「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the plurality of thin film transistors (110, 120, 130, 140) has the substantially same drain current rising gate voltage.例文帳に追加

複数の薄膜トランジスタ（１１０、１２０、１３０、１４０）のそれぞれはほぼ同じドレイン電流立ち上がりゲート電圧を有する。 - 特許庁

The trench gate region 18 applied with a positive bias voltage allows electrification, while applying the width a negative bias voltage allows current to be cut off.例文帳に追加

トレンチゲート領域１８に正のバイアス電圧を印加すると通電し、負のバイアス電圧を印加すると電流は遮断する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate insulating film which has a high dielectric constant and can reduce a leakage current.例文帳に追加

高誘電率でありかつリーク電流を低減することが可能なゲート絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To so reduce the proximity effect as to increase a coupling factor, and reduce the leaking current generated between a controlling gate electrode and a substrate.例文帳に追加

近接効果を低減してカップリング係数を増大し、かつ制御ゲート電極−基板間のリーク電流を低減する。 - 特許庁

To obtain a drive circuit of a voltage-driven switching device for making a turn-on gate current constant in an entire section including a mirror section.例文帳に追加

ミラー区間を含むターンオン時の全区間でゲート電流を一定にする電圧駆動型スイッチングデバイスの駆動回路を得る。 - 特許庁

To reduce a gate current in driving in a semiconductor device including a normally-off-type transistor using a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いたノーマリオフ型のトランジスタを備えた半導体装置において、駆動時のゲート電流を低減する。 - 特許庁

To prevent the lowering of the maximum drain current in MIS-HEMT wherein a gate recess portion is formed penetrating through a 2DEG (two-dimensional electron gas) layer.例文帳に追加

ゲートリセス部が2DEG（２次元電子ガス)層を貫通して形成されたMIS-HEMTにおいて、最大ドレイン電流の低下を防止する。 - 特許庁

For this reason, radiation noise generated from the gate driving cable 56 by the flow of the noise current can be reduced.例文帳に追加

そのため、ノイズ電流が流れることによりゲート駆動ケーブル５６から発生される放射ノイズを低減することができる。 - 特許庁

An output node is divided into two (nodes A and B) while separating the current path of the transistor N1A whose gate is connected to the VCC.例文帳に追加

出力ノードはゲートがＶＣＣに接続されたトランジスタＮ１ａの電流通路を隔てて２つ（ノードＡ，Ｂ）に分かれている。 - 特許庁

The selecting transistor has a function of flowing a current that passes through the chalcogenide structure 42 when enabled by a gate voltage.例文帳に追加

選択トランジスタはゲート電圧により有効となったときカルコゲニド構造４２を通過する電流を流す機能を有する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device for achieving a stable operation at a high voltage for a long time by suppressing an increase in a leakage current of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現する。 - 特許庁

In such a structure, when a gate voltage is applied, an off-current is reduced by the p-n junction within the channel.例文帳に追加

そのような構造において、ゲート電圧が印加されない場合には、チャネル内のｐ-ｎ接合によりオフ電流が削減される。 - 特許庁

A potential control circuit 36 supplies a characteristic control potential V[j] to the back gate B of the drive current TDR of each unit circuit U.例文帳に追加

電位制御回路３６は、各単位回路Ｕの駆動トランジスタＴDRのバックゲートＢに特性制御電位Ｖ[j]を供給する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a source, a drain, and a gate configured to selectively pass current between the source and the drain.例文帳に追加

半導体デバイスは、ソースと、ドレインと、ソースとドレインとの間に電流を選択的に流せるように構成されたゲートとを含む。 - 特許庁

To provide a heterojunction field-effect semiconductor device with normally-OFF characteristics, which has a small gate leakage current and is easy to form.例文帳に追加

ゲートリーク電流が小さく、形成が容易なノーマリオフ特性を有するヘテロ接合型電界効果半導体装置を提供する。 - 特許庁

In addition, compaction gate-current efficiency is enhanced by reverse biasing a source 11/a substrate 23 junction for the cell to be programmed.例文帳に追加

またプログラムされるセルのソース１１／基板２３接合を逆バイアルすることにより圧縮ゲート電流効率が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the resistance of the gate electrode is decreased and leak current is reduced, and to provide its fabricating process.例文帳に追加

ゲート電極の低抵抗化とリーク電流の低減化とを共に図った半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To reduce a gate leak current and to obtain a superior high output characteristic in a nitride semiconductor field effect transistor.例文帳に追加

窒化物半導体電界効果トランジスタに関し、ゲートリーク電流を低減するとともに、優れた高出力特性を実現する。 - 特許庁

A current IA flowing through a resistor R is determined by a series connection of the resistor R and a gate-drain short circuit transistor Q0.例文帳に追加

抵抗Ｒと、ゲートドレイン短絡のトランジスタＱ０の直列接続により、抵抗Ｒに流れる電流ＩＡを決定する。 - 特許庁

The amount of voltage shift in the gate voltage-drain current characteristics of a thin-film transistor is controlled by dopant concentration in an active layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性の電圧シフト量を活性層中のドーパント濃度により制御する。 - 特許庁

It is said to have been relocated to its current site after the Onin War, having originally stood as the gate at the mansion of TAIRA no Norimori (and TAIRA no Shigemori) but this is not known for sure. 例文帳に追加

平教盛の館門（平重盛の館門とも）を応仁の乱後に移築したものと伝えるが定かでない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To enhance the current drive capacity of a semiconductor device composed of a nitride semiconductor having a gate electrode.例文帳に追加

