「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor logic circuit consists of 1st to 6th semiconductor elements 1 to 6 showing a current-voltage characteristic having a differential negative resistance characteristic between two terminals and a transfer gate 7.例文帳に追加

２端子間に微分負性抵抗特性を有する電流−電圧特性を呈する第１から第６の半導体素子１〜６と、転送ゲート７からなる。 - 特許庁

The gate terminal and the drain terminal of a driving transistor 202 for driving the organic EL element 201 are connected through a diode 223 to reduce the leak current.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２０１を駆動する駆動トランジスタ２０２のゲート端子とドレイン端子をダイオード２２３を介して接続し、リーク電流を低減する。 - 特許庁

The bias circuit 15 supplies a bias voltage VB to the gate of a transistor M7 constituting the constant-current source I1 of the amplifier 11.例文帳に追加

そして、差動増幅器１１の定電流源Ｉ１を構成するトランジスタＭ７のゲートにバイアス電圧ＶＢを供給するバイアス回路１５が設けられている。 - 特許庁

When the over-current sense voltage exceeds the 2nd fixed value, the comparator 13b outputs a signal to turn off the gate of the IGBT element 10.例文帳に追加

そして、短絡センス電圧が第２の既定値を超えると、ＩＧＢＴ素子１０のゲートをオフさせるための信号を出力する構成とされている。 - 特許庁

Further, when Zener current value is 10 to 20 mA, the Zener diode in which operating resistance is 5 kΩ or less, is arranged between the collector electrode and the gate electrode.例文帳に追加

また、ツェナー電流値が１０〜２０ｍＡ時、動作抵抗が５ｋΩ以下としたツェナーダイオードをコレクタ電極とゲート電極の間に配置する。 - 特許庁

A sense amplifier A1-1 is provided with current mirror circuits 3, 5, a NOR gate 7, inverters 9, 11, and a read-out data transition detecting circuit 13.例文帳に追加

センスアンプＡ１−１は，カレントミラー回路３，５，ＮＯＲゲート７，インバータ９，１１，および読み出しデータ遷移検出回路１３を備えるものである。 - 特許庁

Switching of inverters 11A, 11B operated by the gate control circuits reverses, so that a relation between output voltage and current also becomes an antiphase relation to each other.例文帳に追加

ゲート制御回路によって動作するインバータ１１Ａ、１１Ｂのスイッチングは反転し出力電圧、電流の関係も互いに逆相の関係となる。 - 特許庁

Thus, the gate voltage of the FET 25 is increased by a product between the resistance of the resistor 21 and the saturation current more than the case with the absence of the resistor 21.例文帳に追加

そのため、抵抗２１の抵抗値と飽和電流の積の分だけ、ＦＥＴ２５のゲートの電圧が、該抵抗２１が無い場合よりも上昇する。 - 特許庁

Gate voltages of the driving TFT 3 and sense TFT 4 are controlled with feedback output from the comparator 6 to drive the OLED 2 with a constant current.例文帳に追加

コンパレータ６からのフィードバック出力により駆動用ＴＦＴ３及びセンスＴＦＴ４のゲート電圧を制御し、ＯＬＥＤ２を定電流駆動する。 - 特許庁

A dielectric layer 24 is disposed on the channel region 20 and a gate electrode 26 is disposed on the dielectric layer to control the current of the channel region 20.例文帳に追加

誘電体層２４がチャンネル領域２０の上に配設されており、その上にゲート電極２６が配設されて、チャンネル領域２０の電流を制御する。 - 特許庁

To prevent a gate leakage current from being increased by the reason of a low Schottky barrier while obtaining good element isolation characteristics by a mesa structure for isolating an element.例文帳に追加

素子分離のためのメサ構造部により良好な素子分離特性を得つつ、ショットキー障壁が低いことに基因するゲートリーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

To provide a small-size and thinner railway crossing gate which does not require a clutch comprising a brushless motor given a torque limit character istic through the current control.例文帳に追加

クラッチを必要としない、小型でかつ薄形で電流制御によってトルクリミット特性を付与したブラシレスモータを内蔵した踏切遮断機を実現する。 - 特許庁

The L signal is inputted to the gate of the transistor Tr3 just before the L signal is changed to an H signal and an inductance current is generated in the inductance La.例文帳に追加

