「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a field effect transistor having high reliability in which increase of gate leak current is suppressed.例文帳に追加

ゲートリーク電流の増加が抑制された信頼性の高い電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The PMOS 151 has a gate controlled by a correction voltage Voffset to cause a correction current to flow between a drain and a source.例文帳に追加

PMOS１５１は、補正電圧Voffsetによりゲート制御され、ドレイン・ソース間に補正電流を流す。 - 特許庁

To provide a normally off type nitride semiconductor field effect transistor small in a gate leakage current.例文帳に追加

ゲートリーク電流が小さいノーマリオフ型の窒化物半導体電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To compatibly realize a reduction in leakage current and improvement in the reliability of a gate insulating film.例文帳に追加

リーク電流の低減とゲート絶縁膜の信頼性の向上とを、両立的に実現する。 - 特許庁

Gate terminals of transistors M2, M4 are connected between the constant current source 20 and the transistor B1.例文帳に追加

定電流源２０とトランジスタＢ１との間には、トランジスタＭ２，Ｍ４のゲート端子が接続される。 - 特許庁

To increase the current capacity of a trench gate IGBT, while at the same time, increasing the breakdown voltage.例文帳に追加

トレンチゲート型のＩＧＢＴで、耐圧の向上を図りつつ電流能力の向上も図る。 - 特許庁

A current is supplied to the driving TFT 6 to hold the potential of the gate terminal by the capacitor 13.例文帳に追加

駆動用ＴＦＴ６に電流を流して、ゲート端子の電位をコンデンサ１３にて保持する。 - 特許庁

A current limiting circuit 12 is connected to the gate (input terminal) of a transistor 11 for amplification.例文帳に追加

増幅用トランジスタ１１のゲート（入力端子）に電流制限回路１２が接続されている。 - 特許庁

To form a nitride film where gate leakage current variations in a surface are small in a plasma nitriding method.例文帳に追加

プラズマ窒化方法において、ゲートリーク電流の面内バラツキの小さい窒化膜を形成する。 - 特許庁

A current limiting resistor 1 is inserted to a gate bias voltage supply circuit of an FET 6.例文帳に追加

ＦＥＴ６のゲートバイアス電圧供給回路に電流制限抵抗器１を挿入する。 - 特許庁

A triac drive section 8 includes circuit paths different from polarities of a gate current.例文帳に追加

トライアック駆動部８は、ゲート電流の極性ごとに異なる回路経路を備えるものである。 - 特許庁

To obtain a flatness of a surface of an Si substrate required by miniaturization of a current gate length.例文帳に追加

現在のゲート長の微細化に伴ない、Ｓｉ基板表面の平坦性が要求されている。 - 特許庁

A third switching element 34 is thereby turned on and a current flows to the first gate 24G side, thus raising the voltage of the first gate 24G quickly.例文帳に追加

このとき、第３スイッチング素子３４がオンし第１ゲート２４Ｇ側に電流が流れ第１ゲート２４Ｇの電圧が迅速に上昇する。 - 特許庁

To drive the gate accurately and stably by reducing disturbance noise caused by parasitic inductance to the gate of a current-driven semiconductor device.例文帳に追加

電流駆動型の半導体装置のゲートへの寄生インダクタンスによる外乱ノイズを低減し、ゲート駆動を高精度化及び安定化させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device reducing a gate leakage current when a bias direction bias is applied to a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極にバイアス方向バイアスを印加した際におけるゲートリーク電流を低減した窒化物半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The gate insulating film 4 is composed of a single crystal ferroelectric, so that it is possible to reduce a leakage current on the gate insulating film 4.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４を単結晶の強誘電体で構成しているので、ゲート絶縁膜４におけるリーク電流を低減することができる。 - 特許庁

