「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

A control circuit 24 adjusts a gate voltage of the MOS transistor 23 for controlling a drain current, resulting in variable rotational speed of the fan motor 2'.例文帳に追加

また、制御回路２４がＭＯＳトランジスタ２３のゲート電圧を調整し、ドレイン電流を制御することにより、ファンモータ２´の回転数を可変とする。 - 特許庁

The lateral IBGT1 that is a main switching element controllable by gate voltage and a current detection lateral IBGT10 are connected in parallel.例文帳に追加

ゲート電圧により制御可能な主スイッチング素子である横型ＩＧＢＴ１と、電流検出用横型ＩＧＢＴ１０とが並列に接続されている。 - 特許庁

Two transistors whose gate voltage is controlled by an output of the differential pair controls a drain current of a second differential pair for amplification of the input signal.例文帳に追加

上記差動対の出力でゲート電圧が制御される２つのトランジスタにより第２の差動対のドレイン電流を制御し、入力信号を増幅する。 - 特許庁

The NchTrN1 connects the source to one end of a direct current electric source 11 and one end of a load 12, and connects the drain to the gate of the PchTrP1.例文帳に追加

ＮｃｈＴｒＮ１は、ソースを直流電源１１の一端および負荷１２の一端に接続し、ドレインをＰｃｈＴｒＰ１のゲートに接続する。 - 特許庁

To see to it that the VG (gate voltage)-ID (drain current) property does not deteriorate, even if the drain voltage VD is raised in a comb-toothed film transistor.例文帳に追加

櫛歯型の薄膜トランジスタにおいて、ドレイン電圧ＶＤを上げても、ＶＧ（ゲート電圧）−ＩＤ（ドレイン電流）特性が劣化しないようにする。 - 特許庁

A switching TFT 201 formed within a pixel is formed into a multi-gate structure, which is a structure focusing on reduction of an off-current value.例文帳に追加

画素内に形成されるスイッチング用ＴＦＴ２０１はマルチゲート構造になっており、オフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

Since gate widths of the switching transistors as a whole can secure twice the dimension of the memory cell, the current driving ability is secured even though the memory cell is micronized.例文帳に追加

スイッチングトランジスタ全体でのゲート幅をメモリセル寸法の２倍確保することができるので、メモリセルが微細化されても電流駆動能力を確保できる。 - 特許庁

To realize good operation of a silicon carbide semiconductor device by preventing a leakage current from being generated between a gate region and a channel region.例文帳に追加

ゲート領域とチャネル領域との間におけるリーク電流を発生させないようにし、炭化珪素半導体装置の動作が良好に行えるようにする。 - 特許庁

To restrain short channel effect, deterioration in current driving power and hot electron effect which are caused by the miniaturization of gate length of an MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート長の微細化に伴う短チャネル効果の抑制、及び電流駆動力の低下並びにホットエレクトロン効果の抑制を図る。 - 特許庁

To provide a Schottky gate FET, capable of suppressing effectively the phenomenon, in which a characteristic is changed by decreasing current, and after that a transistor operates at an over power.例文帳に追加

過電力でのトランジスタ動作後に電流が減少して特性が変動する現象の発生を有効に抑制できるショットキーゲートＦＥＴを提供する。 - 特許庁

Since a threshold voltage set negative is given to the NDMOSes, the NDMOSes are not completely turned off because of flowing of a drain current even when a gate voltage is 0V.例文帳に追加

ＮＤＭＯＳは閾値電圧が負に設定されているので、ゲート電圧が０Ｖでもドレイン電流が流れて完全なオフ状態とはならない。 - 特許庁

Consequently, a current IO flows from the gate of the driving transistor Tdr to the voltage supply line 17 through the transistor T1 and driving transistor Tdr.例文帳に追加

これによって駆動トランジスタＴdrのゲートからトランジスタＴ1および駆動トランジスタＴdrを経由して電圧供給線１７に電流Ｉ0が流れ込む。 - 特許庁

To a connection node of the constant current source IP and the collector terminal of the transistor B1, the gate terminals of the transistors M1 and M2 of an n-channel MOS transistor are connected.例文帳に追加

定電流源ＩＰとトランジスタＢ１のコレクタ端子の接続ノードには、ｎチャンネルＭＯＳトランジスタのトランジスタＭ１，Ｍ２のゲート端子が接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which off leak current can be suppressed sufficiently even if the length of a gate is 100 nm or less, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート長が１００ｎｍ以下であってもオフリーク電流を十分に抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a gate voltage of an integration transistor of a bias circuit from excessively increasing in a read circuit using the integrated circuit to detect current.例文帳に追加

