「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A first drive circuit 6 that supplies a first current I_1, a second drive circuit 7 that supplies a second current I_2, and a voltage monitor 8 that detects a voltage value of a gate terminal 2 are connected to the gate terminal 2 of an IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴのゲート端子２に、第１の電流Ｉ_１を供給する第１の駆動回路６、第２の電流Ｉ_２を供給する第２の駆動回路７、ゲート端子２の電圧値を検知する電圧モニター８が接続されている。 - 特許庁

Driver elements Q1-Q4 supply a drive voltage to the motor to supply a drive current, while a gate circuit 51 supplies gate signals to the driver elements Q1-Q4 so that a drive voltage or a drive current value corresponds to a command value.例文帳に追加

ドライバ素子Ｑ１〜Ｑ４は、モータに駆動電圧を印加し駆動電流を供給し、ゲート回路５１は、指令値に応じた駆動電圧または駆動電流となるようにゲート信号をドライバ素子Ｑ１〜Ｑ４に供給する。 - 特許庁

When a predetermined current is supplied to a transistor to set a gate-source voltage of the transistor, a potential of a gate terminal of the transistor is adjusted so as to prevent a current from flowing into a load which is connected to a source terminal of the transistor.例文帳に追加

トランジスタに所定の電流を流してトランジスタのゲート・ソース間電圧を設定する際、トランジスタのソース端子に接続された負荷に電流が流れないようにするため、トランジスタのゲート端子の電位を調整する。 - 特許庁

Also, by turning on the MOSFET8 at the same time, the dropper 17 supplies the charging current to the gate-source parastic capacitor of the MOSFET2 through the MOSFET8 and a constant current circuit 9 and as time elapses, the gate-source voltage of the MOSFET2 rises.例文帳に追加

又、それと並行してMOSFET８がONする事により、ドロッパ１７よりMOSFET８、定電流回路９を通してMOSFET２のゲート・ソース間寄生容量に充電電流が供給される事により時間とともにMOSFET２のゲート・ソース間電圧が上昇する。 - 特許庁

To realize a stable drain current and a sufficient reduction effect for a gate leakage current by using a gate insulation film having a thickness less than 10nm with which a high gain is acquired, in a GaN HFET.例文帳に追加

ＧaＮ系ＨＦＥＴにおいて、高利得が得られる１０ｎｍ未満の膜厚のゲート絶縁膜を用いて、安定なドレイン電流と、十分なゲートリーク電流の低減効果とを実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A current control circuit connected to the gate of respective first transistors impresses a voltage for making a current proportional to the threshold voltage of the second transistor, to flow through respective first transistors when an ON-voltage is impressed on the gate of the first transistor.例文帳に追加

各第１トランジスタのゲートに接続されている電流制御回路は、第１トランジスタのゲートにオン電圧を印加したときに、第２トランジスタの閾値電圧に比例する電流を各第１トランジスタに流す電圧を印加する。 - 特許庁

An optical current (electrical signal), generated by making light incident onto a photodiode PD, causes the gate voltage of MOS transistors(TRs) T1, T2 to increase and a current in response to this gate voltage flows through a MOS TR T2.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤに入射されることによって発生する光電流（電気信号）によって、ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２のゲート電圧を上昇させ、このゲート電圧に応じた電流がＭＯＳトランジスタＴ２を流れる。 - 特許庁

A control circuit 128 regulates a current of an off-driving constant current circuit 122 if an on-driving constant current circuit 121 fails to cause a higher current than usual to flow to a gate of an IGBT 110d.例文帳に追加

制御回路１２８は、オン駆動用定電流回路１２１が故障して、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路１２２の電流を調整する。 - 特許庁

An adder obtains the final AC output current command by obtaining the sum of an AC output current command and an AC output current command compensated value, and a gate command calculation means generates a gate command for each semiconductor switching of the self-exciting AC/DC voltage converter to result in matching between the AC output current and the final AC output current command.例文帳に追加

加算器は交流出力電流指令と交流出力電流指令補正値の和を求めて最終交流出力電流指令を求め、ゲート指令演算手段は交流出力電流が前記最終交流出力電流指令に一致するように自励式電圧型交直変換装置の各半導体スイッチングに対するゲート指令を作成する。 - 特許庁

As a result, since the upper end of the control gate electrode CG and the upper end of the memory gate electrode MG are separated by the length of the bird's beak BV, electric field strength is relaxed, and thereby the leakage current flowing between the control gate electrode CG and the memory gate electrode MG is reduced.例文帳に追加

