「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The transistor T2 supplies a driving current Io when having the bias potential Vb at its gate and cuts off the current when having the fixed potential Vcc.例文帳に追加

トランジスタＴ２は、そのゲートがバイアス電位Ｖｂに有るとき駆動電流Ｉｏを供給する一方、固定電位Ｖｃｃにあるときカットオフする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of reducing a gate leak current flowing through a pull-up transistor connected to an output of a logic section in a standby state of a gate circuit.例文帳に追加

ゲート回路の待機時に、出力に接続したプルアップトランジスタを流れるゲートリーク電流を低減する半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

Using a high-k film of 10 or greater in dielectric constant for the gate insulating layer causes a gate leakage current in a miniaturized transistor to reduce.例文帳に追加

ゲート絶縁層に比誘電率が１０以上のｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることで、微小化したトランジスタのゲートリーク電流を低減させる。 - 特許庁

To provide a heterojunction FET having a recess gate structure that suppresses a gate leakage current and is made of a nitride semiconductor, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲートリーク電流を抑制する、窒化物半導体からなるリセスゲート構造のヘテロ接合ＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gate of the PMISFET which does not require so much higher current capacity is a normal gate 30pu disposed in a continuous active region R30p.例文帳に追加

それほど高い電流能力を必要としないＰＭＩＳＦＥＴのゲートは、連続型活性領域Ｒ３０ｐ に配置された通常型ゲート３０ｐｕである。 - 特許庁

To provide an insulating gate-type semiconductor device where surge quantity resistance is improved so that yield current by surge do not flow just below a gate electrode.例文帳に追加

サージによる降伏電流がゲート電極直下を流れないようにしてサージ耐量を改善した絶縁ゲート型半導体装置を提供する。 - 特許庁

A gate oxide film 12 is formed of single crystal silicon, by which gate oxide film 12 of high quality can be obtained, and a current is prevented from leaking out.例文帳に追加

ゲート酸化膜１２を単結晶シリコンから生成することによって、良質なゲート酸化膜１２を得ることができ、電流のリークを抑制する。 - 特許庁

An insulation gate field effect transistor off current of which is extremely small is used as a switching element to control potential of the second gate electrode.例文帳に追加

そして、オフ電流が極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタをスイッチング素子として用い、上記第２のゲート電極の電位を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device achieving high-speed operation of a Surrounding Gate Transistor (SGT) by increasing an on current of the SGT, namely a three-dimensional semiconductor.例文帳に追加

三次元半導体であるsurrounding gate transistor(SGT)のオン電流を増加させることにより、SGTの高速動作を実現する半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Accordingly, a switching time for turning on can be shortened by increasing the gate current by setting the resistance value of a gate resistor 33 to a small value.例文帳に追加

したがって、ゲート抵抗３３の抵抗値を小さく設定することによって、ゲート電流を大きくし、ターンオンするスイッチング時間を短くすることができる。 - 特許庁

A common gate 13 is formed on a silicon substrate, and a single channel region turning into a current path is formed under the gate 13.例文帳に追加

シリコン基板１１上に共通のゲート１３を設けるとともに、ゲート１３の下に電流の通路となる単一のチャネル領域を形成させる。 - 特許庁

Niomon gate: Constructed as the south gate of Honkoku-ji Temple during the Jowa era (1345-1350) of the Northern and Southern Court period; relocated to its current site in 1616; topped by a thatched roof. 例文帳に追加

仁王門-南北朝時代(日本)の貞和年間に本圀寺の南門として建立、元和(日本)2年（1616年）に現在地に移築、藁葺き - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To eliminate the bad condition of a height in an interelement isolation region due to flattening by CMP, and to prevent leakage current by improving the gate breakdown voltage of a gate oxide film.例文帳に追加

ＣＭＰによる平坦化での素子間分離領域の高さの不具合を解消し、且つ、ゲート酸化膜のゲート耐圧の向上、リーク電流の防止をする。 - 特許庁

A diode 430 is coupled to the gate current limit resistor 445 and the AC-coupled charging capacitor 435 at one end, and to an output of a gate drive chip at the other end.例文帳に追加

ダイオード４３０は、ゲート電流制限抵抗器４４５及びＡＣ結合充電コンデンサ４３５に、ゲート駆動チップの出力に結合されている。 - 特許庁

To provide a nitride-contained semiconductor device, in which a proper interface is formed between a gate insulating film and a semiconductor layer for less gate leakage current.例文帳に追加

ゲート絶縁膜と半導体層との間に良好な界面が形成され、ゲートリーク電流の小さい窒化物含有半導体装置を提供する。 - 特許庁

A high reading speed is achieved by securing a sufficient reading current by coupling the control gate and memory gate electrodes.例文帳に追加

上記コントロールゲート電極と上記メモリゲート電極との間のカップリングにより十分な読出し電流を確保することによって読出しの高速化を達成する。 - 特許庁

Holes are injected from the MOS transistor 2 to a floating gate 10 by a tunnel current, and electrons are injected from the ballistic electron source 3 to the floating gate 10.例文帳に追加

