「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A control part 18 discharges a gate charge of a switching element which the main current flows to switch off the switching element and flows the main current to a gate of the switching element on the reverse phase side and charges the charge.例文帳に追加

制御部１８は、主電流が通電するスイッチング素子のゲート電荷を放電し当該スイッチング素子をオフすると同時に、主電流を逆位相側のスイッチング素子のゲートに通電し電荷を充電する。 - 特許庁

A voltage value applied to a gate terminal of each field effect transistor 51_m is controlled by the gate voltage control part 53 such that the sum of the current values detected by the respective current value detection parts 52_m becomes constant.例文帳に追加

各電流値検出部５２_ｍにより検出された電流値の和が一定となるようにゲート電圧制御部５３により各電界効果トランジスタ５１_ｍのゲート端子に与えられる電圧値が制御される。 - 特許庁

A control means 11 causes an MOSFET 3 to be in a gate-on state at such timing as an input current Is starts flowing in forward direction, and, after the input current Is has started to flow in the forward direction, causes it to be in a gate-off state at such timing as the input current Is becomes zero.例文帳に追加

制御手段１１は、入力電流Ｉｓが正方向に流れ始めるタイミングでＭＯＳＦＥＴ３をゲートオン状態にさせ、入力電流Ｉｓが正方向に流れた後、入力電流Ｉｓが０となるタイミングでゲートオフ状態にさせる。 - 特許庁

Control means 11 causes a MOSFET 3 to be in a gate-on state at timing when an input current Is starts to flow in forward direction, and, after the input current Is has started to flow in the forward direction, causes the MOSFET 3 to be in a gate-off state at timing when the input current Is becomes zero.例文帳に追加

制御手段１１は、入力電流Ｉｓが正方向に流れ始めるタイミングでＭＯＳＦＥＴ３をゲートオン状態にさせ、入力電流Ｉｓが正方向に流れた後、入力電流Ｉｓが０となるタイミングでゲートオフ状態にさせる。 - 特許庁

The gate leak compensation circuit comprises a current mirror circuit which responds to a reference current fed from a power source to generate a plurality of constant currents, and a current compensation circuit which generates compensation currents for compensating gate leak currents from a plurality of transistors composing the current mirror circuit.例文帳に追加

電流源から供給される参照電流に応答して、複数の定電流を生成するカレントミラー回路と、そのカレントミラー回路を構成する複数のトランジスタのゲートリーク電流を補償するための補償電流を生成する電流補償回路とを備えるゲートリーク補償回路を構成する。 - 特許庁

Since the capacitor of the current amplifier simulates the gate capacitance of the semiconductor element when viewing from the gate driver, an intended gate charge/discharge characteristic is provided independently of a state of the semiconductor element.例文帳に追加

これによって、ゲートドライバ側より見ると電流アンプのコンデンサが半導体素子のゲート容量を模擬するため、半導体素子の状態のいかんに係わらず意図するゲート電荷充放電特性を持たせる事が出来る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a trench gate MOS element by which a physical damage of a trench gate oxide is prevented to improve characteristics of leakage current and dielectric breakdown of an element.例文帳に追加

本発明は、トレンチゲート酸化膜（trench gate oxide）の物理的な損傷を防止して素子の絶縁破壊及び漏洩電流の特性を向上させることができるトレンチゲートＭＯＳ素子の製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

The inductance of a loop including the element and a gate driver is reduced to 1/3 of the inductance of the conventional element and the capacitance of a capacitor of a part generating an on-gate current in the gate driver is enhanced to be a required capacitance to attain the above.例文帳に追加

そのためには、同素子及びゲートドライバを含むループのインダクタンスを従来の１／３に低減させると共に、ゲートドライバ内のオンゲート電流発生部分のコンデンサ容量を必要な値にまで強化させる。 - 特許庁

The pier-less gate is constituted so that a gate body 2 having a rotational shaft upward of a watercourse can be installed on the watercourse bottom S2 in a flat state without any uneven step in the direction of a water current by keeping a water-tight state in remain unchanged in the case the gate body is closed.例文帳に追加