この結果、コントロールゲート電極ＣＧの上端部と、メモリゲート電極ＭＧの上端部が、バーズビークＢＶ分だけ離れるので電界強度の緩和を図ることができ、コントロールゲート電極ＣＧとメモリゲート電極ＭＧ間を流れるリーク電流を低減できる。 - 特許庁

To reduce the gate leakage current in three kinds of MOS transistors having their respective gate oxide films of a small, medium and large thicknesses formed on the same semiconductor substrate, by preventing the deterioration of the gate oxide films with holding high the accelerated oxidation effect of the medium-thickness gate oxide film.例文帳に追加

それぞれ小膜厚、中膜厚及び大膜厚のゲート酸化膜を有する３種類のＭＯＳ型トランジスタを同一半導体基板に形成する場合、中膜厚のゲート酸化膜の増速酸化効果を高く保ちつつゲート酸化膜の劣化を防止して、ゲートリーク電流を低減する。 - 特許庁

Furthermore, since a gate voltage of the IGBT 13 is lowered, current supply capability is suppressed, and the device is prevented from being destroyed by excessive current upon short-circuiting of the output or the like.例文帳に追加

また、ＩＧＢＴ１３のゲート電圧を低くするので、電流供給能力を抑制し、出力短絡時などの過電流による素子の破壊が防止される。 - 特許庁

The value of a resistor (R4) for controlling gate current of the JFET amplifier (U1) is also made to decrease so that the offset voltage drops when leakage current increases.例文帳に追加

ＪＦＥＴ増幅器（Ｕ１）のゲート電流を制御する抵抗器（Ｒ４）の値もまた、漏れ電流が増大した時にオフセット電圧が低下するように減少させられる。 - 特許庁

Since an apparent current change rate dI/dt of current I1 is relaxed, a surge voltage that occurs on the insulating gate type bipolar transistor IGBT1 is suppressed.例文帳に追加

そうすると、見かけ上の電流Ｉ１の電流変化率ｄＩ／ｄｔが緩和されるため絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ１に発生するサージ電圧が抑制される。 - 特許庁

The light emitting element driving current of the driving transistor 12 is stopped, and the reference current is made to flow through the drain or source side, and a gate voltage corresponding thereto is automatically generated.例文帳に追加

駆動トランジスタ１２の発光素子ドライブ電流を止め、模範電流をドレインもしくはソース側から注入し、それに見合ったゲート電圧を自動的に生成する。 - 特許庁

Further, a saturation current is regulated by the JFET resistor whereby the width of a gate electrode can be secured sufficiently and the concentration of current into the channel unit can be avoided.例文帳に追加

また飽和電流は、ＪＦＥＴ抵抗で調整するので、ゲート電極の幅を十分確保することが可能でありチャネル部への電流集中も回避される。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of detecting the operating current and diode current of a MOSFET in the fine MOSFET, in a trench gate type, or the like.例文帳に追加

トレンチゲート型などの微細ＭＯＳＦＥＴにおいて、ＭＯＳＦＥＴの動作電流とダイオード電流を検出することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

The package includes an external control terminal connected with the gate terminal, and first and second external current terminals connected with the first and second current terminals, respectively.例文帳に追加

パッケージは、ゲート端子に接続されるべき外部制御端子、第１及び第２の電流端子がそれぞれ接続される第１及び第２の外部電流端子を有する。 - 特許庁

Then the TRs Q5, Q1 are respectively turned on and off, and this causes the gate/source voltage of the MOS TR M1 to increase, resulting in increased output current I_1 and the current I_2.例文帳に追加

するとトランジスタＱ５とＱ１は、それぞれオン、オフし、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧が大きくなり、出力電流Ｉ１、更に電流Ｉ２は大きくなる。 - 特許庁

A part of the current flowing in the gate current Rg charges a capacitor C1 for a timer; and when the base voltage of a transistor Q3 is raised, the transistor Q3 is turned on.例文帳に追加

ゲート抵抗Ｒｇを流れる電流の一部がタイマ用コンデンサＣ１を充電し、トランジスタＱ３のベース電圧が上昇すると、トランジスタＱ３はオンになる。 - 特許庁

Since transistors(TRs) Q3, Q6 are alternately turned ON/OFF and no current is supplied from a current source 11, transmission gate circuits 104, 106 are basically operated alternately.例文帳に追加

伝送ゲート回路１０４、１０６はトランジスターＱ３、Ｑ６が交互にオン／オフして電流源Ｉ１より電流が供給されるため基本的には交互に動作する。 - 特許庁

If the voltage level passes a threshold voltage VT of the fourth P-MOSFET 19, drain current flows and increases the gate voltage of the first P-MOSFET 6, which limits the load current.例文帳に追加

