「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce a motor retention current while a waste gate valve 1 is fully closed or fully opened.例文帳に追加

ウェイストゲートバルブ１の全閉時または全開時におけるモータ保持電流を低減することを課題とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor (MFSFET) in which leakage current to a back gate electrode is suppressed.例文帳に追加

バックゲート電極へのリーク電流を抑えた薄膜トランジスタ（ＭＦＳＦＥＴ）を提供することにある。 - 特許庁

A gate driver (102) controls the respective transistors so that current in both negative and positive directions flows to a load 70.例文帳に追加

ゲートドライバ（１０２）は、負荷（７０）に正負両方向の電流が流れるように各トランジスタを制御する。 - 特許庁

To surely protect a high voltage large current MOS gate element against an overvoltage in a small capacity ZD (Zener diode).例文帳に追加

小容量のＺＤで、高圧大電流のＭＯＳゲート素子を過電圧から確実に保護すること。 - 特許庁

Since the current to the back gate is reduced, the reliability of the transistor M1 can be improved.例文帳に追加

また、バックゲートの電流を低減するのでトランジスタＭ１の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a memory cell structure without gate leak current, and an activation method thereof.例文帳に追加

従来技術のゲート漏れ電流の問題がないメモリ・セル構造体およびその動作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a system for realizing a low gate leakage current of an integrated circuit in a sleep mode.例文帳に追加

スリープモードの間の集積回路における低ゲート漏れ電流を達成するシステムを提供すること。 - 特許庁

Accordingly, the bottom gate type TFT small in leak current and using poly-Si can be provided.例文帳に追加

したがって、リーク電流の小さな、ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いたボトムゲート型ＴＦＴを実現できる。 - 特許庁

The IBIAS drives a gate of the MP1 to generate current I1 provided with, for example, a positive temperature characteristic.例文帳に追加

ＩＢＩＡＳは、ＭＰ１のゲートを駆動し、例えば正の温度特性を備えた電流Ｉ１を生成する。 - 特許庁

To make feasible of adjusting the write voltage by suppressing the leakage current from a nano-crystal floating gate to a channel.例文帳に追加

ナノクリスタル浮遊ゲートからチャネルへのリーク電流を抑制し、書込み電圧の調節を可能とする。 - 特許庁

Thus, furious oscillation of the gate voltage and the electric current can be suppressed, and the turn-on surge can be suppressed.例文帳に追加

これにより、ゲート電圧・電流が激しく振動することを抑制でき、ターンオンサージを抑制できる。 - 特許庁

To prevent a malfunction caused by transient vibration of voltage and current at a gate in a power electronics circuit.例文帳に追加

パワーエレクトロニクス回路において、ゲートでの電圧や電流の過渡振動による誤動作を防止する。 - 特許庁

Since the gate of a PMOS transistor 26 has been pulled up to the power supply, a drain current Ic2 is cut off.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ２６はゲートが電源にプルアップされているので、ドレイン電流Ｉｃ２は遮断される。 - 特許庁

To prevent a gate electrode and a drain electrode from being disconnected by suppressing the photoconductive current of a thin film transistor part.例文帳に追加

薄膜トランジスタ部分のホトコン電流を抑制し、ゲート電極やドレイン電極の断線を防止する。 - 特許庁

The NMOS transistor 4 is changed from ON to OFF, the output of an inverter circuit 11 is changed from low to high, one part of a constant current Io is impressed to the gate of the NMOS transistor 3 by superimposing a current from the transfer gate 5 and a current from the inverter circuit 11 through a capacitor 10, and a gate voltage is speedily increased.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ４がオンからオフに、かつインバータ回路１１の出力がロウからハイとなり、定電流Ｉｏの一部がトランスファーゲート５からの電流とコンデンサ１０を経てインバータ回路１１からの電流が重畳されＮＭＯＳトランジスタ３のゲートに加わり、ゲート電圧が速やかに上昇する。 - 特許庁

When the emission current reaches the set value, the switch 70 grounds the cold cathode 35 through the resistance 51 and the gate voltage of the gate power source 41 is so controlled by the gate voltage control circuit 60 so that the emission current is held at the set value.例文帳に追加

そして、エミッション電流が設定値に達したときには、切替器７０により冷陰極３５が抵抗５１を介さずに接地され、エミッション電流が設定値に保持されるようにゲート電源４１のゲート電圧がゲート電圧制御回路６０により制御される。 - 特許庁

This structure reduces leakage current from the rear surface of the chip, reduces on-resistance, reduces loop current between a gate and a source, and reduces parasitic inductance at a source wiring side, thereby preventing oscillation of a gate voltage via parasitic capacitance between the gate and the source.例文帳に追加

