「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the change in source current due to the change in the output of a gate of internal logic that is one of the main factors for the generation of power source noise.例文帳に追加

電源ノイズ発生の主要因のひとつである、内部ロジックでのゲートの出力変化による電源電流変動を低減すること。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁

To provide an insulated-gate bipolar transistor which has a small tail current and in which a switching speed at a high speed is realized, and to provide a manufacturing method for the bipolar transistor.例文帳に追加

テール電流の小さい、高速のスイッチング速度が実現された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The N channel MOS transistor N7 lets a current flow to a resistor R17 corresponding to the voltage applied to the gate and voltages are generated at both ends.例文帳に追加

ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ７は、ゲートに与えられた電圧に応じ、抵抗Ｒ１７に電流を流して両端に電圧が発生する。 - 特許庁

The P channel MOS transistor P1 lets a current flow to a resistor R18 corresponding to a voltage applied to the gate and voltages are generated at both ends.例文帳に追加

ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１は、ゲートに与えられた電圧に応じ、抵抗Ｒ１８に電流を流し、両端には電圧が発生する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor wherein a breakdown voltage is high, a threshold voltage is stable and a transition current for a gate electrode is small.例文帳に追加

ブレイクダウン電圧が高く、閾値電圧が安定で、かつゲート電極についての遷移電流が小さい電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

According to the method of forming the semiconductor device, the stable FET characteristics can be obtained by suppressing the leakage current in the gate insulating film.例文帳に追加

本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 - 特許庁

Thus, connecting the semiconductor substrate (or well) 25 to the gate terminal 23 in the active state can decrease the OFF current to 10-10 A/μm.例文帳に追加

こうして、アクティブ状態時に、半導体基板(あるいはウェル)２５をゲート端子２３に接続すればオフ電流を１０^-10Ａ/μmに小さくできる。 - 特許庁

In a first P-channel MOS transistor P1, a second current input terminal Tin2 is connected to a drain and a gate is connected to the drain.例文帳に追加

第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１は、第２電流入力端子Ｔｉｎ２とドレインが接続され、ゲートが当該ドレインと接続される。 - 特許庁

The first transistor M1 is a depletion type MOSFET with one terminal connected to the current source 10, and with gate sources thereof connected to each other.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、その一端が電流源１０と接続され、かつそのゲートソース間が接続されたデプレッション型のＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

To reduce a leak current that occurs in a pn-junction region between a gate and a source in a trench type junction FET using a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いた接合型ＦＥＴにおいて、ゲート・ソース間のｐｎ接合領域において生じるリーク電流を低減する。 - 特許庁

It is configured to apply a control voltage via a gate insulation region to the semiconductor region to control a current flowing between the source region and the drain region.例文帳に追加

半導体領域にゲート絶縁領域を介して制御電圧を加え、ソース領域とドレイン領域間で流れる電流を制御する。 - 特許庁

To increase the breakdown strength of an insulated gate type semiconductor device including a main current region and a detecting region on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

主電流領域と検出領域とを同一の半導体基板上に有する絶縁ゲート型半導体装置の高耐圧化を実現する。 - 特許庁

To achieve a high carrier mobility by making a carrier smoothly movable in a current channel on a gate insulating film in an organic thin film transistor.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上の電流チャネルにおけるスムーズなキャリアの移動を可能とし、高いキャリア移動度を実現する。 - 特許庁

To provide a TFT having less off-current where no high-accuracy alignment is required in a manufacturing process, even if the gate length becomes shorter.例文帳に追加

オフ電流が少なく、かつゲート長が短くなっても製造工程において高精度の位置合わせを必要としないＴＦＴを提供する。 - 特許庁

To provide a lateral short channel DMOS having low gate resistance and on resistance and exhibiting excellent high speed switching characteristics and current drive characteristics.例文帳に追加

ゲート抵抗及びオン抵抗が低く、高速スイッチング特性及び電流駆動特性に優れた横型短チャネルＤＭＯＳを提供する。 - 特許庁

To improve a fault that a gate forward current cannot be controlled in an MIS type FET formed of a single layer Si_3N_4 insulating layer.例文帳に追加

