「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a low leakage voltage detection circuit and method for not generating a leakage current due to a gate electrode drive voltage signal being an insufficient voltage.例文帳に追加

ゲート電極駆動電圧信号が不十分な電圧のためにリーク電流が発生することのない低リーク電圧検出回路及び方法を提供する。 - 特許庁

A regulator circuit driving circuit includes plural switch circuits for controlling the amount of current to be supplied to the load circuit based on a gate control signal.例文帳に追加

レギュレータ回路駆動用回路は、複数のスイッチ回路を備え、ゲート制御信号に基づいて負荷回路に供給する電流量を制御する。 - 特許庁

A controller 160 detects an input current value of an FC soft switching converter 150 at an on-timing Ts2 of a gate signal of a first switching element S1.例文帳に追加

コントローラ１６０は、第１スイッチング素子Ｓ１のゲート信号のオンタイミングＴｓ２でＦＣソフトスイッチングコンバータ１５０の入力電流値を検出する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor electronic device in which a semiconductor layer, which isolates a gate electrode from a current path in a semiconductor stack, can be made thicker.例文帳に追加

半導体積層内の電流経路からゲート電極を隔てる半導体層を厚くできるIII族窒化物半導体電子デバイスを提供する。 - 特許庁

A differential amplifier circuit consists of transistors(TRs) M2, M1 whose gate electrodes are used for positive and negative input terminals, resistive elements RN1, RP1, and a constant current source I1.例文帳に追加

ゲート電極を正負の入力端子とするトランジスタＭ２，Ｍ１，抵抗要素ＲＮ１，ＲＰ１，定電流源Ｉ１で差動増幅回路を構成する。 - 特許庁

The charges 38 caused in the semiconductor layer 18 when the ions are implanted pass through the gate oxidized film 22 and the conductive layer 102 as FN current are removed.例文帳に追加

イオン注入時に半導体層１８に生じた電荷３８は，ＦＮ電流となってゲート酸化膜２２および導電層１０２を通過し，除去される。 - 特許庁

The output voltage VB is so changed into a level-shifted voltage VC by a level shifter 24 as to apply it to the gate of a MOS transistor M21 of a current comparing portion 25.例文帳に追加

この出力電圧Ｖ_B は、レベルシフタ２４でレベルシフトされてＶ_C となり、これが電流比較部２５のＭＯＳトランジスタＭ２１のゲートに印加される。 - 特許庁

The package is also mounted with a turn-off buffer which discharges a gate load to either of the first and second external current terminals when the switching device is turned off.例文帳に追加

このパッケージに、スイッチング素子のターンオフ時にそのゲート電荷を第１及び第２の外部電流端子のいずれかに放電させるターンオフバッファが搭載される。 - 特許庁

Then, a reset action of the constant current control circuit is controlled according to an output signal from the AND gate obtained from results of the AND operation.例文帳に追加

そして、そのＡＮＤ演算の結果得られるＡＮＤゲートからの出力信号に従って、定電流制御回路のリセット動作を制御する。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極６の下のＮ−型ドレイン層２が熱破壊する前に、サージ電流はこのＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

To make a semiconductor device finer, and suppress a current leak in a common contact connecting a gate electrode and an impurity diffusion area.例文帳に追加

半導体装置を微細化するとともに、ゲート電極と不純物拡散領域とを接続する共通コンタクトにおける電流リークを抑制する。 - 特許庁

All of output terminals of the operational amplifier are connected to a gate of the transistor, so that the operating current (power consumption) during overcurrent detection can be suppressed.例文帳に追加

また、オペアンプの出力端子は全てトランジスタのゲートに接続されているので、過電流検出時の動作電流（消費電力）を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a Schottky source/drain for preventing the deterioration of the reliability of a gate insulating film or the deterioration of current driving capability.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の信頼性低下、及び電流駆動能力低下の問題のない、ショットキーソース・ドレインを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

A leakage-current inhibiting structure, for example, in a form of a nitride film, is formed at least on a side facing the ohmic electrode among the gate electrodes.例文帳に追加

前記ゲート電極のうち、少なくとも前記オーミック電極と対向する側に、リーク電流抑制構造を、例えば窒化膜の形で形成する。 - 特許庁

At least two of the layers of the floating gate are separated by an intermediate dielectric layer having predetermined thickness enabling direct tunnelling current between the layers.例文帳に追加

浮遊ゲートの少なくとも２つの層は、層間の直接トンネル電流を可能にする所定の厚さを有する中間誘電体層によって分離している。 - 特許庁

The current hondo (main hall), shoro (bell tower), and nanmon (south gate) were restored around 1601 by a bugyo (magistrate) Katsumoto KATAGIRI under the order of Hideyori TOYOTOMI and his mother Yodo-dono (Lady Yodo). 例文帳に追加

