「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a normally-off type heterostructure field effect transistor of small contact resistance and less gate leakage current.例文帳に追加

コンタクト抵抗が小さくかつゲートリーク電流の少ないノーマリオフ型のヘテロ構造電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

Consequently, an energy band tilt of the gate oxide film 6 is suppressed and a tunneling current is suppressed to improve data holding characteristics.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜６のエネルギーバンドの傾きを抑え、トンネル電流を抑制してデータの保持性を向上させる。 - 特許庁

As a result, a current flowing through the semiconductor element can be reduced prior to the gate shut-off operation.例文帳に追加

これにより、ゲート遮断動作がなされることに先行して半導体素子に流れる電流を減少させることができる。 - 特許庁

The first and the second transistors 3 and 5 are DMOSFET and so a current flows in the case that the gate potential is zero.例文帳に追加

第１，第２トランジスタ３，５は、ＤＭＯＳＦＥＴであるため、ゲート電位が零である場合でも電流が流れる。 - 特許庁

As a result, the change in the drain voltage by gate coupling in sampling is suppressed and the leak current during the holding time is suppressed.例文帳に追加

これにより、サンプリング時のゲートカップリングによるドレイン電圧の変化を抑えホールド時間中のリーク電流を抑える。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor that maintains device characteristics and reduces a gate leakage current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

デバイス特性を維持し、ゲートリーク電流を低減できる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress short channel effect and increase a drive current of a transistor by assuring a long gate length of the transistor.例文帳に追加

トランジスタのゲート長を長く確保することで、ショートチャネル効果の抑制及びトランジスタの駆動電流の増加を図る。 - 特許庁

The diode D1 inhibits the flow of a current from the second switching element 7 to the gate of the MOSFET 6.例文帳に追加

第１のダイオードＤ_1 は第２のスイッチング素子７側からＭＯＳＦＥＴ６のゲート側への電流の流れを阻止する。 - 特許庁

In Kamakura, his residence was on the side of Komachi-dori avenue near the third gate of the Hachimangu, near current Kamakura-bori (Kamakura style carving) Tsubakido shop. 例文帳に追加

鎌倉では八幡宮三の鳥居近くの小町通り側、現在の鎌倉彫椿堂の辺りに邸宅があった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, current constrictions resulting from the deposition of the gate metal over a step discontinuity are virtually eliminated.例文帳に追加

さらに、ステップ状不連続部の上にゲート金属を堆積することによる電流狭窄が事実上排除される。 - 特許庁

The gate voltage of TrM26 changes, TrM25 is on and the electric current 13 is extracted from capacitive load 80.例文帳に追加

ＴｒＭ２６のゲート電圧が変化しＴｒＭ２６がオンして容量性負荷８０から電流Ｉ３が引き抜かれる。 - 特許庁

The drive power is a base current when the switching element is, for example, a transistor, and a gate voltage when the switching element is an FET.例文帳に追加

駆動電力は、スイッチング素子が例えばトランジスタの場合はベース電流であり、ＦＥＴの場合はゲート電圧である。 - 特許庁

To provide a MOS transistor which can reduce gate overlap capacitance while not reducing a drive current thereof.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの駆動電流は減少させず、ゲートオーバーラップキャパシタンスを低減できるＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

A constant current source 6, which is provided in the solid-state imaging element, is formed as an insulated gate field effect transistor.例文帳に追加

また、定電流源６を固体撮像素子内に備え、定電流源は絶縁ゲート電界効果トランジスタで構成される。 - 特許庁

To relieve concentration of electric field in a gate insulated film edge and restrain increase of leakage current, in an FET.例文帳に追加

ゲート絶縁膜端での電界集中を緩和するとともにリーク電流の増大を抑制することを可能にする。 - 特許庁

Further, a gate drive voltage of the switching device 22 is gradually raised in starting to restrain a rush current in starting.例文帳に追加

また、スイッチング素子２２のゲート駆動電圧を起動時に徐々に立ち上げさせて、起動時のラッシュ電流を低減させる。 - 特許庁

The third MOSFET Qn3 has its one end supplied with the reference current and its other end connected to the gate terminal.例文帳に追加

第３ＭＯＳＦＥＴＱｎ３は、一端において参照電流を供給され、一端をゲート端子と接続される。 - 特許庁

Thus, the gate voltage of a final output section 12 is slowly risen and a current flow between a drain and a source is made slow.例文帳に追加

つまり最終出力部１２のゲート電圧は緩やかに立ち上がり、ドレイン−ソース間電流も緩やかに流れる。 - 特許庁

It is thus possible to reduce the current flowing through the semiconductor device ahead of gate cutoff operation.例文帳に追加