Ｌ信号がＨ信号に替わる直前に、トランジスタＴｒ３のゲートにＬ信号が入力され、インダクタンスＬａにインダクタンス電流を発生させる。 - 特許庁

If the currents I_ap-I_cn are positive when a gate command is in an off state, it is determined that the current state is abnormal for each of switch elements Q_ap-Q_cn.例文帳に追加

各スイッチ素子Ｑ_ap〜Ｑ_cn毎に、ゲート指令がオフ状態であるのに電流Ｉ_ap〜Ｉ_cnが正である場合も、電流状態が異常であると判定される。 - 特許庁

The portable communication device first monitors a non-contact type IC having a commuter pass function and acquires a boarding station and current time when the user passes a ticket gate machine.例文帳に追加

この携帯通信装置は、まず、定期券機能を有する非接触型ＩＣを監視し、改札機を通過したときの乗車駅と現在時刻を取得する。 - 特許庁

Moreover, operations are made to stop the supply of a scanning selection voltage from a gate driver, to control the delay of output current capability suppress and to control the delay of an opposite reversal voltage.例文帳に追加

また、ゲートドライバからの走査選択電圧の供給停止、出力電流能力抑制の遅延制御、対向反転電圧の遅延制御を行う。 - 特許庁

Furthermore, the applied voltage control section 20 generates the applied voltage Vgs that applies voltage to the gate terminal of the MOSFET 202, based on the converted current peak value.例文帳に追加

さらに、印加電圧制御部２０は、変換された電流ピーク値に基づいて、ＭＯＳＦＥＴ２０２のゲート端子に印加する印加電圧Ｖｇｓを生成する。 - 特許庁

To provide an iron core with an excitation coil for a flux gate type sensor capable of realizing the sensor of high sensitivity to a very weak magnetic field and current, and a low noise.例文帳に追加

微弱な磁界や電流に対してを高感度かつ低ノイズなセンサが実現できるフラックスゲート型センサ用励磁巻線付き鉄心を提供する。 - 特許庁

A comparator 7 obtains the difference in outputs of the integration devices 5, 6 and gives a voltage corresponding to the difference to a gate of a FET 2 in order to adjust the bias current of the FET 2.例文帳に追加

比較器７は、各積分器５、６の出力の差を求め、これに応じた電圧をＦＥＴ２のゲートに供給し、バイアス電流を調整する。 - 特許庁

A control unit 12 and a signal converting unit 406b control the gate current of the switching transistor 406 to control electrifying/non-electrifying of the solenoid coil 101.例文帳に追加

制御部１２及び信号変換部４０６ｂによりスイッチングトランジスタ４０６ａのゲート電圧を制御して電磁コイル１０１の通電／非通電を制御する。 - 特許庁

When the charge capacitor C2 is charged, gate voltage is applied to a thyristor Q3 because a Zener diode ZD1 is turned on, and a current is made to flow through a resistor R3 because the thyristor Q3 is turned on.例文帳に追加

充電用コンデンサC2を充電すると、ツェナダイオードZD1 がオンしてサイリスタQ3にゲート電圧を印加し、サイリスタQ3がオンして抵抗R3に電流が流れる。 - 特許庁

To reduce the current consumption, the number of elements and the area of a transfer gate provided between a main input-output line MIO and a local input-output line LIO.例文帳に追加

メイン入出力線MIOとローカル入出力線LIOとの間に設けられたトランスファーゲートの消費電流、素子数および面積を低減する。 - 特許庁

This can reduce variations in gate voltage rise gradient to reduce variations in switching loss, voltage surge and peak current.例文帳に追加

したがって、ゲート電圧の立ち上がり傾きのバラツキを小さくすることができ、スイッチング損失や電圧サージおよびピーク電流のバラツキを小さくすることが可能となる。 - 特許庁

A drain of the fourth MOSFET N104 is connected to a point A1 in the current route Ch3, a gate is connected to the own drain, and a source is connected to an output terminal OUT1.例文帳に追加

第四MOSFET N104は、ドレインが電流経路Ch3における点A1に接続され、ゲートが自己のドレインに接続され、ソースが出力端子OUT1に接続されている。 - 特許庁

Accordingly, the total sum of the errors in the gate lengthwise direction of the gates of respective divided transistors is made zero, thereby enabling the current difference between two kinds of transistors M1, M2 to be eliminated.例文帳に追加