電流を検知するために積分回路を使用する読み出し回路における、バイアス回路の積分トランジスタのゲート電圧の過剰な上昇を防ぐ。 - 特許庁

To provide an organic active element in which the on/off ratio of the current between a source and a drain can be increased, and at the same time, which can be operated by a low gate voltage.例文帳に追加

ソース・ドレイン間電流のオン／オフ比を大きくすることができると共に、低いゲート電圧で動作させることができる有機能動素子を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that reliably improves a current driving capability in a top gate structure using an organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層を用いたトップゲート構造において、電流駆動能力の向上を確実に図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A switch SW2 switches so that a voltage between the gate and the source VGS of either transistor where the current IDS is made to flow is outputted on a voltmeter 102.例文帳に追加

スイッチＳＷ２は、電流Ｉ_DSが流れるいずれか一方のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GSを電圧計１０２に出力するようにスイッチングする。 - 特許庁

To prevent reduction of a life of a cell transistor by limiting the stress caused by gate voltage, in writing information on a magnetic memory element, which requires large current.例文帳に追加

大電流が必要とされる磁気メモリ素子への情報書込みに際し、ゲート電圧ストレスを抑制し、セルトランジスタの寿命の短縮を防止する。 - 特許庁

To efficiently reduce not only noise due to a dark current and offset noise but also transverse line noise due to variations in voltage applied to each gate line over time.例文帳に追加

暗電流及びオフセットノイズに起因するノイズだけでなく、ゲート線印加電圧の時間変動に起因する横引きノイズを、効率的にリダクションすること。 - 特許庁

To prevent generation of through-current because of a potential change in a gate of an output transistor by a potential change in an output terminal through a phase compensation capacitor.例文帳に追加

出力端子の電位の変動が位相補償キャパシタを介して出力トランジスタのゲートの電位を変動させることによる貫通電流の発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide a trench gate type semiconductor device which makes the current cutoff characteristics stable and reduces the on-resistance.例文帳に追加

本発明は、電流の遮断特性を安定させ、且つ、オン抵抗の低減を図ることができるトレンチゲート型の半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The second potential V2 is different from a potential V3 at a terminal connected to the gate of the transistor T1 for voltage-current conversion through a holding capacitor C2.例文帳に追加

第２の電位Ｖ２は、電圧電流変換用トランジスタＴ１のゲートに保持容量Ｃ２を介して結合している端子の電位Ｖ３とは異なる。 - 特許庁

To restrain the generation of short channel effect, deterioration of current driving power and generation of hot electron effect which are caused by micronization of gate length of an MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート長の微細化に伴う短チャネル効果の抑制、及び電流駆動力の低下並びにホットエレクトロン効果の抑制を図る。 - 特許庁

When a third electrode 18 is connected to the gate region 16, the magnitude of the driving current can be controlled by voltage applied to the third electrode.例文帳に追加

ゲート領域１６に第三の電極１８を接続すると、第三の電極に印加される電圧により、駆動電流の大きさを制御することができる。 - 特許庁

To provide an image display apparatus for preventing a discharge current from flowing into a gate conductor and also capable of reducing the variety in electron emission characteristic.例文帳に追加

放電電流がゲート配線に流入することを防ぎ、且つ、電子放出特性のばらつきを低減することのできる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit reducing a leak current while maintaining the operation speed of the circuit and further suppressing an area increase of a logic gate.例文帳に追加

回路の動作スピードを保ちつつリーク電流を削減でき、更に論理ゲートの面積増大を抑えることができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation circuit for a semiconductor device capable of measuring precisely a drain current and a gate source/drain capacity sum, in the same measuring object.例文帳に追加

同一の測定対象に対し、ドレイン電流とゲート・ソース／ドレイン容量和とを精度良く測定することができる半導体デバイスの評価回路を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing avalanche current during reverse bias application from concentrating on near a gate electrode, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

逆バイアス印加時のアバランシェ電流がゲート電極付近に集中してしまうことを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The source of the MOS transistor M1 is connected to ground, the gate and the drain are connected together, and a current I1 is supplied to the drain.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１は、ソースが接地されるとともに、ゲートとドレインが接続され、そのドレインに電流Ｉ１が供給されるようになっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device while making its current resistance characteristic proper, the short-circuits generated between its gate and its emitter electrode are reduced.例文帳に追加