これにより、ゲート遮断動作がなされることに先行して半導体素子に流れる電流を減少させることができる。 - 特許庁

ON/OFF of the TFT 11d connected to a gate signal line 17b is operated to control a current to the EL element 15.例文帳に追加

ゲート信号線１７ｂに接続したＴＦＴ１１ｄは、オンオフ動作させてＥＬ素子１５への電流を制御する。 - 特許庁

To provide a roof gate being constructible at very low cost, while at the same time solving technical problems of current roof gates.例文帳に追加

現状の起伏ゲートの技術上の問題点を解決し、同時に格段に安価に建設できる起伏ゲートの提供。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING GATE CURRENT OF STATIC INDUCTION THYRISTOR, ITS CIRCUIT, PULSE POWER SUPPLY CIRCUIT USING IT AND HIGH VOLTAGE PULSE POWER SUPPLY例文帳に追加

静電誘導サイリスタのゲート電流制御方法、回路、これを用いたパルス電源回路、及び、高電圧パルス電源 - 特許庁

A MOS transistor M11 constitutes a current buffer whose gate is grounded, and input currents ia are outputted to the drain.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１１はゲート接地による電流バッファを構成し、入力電流ｉａがドレインに出力される。 - 特許庁

The leak current is measured by placing the measurement voltage across the substrate and the gate electrode of the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の基板とゲート電極との間に測定電圧を印加して、ゲートリーク電流を測定する。 - 特許庁

In the drive unit DU, by changing a gate application voltage, the outflow of the current to the motor generator 10 is dissolved.例文帳に追加

ドライブユニットＤＵでは、ゲート印加電圧を変更することで、モータジェネレータ１０への電流の流出を解消させる。 - 特許庁

The microcrystal silicon layer is installed near a gate electrode to be a first channel layer, and provides a horizontal current path.例文帳に追加

微結晶シリコン層はゲート電極近くに設置されて第一チャネル層となり、水平な電流経路を提供する。 - 特許庁

The amorphous silicon layer is formed away from the gate electrode to be a second channel layer, and provides a vertical current path.例文帳に追加

アモルファスシリコン層はゲート電極から離れて形成されて第二チャネル層となり、垂直な電流経路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the deterioration characteristics of a gate electrode and a current leakage phenomenon are prevented.例文帳に追加

ゲート電極の劣化特性及び電流の漏れ現象を防止することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The parameter α1 is obtained from the relation between a positive stress gate voltage and the A-mode SILC current amount.例文帳に追加

また正のストレスゲート電圧を印加する時間とＡモードＳＩＬＣ電流量との関係から、パラメータα２を求める。 - 特許庁

Within the next several years, three-dimensional multigate transistor structures will likely replace the current planar single-gate structures. 例文帳に追加

次の数年のうちに、３次元マルチゲート型トランジスタ構造は現行のプレーナ単ゲート構造に多分取って代わるだろう。 - コンピューター用語辞典

(The Ayabe Ankokuji Interchange has no tollbooth, but when the new tollbooth is built at the interchange the current barrier gate will be removed.) 例文帳に追加

（現在の綾部安国寺ICは料金所が無い）これにより、綾部宮津道路では本線上の料金所は無くなる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since a gate insulation film can be formed thinner than in the conventional one, an on-state current of the thin film transistor is increased.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜を従来よりも薄くすることが可能となるので、薄膜トランジスタのＯＮ電流が増加する。 - 特許庁

To obtain an insulated gate transistor that can suppress variations of current and deterioration of breakdown strength at the time of a short mode.例文帳に追加

短絡モード時の電流ばらつきや破壊耐量の低下を抑制することができる絶縁ゲート型トランジスタを得る。 - 特許庁

Since all of detection currents Is flow the current accepting circuit 25 when the detection current Is is equal to the acceptance current Ia or less, all of the output currents of the charge pump circuit 6 are used for gate driving of the transistor 4.例文帳に追加

検出電流Ｉｓが引受電流Ｉａ以下のときは、検出電流Ｉｓは全て電流引受回路２５に流れ込むので、チャージポンプ回路６の出力電流は全てトランジスタ４のゲート駆動に使われる。 - 特許庁

A second AND gate 19 outputs an "H" signal, when the data in the current frame and the previous frame in the current line are the same and also, when the data in the current frame and the previous frame in the first to the previous lines are the same.例文帳に追加

第２アンドゲート１９は、現ラインにおける現フレームと前フレームとのデータが同じであり且つ１ライン〜前ラインにおける現フレームと前フレームとのデータが同じである場合に、「Ｈ」の信号を出力する。 - 特許庁

After the lapse of the delay time, a stable value of output current of a constant current drive circuit 30 having reached a target value of constant current can be supplied to a gate 1a of a switching element 1.例文帳に追加

