「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Since, as the power supply voltage VDD of the constant current circuit, the addition voltage of one voltage between the drain and source and one voltage between the gate and source becomes necessary and no addition voltage of one voltage between the drain and source and two voltages between the gate and source becomes unnecessary, the minimum operation supply voltage of the constant current circuit becomes low.例文帳に追加

定電流回路の電源電圧ＶＤＤとして、１つのドレイン・ソース間電圧と１つのゲート・ソース間電圧との加算電圧が必要になり、１つのドレイン・ソース間電圧と２つのゲート・ソース間電圧との加算電圧は必要ならないので、定電流回路の最低動作電源電圧が低くなる。 - 特許庁

When the MOSFET(TR1) is turned on, the anode side and the gate side of a thyristor SCR1 are electrically conductive to each other through a bypass resistor R2 and the MOSFET(TR1), and an output current from a rectifier circuit D1 is applied to the gate of the thyristor SCR1 to turn on the thyristor SCR1, thereby bypassing a current limiting resistor R1.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ（ＴＲ１）がオンすると、サイリスタＳＣＲ１のアノード側とゲート側とがバイパス抵抗Ｒ２およびＭＯＳＦＥＴ（ＴＲ１）を介して電気的に導通し、整流回路Ｄ１からの出力電流がサイリスタＳＣＲ１のゲートに印加され、サイリスタＳＣＲ１がオンして、限流用抵抗Ｒ１をバイパスする。 - 特許庁

The current driver circuit Pj then generates the drive current in the maintained circuit state and passes the drive current through a source line Sj to the pixel Aij which is in a drive controllable period by means of voltage state of the gate line Gi, so as to control the driving of the pixel Aij.例文帳に追加

そして、電流ドライブ回路Ｐｊは、ゲート配線Ｇｉの電位状態によって駆動制御可能期間となった画素Ａｉｊに対して、保持した回路状態で駆動電流を生成し、ソース配線Ｓｊを介して伝達することにより、画素Ａｉｊを駆動制御する。 - 特許庁

The circuit 10 compares the tertiary higher harmonic current with a present prescribed value by means of the level discriminator 15 and, when the current exceeds the prescribed value, stores the value of the load current by operating the active filter 11 by outputting a filter operating signal to the gate block circuit 16.例文帳に追加

そして、レベル判定器１５で、予め設定された所定値と３次高調波電流とを比較し、３次高調波電流が所定値を越えた場合にはフィルタ動作信号をゲートブロック回路１６に出力してアクティブフィルタ１１を動作させ、そのときの負荷電流値を記憶する。 - 特許庁

In a semiconductor device where a current-voltage conversion element and a transistor are connected in series, a voltage applied when a current flows through the current-voltage conversion element is detected in an amplification circuit and the amplification circuit sets a voltage between gate and source of the transistor on the basis of the voltage.例文帳に追加

半導体装置は、電流電圧変換素子とトランジスタとが直列に接続され、電流電圧変換素子に電流が流れるときにかかる電圧を増幅回路で検出し、その電圧に基づいて増幅回路がトランジスタのゲートソース間電圧を設定する。 - 特許庁

The current deciding part 1 determines whether a current flowing to the load from the DC/DC converter exceeds a prescribed current (appropriate range) or not by comparing the voltage acquired by DC-detecting a gate drive pulse signal used for opening/closing a switch MOS transistor 3 to a preset voltage.例文帳に追加

電流判定部１は、スイッチＭＯＳトランジスタ３の開閉に用いるゲート駆動パルス信号を直流検波して得られる電圧を予め設定された電圧と比較することにより、ＤＣ／ＤＣコンバータから負荷に流れる電流が所定電流（適正範囲）を超えたか否かを判定する。 - 特許庁

The trigger circuit 8 includes: a PMOS transistor P1 with a gate and a backgate connected to the power source line 4 and a source connected to the thyristor 7; and an NMOS transistor N1 for generating a current in which the current I1 is amplified in response to the current I1 flowing through the PMOS transistor P1.例文帳に追加

トリガ回路８は、ゲート及びバックゲートが電源線４に接続され、ソースがサイリスタ７に接続されたＰＭＯＳトランジスタＰ１と、ＰＭＯＳトランジスタＰ１を流れる電流Ｉ１に応答して電流Ｉ１が増幅された電流を生成するＮＭＯＳトランジスタＮ１とを備えている。 - 特許庁

