をより小さくできる。 - 特許庁

A current sampling circuit includes: a current sampling transistor; a capacitor arranged between the gate and source of the current sampling transistor; and an amplifier for providing a feedback loop between the gate and source of the current sampling transistor.例文帳に追加

電流サンプリング回路は、電流サンプリングトランジスタ、電流サンプリングトランジスタのゲートとソース間のキャパシタ、電流サンプリングトランジスタのゲートとソース間にフィードバックループを提供する増幅器、からなる。 - 特許庁

To suppress the gate leakage current in a nitride compound semiconductor device.例文帳に追加

窒化物化合物半導体装置において、ゲートリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To suppress an increase in leakage current between a gate electrode and a drain region.例文帳に追加

ゲート電極とドレイン領域間のリーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁

To decrease gate leak current while keeping small area of an SRAM cell.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルを小面積のまま、ゲートリーク電流を少なくすること。 - 特許庁

DEVICE FOR CONTROLLING GATE CURRENT AT CUTOFF OF OVERCURRENT OF SEMICONDUCTOR RELAY SYSTEM例文帳に追加

半導体リレーシステムの過電流遮断時のゲート電流制御装置 - 特許庁

The driving transistor generates a driving current according to the gate potential thereof.例文帳に追加

駆動トランジスタは、そのゲートの電位に応じた駆動電流を生成する。 - 特許庁

A gate width (concretely, integration processing time in integrating part 70, that is, ion current detecting period) is determined on the basis of the waveform of an ion current (ion current generating period) (gate (GATE) width setting part 80).例文帳に追加

イオン電流の波形（イオン電流の発生期間）に基づいてゲート幅（具体的には、積分部７０における積分処理期間、即ちイオン電流検出期間）を設定する（ゲート（ＧＡＴＥ）幅設定部８０）。 - 特許庁

Analog switches S1-S3 are used to select gate resistors RG1-RG3, a gate voltage is simulated with the selected gate resistor and a capacitor C1 simulating a gate capacitance, the gate voltage is applied to a current amplifier AMP, where current amplification is conducted and a charging/discharging voltage across a capacitor C2 provides a gate voltage of the IGBT.例文帳に追加

ゲート抵抗Ｒ_G1〜Ｒ_G3とアナログスイッチＳ１〜Ｓ３によるゲート抵抗切り替えを行い、このゲート抵抗とゲートキャパシタンスを模擬するコンデンサＣ１によってゲート電圧を模擬し、これを電流アンプＡＭＰによって電流増幅し、コンデンサＣ２の充放電電圧でＩＧＢＴのゲート電圧を得る。 - 特許庁

When it is used, the diode 430 lowers a gate voltage output from the gate drive chip applied to the gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor via the gate current limit resistor 445.例文帳に追加

使用時に、ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５を介してワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に印加され、ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる。 - 特許庁

SCR is usually in an off state, but is turned on when the voltage of the gate exceeds a prescribed threshold value, and a prescribed gate current flows between the gate and a cathode, so that a current flows between the gate and the cathode.例文帳に追加

ＳＣＲは、通常はオフ状態であるが、ゲートの電圧が所定のしきい値を超えてゲート・カソード間に所定のゲート電流が流れると、ＳＣＲはトリガーされてオンとなり、アノード・カソード間に電流が流れる。 - 特許庁

A current generating circuit 130 generates a current according to the first divided voltage as a gate voltage.例文帳に追加

電流発生回路１３０は、ゲート電圧としての第１の分割電圧に応じて電流を発生する。 - 特許庁