これにより、チップ裏面からのリーク電流を減らし、オン抵抗を低減するとともに、ゲート−ソース間のループ電流を減らし、ソース配線側の寄生インダクタンスを低減することで、ゲート−ソース間の寄生容量を介したゲート電圧の発振を抑制する。 - 特許庁

The gate current I_G is changed into the large current and the switching loss is lowered by shortening the switching time for a period when the output current I_DS of the output transistor SW1 begins to change in case of turn-off, and the gate current I_G is attenuated and noise is reduced when the output current I_DS of the output transistor SW1 is altered.例文帳に追加

また、ターンオフ時において、出力トランジスタＳＷ１の出力電流Ｉ_ＤＳが変化し始めるまでの期間は、ゲート電流Ｉ_Ｇを大電流にしてスイッチング時間を短縮させることによりスイッチング損失を低減させ、出力トランジスタＳＷ１の出力電流Ｉ_ＤＳの変化時にはゲート電流Ｉ_Ｇを減衰させてノイズを低減させる。 - 特許庁

An output current estimation part 50 estimates an output current, and outputs it as an estimated output current value by inputting an input current value detected by a current detector 36 and a gate signal generated by a switching control part 33.例文帳に追加

出力電流推定部５０は、電流検出器３６により検出された入力電流検出値と、スイッチング制御部３３により生成されたゲート信号を入力し、出力電流を推定して出力電流推定値として出力する。 - 特許庁

To solve the matter of a current output circuit with a switch function comprising a transistor for creating output current and a switching transistor that the gate potential of the transistor for creating output current varies at the time of switching and an output current of a desired current value cannot be obtained.例文帳に追加

出力電流生成用トランジスタとスイッチング用トランジスタとを備えたスイッチ機能付の電流出力回路において、スイッチング時に出力電流生成用トランジスタのゲート電位が変化し、所望の電流値の出力電流が得られない。 - 特許庁

In a second step, a control gate (5) of the line to be read is brought to a higher reading potential and the resulting current is compared to the previous current.例文帳に追加

第２の工程において、読み出されるべき行のコントロールゲート（５）は、より高い読み出し電位にされ、その結果の電流は、前の電流と比較される。 - 特許庁

The detecting current Idet is amplified in the auxiliary circuit 30, and a feedback current Ifd is fed back to a gate terminal of the output transistor 12.例文帳に追加

検出電流Ｉｄｅｔは補助回路３０により増幅され、帰還電流Ｉｆｂが出力トランジスタ１２のゲート端子へと帰還される。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor which is applicable to control over a pixel circuit and a gate driving circuit by reducing the OFF current without reducing the ON current.例文帳に追加

オン電流を低下させることなくオフ電流を低減し、画素回路やゲート駆動回路の制御に適用可能な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The current/voltage conversion by the resistive element R12 in this current output circuit 40 sets a gate voltage Vb of an output TR Q45.例文帳に追加

この電流出力回路４０では、抵抗素子Ｒ１２による電流／電圧変換により出力側であるトランジスタＱ４５のゲート電圧Ｖｂを設定する。 - 特許庁

To provide a current mirror circuit that can reduce effects of gate leakage current and can increase resistance to high frequency noise.例文帳に追加

ゲートリーク電流による影響を軽減させることができ、なおかつ、高周波ノイズに対する耐性を向上させることができるカレントミラー回路を提供する。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor which minimizes current collapse and reduces gate leak current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果型トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor device capable of suppressing an increase in gate leak current and an increase in on resistance due to a current collapse phenomenon.例文帳に追加

ゲートリーク電流の増大、及び電流コラプス現象によるオン抵抗の増大を抑制できる窒化物系化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The reference current can be set an optimum value for each memory cell of which gate width is different by setting a plurality of reference current for each wiring width of word lines.例文帳に追加

ワード線の配線幅毎に複数の基準電流を設定することで、ゲート幅の異なるメモリセル毎に、基準電流を最適な値に設定できる。 - 特許庁

The multiple variable pulses have a predetermined amplitude for maintaining gate injection current to be roughly maximum while lowering conduction current during programming operation.例文帳に追加

複数の可変パルスは、プログラミング動作中の伝導電流を低減しながら、ゲート注入電流をほぼ最大値に維持するため所定の大きさを有している。 - 特許庁

The accumulation time ts is from the start of rising time t1 of the gate turn-off current Ig to the starting time t2 to decay of the anode current Ia.例文帳に追加

蓄積時間ｔｓはゲートターンオフ電流Ｉｇの立ち上がり開始時刻ｔ１からアノード電流Ｉａの減衰開始時刻ｔ２までの時間である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a gate leakage current and a current collapse are suppressed to levels meeting characteristic requirements in high commercial levels.例文帳に追加

