「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An adjustment circuit 20 adjusts the resistance value of the gate resistance of the transistor gate 30 based on the current value of the negative gate currents Ig(-) of the transistor 30.例文帳に追加

調整回路２０は、トランジスタ３０の負のゲート電流Ig(-)の電流値に基づいて、トランジスタ３０のゲート抵抗の抵抗値を調整する。 - 特許庁

To reduce off current of a bottom gate thin film transistor in which a semiconductor layer is shielded from light by a gate electrode.例文帳に追加

半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。 - 特許庁

The first gate electrode 10 switches the constant current in response to the voltage applied to the second gate electrode 20.例文帳に追加

第１ゲート電極１０は、第２ゲート電極２０に印加される電圧に応じた定電流をスイッチングする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a high gate/drain breakdown voltage and at the same time a small amount of leakage current in a gate electrode.例文帳に追加

ゲート／ドレイン耐圧が高く、かつゲート電極におけるリーク電流の少ない半導体装置を得る。 - 特許庁

By supplying appropriate gate bias to the gate electrode of the second MOS transistor, a current flowing to the second MOS transistor is adjusted to a fine current.例文帳に追加

第２ＭＯＳトランジスタのゲート電極に適当なゲートバイアスを供給することにより、第２ＭＯＳトランジスタに流れる電流を微小電流に調整する。 - 特許庁

The driving transistor generates a driving current corresponding to the potential of the gate.例文帳に追加

駆動トランジスタは、そのゲートの電位に応じた駆動電流を生成する。 - 特許庁

The gate and source of the MOS transistor M2 are connected (constant current connection: VGS2=0).例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートとソースを結線し(定電流結線：ＶGS2＝０）。 - 特許庁

Compared to the BT test, the evaluation of the gate current value can be performed in a simpler manner, as the measurement of the gate current value takes short time, for example.例文帳に追加

ゲート電流値の測定は、必要となる時間が短いなど、ＢＴ試験と比較して簡便な方法によって評価を行うことが可能である。 - 特許庁

After the battle he was dispatched to Mt. Oe to protect the gate to Heian-kyo (the ancient capital of Japan in current Kyoto). 例文帳に追加

合戦後、大江山に派遣され平安京の入口を守った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The delay insertion gate includes two field effect transistors and a current mirror.例文帳に追加

遅延挿入ゲートは、２つの電界効果トランジスタおよびカレント・ミラーを含む。 - 特許庁

The gate and the source of the MOS transistor M2 are connected (constant current connection: VGS2=0).例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートとソースを結線し(定電流結線：ＶGS2＝０）。 - 特許庁

Independently of a main gate current to an IGBT 1 applied through a gate resistance A by a gate drive circuit 2, a voltage-compensated gate control circuit 3-6 injects a voltage-compensated gate current via a gate resistance B when a collector-emitter voltage Vce of the IGBT 1 exceeds a threshold value, and stops injecting the voltage-compensated gate current when the voltage Vce falls below the threshold value.例文帳に追加

ゲートドライブ回路２によるゲート抵抗Ａを通したＩＧＢＴ１の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路３〜６はＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅがしきい値を超えたときにゲート抵抗Ｂを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Ｖｃｅがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。 - 特許庁

Utilizing a point that full main circuit current iA commutates to a gate driving circuit 2 during its turn-off operation in the GCT thyristor element 1, gate current iG is measured with an off-gate current detecting circuit 25 after the start of turn-off operation to monitor the main circuit current.例文帳に追加

ＧＣＴサイリスタ素子１ではそのターンオフ動作中に主回路電流ｉＡの全てがゲート駆動回路２へ転流する点を利用して、ターンオフ開始後にゲート電流ｉＧをオフゲート電流検出回路２５で測定し、主回路電流をモニターする。 - 特許庁

A capacitor is connected to a gate and an emitter of a semiconductor element and a current amplifier having a capacitor whose capacitance is the same as a gate capacitance of the semiconductor element is connected between the gate and a gate driver.例文帳に追加

半導体素子のゲート・エミッタにコンデンサを接続し、かつ、このゲートとゲートドライバ間に、半導体素子のゲート容量と同容量のコンデンサを有する電流アンプを接続する。 - 特許庁