An operation stopping means 16 judges phase interruption when an output signal ▵V of an error amplifying means 15 continues at a specified value or more proportional to output current I for a predetermined time and stops a gate pulse generator circuit 22 when the output current I keeps a current reference value I0 or higher.例文帳に追加

動作停止手段１６は、出力電流Ｉが電流基準値Ｉ０以上のときに、誤差増幅手段１５の出力信号ΔＶが出力電流Ｉに比例した規定値以上に一定時間継続したとき欠相と判定しゲートパルス発生回路２２を停止する。 - 特許庁

A controller 106 controls a gate selector 108, steadily supplies total none light emission data for an image data processing part 104, and in the state of low current consumption without light emission current, communicates with a power supply part 103 to detect the amount of current supplied for an SLED head.例文帳に追加

コントローラ１０６はゲートセレクタ１０８を制御して、全非発光データを定常的に画像データ処理部１０４に供給し、この発光電流が無い低消費電流の状態で、電源部１０３と通信してＳＬＥＤヘッドへの供給電流量を検出する。 - 特許庁

Next, in order to evaluate a tunnel current component contained in the first current value, a value of a second current made to flow to the semiconductor substrate 1 by applying a second measurement signal made α (α>1) times the first measurement signal in the temporal axis to the gate of the MIS transistor is measured.例文帳に追加

次に、第１の電流値に含まれるトンネル電流成分を評価すべく、前記第１の測定信号を時間軸方向にα（α＞１）倍した第２の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して半導体基板に流れる第２の電流値を測定する。 - 特許庁

When a positive potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a negative potential is applied to the source of the FET1, the second current path is interrupted and the first current path is conducted to drive the gate of the FET1 which is thereby interrupted thus interrupting the rectification current path.例文帳に追加

ＦＥＴ１のドレインとトランジスタＱ２のコレクタに正電位が印加され、ＦＥＴ１のソースに負電位が印加されるとき、第２の電流路が遮断されることにより、第１の電流路は導通され、ＦＥＴ１のゲートを駆動し、ＦＥＴ１を遮断させ整流電流路を遮断する。 - 特許庁

The display driving circuit comprises an output MOSFET for forming the display voltage, a sense MOSFET of which the gate and source are connected to the output MOSFET, and a current sense circuit for extracting a difference between a drain current of the sense MOSFET and a prescribed current.例文帳に追加

上記表示駆動回路は、上記表示電圧を形成する出力ＭＯＳＦＥＴと、上記出力ＭＯＳＦＥＴとゲート及びソースが接続されたセンスＭＯＳＦＥＴと、上記センスＭＯＳＦＥＴのドレイン電流と所定の基準電流との差分を取り出す電流センス回路とを有する。 - 特許庁

In the CC amplifier, a control signal charged by a charging current matched to a voltage of the inputted analog signal is outputted to a gate control circuit, and the secondary battery is charged by such a charging current as to reach the maximum charging current stepwise.例文帳に追加

ＣＣ制御アンプは、入力されたアナログ信号の電圧に見合った充電電流にて充電される制御信号がゲートコントロール回路に出力され、充電電流が最大充電電流となるまで段階的に上昇するような充電電流で二次電池が充電される。 - 特許庁

The TR MP1, therefore, operates as a constant-current source whose current value is determined by its threshold voltage and gain constant and the drain and gate voltages of the TR NM2 are determined by the mentioned current value and the threshold voltage and gain constant of the TR MN2.例文帳に追加

従ってトランジスタＭＰ１は、そのしきい値電圧及び利得定数によって電流値が決定される定電流源として動作し、トランジスタＭＮ２のドレインおよびゲート電位は上記電流値とトランジスタＭＮ２のしきい値電圧及び利得定数により決定される。 - 特許庁

When a negative potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a positive potential is applied to the source of the FET1, the second current path is conducted and the first current path is interrupted to drive the gate of the FET1 which is thereby conducted thus conducting the rectification current path.例文帳に追加

ＦＥＴ１のドレインとトランジスタＱ２のコレクタに負電位が印加され、ＦＥＴ１のソースに正電位が印加されるとき、第２の電流路が導通されることにより、第１の電流路は遮断され、ＦＥＴ１のゲートを駆動し、ＦＥＴ１を導通させ整流電流路を導通する。 - 特許庁