現在の本堂、鐘楼、南門は慶長6年（1601年）頃、豊臣秀頼と母の淀殿が片桐且元を奉行として復興したものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The number of the electron, existing in the carbon nanotube 105, is controlled according to a voltage applied to the gate electrode 208, and the size of the drain current is controlled.例文帳に追加

ゲート電極２０８に印加される電圧に応じてカーボンナノチューブ１０５内に存在する電子の数が制御され、ドレイン電流の大きさが制御される。 - 特許庁

The control section 3 then causes a gate current of a magnitude required for turning on the triac 1 to flow to the triac 1 and the triac 1 is turned on.例文帳に追加

その後、制御部３が、トライアック１をターンオンさせるのに必要な大きさのゲート電流をトライアック１に流し、トライアック１がオン状態になる。 - 特許庁

To improve reliability by preventing a leak current from flowing between an element part and a circumferential part, in a vertical insulated gate semiconductor device.例文帳に追加

縦型の絶縁ゲート型半導体装置において素子部と外周部との間にリーク電流が流れることを防止して信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a high-voltage power transistor structure which is capable of transmitting gate signals well and carrying out a high speed switching operation at a high current conduction level at the same time.例文帳に追加

ゲート信号を良好に伝達しつつ、高い電流伝導レベルで高速なスイッチングを達成する高電圧パワートランジスタ構造を提供すること。 - 特許庁

To prevent deterioration of a gate insulating film due to charges in the etching process of a metal wiring layer and to prevent generation of a leak current resulting therefrom.例文帳に追加

メタル配線層のエッチング工程における電荷チャージに起因するゲート絶縁膜の劣化、及び、それに起因するリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

When a voltage equal to or grater than the threshold value is applied to a gate electrode G in the forward direction, inversion layers A and B are formed, resulting in a flow of the drain current.例文帳に追加

ゲート電極Ｇに順方向に閾値以上の電圧を印加すると、反転層Ａと反転層Ｂが形成されてドレイン電流が流れる。 - 特許庁

To provide an insulation gate field-effect transistor with vertical field plate structure capable of alleviating concentration of an avalanche current caused by a parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

縦型のフィールドプレート構造を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、寄生バイポーラトランジスタによるアバランシェ電流の集中を緩和する。 - 特許庁

To provide a MOS transistor, where its CMOS-gate transit time is shortened as a short-channel type MOS transistor and its rising current is made rapid.例文帳に追加

ショートチャネル型ＭＯＳトランジスタとしてＣＭＯＳ−ゲート走行時間が向上しかつ立上がり電流も改善されたＭＯＳトランジスタを提供すること。 - 特許庁

The current that can be supplied to the load circuit 11 is determined by the MOS transistor 16 whose lower limit voltage is the gate terminal voltage, and power losses are minimized.例文帳に追加

負荷回路１１へ供給可能な電流は下限電圧をゲート端子電圧としたＭＯＳトランジスタ１６で定まり電力損失は最小化される。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device which responds to a request for achieving great current and high reliability even in the case where a distance between gate wires increases.例文帳に追加

ゲート配線の間隔が広くなるような場合においても、大電流化及び高信頼性化の要求に応える電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the current consumption and to stabilize a supply voltage in a semiconductor device using MIS transistors having microfabricated thin gate insulating films.例文帳に追加

微細加工されたゲート絶縁膜膜厚の薄いＭＩＳトランジスタを用いた半導体装置の消費電流を低減しかつ電源電圧を安定化する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor with excellent performance of a high mobility and a high ON/OFF current ratio wherein the cost of a gate insulating film is reduced and the manufacturing process are simplified.例文帳に追加

ゲート絶縁膜のコストを低減、製造工程の簡略化を図り、移動度及びオンオフ電流比の高い性能に優れた薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve surge tolerance of ESD(electrostatic discharge) by increasing the gate potential, when surge is applied and increasing the operation current of a transistor.例文帳に追加

サージ印加時のゲート電位を上げてトランジスタの動作電流を増加してＥＳＤのサージ耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a lateral insulated-gate bipolar transistor having a plurality of channels, capable of suppressing sacrifice such as deterioration of current performance, and materializing improvement of latch-up resistance.例文帳に追加

電流性能低下の犠牲を抑え、かつラッチアップ耐性向上を実現できる複数チャネルの横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To prevent an increase in leakage current of a bottom gate TFT, having a poly-Si layer and an a-Si layer laminated, due to an influence of fixed charges.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、固定電荷の影響によるリーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

