「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the leak current measurement, a source/drain region is defined as reference potential (ground potential), a gate voltage Vg is defined as a parameter, and a gate voltage value Vgb is searched for a current Ig flowing to the gate electrode 12 to get out of a current allowable range for operation as a product.例文帳に追加

リーク電流測定は、ソース／ドレイン領域を基準電位（接地電位）、ゲート電圧Ｖgをパラメータとし、ゲート電極１２に流れる電流Ｉgが製品として動作させる電流の許容範囲から逸脱するゲート電圧値Ｖgbを探索する。 - 特許庁

A drive transistor TDR generates a driving current IDR, according to the potential VG of the gate.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、ゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する。 - 特許庁

To reduce a gate drive current at a light load during suppressing on-resistance at heavy load.例文帳に追加

重負荷時のオン抵抗を抑えつつ、軽負荷時のゲートドライブ電流を低減する。 - 特許庁

The driving transistor Tdr generates a driving current Iel corresponding to the potential of its gate.例文帳に追加

駆動トランジスタＴdrは、そのゲートの電位に応じた駆動電流Ｉelを生成する。 - 特許庁

Electron accumulation is therefore suppressed to reduce the gate leakage current.例文帳に追加

従って、電子蓄積が抑制され、ゲートリーク電流を減少することが可能となる。 - 特許庁

The gate of the field-effect transistor P4 is connected with the output circuit branch N2 of current mirror circuit 32, and limited small current is led out of the gate to the ground.例文帳に追加

電界効果トランジスタＰ４のゲートにはカレントミラー回路３２の出力回路分岐Ｎ２が接続され、制限された小電流がゲートからグラウンドへ引出される。 - 特許庁

This circuit includes a constitution in which a resistor for regulating an amplitude of a gate current or a saturable reactor for regulating a splitting timing is added to a gate current splitting circuit.例文帳に追加

ゲート電流分流回路にゲート電流の大きさをせ調整する抵抗、または分流タイミングを調整する可飽和リアクトルを追加した構成を含む。 - 特許庁

The current main hall, two-storey pagoda and main gate were rebuilt before the end of the 18th century. 例文帳に追加

現在の本堂や多宝塔、総門などは、18世紀末までに再建されたもの。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An initial-stage bias circuit Bias1 supplies a bias current to the gate of the Fe1.例文帳に追加

初段バイアス回路Ｂｉａｓ１は、Ｆｅ１のゲートにバイアス電流を供給する。 - 特許庁

A driving transistor M1 generates a driving current Iel corresponding to a potential of a gate thereof.例文帳に追加

駆動トランジスタＭ１は、そのゲートの電位に応じた駆動電流Ｉelを生成する。 - 特許庁

A driving transistor TDR generates a driving current IDR corresponding to the potential VG at the gate.例文帳に追加

駆動トランジスタＴDRは、ゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する。 - 特許庁

To provide a level shifter circuit for preventing the occurrence of a through-current only with a CMOS gate.例文帳に追加

ＣＭＯＳゲートのみで貫通電流を防止するレベルシフタ回路を提供する。 - 特許庁

VOLTAGE SOURCE ADJUSTED FOR INTRODUCING TUNNEL CURRENT TO FLOAT GATE MEMORY DEVICE例文帳に追加

浮遊ゲート・メモリ装置にトンネル電流を導入するために調節された電圧源 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device of split gate structure, memory cells of different gate lengths are integrated because read-out current and read and write endurance are in tradeoff condition due to the gate length of a memory gate.例文帳に追加

スプリットゲート構造の不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電流と書き換え耐性はメモリゲートのゲート長によりトレードオフの関係にあるため、ゲート長の異なるメモリセルを集積する。 - 特許庁

To suppress a leakage current between a first gate electrode and a second gate electrode of a semiconductor device having first and second gate insulating films and the first and second gate electrodes.例文帳に追加

第１及び第２のゲート絶縁膜と第１及び第２のゲート電極とを具備する半導体装置に関し、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device capable of operating with a high frequency and capable of preventing gate leakage current and current collapse.例文帳に追加

