「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The voltage of a node V3 in the constant current circuit 61 is fed back not only to the gate of the transistor N1 but also to the gate of the transistor P1.例文帳に追加

定電流回路６１中のノードＶ３の電圧は、トランジスタＮ１のゲートだけでなくトランジスタＰ１のゲートにもフィードバックされる。 - 特許庁

The drive capacity of the second logic gate is relatively high while the first logic gate requires relatively low current for operation.例文帳に追加

相対的に第２の論理ゲートの方が駆動能力は高く、相対的に第１の論理ゲートの方が低電力動作可能である。 - 特許庁

A gate terminal of a transistor M2, a grounded current source CS2 and a source terminal of a transistor M4 are connected to an gate terminal of the transistor M6.例文帳に追加

トランジスタＭ６のゲート端子には、トランジスタＭ２のゲート端子、接地された電流源ＣＳ２、トランジスタＭ４のソース端子が接続される。 - 特許庁

A gate monitor circuit 32a outputs a drive abnormal detection signal Sb1 having the L level when the gate current exceeds a prescribed threshold.例文帳に追加

ゲートモニタ回路３２ａは、ゲート電流が所定のしきい値を超えたときにＬレベルの駆動異常検出信号Ｓb1を出力する。 - 特許庁

It is believed that the Suzakumon Gate of the Heian-kyu Palace was located at the current Nijo Senbon-dori, Kyoto City, and there are small stone monuments to mark the gate location. 例文帳に追加

平安宮朱雀門は現在の京都市二条千本通にあったといい、旧跡には小さな石碑が立つのみである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To obtain a MOSFET whose gate is large in length and gate oxide film is small in thickness, in which a tunnel leakage current hardly occurs between a drain and a channel.例文帳に追加

ゲート長が短く、ゲート酸化膜の厚さが薄いＭＯＳＦＥＴにおいて、ドレイン−チャネル間トンネルリーク電流を生じ難くする。 - 特許庁

To increase light emitting output by decreasing an invalid gate current, without excessively decreasing the gate terminal potential of a light emitting thyristor.例文帳に追加

発光サイリスタのゲート端子電位を過剰に低下させることなく、無効なゲート電流を削減して発光出力の増加を図る。 - 特許庁

Between the gate terminal of the power MOSFET 52 and a gate drive circuit 53, a resistor 54 for blocking current passage is provided.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ５２のゲート端子とゲート駆動回路５３との間には電流の通過を阻止する抵抗５４が設けられている。 - 特許庁

Bonding defects present in the gate insulating film are corrected to decrease a leakage current and to improve the gate insulating film in permittivity.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中に存在する結合欠陥が是正されてリーク電流が低減し、ゲート絶縁膜の比誘電率が向上する。 - 特許庁

An initial value of a gate leak current is measured by placing a measurement voltage across a substrate and a gate electrode of the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置の基板とゲート電極との間に測定電圧を印加して、ゲートリーク電流の初期値を測定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is controlled by a Schottky gate electrode capable of decreasing a gate leakage current.例文帳に追加

ショットキーゲート電極で制御する半導体装置において、ゲートリーク電流を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film.例文帳に追加

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。 - 特許庁

The gate voltage control part 33 controls a voltage value applied to a gate terminal of the field effect transistor 31 such that the current value detected by the current value detection part 32 becomes constant.例文帳に追加

ゲート電圧制御部３３は、電流値検出部３２により検出された電流値が一定となるように、電界効果トランジスタ３１のゲート端子に与える電圧値を制御する。 - 特許庁

By this structure, the stable drain current and the sufficient reduction effect for the gate leakage current are realized by using the gate insulation film having the thickness less than 10nm with which the high gain is acquired.例文帳に追加

この構造によって、高利得が得られる１０ｎｍ未満の膜厚のゲート絶縁膜を用いて、安定なドレイン電流と、十分なゲートリーク電流の低減効果とが実現される。 - 特許庁

Thus, voltage VgsN2 between a gate and a source of the transistor N2 is determined by the drain current I3 and the drain current I4 corresponding to voltage VgsN2 between the gate and the source flows to a transistor P4.例文帳に追加

よって、ドレイン電流Ｉ３によりトランジスタＮ２のゲート・ソース間電圧ＶgsN2が決定され、ゲート・ソース間電圧ＶgsN2に対応したドレイン電流Ｉ４がトランジスタＰ４に流れる。 - 特許庁

Then while a stress gate voltage Vgstress is applied, a measurement gate voltage Vg smaller than the Vgstress is intermittently applied, and a linear drain current Idlin2 and a saturation drain current Idsat2 are measured.例文帳に追加