ゲート漏れ電流と電流コラプスとをコマーシャルレベルの高い特性要求を満足するレベルまで抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, even if the length of the gate is 100 nm or less, leakage current between a drain and a semiconductor substrate is reduced, and hence the off leak current is reduced.例文帳に追加

この結果、ゲート長が１００ｎｍ以下であっても、ドレインと半導体基板との間のリーク電流が低減され、オフリーク電流が低減される。 - 特許庁

A back-gate bias deeper than a source potential is applied to each of field-effect transistors P1-P6 configuring the current-mirror circuit and the first to fourth current sources.例文帳に追加

カレントミラー回路および第１〜第４の電流源を構成するそれぞれの電界効果トランジスタＰ１〜Ｐ６にソース電位より深いバックゲートバイアスを与える。 - 特許庁

As the precharge voltage, a gate voltage of a transistor for supplying a current to the current source circuit is supplied to the pixel.例文帳に追加

電圧電流供給回路からは、電流源回路に電流を供給するトランジスタのゲート電圧が、プリチャージ電圧として画素に供給される。 - 特許庁

The outer lead LS1 serves as an external terminal connected to a current path for driving a gate, and the outer leads LS2 are external terminals connected to a main current path.例文帳に追加

アウタリードＬＳ１は、ゲートを駆動する経路に接続される外部端子であり、アウタリードＬＳ２は、主電流経路に接続される外部端子である。 - 特許庁

The voltage between a gate and a source of the drive transistor 400 rises, the current flowing through the drive transistor 400 is increased, and the current flowing through the light-emitting element is also increased.例文帳に追加

駆動トランジスタ４００のゲート・ソース間電圧は上昇し、駆動トランジスタ４００を流れる電流は増加し、発光素子を流れる電流も増加する。 - 特許庁

To solve the problem that a gate tunnel leakage current is increased in the up-to-date process, causing trouble in a semiconductor device which needs to be on standby at a low leakage current.例文帳に追加

先端プロセスでは、ＭＯＳのゲートトンネルリーク電流が増大し、低リーク電流での待機が必要となる半導体装置では問題となる。 - 特許庁

Accordingly, even if the reset current flows into the feeder 17, the reset current does not influence the gate potential of the drive transistor Tdr during the light emission period.例文帳に追加

したがって、リセット電流が給電線１７に流れ込んでも発光期間中の駆動トランジスタＴdrのゲート電位に影響を与えることがない。 - 特許庁

A gate driving device for performing an overvoltage protection operation detects an element current after a turn-off signal is input and varies an overvoltage suppression value according to the current value at the time of turn-off.例文帳に追加

ターンオフ信号が入力されてからの素子電流を検出してターンオフ時の電流値に応じて過電圧抑制値を可変にする。 - 特許庁

The additional transistor of each trip point current path makes equal voltages between the gate and source and between the drain and source of a current mirror transistor at a temperature trip point.例文帳に追加

各トリップ点電流経路の付加的なトランジスタは、カレントミラートランジスタのゲート−ソースおよびドレイン−ソースの電圧が温度トリップ点で等しくなるようにさせる。 - 特許庁

A rectifier circuit 130 includes an alternating current terminal A2 connected to a gate of the triac 120, and an alternating current terminal A1 connected to an electrode T1.例文帳に追加

整流回路１３０は、交流端子Ａ２がトライアック１２０のゲートに接続され且つ交流端子Ａ１が電極Ｔ１に接続されている。 - 特許庁

A laser current is led up quickly, since a gate voltage Vg is increased and an ON current is decreased in a power MOSFET 23 by the overshoot of the Vb.例文帳に追加

Ｖｂのオーバーシュートにより、パワーＭＯＳＦＥＴ２３ではゲート電圧Ｖｇが増加してオン抵抗が減少するため、レーザ電流が高速に立ち上がる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which current consumption caused by a leakage current being actualized at the gate width is reduced can be suppressed effectively.例文帳に追加

ゲート幅の縮小に伴って顕在化するリーク電流に起因する消費電流を有効に抑制することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To enhance reliability by stabilizing gate voltage, even at high voltage, high current, preventing current nonuniformity and oscillation, and the like, thereby protecting the device against breakdowns.例文帳に追加

高電圧、大電流時にもゲート電圧を安定させ、電流不均一や発振等を阻止でき、もって、装置を破壊から保護して信頼性の向上を図る。 - 特許庁

By this setup, a current (a drain current) is restrained from flowing through the channel when a gate voltage is zero, that is, the so-called normally-off action can be attained.例文帳に追加

これにより、ゲート電圧がゼロの時チャンネルに電流（ドレイン電流）を流れなくする、即ちいわゆるノーマリオフ動作を達成することが出来る。 - 特許庁