A third transistor 123 where a gate insulation film 130 is thickest is driven with a high voltage, and is operated speedily while a gate leak current is small.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１３０が最厚の第三トランジスタ１２３を高電圧で駆動し、ゲートリーク電流が微少な状態で高速に動作させる。 - 特許庁

The constant current switching element 26 and the discharge switching element 30 are connected to a gate of the switching element S*# via a gate resistor 28.例文帳に追加

定電流用スイッチング素子２６および放電用スイッチング素子３０は、ゲート抵抗体２８を介してスイッチング素子Ｓ＊＃のゲートに接続されている。 - 特許庁

To reduce a leak current flowing through a second gate insulating film provided between a charge storage layer and a control gate electrode layer.例文帳に追加

電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる第２のゲート絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

The photo-triac 31 is connected to the gate of the triac 32 and acts according to the heater on/off signal so as to switch the gate current of the triac 32.例文帳に追加

フォトトライアック３１は、トライアック３２のゲートに接続され、ヒータオン／オフ信号に応じて動作して、トライアック３２のゲート電流をスイッチングする。 - 特許庁

An insulated gate type switching device for controlling continuity/discontinuity between first and second current terminals by a gate terminal is installed on a package.例文帳に追加

ゲート端子により第１及び第２の電流端子間の導通，非導通が制御される絶縁ゲート型のスイッチング素子は、パッケージに搭載される。 - 特許庁

A current flowing into the fine-lead 4 can be controlled independently with a voltage of the side gate 5 or read gate 7 to realize various element characteristics.例文帳に追加

サイドゲート５または読み出しゲート７の電圧により、細線４を流れる電流を独立に制御でき、種々の素子特性を実現できる。 - 特許庁

A buffer layer is formed on the gate insulation layer pattern and the gate conductive layer pattern to strongly prevent a rapid increase of current.例文帳に追加

ゲート絶縁膜パターン及びゲート導電膜パターン上に急激に電流が増加することを顕著に減少させるバッファ膜が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus in which gate capacity is reduced, and the destruction of a gate oxide film when large current flows can be prevented.例文帳に追加

ゲート容量を低減するとともに、大電流が流れた場合のゲート酸化膜の破壊を防止できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

On the other hand, a gate-on means keeps the gate signal of the faulty semiconductor device under an on- condition, and turns off the gate signal of the semiconductor device after the current of the semiconductor device becomes lower than a prescribed value by a gate throttle means 12.例文帳に追加

一方、ゲートオン手段は、異常となった半導体素子のゲート信号をオン状態に保持し、ゲート絞り手段１２により半導体素子の電流が所定値より小さくなってから半導体素子のゲート信号をオフする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with the gate insulating layer with low EOT and less leakage current which suppresses the thermal reaction between a semiconductor layer and a gate insulating layer, and thermal reaction between a gate electrode and a gate insulating layer.例文帳に追加

半導体層とゲート絶縁膜との熱的反応、並びに、ゲート電極とゲート絶縁膜との熱的反応を抑制し、リーク電流が少なく、かつ、ＥＯＴが低いゲート絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gate driving device includes: NPN and PNP transistors for amplifying a gate current; and a turn-on gate resistor and a turn-off gate resistor for protecting diodes between bases and emitters of the transistors, base resistors and switch elements of the transistors.例文帳に追加

ゲート駆動装置において、ゲート電流を増幅するＮＰＮおよびＰＮＰトランジスタと、各々のベース−エミッタ間の保護ダイオードおよび各々のベース抵抗とスイッチ素子のターンオン用ゲート抵抗、およびターンオフ用ゲート抵抗とを備えた。 - 特許庁

To detect abnormality of element characteristics accurately when the gate-emitter leak current increases due to deterioration of insulation at the gate of an IGBT and the ON or OFF gate voltage is not applied between the gate and the emitter.例文帳に追加

ＩＧＢＴのゲートの絶縁が劣化し、ゲート−エミッタ間の漏れ電流が増加し、オン時のゲート電圧、あるいはオフ時のゲート電圧がゲート−エミッタ間に印加されていない場合の素子特性の異常を精度良く検知する。 - 特許庁