MOSトランジスタ２からフローティングゲート１０にトンネル電流にてホールを注入し、弾道電子源３からフローティングゲート１０に電子を注入する。 - 特許庁

This insulating film 6 interrupts a leakage current path between the source region 7 and the gate electrode 5 or between the grain region 8 and the gate electrode 5.例文帳に追加

この絶縁膜６が、ソース領域７とゲート電極５との間またはドレイン領域８とゲート電極５との間のリーク電流経路を遮断する。 - 特許庁

To suppress leakage current between a gate electrode with a sidewall insulating layer, and an ohmic electrode facing the gate electrode, in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、側壁絶縁膜を有するゲート電極と、ゲート電極に対向するオーミック電極との間のリーク電流を抑圧する。 - 特許庁

To drive a semiconductor optical amplification type gate switch at a high speed while maintaining the capacity of a driving current supplied to the semiconductor optical amplification type gate switch.例文帳に追加

半導体光増幅型ゲートスイッチに供給する駆動電流の容量を維持しつつ、半導体光増幅型ゲートスイッチの高速駆動を実現させる。 - 特許庁

Upon removing electron from the floating gate electrode to a semiconductor substrate 1, tunnelling current is employed in which electrons pass through the whole surface of a gate insulation film 2.例文帳に追加

また、浮遊ゲート電極から半導体基板１へ電子を除去する際に、ゲート絶縁膜２の全面を電子が通過するトンネル電流を用いる。 - 特許庁

Thereby, the diode 10 is electrically conducted, an electric current is supplied to the gate line end from the Vdc, and the delay of the gate signal can be compensated.例文帳に追加

これにより、ダイオード１０が導通してＶｄｃからゲートライン端部に電流が供給されることにより、ゲート信号の遅延を補償できる。 - 特許庁

Further, a constant current circuit 30 for supplying a constant current Ic is connected to the gate of the transistor Ts, and a second transistor T2 constituting a current mirror circuit with the transistor T1 is connected to the gate of the transistor To.例文帳に追加

また、検出トランジスタＴｓのゲートには、定電流Ｉｃを供給する定電流回路３０を接続し、出力トランジスタＴｏのゲートには、ＮＰＮトランジスタＴ１と共にカレントミラー回路を構成する第２トランジスタＴ２を接続する。 - 特許庁

Although a noise current induced by a switching operation of the IGBT flows into the gate driving cable 56, the noise current flowing into the gate driving cable 56 can be reduced because the current is reduced by the common-mode reactor 11 provided near the IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴがスイッチング動作することにより生じたノイズ電流はゲート駆動ケーブル５６に流れるが、ＩＧＢＴ近傍に設けられたコモンモードリアクトル１１で低減されるため、ゲート駆動ケーブル５６に流れるノイズ電流を低減することができる。 - 特許庁

A switch SW2 is turned OFF and switches SW1 and SW3 are turned ON to supply a low current from a constant current source CC1 to the driving transistor T1, and then a gate voltage corresponding to the low current is written to the gate of the driving transistor T1.例文帳に追加

スイッチＳＷ２をオフとし、スイッチＳＷ１，ＳＷ３をオンとして、定電流源ＣＣ１からの低電流を駆動トランジスタＴ１に流し、これによって駆動トランジスタＴ１のゲートに低電流に応じたゲート電圧を書き込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing generation of a through-current in recovery from a standby mode by reducing a sub threshold leak current and a gate leak current during standby.例文帳に追加

スタンバイ時のサブスレッショルドリーク電流およびゲートリーク電流を低減させ、スタンバイモードからの復帰時の貫通電流の発生を防ぐことのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An electron current suppression layer 125, which has conductivity of p-type, and flows hole current and suppresses electron current, is formed between the hetero-junction layer and the gate electrode.例文帳に追加

ヘテロ接合層とゲート電極との間には、ｐ型の導電性を有し、正孔電流を流し且つ電子電流を抑制する電子電流抑制層１２５が形成されている。 - 特許庁

A current Idata is input to the transistor from a current source circuit, and a gate-source voltage necessary for the transistor to flow the current Idata is set using the feedback circuit.例文帳に追加

電流源回路から電流Ｉｄａｔａをトランジスタに入力して、トランジスタが電流Ｉｄａｔａを流すのに必要なゲート・ソース間電圧を、フィードバック回路を用いて設定する。 - 特許庁

The current mirror circuit amplifies current generated at a capacitive component connected to the collector of the power element and supplies a current to the gate of the power element.例文帳に追加

該カレントミラー回路は該電力素子の該コレクタに接続された容量性部品で生成された電流を増幅し、該電力素子の該ゲートへ電流を供給することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a converter device which balances the output current of each unit by suppressing the circulating current between units without providing a current detector or a controller for controlling gate pulse signals.例文帳に追加

電流検出器やゲートパルス信号を制御する制御装置を設けないで、ユニット間の循環電流を抑制し、各ユニットの出力電流を平衡させたコンバータ装置を提供する。 - 特許庁

For the thin-film transistor of the pixel part, the high resistance impurity region and the gate electrode are not overlapped, a leakage current is suppressed and the ratio of the on-current and an off-current is improved.例文帳に追加