これにより、遅延時間経過後に、既に定電流の狙い値まで達して安定した値になっている定電流駆動回路３０の出力電流をスイッチング素子１のゲート１ａに供給されるようにできる。 - 特許庁

The control circuit 128 controls the current controlling FET 121a on the basis of a voltage at the current detecting resistance 121b to feed a constant current to a gate of an IGBT 110d and turn on the IGBT 110d.例文帳に追加

制御回路１２８は、電流検出用抵抗１２１ｂの電圧に基づいて電流制御用ＦＥＴ１２１ａを制御し、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに定電流を流し込み、ＩＧＢＴ１１０ｄをオンする。 - 特許庁

Switches SW1, SW2, and SW3 are closed in an initialization period to supply a bias current Ib from a constant current source Ires1 to a drain D of an MOS transistor M1, and a voltage Vgs determined by the current is generated between a source S and a gate G.例文帳に追加

初期化期間にスイッチＳＷ1、2、6が閉路され、定電流源Ｉres1がＭＯＳトランジスタＭ1のドレインＤにバイアス電流Ｉbを流し、ソースＳとゲートＧの間に該電流によって決まる電圧Ｖgsを発生する。 - 特許庁

Then, if the spike voltage tries to occur to reach the breakdown area and a drain break current flows, the gate voltage rises by the amount of voltage dropped in the current limiting resistor 1 to increase the drain current as a result.例文帳に追加

これによりスパイク電圧が生じようとして破壊領域に達しドレーンブレーク電流が流れると電流制限抵抗器１の電圧降下分だけゲート電圧が上昇しその結果ドレーン電流が増加する。 - 特許庁

Current response then is detected in step S2, and by using an ON gate signal, namely, a voltage command and a current value detected by the current detector, inductance L is computed at step S3, by a formula v=Ldi/dt.例文帳に追加

そのときの電流応答をステップＳ２で検出し、ONゲート信号すなわち電圧指令と電流検出器で検出した電流値を用いてｖ＝Ｌdi/dt式によりステップＳ３でインダクタンスＬを算出する。 - 特許庁

As for the threshold current the comparator 6 detects, the threshold current in the drive transistor 2 is adjusted arbitrarily by adjusting the gate width sizes of the drive transistor 2 and the current sensing transistor 5.例文帳に追加

比較器６が検出するしきい値電流は、駆動用トランジスタ２とカレントセンス用トランジスタ５とのゲート幅サイズを調整することによって、駆動用トランジスタ２におけるしきい値電流を任意に調整する。 - 特許庁

Currents corresponding to currents flowing through the gate resistance R4 are made to flow to a first current passage (transistor Q13) of a current mirror circuit M1, and currents corresponding to the currents flowing to the gate resistance R4 are supplied to the source of the transistor Q15 through a second current passage (transistor Q14) by the function of the current mirror circuit M1.例文帳に追加

しかもゲート抵抗Ｒ４に流れた電流に対応した電流が電流ミラー回路Ｍ１の第１電流経路（トランジスタＱ１３）に流れ、電流ミラー回路Ｍ１の機能によって第２電流経路（トランジスタＱ１４）を介して、トランジスタＱ１５のソースにはゲート抵抗Ｒ４に流れた電流に対応した電流が供給される。 - 特許庁

In a smart battery circuit, a voltage generated when a charging or discharge current flows in a current detecting sense resistor 101 is inputted into a gate of a depletion transistor 102, a drain-gate current is converted in an I-F conversion circuit 103 into a square wave of a frequency corresponding to the current, and the frequency is read by a microcomputer 108.例文帳に追加

スマートバッテリ回路において、電流検出用センス抵抗１０１に充放電電流が流れる際に発生する電圧を、ディプレッショントランジスタ１０２のゲートに入力し、ドレインゲート間電流をＩ−Ｆ変換回路１０３によって電流に応じた周波数の方形波に変換し、その周波数をマイコン１０８で読み取る。 - 特許庁

To suppress leakage current, while using high dielectric or ferroelectric for a gate insulating film of a MOSFET and reducing the effective film thickness of the gate insulating film converted into the thickness of a silicon oxide film.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜に高誘電体又は強誘電体を用いつつ、ゲート絶縁膜のシリコン酸化膜換算実効膜厚を薄くしながらも、リーク電流を抑制する。 - 特許庁

At the cancell of standby, a bias voltage VP in a constant current source 40 is applied to a gate of a PMOS53a, and in usual operation, an output voltage of a differential amplifier 50 is applied to the gate of the PMOS53a.例文帳に追加

スタンバイ解除時に定電流源４０内のバイアス電圧VPをPMOS５３ａのゲートに印加し、通常動作時は差動増幅段５０の出力電圧をそのPMOS５３ａのゲートに印加する。 - 特許庁