To enable to erase electric charges accumulated in a floating gate, in a multi-value transistor having a lower writing voltage and a wider current window than those of a conventional transistor.例文帳に追加

従来よりも書込電圧が低くかつ電流ウインドウが広い多値トランジスタにおいて、フローティングゲートに蓄積された電荷を消去可能とする。 - 特許庁

In order to suppress a potential change of the gate signal line, a transistor to be a mirror source for allowing a reference current to flow is increased or the number of transistors is increased.例文帳に追加

ゲート信号線の電位変化を抑えるために、基準電流を流すミラー元のトランジスタを大きくするか、もしくはトランジスタの数を多くする。 - 特許庁

To provide a transistor having a thin AlGaN layer to reduce trapping and also having additional layers to reduce gate leakage and increase the maximum drive current.例文帳に追加

トラッピングを少なくするためにＡｌＧａＮ層を薄くし、またゲート漏洩を減少させるために層を追加して最大駆動電流を増加させるようにする。 - 特許庁

Two terminals 10, 11 are disposed on a sensitive electrode 31 deposited on a gate insulation film of the FET, and different potentials are applied them, thereby causing current to flow therein.例文帳に追加

ＦＥＴのゲート絶縁膜上に成膜される感応電極３１に二つの端子１０、１１を設け、異なる電位を与えて電流を流す。 - 特許庁

To provide a metal oxide film semiconductor manufacturing method for increasing the effective gate length, and canceling problems such as short channel effect and a punch-through current.例文帳に追加

有効ゲート長を増大し短チャネル効果やパンチスルー電流の問題を解消できる金属酸化膜半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

A level conversion section 1 is provided with a current interruption section 4 comprising NMOSes 25, 26 whose gate inputs are connected to a low voltage power supply VDD 1.例文帳に追加

レベル変換部１にゲート入力が低電圧電源ＶＤＤ１に接続されたＮＭＯＳ２５とＮＭＯＳ２６からなる電流遮断部４を設ける。 - 特許庁

To provide a structure, wherein a field-effect transistor of a constitution, wherein a leakage of a current from a Schottky gate electrode to semiconductor layers is suppressed, can be formed with good reproducibility.例文帳に追加

ショットキーゲート電極から半導体層への電流リークを抑制した電界効果トランジスタを再現性良く作製できる構造を提供する。 - 特許庁

The value of an electric current flowing to a MOSFET 14 is controlled by supplying a bias voltage generated by means of a bias circuit 15b to the gate of the MOSFET 14.例文帳に追加

バイアス回路１５ｂで生成されたバイアス電圧をＭＯＳＦＥＴ１４のゲートに供給してＭＯＳＦＥＴ１４に流れる電流値を制御する。 - 特許庁

In addition, the bias current of the output amplifier of the D/A converter 2 and the output impedance of the input gate circuit of the counter 1 are changed in accordance with the difference signal 10.例文帳に追加

また、差信号に応じてＤ／Ａ変換器２の出力増幅器のバイアス電流、カウンタ１の入力ゲート回路の出力インピーダンスを変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a leak current without degrading a high-frequency response characteristic, and reducing gate length.例文帳に追加

高周波応答特性を低下させずにリーク電流を低減させることができ、しかもゲート長の短縮化を図ることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

Leakage current of a circuit including low Vt MOSTs is reduced by various driving methods reversely biasing a gate (G) and a source (S) of the MOST.例文帳に追加

低ＶｔのＭＯＳＴを含む回路のリーク電流を、ＭＯＳＴのゲート（Ｇ）とソース（Ｓ）を逆バイアスする各種の駆動方式によって低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory whose current consumption is suppressed, potential can be supplied to a selected gate line at high speed, and read-out operation speed can be increased.例文帳に追加

消費電流を抑え、選択ゲート線に高速に電位を供給できると共に、読み出し動作を高速化できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The p-channel type TFT of the pixel has a multi-gate structure comprising a plurality of channel formation regions 166 and 167 for reducing variation in off current.例文帳に追加

また、画素部のｐチャネル型ＴＦＴは、オフ電流のバラツキを低減するために、複数のチャネル形成領域１６６、１６７を有するマルチゲート構造とする。 - 特許庁

By forming this buffer region 10 having no MOS structure part, increase in breaking current and reduction in the failure of a dielectric strength between a gate and an emitter are contrived.例文帳に追加

このＭＯＳ構造部がないバッファ領域１０を形成することで、遮断電流の増大とゲート／エミッタ間の絶縁耐圧不良の低減が図れる。 - 特許庁