Between a signal amplifier 10 for supplying a gate current to an IGBT 30 and the gate terminal 33 of the IGBT 30, the serial circuit of a gate resistor 20 and a gate coil 70 is inserted.例文帳に追加

ＩＧＢＴ３０へゲート電流を供給する信号増幅器１０とＩＧＢＴ３０のゲート端子３３との間に、ゲート抵抗２０とゲートコイル７０との直列回路を挿入する。 - 特許庁

The forward voltage (gate voltage VG) across the gate-source of the JFET 2 is limited to a voltage value (Vo) lower than a built-in voltage between the gate and source, and therefore a gate current is also restrained.例文帳に追加

ＪＦＥＴ２のゲート−ソース間の順方向電圧（ゲート電圧VG）は、ゲート−ソース間のビルトイン電圧よりも低い値（Vo）に抑制され、ゲート電流IGも抑制されることになる。 - 特許庁

To provide a split-gate type nonvolatile memory which can reduce leakage current, by relaxing the strength of an electric field generated between a control gate electrode and a memory gate electrode, wherein the control gate electrode and the memory gate electrode are arranged mutually close.例文帳に追加

コントロールゲート電極とメモリゲート電極間に発生する電界強度を緩和してリーク電流を低減できる、コントロールゲート電極とメモリゲート電極が近接するスプリットゲート型不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a gate oxide film tunnel current model of an MOSFET capable of simulating tunnel currents between the gate/drain and gate/drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間、ゲート−ソース間のトンネル電流をシミュレートすることが可能なＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜トンネル電流モデルを提供する。 - 特許庁

Moreover, since the gate electrode 114 is embedded in the gate trench, the gate length can be extended and a sub-threshold current can be suppressed.例文帳に追加

しかも、ゲート電極１１４がゲートトレンチ内に埋め込まれていることから、ゲート長が拡大され、サブスレッショルド電流を抑制することが可能となる。 - 特許庁

By allowing a current to flow in the gate electrode 40, the silicide 80 on the gate electrode 40 is diffused into the gate electrode 40.例文帳に追加

そして、ゲート電極４０に電流を流すことにより、ゲート電極４０上のシリサイド８０をゲート電極４０に拡散させることを特徴としている。 - 特許庁

It was within the current Minami Ward that there existed the Rajo-mon Gate which was the southern main gate to Heian-kyo (ancient capital of Japan), as well as the Temples of To-ji and Sai-ji which were built in the east and the west, respectively, of the gate. 例文帳に追加

平安京の南の正門である羅城門、その東西に創建された東寺、西寺は現在の南区内に位置していた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

For a component corresponding to a gate resistance of a gate drive circuit, an active element such as bipolar transistor is used to control a gate current through its active region.例文帳に追加

ゲート駆動回路のゲート抵抗に相当する部分をバイポーラトランジスタ等の能動素子とし、その能動領域を使ってゲート電流を制御する。 - 特許庁

In such a connecting relation, gate insulation film leakage current passes through a gate insulation film 10 and flows into the semiconductor substrate 14 from the gate electrode 12.例文帳に追加

このような接続関係においては、ゲート絶縁膜１０を通り抜けて、ゲート絶縁膜リーク電流がゲート電極１２から半導体基板１４に流れる。 - 特許庁

A current source transistor 441 generates a reference current IR, corresponding to a control voltage VRS applied to the gate.例文帳に追加

電流源トランジスタ４４１は、ゲートに印加される制御電圧ＶRSに応じた基準電流ＩRを生成する。 - 特許庁

This driving current turned into the constant current, holds the gate voltage of the switching element constant in the ON period.例文帳に追加

この定電流化された駆動電流は、オン期間中に、スイッチング素子のゲート電圧を一定に保持する。 - 特許庁

A constant current FET 50 functions as a constant current element by being applied with a constant voltage to its gate G.例文帳に追加

ゲートＧに一定電圧を印加することで定電流ＦＥＴ５０を定電流素子として機能させる。 - 特許庁

By driving a transistor bridge gate circuit by a current mirror current switch, the low power voltage operation has been made possible.例文帳に追加

トランジスタブリッジゲート回路をカレントミラー電流スイッチで駆動することにより、低電源電圧動作を可能にした。 - 特許庁

To realize a flux gate type electric current sensor with high current detection sensitiveness, a small offset and a large dynamic range.例文帳に追加