Around 3 p.m. Naganori, who was put in the cage by feudal retainers of Ichinoseki Domain, was carried to Tamura mansion in Shiba Atago (current Shinbashi Minato Ward, Tokyo), leaving Edo-jo Castle through Hirakawaguchi-mon gate, which was Fujo-mon gate (Fujo-mon gate means that the gate using to carry out the dead or criminals). 例文帳に追加

未の下刻（午後3時頃）、一関藩士らによって網駕籠に乗せられた長矩は、不浄門とされた平川口門より江戸城を出ると芝愛宕下（現東京都港区新橋）にある田村邸へと送られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The inductor 6 has a terminal 11 connected with the gate of the switching element 1 and a terminal 12 connected with the gate resistor 8, and a voltage induced by the drain current of the switching element 1 flowing through the current path L1 is applied to the gate of the switching element 1.例文帳に追加

インダクタ６は、端子部１１がスイッチング素子１のゲートに接続され、端子部１２がゲート抵抗８に接続され、電流経路Ｌ１に流れるスイッチング素子１のドレイン電流によって誘起された電圧が、スイッチング素子１のゲートに与えられる。 - 特許庁

The gate of a step-down MOS transistor QP1 is connected to the gate of a MOS transistor as a sense current source for the bit line, and both MOS transistors constitute a current mirror circuit.例文帳に追加

降圧用ＭＯＳトランジスタＱＰ１のゲートは、ビット線に対するセンス電流源としてのＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、両ＭＯＳトランジスタによりカレントミラー回路が構成されている。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which has excellent characteristics even in a low-temperature treatment, in which a current flows when a gate voltage is 0, and in which a current decreases if the gate voltage becomes +.例文帳に追加

低温処理でも優れた特性を有すると共に、ゲート電圧が０のときに電流が流れ、ゲート電圧が＋になっていくと電流が減少する電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

Driver elements Q1-Q4 supply a drive current to the motor, while a gate circuit 51 supplies gate signals to the driver elements Q1-Q4 so that a drive current value corresponds to a command value.例文帳に追加

ドライバ素子Ｑ１〜Ｑ４は、モータに駆動電流を供給し、ゲート回路５１は、駆動電流の値が指令値に応じた電流値となるようにゲート信号をドライバ素子Ｑ１〜Ｑ４に供給する。 - 特許庁

The P wells 51_0, 51_2 and 51_4 are connected to an input terminal of a gate leak current measuring circuit 18, and the P wells 51_1, 51_3 are connected to an input terminal of a gate leak current measuring circuit 19.例文帳に追加

Ｐウエル５１＿０、５１＿２、５１＿４はゲートリーク電流測定回路１８の入力端子に接続し、Ｐウエル５１＿１、５１＿３はゲートリーク電流測定回路１９の入力端子に接続する。 - 特許庁

To improve Vf and the maximum drain current in E-mode operation of GaN/AlGaN-HEMT, to provide a satisfactory withstand voltage between gate and drain, and further to suppress a gate leak current.例文帳に追加

ＧａＮ／ＡｌＧａＮ−ＨＥＭＴをＥ−ｍｏｄｅ動作させるに当たり、Ｖｆ及び最大ドレイン電流を向上させ、かつ良好なゲート−ドレイン間耐圧を有し、さらに、ゲートリーク電流を抑制する。 - 特許庁

A tail current adjustment circuit 40 changes a voltage applied to the gate of the transistor M13 to control a tail current Iss1 of the differential pair 10 so as to match the output current of the differential pair 10 with a current flowing from the current source 30.例文帳に追加

テール電流調整回路４０は、トランジスタＭ１３のゲートに印加する電圧を変化させて差動対１０のテール電流Ｉｓｓ１を制御し、差動対１０の出力電流を電流源３０が流し出す電流に一致させる。 - 特許庁