従って、各分割トランジスタのゲートのゲート長方向の誤差の総和が"０"値となるので、２個のＭＯＳトランジスタＭ１、Ｍ２間の電流差がなくなる。 - 特許庁

A source signal line Y1 is divided into a crossing portion 160 and a main portion 170, at a position of an intersection with a gate wiring X1 and a current supply line Y2.例文帳に追加

ソース信号線Ｙ１を、ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と交差する位置で、交差部分１６０と主要部分１７０とに分ける。 - 特許庁

Conversion data which indicates a correlation of a distance between a first gate electrode 310 and a first contact 320, and the magnitude of a leak current amount is prepared in advance.例文帳に追加

第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離と、リーク電流量の大きさの相関を示す変換用データを予め準備しておく。 - 特許庁

With this configuration, the TMR element 1 is applied with a constant current to change a gate device of the MOSFET 2, and an output, in which an MR ratio of the TMR element 1 is amplified, is obtained as the source/drain current of the MOSFET 2.例文帳に追加

上記構成において、ＴＭＲ素子１に定電流を流し、ＭＯＳＦＥＴ２のゲートデバイスを変化させ、ＴＭＲ素子１のＭＲ比を増幅した出力をＭＯＳＦＥＴ２のソース・ドレイン電流として得る。 - 特許庁

A capacitor C4 of a trigger circuit SL of a shunt transistor 40 connected to the gate terminal G of a switching MOSFET 30 is connected to a current detection resistor R4, which detects a drain current of the FET 30.例文帳に追加

スイッチング用ＭＯＳＦＥＴ３０のゲート端子Ｇに接続されたシャント用トランジスタ４０のトリガ回路ＳＬのコンデンサＣ４を、前記ＦＥＴ３０のドレイン電流を検出する電流検出抵抗Ｒ４と接続する。 - 特許庁

In a pixel circuit of the light emitting display device which is driven with a data current, a first voltage corresponding to the data current is applied to capacitors C1 and C2 formed between the gate and source of a driving transistor M1.例文帳に追加

データ電流によって駆動される発光表示装置の画素回路において，まず，駆動トランジスタＭ１のゲートとソースとの間に形成されるキャパシタＣ１，Ｃ２に，データ電流に対応する第１電圧を印加する。 - 特許庁

Also, a current limiter, having FETs, is used for protecting the down converter against damage caused by a negative voltage appearing at the gate of the GCT thyristor, when the GCT thyristor receives a reverse direction load current.例文帳に追加

また、ＧＣＴサイリスタが逆方向負荷電流を受取る場合に、ＧＣＴのゲートに現れる負電圧によってダウンコンバータが損傷されるのを防止するために、ＦＥＴを有する電流リミッタが使用される。 - 特許庁

An OR gate 29 turns off a current source 30 when receiving the first or second detection signal to turn off an operating current supplied to a receiver side operational amplifier 23 resulting in bringing the receiver side operational amplifier to a high impedance state.例文帳に追加

ＯＲゲート２９は第１又は第２の検出信号を受けた際電流源３０をオフ状態として、受信側オペアンプ２３に流れる動作電流をオフとして、受信側オペアンプをハイインピーダンス状態とする。 - 特許庁

When this current is a threshold current corresponding to a reference voltage generated by a reference voltage generating circuit 56 or over, the resistance value of the gate resistor 44 of the power switching element Swn is switched into a smaller one.例文帳に追加

この電流が、基準電圧生成回路５６の生成する基準電圧に対応する閾値電流以上である場合、パワースイッチング素子Ｓｗｎのゲート抵抗４４の抵抗値が小さい側に切り替えられる。 - 特許庁

This current is converted to a pulse signal having a frequency proportional to the current value in an I/F conversion circuit consisting of a capacitor 108, a comparator 109, an FET 110, a delay element 111, an inverter 112, and an and-gate 113.例文帳に追加

この電流をコンデンサ１０８、コンパレータ１０９、ＦＥＴ１１０、ディレイ素子１１１、インバータ１１２、アンドゲート１１３から成るＩ／Ｆ変換回路回路で、電流値に比例した周波数のパルス信号に変換する。 - 特許庁

A PWM control circuit 3 controls the ON time width of a signal applied to the gate of the switch element 2, so that the peak value of a current on the primary side of the transformer, detected by the current detecting element 4, is held constant.例文帳に追加

ＰＷＭ制御回路３は電流検出素子４により検出されたトランス一次側の電流のピーク値が常に一定になるように、スイッチ素子２のゲートの印加される信号のオン時間幅を制御する。 - 特許庁