It outputs a trigger signal, which is adjusted by modifying phase angle data to be read out next so that the phase angle data based on a really generated current detected by a current sensor 30 may dissolve the deviation from the target generated current that it aimed at, to the gate of each thyristor of the rectifying part.例文帳に追加

電流センサ３０により検出する実発電電流の基になった位相角データが目標とした目標発電電流に対して偏差を解消するように、次に読み出す位相角データに修正を加えて調整したトリガー信号を整流部の各サイリスタのゲートに出力する。 - 特許庁

When delay time in the current detection system is adjusted, sampling timing is defined as the delay time when the absolute value of a deviation between the current value detected at the mountain peak of the carrier wave in the operation state by the gate signal of which ON/OFF ratio is 50 percent and the current value detected at the valley peak is minimized.例文帳に追加

電流検出系の遅れ時間調整には、５０％のオン・オフ割合にしたゲート信号による運転状態での搬送波の山頂点で検出した電流値と谷頂点で検出した電流値の偏差の絶対値が最小になる遅れ時間をサンプリングタイミングとする。 - 特許庁

Even when a large current such as a rush current generated at the time of switching contacts of a switch 12 or a lock current generated at the time of stopping the motor 20 flows, as the constant voltage is applied to the respective gate terminals of the MOSFETs, the MOSFETs can be protected from surge or the like.例文帳に追加

しかも、スイッチ１２の接点切換時に生じる突入電流や、モータ２０の停止時に生じるロック電流などの大電流が流れた場合も、ＭＯＳＦＥＴの各ゲート端子には一定の電圧が印加されるので、ＭＯＳＦＥＴをサージ等から保護することもできる。 - 特許庁

Since the FET whose gate bias voltage is controlled flows more power source current, the value of power source current which other FET bears becomes lower with respect to the desired value of power source current, the temperature of all FETs that are used is averaged, causing no thermal breakdown of FET.例文帳に追加

ゲートバイアス電圧が調節されたＦＥＴは、より多くの電源電流を流すので、前記電源電流の所望値に関し、他のＦＥＴが負担する電源電流の値は低くなり、用いられている全てのＦＥＴの温度は平均化され、ＦＥＴの熱破壊は発生しなくなる。 - 特許庁

A hysteresis comparator-type controller 18 compares between an output current value of the inverter and its current command value adding hysteresis characteristics thereto, and determines a generated signal of gate pulse signal for turning on/off a switching element, when the output current value deviates a predetermined hysteresis width.例文帳に追加

ヒステリシスコンパレータ方式制御部１８は、インバータの出力電流値とその電流指令値とをヒステリシス特性を持たせて比較し、出力電流値が所定のヒステリシス幅を逸脱したときスイッチング素子をオンオフするためのゲートパルス信号の生成信号を求める。 - 特許庁

A clamp circuit 50 is connected to e.g., a source follower circuit which includes an N-channel MOS transistor MN1 with a voltage Vin as gate input and a constant current source I1 which causes a current Id to flow, wherein a connecting point of the MOS transistor MN1 and the constant current source I1 serves as an output terminal Vout.例文帳に追加

たとえば、電圧Ｖｉｎをゲート入力とするＮチャネルＭＯＳトランジスタＭＮ１と、電流Ｉｄを流す定電流源Ｉ１とを有し、ＭＯＳトランジスタＭＮ１と定電流源Ｉ１との接続点を出力端子Ｖｏｕｔとするソースホロア回路に対し、クランプ回路５０を接続する。 - 特許庁

An ETC virtual cooperation function part 5 determines passage of a vehicle through an ETC gate when passage of the vehicle through an ETC gate (toll gate) installation position without stopping is detected based on a vehicle current position input from a position detection part 7 and ETC gate installation positional data input from an external storage medium 13, and calculates a toll and notifies it.例文帳に追加

ＥＴＣ仮想連携機能部５は、位置検出部７から入力した車両の現在位置と外部記憶媒体１３から入力したＥＴＣゲートの設置位置データとに基づいて、車両が停止することなくＥＴＣゲート（料金所）の設置位置を通過したことを検出すると、車両がＥＴＣゲートを通過したと判定し通行料金を計算して報知する。 - 特許庁