単一層のＳｉ_３Ｎ_４絶縁層からなるＭＩＳ型ＦＥＴにおけるゲート順方向電流を抑制できないという欠点を改善する。 - 特許庁

If the gate-source voltage of the Nch-MOSFET111 is higher than a predetermined voltage, the Nch-MOSFET111 is turned on to allow a current to flow from a source to a drain.例文帳に追加

Nch-MOSFET１１１のゲート−ソース間の電圧が所定の電圧よりも高いとき、Nch-MOSFET１１１はオンされるので、ソースからドレインに電流を流す。 - 特許庁

The source of the MOS transistor M2 is connected to ground, the gate and the drain are connected together, and a current I2 is supplied to the drain.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２は、ソースが接地されるとともに、ゲートとドレインが接続され、そのドレインに電流Ｉ２が供給されるようになっている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device, in which current collapse is suppressed even if a gate electrode is miniaturized, and also to provide a method of manufacturing the compound semiconductor device.例文帳に追加

ゲート電極が微細化されても電流コラプスを抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a low threshold voltage and is capable of suppressing a leakage current from a gate insulating film, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

閾値電圧が低く、かつ、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that greatly suppresses generation of leakage current through a gate insulating film in the so-called MNOS structure.例文帳に追加

いわゆるＭＮＯＳ構造において、ゲート絶縁膜を介した漏れ電流の発生を大幅に抑制させた半導体メモリ装置の提供。 - 特許庁

The first pMOS 130 with a gate G and a drain D connected thereto functions as a rectifying device for allowing a current to flow to the drain D from a source S.例文帳に追加

ゲートＧとドレインＤが接続している第１ｐＭＯＳ１３０は、ソースＳからドレインＤへ電流を通す整流素子として機能する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based field effect transistor that is excellent in current hysteresis characteristics and is capable of decreasing a forward gate leak.例文帳に追加

電流ヒステリシス特性が良好で順方向ゲートリークを低減させることができるガリウムナイトライド系電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device having normally-off characteristics having a small on-state resistance and a gate leakage current and reduced dispersion of characteristics.例文帳に追加

オン抵抗及びゲートリーク電流の小さいノーマリオフ特性を有し、且つ特性のばらつきが少ない電界効果半導体装置を提供する。 - 特許庁

A capacitor 201 and a current amplifier circuit 112 are connected to the gate and the drain of a P channel transistor 104 and a level shifter 111 is connected to a source and a substrate.例文帳に追加

Ｐチャンネルトランジスタ１０４のゲートとドレーンにコンデンサ２０１と電流増幅回路１１２、ソースと基板にレベルシフタ１１１を接続する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of simultaneously performing both a decrease in resistance of source and drain areas and a decrease in gate leak current.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の低抵抗化とゲートリーク電流の低減とを両立することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To avoid an unstable operation due to a gate current of a switch IC employing a GaAs FET.例文帳に追加

ＧａＡｓ ＦＥＴを用いるスイッチＩＣのゲート電流による動作不安定を回避する小型のバイアス回路内蔵型スイッチＩＣを提供する。 - 特許庁

During an output operation, the two transistors operate as multi-gate transistors, so that the current value at the output operation can be made small.例文帳に追加

そして、出力動作の時には、２つのトランジスタがマルチゲートのトランジスタとして動作するため、出力動作の時の電流値を小さくできる。 - 特許庁

To provide a comb-teeth type thin-film transistor which does not degrades VG (gate voltage) - ID (drain current) characteristics, even if drain voltage VD is increased.例文帳に追加

櫛歯型の薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電圧ＶＤを上げても、ＶＧ（ゲート電圧）−ＩＤ（ドレイン電流）特性が劣化しないようにする。 - 特許庁

Consequently effective channel width between a source 9 and the drain 10 is increased, and thereby a reading current to a fixed gate voltage is reduced.例文帳に追加

この結果、ソース９とドレイン１０との間の実効チャネル幅が増大し、従って、一定のゲート電圧に対する読取電流が減少する。 - 特許庁

To provide a horizontal type short channel DMOS, low in gate resistance and on resistance while being excellent in high-speed switching characteristics and current driving characteristics.例文帳に追加