第４Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ１９の閾値電圧ＶＴを超えるとドレイン電流が流れ、第１Ｐ−ＭＯＳＦＥＴ６のゲート電圧が上昇し負荷電流を制限する。 - 特許庁

When a command signal Sa is at an L level, a boosting circuit 54 is interrupted from a gate of a MOS transistor(TR) 32 and a constant current circuit 42 receives a current Ia.例文帳に追加

指令信号ＳａがＬの時、昇圧回路５４とＭＯＳトランジスタ３２のゲートとの間が遮断状態となり、定電流回路４２が電流Ｉａを引き込む。 - 特許庁

A current (data current (negative)) corresponding to data is made to flow through a data line Data by setting a gate line GL to H and further setting a selection TFT 10 and a short-circuit TFT 16 to ON.例文帳に追加

ゲートラインＧＬをＨにして、選択ＴＦＴ１０および短絡ＴＦＴ１６をオンとし、データラインＤａｔａにデータに応じた電流（データ電流（負））を流す。 - 特許庁

By providing such a channel cut region, current path (leak current) due to a parasitic channel in the parasitic transistor in the gate-off state can be suppressed.例文帳に追加

このようなチャネルカット領域を設けることにより、ゲートオフ時における寄生トランジスタにおける寄生チャネルによる電流パス（リーク電流）を抑制することができる。 - 特許庁

The channel Ch controls a current flowing through the path in accordance with a signal which is impressed on a gate electrode 2 and it suppl the controlled current is supplied from the drain D to the PLED.例文帳に追加

チャネルＣｈはゲート電極２に印加される信号に応じて通路を流れる電流を制御し、制御された電流をドレインＤからＯＬＥＤに供給する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of preventing occurrence of gate leakage current, reduction in withstand voltage, and occurrence of current collapse, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲートリーク電流の発生及び耐圧の低下、又は電流コラプスの発生を抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A voltage generated between the gate and source of the driving transistor T2, with the data current IDAT flowing to the current sink through a data line is accumulated in a capacity element C1.例文帳に追加

データ線を介して電流シンクに流れるデータ電流ＩDATによって駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間に生じる電圧が容量素子Ｃ１に蓄積される。 - 特許庁

The main current path and the gate driving current path are connected as they are separated from each other, so that the power MOS-FET 1 is less affected by parasitic inductance and can be improved in voltage conversion efficiency.例文帳に追加

主電流経路とゲート駆動用経路とを分離して接続することにより、寄生インダクタンスの影響を低減し、電圧変換効率を向上することができる。 - 特許庁

The gate control circuit 70 turns the transistor 50 on in response to application of the direct current voltage, and turns the transistor 50 off in response to stop of the application of the direct current voltage.例文帳に追加

ゲート制御回路７０は、直流電圧の印加に応答してトランジスタ５０をＯＮし、直流電圧の印加の停止に応答してトランジスタ５０をＯＦＦする。 - 特許庁

As a result, as the on current flowing in a channel layer 341 is controlled by the two gate electrodes 125 and 195, it is possible to compensate for an insufficient portion of the on current.例文帳に追加

この結果、チャネル層３４１を流れるオン電流は、２つのゲート電極１２５、１９５によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。 - 特許庁

The crossing portion 160 is formed into a layer which is identical to a gate electrode, for example, and the main portion 170 is formed in a layer which is identical a source/drain electrode, a gate wiring X1 and the current supply line Y2 with a gate insulator interposed between them.例文帳に追加

交差部分１６０を、例えばゲート電極と同層に形成し、主要部分１７０を、ゲート絶縁膜を間にしてソース／ドレイン電極，ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と同層に形成する。 - 特許庁

To keep excellent device characteristics without a high temperature process and moreover to attain a sufficient embedding property between gate electrode structures coping with the elongation of a current gate length and further reduction in the width of the distance between the gate electrode structures.例文帳に追加

高温プロセスを要することなく、優れたデバイス特性を保持するも、近時におけるゲート長及びゲート電極構造間距離の更なる幅狭化に対応してゲート電極構造間の充分な埋め込み性を確保する。 - 特許庁

Thereby current flowing through a top surface of the recessed portion of the gate electrode 7 at high concentration can flow uniformly through the entire trench portion 3, and the effective gate width of the recessed part formed to change the depth in the gate width direction is increased.例文帳に追加

これにより、ゲート電極７の凹部上面に集中して流れていた電流がトレンチ部３の全体に一様に流れるようになり、ゲート幅方向に深さが変化するように形成された凹部の実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁

The trench type built-in gate resistance 4t is connected electrically with the gate electrode 13 and provided in the first trench part T1 via the insulating film 14b so as to serve as a resistance to the current flowing in the gate electrode 13.例文帳に追加

トレンチ型内蔵ゲート抵抗４ｔは、ゲート電極１３を流れる電流に対する抵抗となるようにゲート電極１３と電気的に接続され、かつ絶縁膜１４ｂを介して第１の溝部Ｔ１の中に設けられている。 - 特許庁

In the operational amplifier 34, an element with the characteristic features of decreasing an output voltage from the voltage follower or a gate voltage Vg, when an input signal power S1 added to the gate increases resulting in an increase of a gate current Ig.例文帳に追加

演算増幅器３４は、ゲートに加えられる入力信号電力Ｓ１が増加して、ゲート電流Ｉｇが増加したとき、ボルテージフォロワの出力電圧、すなわちゲート電圧Ｖｇが低下する特性の素子が選択されている。 - 特許庁

A temporary hall was finally constructed near to the Daimon gate of Sennyu-ji Temple in 1887 and Sokujo-in Temple was revived before merging with the Sennyu-ji Temple sub-temple of Hoan-ji Temple in 1899 and being relocated from the front of the Daimon gate to its current location in the vicinity of the Somon gate in 1902. 例文帳に追加

明治20年（1887年）に泉涌寺大門付近に仮堂が建設されてようやく復興し、明治32年（1899年）には泉涌寺塔頭の法安寺と合併、明治35年（1902年）には、大門前から総門近くの現在地に移された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method for fabricating a recess gate of a semiconductor device capable of preventing the generation of a leakage current and property degradation in a gate insulating layer by rounding a portion between a vertical pattern and a bulb pattern in a bulb-shaped recess gate.例文帳に追加

バルブ型リセスパターンの第１トレンチパターンとバルブパターンとの接続部分をラウンドさせることにより、リーク電流及びゲート絶縁膜の特性の劣化を防止できる半導体素子のリセスゲートの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The ignition device is equipped with: an IGBT 3 for connecting and disconnecting a low-voltage current flowing in a primary coil; a gate protective zener diode 4 for protecting a gate of the IGBT 3, and a protective zener diode 5 and a gate resistor 6 for protecting the IGBT 3.例文帳に追加

一次側コイルに流れる低圧電流を断続するＩＧＢＴ３と、ＩＧＢＴ３のゲートを保護するためのゲート保護ツェナーダイオード４と、ＩＧＢＴ３を保護するための保護ツェナーダイオード５およびゲート抵抗６とを備えている。 - 特許庁

To provide a gate insulating field effect transistor where a source/ drain junction area below a gate electrode is made to be shallow and the resistance of the area is made to be low, and to provide a fine complementary gate insulating field effect transistor whose current is large and whose high speed operation is realized.例文帳に追加

本願発明の第１の課題は、ゲート電極下のソース・ドレイン接合領域の浅接合化と当該領域の低抵抗化とを合わせて実現したゲート絶縁型電界効果型トランジスタを提供することである。 - 特許庁

Accordingly, an abnormal resistance preventing smooth flow of current on the gate electrode 24 of the boundary line between the N-type region 14 and the P-type region 16 can be prevented without physically increasing the gate width of the gate electrode 24.例文帳に追加

したがって、ゲート電極２４のゲート幅を物理的に大きくしなくても、Ｎ型領域１４とＰ型領域１６の境界線上のゲート電極２４で電流が流れにくくなる抵抗異常の発生を抑制できる。 - 特許庁

The capacitor 112 applies the gate voltage to a second transistor 113 and makes possible current supply to the organic EL 114.例文帳に追加

キャパシタ１１２は、第２トランジスタ１１３にゲート電圧を印加し、有機ＥＬ１１４への電流供給を可能にする。 - 特許庁

The source terminal of a MOS transistor P1 and the gate terminal of a MOS transistor N3 are connected to the constant current source 11.例文帳に追加

定電流源１１には、ＭＯＳトランジスタＰ１のソース端子とＭＯＳトランジスタＮ３のゲート端子が接続されている。 - 特許庁

To obtain a top gate stagger-type thin film transistor(TFT) which is simple in structure and capable of decreasing a leakage current.例文帳に追加

簡単な構造でリーク電流を低減することができるトップゲートスタガー型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。 - 特許庁

The gate voltage of MOSFET M1 is controlled by transistors Q1 and Q2 turned on in accordance with the current limit values.例文帳に追加

これら電流制限値に応じてオンするトランジスタＱ１、Ｑ２によりＭＯＳＦＥＴＭ１のゲート電圧を制御する。 - 特許庁