窒化物半導体からなり、ゲート電極を有する半導体装置の電流駆動能力を高めることができるようにする。 - 特許庁

To provide an organic transistor capable of preventing the leakage current between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間のリーク電流を防止することのできる有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which can suppress the leakage current between the transfer gate transistors and can be miniaturized as well.例文帳に追加

トランスファーゲートトランジスタ相互間のリーク電流を抑制するとともに小型化が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high carrier mobility and capable of suppressing a gate injection current, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

高いキャリア移動度を有し、ゲート注入電流の抑制が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor capable of allowing a much more current to flow by controlling by means of a double gate structure.例文帳に追加

ダブルゲート構造にすることにより、より多くの電流を制御して流すことができる有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a driving transistor varies in gate voltage and source voltage owing to a leak current and an organic EL element has variance in light emission luminance.例文帳に追加

リーク電流によって駆動トランジスタのゲート電圧とソース電圧が変動し、有機ＥＬ素子の発光輝度がばらつく。 - 特許庁

To provide a transistor at a low price as well as its manufacturing method that shortens a gate length for a short channel and decreases dark current.例文帳に追加

ゲート長を短くして短チャネル化し、且つ暗電流を低減したトランジスタ及びその製造方法を低コストで提供する。 - 特許庁

A chopper gate pulse 28 is generated by using feed-forward item Idc*(ff)52 to control the current of a boosting chopper 9.例文帳に追加

当該フィードフォワード項Ｉｄｃ^＊（ｆｆ）５２を用いてチョッパゲートパルス２８を生成し、昇圧チョッパ９の電流制御を行なう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a gate insulating film and capacity insulating film with less leakage current.例文帳に追加

リーク電流の小さい容量絶縁膜及びゲート絶縁膜を備えた半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an increase in leakage current in a bottom gate type TFT where a poly-Si layer and an a-Si layer are laminated.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、リーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

When an L signal is inputted to the gate of the transistor Tr1, a base current is allowed to flow through the power transistor Tr0 to turn it on.例文帳に追加

トランジスタＴｒ１のゲートにＬ信号が入力されると、パワートランジスタＴｒ０にベース電流が流れてオンになる。 - 特許庁

On the other hand, when a negative inverter current is detected (YES at S90), abnormality (gate inferiority) with the inverter is decided (S100).例文帳に追加

一方、負のインバータ電流が検知されると（Ｓ９０にてＹＥＳ）、インバータの異常（ゲート不良）と判断される（Ｓ１００）。 - 特許庁

As a result, a gate voltage of the MOSFET 24 drops and the MOSFET becomes the OFF state and the driving current A4 is cut off.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ２４のゲート電圧が下がり、ＭＯＳＦＥＴ２４がオフ状態になり駆動電流Ａ４が遮断される。 - 特許庁

According to this invention, a photon created in a plasma process is absorbed to prevent the occurrence of a leakage current of a gate insulating film.例文帳に追加

本発明によれば、プラズマ工程時に発生するフォトンを吸収してゲート絶縁膜の漏れ電流の発生を防止できる。 - 特許庁

To reduce GIDL current of a transistor that receives boosting voltage at a gate in a semiconductor memory having a dynamic memory cell.例文帳に追加

ダイナミックメモリセルを有する半導体メモリにおいて、昇圧電圧をゲートで受けるトランジスタのＧＩＤＬ電流を削減する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which can suppress leakage current which flows toward a gate electrode, in a second nitride semiconductor layer.例文帳に追加

第２の窒化物半導体層においてゲート電極へ流れるリーク電流を抑制する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which can be manufactured efficiently and generating no gate leak current, and its manufacturing method.例文帳に追加

効率よく製造することが可能で、かつ、ゲートリーク電流を生じない薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A main control device 24 detects the leakage current flowing through the emitter, while applying a prescribed voltage between the emitter and the gate.例文帳に追加

主制御装置２４が、エミッタとゲートの間に所定の電圧を印加しながらエミッタに流れる漏れ電流を検出する。 - 特許庁

The power supply circuit 30 includes a field effect transistor 31, a current value detection part 32, and a gate voltage control part 33.例文帳に追加

電力供給回路３０は、電界効果トランジスタ３１、電流値検出部３２およびゲート電圧制御部３３を含む。 - 特許庁

When a drain voltage is varied to a prescribed gate voltage, a negative differential conductance occurs in drain current characteristics of a semiconductor device.例文帳に追加

所定のゲート電圧に対してドレイン電圧を変化させたときに、ドレイン電流特性に負性微分コンダクタンスが生じる。 - 特許庁

To prevent increase of harmonic current distortion and not to make a gate trigger mode of triac become a mode of undesirable polarity.例文帳に追加

高調波電流歪み率の増大を防止するとともに、トライアックのゲートトリガモードを好ましくない極性のモードにしない。 - 特許庁

To prevent display unevenness which is generated when a plurality of gate lines are driven at the same time in current driving of an organic EL element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の電流駆動において、複数本のゲートラインを同時に駆動するときに生じる表示むらを防止する。 - 特許庁

Upon a correcting operation, a current for bias is caused to flow so as to maintain the voltage between the gate and the source of a correction target transistor in a capacity.例文帳に追加

補正動作の時に、バイアス用の電流を流して、補正対象のトランジスタのゲート・ソース間電圧を容量に保持する。 - 特許庁

The lamp circuit 250 is connected to the gate 232 of the FET 230 and used for supplying the current to the loads 220 and 225 connected to the source 234 of the FET 230.例文帳に追加

ランプ回路250は、FET230のゲート232に結合され、FET230のソース234に結合された負荷(220,225)に電流を供給するために使用される。 - 特許庁