他方、画素部の薄膜トランジスタは、高抵抗不純物領域とゲイト電極をオーバーラップさせないようにして、リーク電流を抑え、オン電流とオフ電流比を向上させる。 - 特許庁

A current control system 6 delivers a gate signal to the inverter 7 such that the output current therefrom will be equal to a current command value of primary frequency angle from the speed control system 5.例文帳に追加

電流制御系６は、インバータ７の出力電流が速度制御系５からの一次周波数角の電流指令値になるようにインバータ７にゲート信号を出力する。 - 特許庁

For the thin-film transistor of the pixel part, the high resistance impurity region and the gate electrode are made so as not to overlap, a leakage current is suppressed and the ratio of the on-current and an off-current is improved.例文帳に追加

他方、画素部の薄膜トランジスタは、高抵抗不純物領域とゲイト電極をオーバーラップさせないようにして、リーク電流を抑え、オン電流とオフ電流比を向上させる。 - 特許庁

In a thin-film transistor in the pixel part, the high-resistance impurity region and the gate electrode do not overlap to suppress a leak current and to improve the ratio between the ON-state current and OFF-state current.例文帳に追加

他方、画素部の薄膜トランジスタは、高抵抗不純物領域とゲート電極をオーバーラップさせないようにして、リーク電流を抑え、オン電流とオフ電流比を向上させる。 - 特許庁

The driving method includes a gate voltage applying step of applying a gate voltage Vg (Tr2) to the gate electrode 24 of a transistor Tr2 when a reflux current flows through a diode D2.例文帳に追加

駆動方法は、ダイオードＤ２を介して還流電流が流れているときに、トランジスタＴｒ２のゲート電極２４にゲート電圧Ｖｇ（Ｔｒ２）を印加するゲート電圧印加工程を備えている。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate oxide film of a semiconductor device, capable of obtaining a gate oxide film with small leak current and high reliability, while holding an effective gate oxide film thickness to 40 Angstroms or less.例文帳に追加

本発明は、４０Å以下の有効ゲート酸化膜厚を確保しながら、低リーク電流及び高信頼性のゲート酸化膜が得られる半導体素子のゲート酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Since a gate electrode of an NMOS 43 and the gate electrodes of NMOSs 33 and 34 are connected, the gate voltages of the NMOSs 33 and 34 are increased when a reference current source 30 is started.例文帳に追加

ＮＭＯＳ４３のゲート電極とＮＭＯＳ３３，３４のゲート電極とが接続されているため、基準電流源３０に起動がかかると、ＮＭＯＳ３３，３４のゲート電圧が上昇する。 - 特許庁

To accurately evaluate film thickness and film quality of a gate insulating film with respect to the gate insulating film of a field-effect transistor, when the gate leakage current is large or when the film quality or structure is complicated.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート絶縁膜に関し、ゲートリーク電流が大きな場合や膜質や構造が複雑な場合において、ゲート絶縁膜の膜厚及び膜質を正確に評価する。 - 特許庁

Thus, the thick trench oxide film 16 is formed at a lead-out portion 18S of the gate electrode 18 in the trench 17, so the gate leak current can be prevented from being generated and the gate capacity can be reduced.例文帳に追加

このように、ゲート電極１８のトレンチ１７の引き出し部１８Ｓに、厚いトレンチ酸化膜１６を形成したので、ゲートリーク電流の発生を防止すると共に、ゲート容量を低減することができる。 - 特許庁

An FET 1 of which the gate an input signal is applied to, a depletion-type FET 2 of which the gate a prescribed gate bias voltage is applied to, a current source FET 5, and a load are connected in series.例文帳に追加

ゲートに入力信号が印加されるＦＥＴ１と、ゲートに所定のゲートバイアス電圧が印加されるデプリーション型のＦＥＴ２と、電流源ＦＥＴ５と、負荷とを直列に接続した。 - 特許庁

To realize a flash memory wherein a leakage current is reduced through an inter-gate-electrode insulating film thereof.例文帳に追加

ゲート電極間絶縁膜中を流れるリーク電流の低減化を図ったフラッシュメモリを実現すること。 - 特許庁

A gate driver 102 controls the respective transistors so that current in both negative and positive directions flows to a load 70.例文帳に追加

ゲートドライバ（１０２）は、負荷（７０）に正負両方向の電流が流れるように各トランジスタを制御する。 - 特許庁

To provide a portable terminal device enabling a user to know a current fare after entering a ticket gate.例文帳に追加

改札入場後に現在の運賃を把握することが可能な携帯端末装置を提供すること。 - 特許庁

Consequently, the gate voltage of the power MOSFET 14 decreases to suppress the drain current.例文帳に追加

そのためパワーＭＯＳＦＥＴ１４のゲート電圧が低下して、ドレイン電流を抑制することができる。 - 特許庁

First, a drain current to the increase of the gate voltage of a detection object transistor is measured (step S1).例文帳に追加

まず、検出対象トランジスタのゲート電圧の増加に対するドレイン電流を測定する（ステップＳ１）。 - 特許庁