When the voltage between the power supply terminal 1 and GND terminal 2 is equal to or lower than the upper-limit voltage Vmax, the first gate control portion 4 is placed in an electrically nonconductive state, so a current is prevented from flowing back from the gate of the NMOS transistor 7 to the first wiring 11 through the first gate control portion 4, thereby preventing the gate voltage of the NMOS transistor 7 from dropping.例文帳に追加

一方、電源端子１とＧＮＤ端子２との間の電圧が上限電圧Ｖｍａｘ以下のときに第１のゲート制御部４を非通電状態にするので、ＮＭＯＳトランジスタ７のゲートから第１のゲート制御部４を経由して第１の配線１１へ電流が逆流することを防止でき、ＮＭＯＳトランジスタ７のゲート電圧の降下を防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor power converter where voltage/current surge does not occur, when ON/OFF of a switching element is switched, by monitoring a change of gate voltage supplied to a gate of the switching element and stepwisely switching the gate voltage at optimum timing, when ON/OFF of the switching element is switched.例文帳に追加

スイッチング素子のオンオフ切り替え時において、スイッチング素子のゲートに供給されるゲート電圧の変化を監視し、最適なタイミングで段階的にゲート電圧を切り替えることによって、スイッチング素子のオンオフ切り替え時における電圧・電流サージを発生させない半導体電力変換装置を提供する。 - 特許庁

The wiring circuit board has an emitter pattern connected to the emitter of the power semiconductor element and a gate pattern connected to the gate of the power semiconductor element, the gate pattern having an induction causing pattern extending in parallel to a direction where the current of the main electrode terminal flows while not shielded by the emitter pattern.例文帳に追加

そして、該配線回路基板は、パワー半導体素子のエミッタに接続されるエミッタパターンと、パワー半導体素子のゲートに接続されるゲートパターンとを備え、該ゲートパターンは、該エミッタパターンによりシールドされず該主電極端子の電流の流れる方向と平行方向に伸びる誘導発生用パターンとを有する。 - 特許庁

When an H level control signal is inputted to the gate terminal of an FET 22 and the FET 22 is turned on to bring the gate terminal of a power MOSFET 21 to an L level, the gate-source voltage VGS is varied and conduction between a source terminal and a drain terminal is turned on thus feeding a driving current to a load 10.例文帳に追加

ＦＥＴ２２のゲート端子にＨレベルの制御信号が入力され、ＦＥＴ２２がオンとなって、パワーＭＯＳＦＥＴ２１のゲート端子がＬレベルになると、ゲート−ソース間電圧ＶＧＳが変化し、ソース端子およびドレイン端子間の導通がオフからオンに切り替わるので、負荷１０に駆動電流が供給される。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured.例文帳に追加

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。 - 特許庁

A switch 22 selects a generation signal for a gate pulse signal from a triangular wave comparison system controller 14 in stationary state, and selects a generation signal for a gate pulse signal from a hysteresis comparator system controller 18 at sudden change of the output current of an inverter, and outputs a generation command signal for a gate pulse signal.例文帳に追加

切換部２２は、定常時は三角波比較方式制御部１４からのゲートパルス信号の生成信号を選択し、インバータの出力電流急変時はヒステリシスコンパレータ方式制御部１８からのゲートパルス信号の生成信号を選択してゲートパルス信号の発生指令信号を出力する。 - 特許庁

When the imperfect insulation region of a gate exists, a leakage current flows through the split gate electrode 30a of the block 22, where an imperfect insulation region exists in a gate insulation evaluation test, the thin film resistor 33 is blown out, and only the defective block 22 is isolated electrically.例文帳に追加

ゲートの絶縁不良箇所が存在すると、ゲート絶縁性評価テストにおいて、その不良箇所があるブロック２２の分割ゲート電極３０ａに薄膜抵抗体３３を介してリーク電流が流れるので、そのリーク電流によって薄膜抵抗体３３が溶断し不良ブロック２２だけが電気的に切り離される。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus further includes a SD voltage detection circuit 18 which supplies a prescribed current between the source electrode and the drain electrode to detect an SD voltage V1 between them, a gate voltage applying circuit 19 which applies a variable gate electrode V2 to the gate electrode, and a magnetic field generating device 20 which applies a variable magnetic field B to the two-dimensional graphene.例文帳に追加

さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電流を流し、その間のＳＤ電圧Ｖ１を検出するＳＤ電圧検出回路１８と、ゲート電極に可変ゲート電圧Ｖ２を印加するゲート電圧印加回路１９と、２次元グラフェンに可変磁場Ｂを印加する磁場発生装置２０とを備える。 - 特許庁

When a user of this system passes through an automatic ticket gate while presenting an IC card 100 that functions as a commuter pass, an IC card reader/writer 101 in the automatic ticket gate reads user information and zone information in the IC card 100, and sends the information to a server 102 along with the current time (time when the user passed the gate).例文帳に追加

本システムの利用者が、定期券として機能するＩＣカード１００を提示して自動改札機を通過すると、自動改札機内のＩＣカードリーダ／ライタ１０１により、ＩＣカード１００内の利用者情報や区間情報が読み取られ、現在時刻（改札通過時刻）とともにサーバ１０２に送信される。 - 特許庁

One embodiment is a gate drive circuitry (60) for switching a semiconductor device (62), having a non-isolated input, the gate drive circuitry having a first circuitry (64) configured to turn on the semiconductor device (62) by imposing a current on a gate of the semiconductor device (62) so as to forward bias an inherent parasitic diode of the semiconductor device (62).例文帳に追加

非絶縁入力を有する半導体デバイス（６２）をスイッチングするゲート駆動回路（６０）は、半導体デバイス（６２）の本来性寄生ダイオードを順バイアスするように半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加することによって半導体デバイス（６２）をターンオンする第１の回路（６４）を有する。 - 特許庁

Only the electric current flowing through a floating gate having good characteristics is made detectable from the outside by performing writing and reading-out by using a memory cell constituted of two floating gate electrodes 131 and 132 which are arranged adjacently to each other so as to sandwich a source 16 offset from the floating gate electrodes 131 and 132 as one unit.例文帳に追加

間に浮遊ゲート電極１３とオフセットに形成されたソース１６を挟むようにして隣接した二つの浮遊ゲート電極１３から構成されたメモリセルを一つの単位として、書き込み並びに読み出しを行うことにより、特性の良い浮遊ゲートを介する電流のみを、外部から検出できるようにする。 - 特許庁

A determination current value for determining nonconforming articles is determined in advance, gate bias being sufficiently higher than the threshold voltage of the semiconductor device such as an FET sealed by resin is applied to a negative direction for measuring a leak current flowing in the semiconductor device, and it is judged that the semiconductor device is nonconforming when the leak current value is equal to or more than a judgment current value.例文帳に追加

予め不良品を判定するための判定電流値を決定し、樹脂封止されたＦＥＴなどの半導体素子の閾値電圧よりも充分に高いゲートバイアスを負方向に印加してこの半導体素子中を流れるリーク電流を測定し、このリーク電流値が判定電流値以上の場合に不良品と判断することとした。 - 特許庁

Moreover, when the voltage value of the signal voltage, corresponding to the current value of this lock current, amounts to the voltage value stored in the peak hold part 28 or higher, during flow of the lock current, the signal voltage inputted into the gate terminal of a MOSFETQ1 switches from High level to Low level, and the supplying of the drive current to the motor M is stopped.例文帳に追加

また、ロック電流が流れた際に、このロック電流の電流値に対応した信号電圧の電圧値がピークホールド部２８に記憶されている電圧値以上になるとＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート端子に入力される信号電圧がＨｉｇｈレベルからＬｏｗレベルに切り替わり、モータＭに対する駆動電流の供給が停止される。 - 特許庁

A protective circuit against electrostatic breakdown composed of an insulated gate field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, a current flowing at least from a collector to a substrate between a current flowing from the collector to the substrate and a current flowing from an emitter to a substrate is expressed by two current sources, and the protective resistance to electrostatic breakdown is simulated by circuit simulation.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、コレクタから基板に流れる電流とエミッタから基板に流れる電流の内の少なくともコレクタから基板に流れる電流を２つの電流電源によって表し、静電破壊保護耐性を回路シミュレーションする。 - 特許庁