To materialize a metal gate CMOS semiconductor device which suppresses damages to a semiconductor substrate, a gate insulating film, and first and second electroconductive layers (metal gate electrode materials) in a production process as much as possible, prevents an increase of a gate resistance value and a gate leakage current, and is extremely high reliable.例文帳に追加

製造プロセスにおける半導体基板やゲート絶縁膜、第１及び第２の導電層（金属ゲート電極材料）へのダメージを可及的に抑止し、ゲート抵抗値及びゲートリーク電流の増加を防止して、極めて信頼性の高い金属ゲートＣＭＯＳ型の半導体装置を実現する。 - 特許庁

A pixel having a large effective luminous area, where an LDD region is formed in a TFT for current control so that it is overlapped with a gate electrode, across a gate insulation film and a voltage applied to a gate electrode is held by gate capacity between the gate electrode and the LDD region is obtained.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴにゲート絶縁膜を挟んでゲート電極と重なるようにＬＤＤ領域を形成し、ゲート電極とＬＤＤ領域との間のゲート容量によりゲート電極にかかる電圧が保持される有効発光面積の大きい画素が得られる。 - 特許庁

To prevent an erroneous roll call caused by a voltage change with switching, in a gate driving device for a switch element that does not include an inverse bias power source of a gate voltage but includes a buffer transistor for amplifying a gate current and includes a voltage-driven gate terminal for switching turn-on/turn-off gate resistance.例文帳に追加

ゲート電圧の逆バイアス電源を持たず、ゲート電流を増幅するバッファトランジスタを持ち、およびターンオン・ターンオフ時のゲート抵抗を切り替える電圧駆動型のゲート端子を持つスイッチ素子のゲート駆動装置において、スイッチングに伴う電圧変化による誤点呼を防止できるようにする。 - 特許庁

Since the drain current of the MOS TR T3 is determined by a current flowing from the constant current source 9, the gate voltage of the MOS TR T1 is reset so as to be a value corresponding to the drain current.例文帳に追加

このとき、ＭＯＳトランジスタＴ３のドレイン電流が定電流源９から流れる電流によって決まるため、ＭＯＳトランジスタＴ１のゲート電圧がこのドレイン電流に応じた値となるようにリセットされる。 - 特許庁

A node N4 outputs a current, in response to the current difference between the output currents I3, I4, by giving the currents I1, I2 to a current mirror circuit 202 and gives the current to a gate of a p-type MOS transistor 109.例文帳に追加

この電流Ｉ１，Ｉ２がカレントミラー回路２０２に入力されることにより、ノードＮ４から電流Ｉ３，Ｉ４の電流差に応じた電流が出力され、ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０９のゲートに供給される。 - 特許庁

A driving current supply circuit 29 supplies a driving current to the gate of an FET 2 in accordance with the current mirrored by the current mirror circuit 7 when turning on the FET 2 in response to a control signal.例文帳に追加

そして、駆動電流供給回路２９は、制御信号に応じてＦＥＴ２をオンさせる場合に、カレントミラー回路７によりミラーされた電流に応じて、ＦＥＴ２のゲートに駆動電流を供給する。 - 特許庁

To separate a current path for driving the gate of a high-side switch from a main current path so as to markedly improve a semiconductor device in voltage conversion efficiency.例文帳に追加

ハイサイドスイッチのゲートを駆動する経路と主電流経路とを分離することにより、電圧変換効率を大幅に向上させる。 - 特許庁

A control circuit 6 realizes pulling into synchronism by phase comparison between the current phase from the current detector and the common gate signal of each inverter.例文帳に追加

制御回路６は、電流検出器からの電流位相と各インバータの共通のゲート信号との位相比較により同期引き込みを行う。 - 特許庁

To provide a hetero junction field-effect transistor that suppresses current collapse and reduces a gate leakage current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