水路上方に回転軸を有するゲート本体２を閉鎖時に水流方向に段差のない平坦な状態の水路底Ｓ２に水密状態を維持したまま設置できる構成である。 - 特許庁

According to such a configuration, an output current of the logic gate 10 of the previous stage is caused to flow to a connection between the resonance tunnelling elements RTD_21 and RTD_22 of the logic gate 20 of the post stage through the capacitor Cc, and by the output current, an output voltage of the logic gate 20 of the post stage can be switched.例文帳に追加

このような構成により、前段の論理ゲート１０の出力電流がコンデンサＣｃを介して後段の論理ゲート２０の共鳴トンネル素子ＲＴＤ２１、ＲＴＤ２２の接続点に流れ、これによって後段の論理ゲート２０の出力電圧をスイッチングさせることができる。 - 特許庁

Immediately before the element SW to be driven is turned on, the off drive element 14 is turned off to form a resonance circuit of the reactor 15, the auxiliary drive element 16 and a gate capacity and a gate current (reactor current Ir) is fed in the direction for charging the gate capacity by utilizing the resonance phenomenon.例文帳に追加

駆動対象素子ＳＷをターンオンする直前に、オフ駆動素子１４をオフすることで、リアクトル１５，補助駆動素子１６，ゲート容量からなる共振回路を形成し、その共振現象を利用してゲート容量を充電する方向にゲート電流（リアクトル電流Ｉｒ）を流す。 - 特許庁

When a sufficient voltage is applied to the gate electrode 44, a current is made to flow from a cathode to an anode passing through the IGBT and a shallowly doped channel P 80 located under the trench gate to turn on the thyristor, and when a gate voltage drops, a channel resistance increases, the thyristor is turned off, and only an IGBT current flows.例文帳に追加

ゲート電極４４に十分な電圧がかけられた時、電流は、カソードからＩＧＢＴ部、トレンチゲート下部に浅くドープされたＰ８０チャネルを通してサイリスタをオンとしてアノードに流れ、ゲート電圧が低下すると、チャネル抵抗が増え、サイリスタはオフとなりＩＧＢＴ電流のみとなる。 - 特許庁

Also, an inductance L is connected between the single DC current source E of the gate driving circuit 17 and the gate side main terminal 16 of each of the triacs 14, and a sneak current from the main circuit 11 to the gate driving circuit 17 is suppressed when each of the triacs 14 ia made conductive.例文帳に追加

また、ゲート駆動回路１７の単一の直流電源Ｅと各々のトライアック１４のゲート側主端子１６との間にインダクタンスＬを接続し、各々のトライアック１４が導通したとき、三相誘導電動機主回路１１からゲート駆動回路１７側に回り込む電流を抑制する。 - 特許庁

Thus, in the extracting section 16S of the gate electrode 16, since a long distance is secured between the gate electrode 16 and the corner section 12C of the N-type semiconductor layer 12, the occurrence of the gate leak current is prevented and the gate capacitance can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１６の引き出し部１６Ｓにおいてゲート電極１６とＮ−型半導体層１２の角部１２Ｃとの距離が長く確保されるため、ゲートリーク電流の発生が防止されると共に、ゲート容量を低減することができる。 - 特許庁

To provide a gate driving circuit that remarkably reduces gate driving signal distortion by reducing a leakage current when a node connected to a gate electrode of a driving transistor that drives an output signal is in the state of high impedance, and a display device using the gate driving circuit.例文帳に追加

出力信号を駆動する駆動トランジスタのゲート電極に連結されたノードがハイインピーダンス状態である時、漏れ電流を減少させてゲート駆動信号の歪曲を顕著に減少させるゲート駆動回路及びそれを利用した表示装置を提供する。 - 特許庁

When arm current of the voltage drive-type semiconductor elements 1A and 1B exceeds a prescribed value, the gate drive means 10A and 10B turn off the gate pulses, which the gate drive means 10A and 10B output by a local processing in the gate drive means 10A and 10B.例文帳に追加

ゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂは、夫々が駆動する電圧駆動型半導体素子１Ａ、１Ｂのアーム電流が所定値を超えたとき、ゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂ内のローカル処理によりゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂが出力するゲートパルスをオフする。 - 特許庁

When a current monitored by the current detecting unit 90 is equal to or smaller than the threshold current, the turn-on gate voltage is made smaller than the built-in voltage to cause the JFET 32 to switch at high speed.例文帳に追加

一方、電流検知部９０によるモニタ電流が閾値電流以下の場合には、ターンオン時のゲート電圧をビルトイン電圧より小さくすることにより、ＪＦＥＴ３２を高速にスイッチングさせる。 - 特許庁

When a current monitored by a current detecting unit 90 exceeds a threshold current, a gate voltage for turning on the junction field effect transistor (JFET) 32 is made larger than a built-in voltage for a PN-junction.例文帳に追加

電流検知部９０でモニタする電流が閾値電流を超えた場合、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）３２をターンオンするときのゲート電圧をＰＮ接合のビルトイン電圧より大きくする。 - 特許庁

In the device for driving current, a bias voltage generating part 102 outputs a bias voltage Vbias having a voltage value corresponding to the current value of a reference current Iref given to an input terminal 101 to a gate line G103.例文帳に追加

バイアス電圧生成部１０２は、入力端子１０１に与えられた基準電流Ｉｒｅｆの電流値に応じた電圧値を有するバイアス電圧Ｖｂｉａｓをゲート線Ｇ１０３に出力する。 - 特許庁

The monitor unit includes an N-type MOSFET for leak current cancellation which adds a source-drain current to the drain of the monitor N-type MOSFET when a gate and a source of the N-type MOSFET for leak current cancellation have substantially equal potential.例文帳に追加

モニタ部は、リーク電流キャンセル用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを有し、そのゲートとソースが略同電位である際のソース−ドレイン間の電流をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに加算する。 - 特許庁

In the case where a current monitored by a current detection section 90 exceeds a threshold current, a gate voltage in turning on a JFET 32 is made higher than a PN junction built-in voltage.例文帳に追加

電流検知部９０でモニタする電流が閾値電流を超えた場合、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）３２をターンオンするときのゲート電圧をＰＮ接合のビルトイン電圧より大きくする。 - 特許庁

To provide an amplifier circuit preventing generation of penetration current in switching output current without restricting amplitude of gate voltage of a power transistor which constitutes an output stage and without increasing current consumption.例文帳に追加

出力段を構成するパワートランジスタのゲート電圧の振幅を制限すること無く、かつ、消費電流を増やすことなく、出力電流の切り替わり時における貫通電流の発生を防止する。 - 特許庁

OSCILLATING PROXIMITY SENSOR, AND GATE CURRENT CONTROL METHOD THEREOF USING FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

発振型近接センサ、および電界効果トランジスタを用いた発振型近接センサにおけるゲート電流の制御方法 - 特許庁

A source follower circuit receives the input signal at its gate and outputs an input current corresponding to the input signal.例文帳に追加

ソースフォロワー回路は、入力信号をゲートで受け、入力信号に応じた入力電流を出力する。 - 特許庁

To suppress occurrence of leak current between a gate and a cathode across which a voltage for driving an electron source is applied.例文帳に追加

電子源を駆動するための電圧を印加するゲート−カソード間のリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

To improve current drive capability in a MOSFET, where a gate electrode includes a metal nitride film.例文帳に追加

ゲート電極が金属窒化膜により構成されるＭＯＳＦＥＴにおいて、電流駆動能力の向上を図る。 - 特許庁

To achieve stable high-voltage operation for a long period by suppressing increased leakage current of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現する。 - 特許庁

Similarly, the clock signal is supplied to a gate electrode and one end of the current path of an n-channel TFT 61a.例文帳に追加