The current backup circuit 60 has a MOS transistor 62 for outputting the backup current I3 and an inverting amplifier 63, and the inverting amplifier 63 controls the inclination of a waveform of a rise of on potential supplied to a gate terminal of the MOS transistor 62 during a rise in the output current I2 in accordance with the magnitude of the output current I2.例文帳に追加

電流加勢回路６０は、加勢電流Ｉ３を出力するＭＯＳトランジスタ６２と反転増幅器６３とを有し、反転増幅器６３により出力電流Ｉ２の立ち上がり時にＭＯＳトランジスタ６２のゲート端子に供給されるオン電位の立ち上がり波形の傾きを出力電流Ｉ２の大きさに応じて制御する。 - 特許庁

Moreover, this converter supplies the element on the side where an AC current flows with a gate signal, waiting for a dead time, when the current code detecting circuit detects the change of positive and negative polarity of the AC current, and further this gives it a dead time for only a required time only in the case where the dead time is required, and the current code detecting circuit has hysteresis.例文帳に追加

また、電流符号検出回路が交流電流の正負極性変化を検出したとき、交流電流の流れる側の素子にデッドタイム分だけ待ってゲート信号を供給すること、さらにデッドタイムが必要な場合のみに必要な時間だけデッドタイムをもたせること、電流符号検出回路がヒステリシスを持つことも含む。 - 特許庁

The gate drive circuit for driving the control electrode of a power switching element 9 comprises a current drive means for injecting a current into a gate electrode depending on a voltage being applied between the main electrodes of the power switching element 9, and a clamp means for preventing a voltage being applied to the gate electrode from lowering below a specified level during turn off transient period of the power switching element.例文帳に追加

電力用スイッチング素子９の制御電極を駆動するゲート駆動回路において、前記電力用スイッチング素子９の主電極間に印加される電圧に応じてゲート電極に電流を注入する電流駆動手段と、前記ゲート電極に印加する電圧が前記電力用スイッチング素子のターンオフ過渡期間中に所定値以下となることを阻止するクランプ手段とを具備するように構成する。 - 特許庁

For example, when an anode reactor in a main circuit is decreased to a half of that of a conventional switching element to rise a main current increasing rate to be 1000 A/μs, the on-gate current rate of rise is controlled to be 800/μs or over.例文帳に追加

例えば、主回路内のアノードリアクトルを従来の場合よりも半減させて主電流上昇率を１０００Ａ／μｓに上昇させる場合には、オンゲート電流上昇率を８００Ａ／μｓ以上の値に制御する。 - 特許庁

A leakage current compensation circuit 106 compensates a leakage current generated in an output node 137 of a shift register 100 when the gate line GL is selected, thus preventing erroneous operation from occurring by variations in an output signal.例文帳に追加

リーク電流補償回路１０６は、ゲート線ＧＬが選択状態であるときに、シフトレジスタ１００の出力ノード１３７に生じるリーク電流を補償して、出力信号の変動により誤動作が発生するのを防止する。 - 特許庁

When inspecting a characteristic of the output terminal 5 which outputs a constant voltage, a gate voltage of the N-channel MOSFET is controlled, thereby enabling its drain current to be equal to load current in the inspection condition of the output terminal.例文帳に追加

定電圧を出力する出力端子５の特性検査時において、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を制御して、そのドレイン電流を出力端子の検査条件の負荷電流と等しくすることができる。 - 特許庁

An output terminal 37 of a primary current intercepting circuit is connected to the gates of the IGBT via a gate resistance device 21 applying self-bias for collector voltage clamp to the IGBT 15 by Zener current of the Zener diode 15a.例文帳に追加

１次電流遮断回路の出力端子３７は、ツェナダイオード１５ａのツェナ電流によりＩＧＢＴ１５にコレクタ電圧クランプ用の自己バイアスをかけるゲート抵抗素子２１を介してＩＧＢＴ１５のゲートに接続される。 - 特許庁

To provide a push-pull amplifier in which a peak value of a gate voltage of an output transistor is made much higher than before without depending upon an overdrive voltage, and an output current higher than before is obtained with low current consumption.例文帳に追加

オーバードライブ電圧に依存することなく、出力トランジスタのゲート電圧のピーク値を従来よりも一層高いレベルにでき、且つ、低消費電流で従来のものより高い出力電流が得られるプッシュプル増幅器を実現する。 - 特許庁