耐電流特性を良好なものとしながら、ゲートとエミッタ電極との間での短絡発生を低減させるようにした半導体装置を提供する。 - 特許庁

A gate voltage calculating section 20 calculates a surge voltage based on the temperature of each of IGBTs of the inverter, current and DC side voltage thereof, and compares the calculated voltage with an element withstand voltage.例文帳に追加

ゲート電圧算出部２０は、インバータの各ＩＧＢＴの温度、電流、直流側電圧に基づいてサージ電圧を算出し、素子耐圧と比較する。 - 特許庁

The control voltage corresponding to the second current is supplied from the amplification unit to a gate terminal of the transistor PM3 to connect the resistor R1 to the transistor PM3 in series.例文帳に追加

増幅部からトランジスタPM3のゲート端子へ第２電流に応じた制御電圧を供給し、トランジスタPM3に対して抵抗器R1を直列に接続する。 - 特許庁

The outer lead LS 1 is an external terminal connected to the path which drives the gate, and the outer leads LS 2 are external terminals connected to the main current path.例文帳に追加

アウタリードＬＳ１は、ゲートを駆動する経路に接続される外部端子であり、アウタリードＬＳ２は、主電流経路に接続される外部端子である。 - 特許庁

To provide a spin transistor for maintaining rotation control properties of a spin, and preventing the leakage current, even in the spin transistor with a short gate length.例文帳に追加

本発明は、ゲート長の短いスピントランジスタにおいてもスピンの回転制御性を維持し、漏れ電流を抑止するためのスピントランジスタを提供するものである。 - 特許庁

When SW10 is turned on, a current flowing through resistors 162, 164 and SW10, and a gate voltage applied to SW3 is stepped down.例文帳に追加

ＳＷ１０がオンになると、抵抗１６２、１６４、ＳＷ１０を通って電流が流れるので、ＳＷ３に印加されるゲート電圧が低下する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can control the variation of a gate threshold and can inhibit the increase of parasitic resistance causing the reduction of an amount of a driving current.例文帳に追加

ゲート閾値ばらつきを抑制でき、且つ駆動電流量劣化を招く寄生抵抗増大を抑止可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved HEMT formed from a GaN material system that has the reduced gate leakage current compared with known GaN based HEMTs.例文帳に追加

公知のＧａＮに基づくＨＥＭＴに比較してゲートリーク電流が低減された、ＧａＮ材料系から形成された改良ＨＥＭＴを提供すること。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit that prevents switching loss, and prevents a surge voltage generated by causing a magnetizing current to flow.例文帳に追加

スイッチング損失を抑制し、磁化電流を流すことにより発生するサージ電圧を抑制することのできるゲートドライブ回路を提供することにある。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that reduces a leakage current of a top part of a floating gate while maintaining a high coupling ratio, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高カップリング比を維持しつつ、浮遊ゲートの頂部のリーク電流を低減する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, an inexpensive and simple LED drive circuit can be achieved as compared with a constant current circuit having a combination of an MOSFET and an IC for gate control.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴおよびゲート制御用のＩＣを組み合わせた定電流回路と比較して、安価で容易なＬＥＤ駆動回路が実現できる。 - 特許庁

A MIS transistor in the internal circuit is set by a MIS transistor in the latch circuit such that a gate tunnel current is reduced at the time of standby status.例文帳に追加

内部回路のＭＩＳトランジスタは、ラッチ回路のＭＩＳトランジスタよりスタンバイ状態時にゲートトンネル電流が低減される状態に設定される。 - 特許庁

To efficiently reduce not only noise due to dark current and offset noise but also lateral noise due to time variation of gate line applied voltage.例文帳に追加

暗電流及びオフセットノイズに起因するノイズだけでなく、ゲート線印加電圧の時間変動に起因する横引きノイズを、効率的にリダクションすること。 - 特許庁

Alternatively, the active matrix display device includes a means of setting the potential corresponding to the dark current for the gate of a driving transistor of the head-line dummy pixel circuit from a vertical blanking period.例文帳に追加

又は、先頭行ダミー画素回路の駆動トランジスタのゲートに、垂直ブランキング期間から、黒電流に対応した電位を設定する手段を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which current in a vertical direction flows by a trench gate easily so that an on-state resistance is reduced, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

トレンチゲートによる縦方向の電流を流しやすくしてオン抵抗の低減を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