電流検出感度が高く小さなオフセットでダイナミックレンジの大きいフラックスゲート型電流センサーを実現する。 - 特許庁

A rectifier gate unit 18 outputs the electrolytic current to the electrolytic bath 7 on the basis of the computed electrolytic current value.例文帳に追加

整流器ゲートユニット１８は、演算した電解電流値に基づき電解槽へ電解電流を出力する。 - 特許庁

The current mirror circuit composing the gate leak compensation circuit has a node that receives the reference current.例文帳に追加

ここで、そのゲートリーク補償回路を構成するカレントミラー回路は、参照電流を受けるノードを有している。 - 特許庁

A break failure detecting section 16 detects the break failure by comparing the off-gate current flowing from the gate G of the semiconductor element 12 to the gate driving circuit 13 with the robust current.例文帳に追加

断線故障検出部１６は、少なくとも半導体素子１２のゲートＧよりゲート駆動回路１３へ流れ込むオフゲート電流を健全時の電流と比較して断線故障を検出する。 - 特許庁

Thus, when a gate rectifying current that is a forward current is generated, a potential drop is generated by the resistor 21 for gate voltage suppression, and a gate voltage of the Schottky junction FET 13 is reduced.例文帳に追加

これにより、順方向電流であるゲート整流電流が発生すると、ゲート電圧抑制用抵抗２１によって電位降下が生じ、ショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧が引き下げられる。 - 特許庁

To prevent dopant atoms from diffusing in a substrate from a gate electrode on a gate insulating film thinned to a degree that a tunnel current directly flows, and to reduce a gate leak current.例文帳に追加

直接トンネル電流が流れる程度に薄膜化されたゲート絶縁膜におけるゲート電極からのドーパント原子の基板への拡散を防止すると共に、ゲートリーク電流を低減できるようにする。 - 特許庁

A bias gate section 7 supplies the bias electric current to a transmitted pulse generation section 10.例文帳に追加

バイアスゲート部７は、送信パルス発生部１０にバイアス電流を供給する。 - 特許庁

EFFICIENT RUSH CURRENT LIMITING CIRCUIT HAVING DUAL-GATE TWO-WAY HEMT例文帳に追加

デュアルゲート双方向ＨＥＭＴをもつ効率的な突入電流制限回路 - 特許庁

Thus, a gate voltage required for flowing the current Idata is set.例文帳に追加

すると、電流Ｉｄａｔａを流すのに必要なゲート電圧が設定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a gate leak current.例文帳に追加

ゲートリーク電流を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To reduce a gate drive current of a power transistor which functions as a switching device.例文帳に追加

スイッチング素子として機能するパワートランジスタのゲートドライブ電流を低減する。 - 特許庁

A gate and a source of the MOS transistor M2 are connected (a constant current connection: VGS 2=0).例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２のゲートとソースを結線し(定電流結線：ＶGS2＝０）。 - 特許庁

Rashomon was the main gate of Heian-kyo (the ancient capital of Japan in current Kyoto) on the Suzaku-oji Street. 例文帳に追加

羅生門とは、朱雀大路にある平安京の正門のことである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gate device 30 transmits the current time to the portable terminal 10 (S20).例文帳に追加

ゲート装置３０は携帯端末１０に現在の時刻を送信する（Ｓ２０）。 - 特許庁

GATE DRIVER FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL WHICH HAS ADJUSTABLE CURRENT DRIVING CAPABILITY例文帳に追加

電流駆動能力の調整が可能な液晶ディスプレイパネル用のゲートドライバ - 特許庁

To suppress the leakage current of a gate insulating film for a semiconductor device comprising a laminated metal gate electrode.例文帳に追加

積層メタルゲート電極を備えた半導体装置において、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

To reduce a gate leakage current of a field effect transistor comprising a gate electrode whose cross-section shape is T-like.例文帳に追加

断面形状がＴ字型であるゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、ゲートリーク電流を低減する。 - 特許庁

When the pixel is reset, a tunnel current passes through the gate oxide thin film 18 to set the potential of the floating gate 16.例文帳に追加

画素をリセットする際に、トンネル電流がゲート酸化薄膜１８を通り抜けてフローティングゲート１６の電位を設定する。 - 特許庁