同様に、ｎチャネルＴＦＴ６１ａのゲート電極と電流路の一端にクロック信号が供給される。 - 特許庁

In a first switching element TrG, both ends of a current path are connected between the control gate line and a ground end.例文帳に追加

第１スイッチング素子ＴｒＧは、電流経路の両端をコントロールゲート線と接地端との間に接続される。 - 特許庁

To provide an HEMT of embedded-gate type enhanced mode which does not accompany degradation in source resistance and drain current.例文帳に追加

ソース抵抗やドレイン電流の劣化を伴わない、埋め込みゲート型エンハンスモードのＨＥＭＴを提供する。 - 特許庁

A gate current of the triac (load switching section) 1 decreases at a high temperature and increases at a low temperature.例文帳に追加

トライアック（負荷開閉部）１は、高温になるとゲート電流が小さくなり、低温になると大きくなるものである。 - 特許庁

These control circuit forms current mirror, and provides reference voltage for controlling gate voltage.例文帳に追加

このような制御回路は電流ミラーを形成して、ゲート電圧を制御するために基準電圧を提供する。 - 特許庁

The current gate was reconstructed in the Kamakura Period in 1199 after being broken by a typhoon in September 962 in the Heian Period. 例文帳に追加

平安時代の応和2年（962年）8月に台風で倒壊後、鎌倉時代の正治元年（1199年）に復興されたもの。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gate electrodes can be formed in a number of geometries in conjunction with current carrying electrodes of the device.例文帳に追加

デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。 - 特許庁

On the Keihoku Town side the road is closed with a gate immediately after it branches off from the current national route so it is not possible to drive through. 例文帳に追加

京北町側では現国道からの分岐直後にゲートで封鎖されており通過は不可能である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The determination part 108b, after determining the presence of the abnormal current, outputs a gate signal to FET2 109b.例文帳に追加

判定部１０８ｂは、異常電流の存在を判定すると、ＦＥＴ２ １０９ｂにゲート信号を出力する。 - 特許庁

To achieve a field-effect transistor capable of decreasing a gate leak current even if micronization is promoted.例文帳に追加

微細化が進んだ場合でもゲート・リーク電流の低減を図ることのできる電界効果トランジスタを実現すること。 - 特許庁

To increase ON current in a bottom gate type poly-Si TFT used in a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置に使用されるボトムゲート型のｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴにおいて、ＯＮ電流を増加する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing an SOI substrate in which generation of a leak current dependent on the gate voltage is controlled.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、ゲート電圧に依存したリーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁

To suppress the short channel effect and the gate leakage current as well as the threshold voltage from locally increasing.例文帳に追加

短チャネル効果を抑制するとともに、ゲートリークの発生や、閾値電圧の局所的な高電圧化を抑制する。 - 特許庁

To provide a high-speed optical semiconductor relay which discharges a gate storage charge of an MOS transistor with a high current.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート蓄積電荷の放電を大電流で行う高速光半導体リレーを提供する。 - 特許庁

Further, Q40 may be made to be a double gate structure, thereby enabling the restriction of the current consumption of the shift register and the stabilization of operation thereof.例文帳に追加

これにより、シフトレジスタの消費電流を抑制するとともに動作を安定させることができる。 - 特許庁

The T-CPS drives a gate of the MP2 to generate current I2 provided with, for example, a negative temperature characteristic.例文帳に追加

Ｔ−ＣＰＳは、ＭＰ２のゲートを駆動し、例えば負の温度特性を備えた電流Ｉ２を生成する。 - 特許庁

To provide a compensation circuit which is capable of compensating a gate leak current without increasing a circuit size.例文帳に追加

回路規模を増大させること無くゲートリーク電流を補償することが可能な補償回路を提供する。 - 特許庁

A MOS gate structure is formed at the topmost part of the pylon, and current is made to conduct to the pylon by it.例文帳に追加

ＭＯＳゲート構造が、パイロンの最上部に形成され、パイロンに電流を導通させるようになっている。 - 特許庁