The MOS transistor M10 is wired to a source, a gate, and a body to function as a constant current source, and has electric characteristics that a source potential becomes higher than the silicon substrate potential, so a saturation current decreases.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１０は、ソース、ゲート及びボディが結線されて定電流源として機能し、ソース電位がシリコン基板電位よりも高くなることで飽和電流が減少する電気的特性をもっている。 - 特許庁

A distance A between the source 11s and the gate electrode 7 when viewing them from above is set to have such a dimension that the MOS transistor has the drain current-temperature characteristic in which a drain current increases with respect to a temperature rise.例文帳に追加

上方から見たソース１１ｓとゲート電極７の間の距離ＡはＭＯＳトランジスタが温度上昇に対してドレイン電流が増加するドレイン電流−温度特性をもつ寸法に設定されている。 - 特許庁

Since the current sensing resistor 2 has a positive temperature coefficient, the resistance of the current sensor resistor 2 increases as the temperature rises and the voltage applied between the base and an emitter of the gate control TR 3 also increases.例文帳に追加

電流検出抵抗２が正の温度係数を有するので、温度上昇につれて電流検出抵抗２の抵抗値が増加し、ゲート制御用トランジスタ３のベース・エミッタ間に印加される電圧も上昇する。 - 特許庁

The bias value is set so that drain current of the MOS transistor Q1 flows, and the absolute value of a component obtained by differentiating the drain current of the MOS transistor Q1 by the gate voltage twice becomes minimal.例文帳に追加

そして、このバイアス値を、ＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン電流が流れるように、且つ、ＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン電流をゲート電圧で二回微分した成分の絶対値が極小となるように設定する。 - 特許庁

A temperature, output current, mirror current or gate threshold voltage Vth of an IGBT 1 is detected, and a clamp voltage depending on a variation in a mirror voltage Vmirror is computed from any one of them.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１の温度、出力電流、ミラー電流もしくはゲート閾値電圧Ｖｔｈを検出し、これらのいずれかに基づいてミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキに応じたクランプ電圧を演算する。 - 特許庁

The halting of X-ray irradiation is controlled on the basis of the detection of each current flowing between the gate driver 35, the multiplexer 37, and the switching element 32 by first and second current detection sensors 40 and 41.例文帳に追加

ゲートドライバ３５およびマルチプレクサ３７とスイッチング素子３２との間にそれぞれ流れる各電流を、第１、第２電流検出センサ４０，４１が検出することに基づいてＸ線の照射の停止を制御する。 - 特許庁

Even if a momentary power failure occurs in a condition that a thyristor Q2 bypasses a current to flow to a rush current preventive resistor R1, the voltage of power source Vcc is applied to the gate of a thyristor Q2 via a diode D4 and a resistor R9.例文帳に追加

サイリスタQ2で突入電流防止抵抗R1に流れる電流をバイパスしている状態で瞬時停電が生じても、ダイオードD4および抵抗R9を介してサイリスタQ2のゲートに電源Ｖccの電圧を印加する。 - 特許庁

A base current is externally supplied to the semiconductor device in the on mode, the supply of the base current is stopped in an off mode to apply a voltage to a gate terminal G to turn on the unipolar transistor and to discharge excessive carriers in the base region 3 of the bipolar transistor.例文帳に追加

オン時は外部からベース電流を流し、オフ時はベース電流を停止し、ゲート端子Ｇに電圧を印加してユニポーラトランジスタをオンさせて、バイポーラトランジスタのベース領域３の過剰キャリアを排出する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that reduces the gate tunnel leakage current and GIDL current of an on-chip memory mounted on SRAM and system LSI, a microprocessor, or a MOS transistor used for system LSI.例文帳に追加

ＳＲＡＭやシステムLSIに搭載されるオンチップメモリ、マイクロプロセッサ、あるいは、システムＬＳＩで用いられるＭＯＳトランジスタのゲートトンネルリーク電流やＧＩＤＬ電流を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, by setting the voltage of the positive power supply line 17 to a normal power supply voltage, the driving current corresponding to a voltage between the gate and a source flows to the driver element 12 and a light emitting element 14 emits light by the driving current.例文帳に追加

そして、正電源線１７の電圧を通常の電源電圧に設定することでドライバー素子１２にゲート・ソース間電圧に応じた駆動電流を流し、発光素子１４をこの駆動電流で発光させる。 - 特許庁