高周波数動作が可能で、ゲートリーク電流や電流コラプスを抑制できる窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor whose gate has a small transition current or a leakage current and which has a stable pinch-off voltage.例文帳に追加

ゲートの遷移電流や漏れ電流が小さく、ピンチオフ電圧が安定な電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

A constant current control is performed to control a current that flows a charging route of the gate of a switching element S*# to be a constant value.例文帳に追加

スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートの充電経路を流通する電流を一定値に制御する定電流制御を行う。 - 特許庁

Properties of the nanotube of current-voltage and of current-gate voltage can be acquired as the same element as transistors.例文帳に追加

ナノチューブの電流−電圧および電流−ゲート電圧特性を、トランジスタと同様な素子として得ることができる。 - 特許庁

The hot carrier life parameter is obtained by using a calculation value by the expression of substrate current, drain current or gate current, which are used for simulation.例文帳に追加

ホットキャリア寿命パラメータは、シミュレーションに使用する基板電流、ドレイン電流またはゲート電流の前記式による計算値を使用して求める。 - 特許庁

Gate voltage of the transistor for supplying a current to the current source circuit is supplied to the pixel from the voltage/current supply circuit as the pre-charge voltage.例文帳に追加

電圧電流供給回路からは、電流源回路に電流を供給するトランジスタのゲート電圧が、プリチャージ電圧として画素に供給される。 - 特許庁

To prevent an anode current or cathode current from varying owing to the addition of the gate driving current of a thyristor switch held at a floating potential.例文帳に追加

フローティング電位に置かれたサイリスタスイッチのゲート駆動電流が加算されることによるアノード電流あるいはカソード電流の変動を防止する。 - 特許庁

A current flowing through the compensation current generation transistor Q1 is turned back at a current mirror circuit 11, and is injected into a gate of the transistor Q10 to be compensated.例文帳に追加

補償電流生成用トランジスタＱ１に流れる電流は、カレントミラー回路１１で折り返されて、補償対象トランジスタ１０のゲートへ注入される。 - 特許庁

To improve gate voltage-drain current characteristics in a bottom gate type thin film transistor employing a crystalline semiconductor.例文帳に追加

結晶性半導体を用いるボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、そのゲート電圧−ドレイン電流特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a gate current control circuit with a high efficiency that supplies proper electric charges to a gate of an SI(Static Induction) thyristor so as to reduce a loss in a switching circuit.例文帳に追加

ＳＩサイリスタのゲートに適正な電荷を供給をして、スイッチング回路での損失を減らし、回路を高効率化する。 - 特許庁

When the light screening layer functions as a back gate, back gate voltage dependency of an off-leak current varies in accordance with Si film thickness.例文帳に追加

遮光層がバックゲートとして機能する場合に、オフリーク電流のバックゲート電圧依存性はＳｉ膜厚によって変動する。 - 特許庁

An insulated gate transistor 1 is on-off controlled by a control voltage Va from a gate drive circuit 7 through a current driver 10.例文帳に追加

絶縁ゲート型トランジスタ１は電流ドライバ１０を通じてゲートドライブ回路７からの制御電圧Vaにより断続制御される。 - 特許庁

The path of a current flowing to an active layer 21 via the end of the gate electrode 32 is lengthened in the widened piece 32b of the gate electrode 32.例文帳に追加

ゲート電極32の端部を介して活性層21に流れる電流の経路がゲート電極32の拡幅片部32bにて長くなる。 - 特許庁

"Rajomon no oni" or "Rashomon no oni" is an ogre who was said to have lived at Rajo-mon Gate, the main gate of Heiankyo (the ancient capital of Japan in current Kyoto). 例文帳に追加

羅城門の鬼、羅生門の鬼（らしょうもんのおに）は、平安京の正門・羅城門に巣食っていたといわれる鬼。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To control a switching speed with gate current by preventing oscillation of gate voltage at the time of turning-on caused by accumulating a carrier in the vicinity of a gate of IEGT.例文帳に追加