ゲート抵抗およびオン抵抗が低く、高速スイッチング特性および電流駆動特性に優れた横型短チャネルＤＭＯＳを提供する。 - 特許庁

The operation bias of the junction type FET is performed by a bias circuit 9 connected to the gate and the constant current source 11 connected to the source.例文帳に追加

さらに、接合型ＦＥＴの動作バイアスをゲートに接続したバイアス回路９とソースに接続した定電流源１１によって行う。 - 特許庁

To provide a horizontal short channel DMOS which is excellent in high speed switching characteristics and current driving characteristics for reducing a gate resistance and an on-resistance.例文帳に追加

ゲート抵抗及びオン抵抗が低く、高速スイッチング特性及び電流駆動特性に優れた横型短チャネルＤＭＯＳを提供する。 - 特許庁

To provide a movable gate type field effect transistor, capable of increasing the magnitude of drain current by adopting a source-drain structure which increases a channel width.例文帳に追加

チャネル幅を大きくするソース・ドレイン構造を採用し、ドレイン電流の大きさを増加させる可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

In an output operation, the two transistors operate as a multi-gate transistor, therefore, a current value in the output operation can be small.例文帳に追加

そして、出力動作の時には、２つのトランジスタがマルチゲートのトランジスタとして動作するため、出力動作の時の電流値を小さくできる。 - 特許庁

To provide a power-gating technique for an integrated circuit device wherein a current surge through a power gate transistor is small, having a Sleep Mode of operation.例文帳に追加

パワーゲートトランジスタを通る電流サージが小さい、スリープモード動作を有する集積回路装置のためのパワーゲーティング技術を提供する。 - 特許庁

To reduce the off current of an insulating gate-type field effect transistor, where a part of a channel area is formed of a non-single crystal semiconductor.例文帳に追加

少なくともチャンネル領域の一部が非単結晶半導体で形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタのオフ電流を低減する。 - 特許庁

The current source CS1 is connected to a gate terminal of the transistor M4, a drain terminal of a transistor M3, a drain terminal of a transistor M1, and a resistor R1.例文帳に追加

電流源ＣＳ１は、トランジスタＭ４のゲート端子、トランジスタＭ３のドレイン端子、トランジスタＭ１のドレイン端子、抵抗Ｒ１に接続される。 - 特許庁

A voltage higher than a voltage of the power supply (VDD) is applied to each gate terminal of two leak current interruption transistors by a step-up circuit 111.例文帳に追加

２つのリーク電流遮断用トランジスタの各ゲート端子には、昇圧回路１１１によって、電源（ＶＤＤ）よりも高い電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein gate leakage current reduction and element voltage resistance improvement are achieved without an increase in parasitic resistance.例文帳に追加

寄生抵抗の増大を生じることなくゲートリーク電流を低減し、素子の耐圧を向上させることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To protect an IGBT from overvoltage by supplying a sufficient current to the gate of an IGBT, when overvoltage is applied to the IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴに過電圧が印加されたときに、十分なゲート電流をＩＧＢＴのゲートに供給して、ＩＧＢＴを過電圧から保護する。 - 特許庁

To reduce leakage current in a high dielectric metal oxide film or high dielectric metal silicate film used for a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に用いる高誘電体金属酸化膜又は高誘電体金属シリケート膜におけるリーク電流を低減できるようにする。 - 特許庁

Before the n--type drain layer 2A under a gate electrode 8 is thermally broken down, the surge current is released to a silicon substrate 1 through this p-n junction.例文帳に追加

ゲート電極８の下のＮ−型ドレイン層２Ａが熱破壊する前に、サージ電流は、このＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

A photodiode p^+ layer 350 is extended just below the sidewall of the photodiode at the transfer-gate electrode to suppress the dark current just below the sidewall.例文帳に追加

転送ゲート電極のフォトダイオード側の側壁の直下に、フォトダイオードｐ＋層３５０を延在させて側壁直下の暗電流を抑制する。 - 特許庁