ＩＥＧＴのゲート近傍にキャリアが蓄積されることによって引き起こされるターンオン時のゲート電圧の振動を防止し、スイッチング速度をゲート電流により制御する。 - 特許庁

To prevent metal atoms from being injected into a gate insulating film in forming a gate electrode, and to prevent increase of gate leakage current, destabilization of threshold voltage, and the like.例文帳に追加

ゲート電極を形成する際に、ゲート絶縁膜に金属原子が注入されることを抑制し、ゲートリーク電流の増加や閾値電圧の不安定化等を防止する。 - 特許庁

To suppress an excessive drain current when a gate voltage approaches a value close to a threshold.例文帳に追加

ゲート電圧が閾値近傍に近づくときに発生する過剰なドレイン電流を抑制する。 - 特許庁

METHOD FOR CALCULATING GATE LEAD CURRENT, DEVICE SIMULATION METHOD AND MOS-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ゲートリーク電流の計算方法、デバイスシミュレーション方法およびＭＯＳ型半導体装置。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a nitride electronic device by which a gate leakage current is reduced.例文帳に追加

ゲートリーク電流を低減できる、窒化物電子デバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁

A nitride-based FET device 10 reduces electron trapping and gate current leakage.例文帳に追加

電子トラップ及びゲート電流の漏れを減少させる窒化物系ＦＥＴデバイス１０である。 - 特許庁

The gate driving circuit part 10 and an output load driving circuit part 20 are connected in a direct current way.例文帳に追加

ゲート駆動回路部10と出力負荷駆動回路部20とは直流的に結合される。 - 特許庁

A current of this Schottky diode is not disturbed by a depletion layer based on the gate electrode 12.例文帳に追加

このショットキーダイオードの電流はゲート電極１２に基づく空乏層に妨害されない。 - 特許庁

To control the opening and closing of a water gate by detecting the slight water current detection smoothly and surely.例文帳に追加

スムースで、確実にわずがな水の流向を検出して、水門の開閉を制御する。 - 特許庁

A gate pattern crossers the current path pattern in two levels, at first and second intersection points.例文帳に追加

ゲートパターンが、第１及び第２の交差個所で電流路パターンと立体的に交差する。 - 特許庁

Since a gate-source voltage Vgs becomes "0", a leak current can be reduced.例文帳に追加

ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは「０」となるので、リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

Next, the increase of the gate voltage for the increase of the drain current is computed (step S2).例文帳に追加

次に、ドレイン電流の増分に対するゲート電圧の増分を演算する（ステップＳ２）。 - 特許庁

Here, the drop period of the gate voltage and the decrease period of the recovery current are synchronized.例文帳に追加

ここで、ゲート電圧の低下期間と、リカバリ電流の減少期間とを同期させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be reduced in loss by suppressing a gate-source current.例文帳に追加

ゲート−ソース電流を抑制し、低損失化が図れる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In current conditions, anyone can be pulled in through that gate, not just the four that took part in the ritual.例文帳に追加

その状況では 誰でも その門に入れる 儀式に参加した 四人以外でも - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The current detection circuit 100 includes a wiring 2 connected to a MOS transistor 1 and forming a current path of a current I1 of the MOS transistor 1, a current detection MOS transistor 3 having a gate connected to the wiring 2 and passing a current I2 corresponding to the potential of the gate therethrough, and a current detector for detecting the current I2 flowing through the current detection MOS transistor 3.例文帳に追加

電流検出回路１００は、ＭＯＳトランジスタ１に接続され、ＭＯＳトランジスタ１の電流Ｉ１の電流経路を形成する配線２と、配線２にゲートが接続され、ゲートの電位に応じた電流Ｉ２を流す電流検出ＭＯＳトランジスタ３と、電流検出ＭＯＳトランジスタ３に流れる電流Ｉ２を検出する電流検出器と、を備える。 - 特許庁