次に、ストレスゲート電圧Ｖgstress を印加しながら、Ｖgstress よりも小さい測定ゲート電圧Ｖｇを間欠的に印加し、線形ドレイン電流Ｉdlin２及び飽和ドレイン電流Ｉdsat２を測定する。 - 特許庁

A current limiting element IL is connected to the gate of a transistor Q2 and the current of a control signal S2 which is to be inputted to the gate of the transistor Q2 is limited by the element IL.例文帳に追加

トランジスタＱ２のゲートに電流制限素子ＩＬを接続し、電流制限素子ＩＬによりトランジスタＱ２のゲートへ入力される制御信号Ｓ２の電流を制限する。 - 特許庁

The thickness of a gate insulating film of the transistor which conductive is made greater than that of a regular transistor, so that gate leakage current is reduced, and the consumption current can be reduced at standby.例文帳に追加

導通状態であるトランジスタを通常のトランジスタよりもゲート絶縁膜厚を厚くしておくことでゲートリーク電流を低減させ、待機時の消費電流を低減させることができる。 - 特許庁

A constant current, therefore, flows between the gate of an output transistor 105p and the current source 102 until the gate voltage of the output transistor 105p varies almost to a second potential.例文帳に追加

よって、出力トランジスタ１０５ｐのゲート電圧が『第２の電位』の近傍になるまでの間、出力トランジスタ１０５ｐのゲートと電流源１０２との間には定電流が流れる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-type semiconductor epitaxial crystal substrate with a dielectric film having a low gate leak current and an extremely low and negligible gate lag, a drain lag and current collapse characteristics.例文帳に追加

低いゲートリーク電流と無視しうるほど小さなゲートラグ、ドレインラグ、電流コラプス特性を有する、誘電体膜付きの窒化ガリウム系半導体エピタキシャル結晶基板を提供することにある。 - 特許庁

The battery pack controls the charging current and the discharging current while controlling both of the gate voltage of the MOSFET and each voltage of the back gate contacts 21, 41 with the control circuits 14, 34.例文帳に追加

この組電池は、制御回路１４、３４でもって、ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧とバックゲートコンタクト２１、４１の電圧の両方を制御して、充電電流と放電電流を制御する。 - 特許庁

The current mirror circuit is provided with an N type MOS transistor(TR) Q1 for inputting an input current i1 and an N type MOS TR Q2 connecting its gate to the gate of the TR Q1 and capable of outputting a current i2 mirroring the input current i1.例文帳に追加

このカレントミラー回路は、入力電流ｉ１が入力されるＮ型のＭＯＳトランジスタＱ１と、ゲートがＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと接続され、入力電流ｉ１をミラーする電流ｉ２を出力するＮ型のＭＯＳトランジスタＱ２とを備えている。 - 特許庁

This reduces a gate direct tunnel current Ig and can do with a low off- current Ioff(PM1) of the pMOSFET 16, the off-current Ioff(PM2) of the pMOSFET 17 is also reduced, and the standby current becomes still smaller.例文帳に追加

そのため、ゲートダイレクトトンネル電流Ｉｇが少なくなり、ｐＭＯＳＦＥＴ１６のオフ電流Ｉ_off(PM1)は少なくてすみ、ｐＭＯＳＦＥＴ１６のオフ電流Ｉ_off(PM2)も減り、スタンバイ電流もさらに小さくなる。 - 特許庁

By supplying a constant current to transistors(TRs) M14, M15, a power supply voltage is set to the gate voltage of the current mirror M16, M17 while the capacitor C1 holds the peak value to completely shut off the current mirror M16, M17.例文帳に追加

Ｍ１４，Ｍ１５に定電流を流すことで，保持している間Ｍ１６，Ｍ１７のゲート電圧を電源電圧にし，Ｍ１６，Ｍ１７を完全にオフする。 - 特許庁

To provide a means for preventing destruction of a current sense element by an excess voltage, the current sense element being incorporated in an insulation gate type transistor to prevent an excess current.例文帳に追加

過電流を防止する電流センス素子を内蔵した絶縁ゲート型トランジスタに対して、電流センス素子の過電圧による破壊を防止する手段を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit having a constant current circuit, the constant current circuit is provided with a plurality of constant current elements each having a gate terminal and a source terminal in common.例文帳に追加

定電流回路を備えた半導体集積回路において、前記定電流回路は、ゲート端子とソース端子とを共通する複数の定電流素子を備える。 - 特許庁

The logic circuit 32 includes one or more current mode logic gates which can operate to generate an output voltage amplitude by operating a tail current individually by each current mode logic gate.例文帳に追加

論理回路３２は、それぞれが個別にテール電流を操作して出力電圧振幅を生成するよう動作可能な１以上の電流モード論理ゲートを含む。 - 特許庁

The gate bias circuit 8 has change detection means for detecting a change in gate current Ig or gate voltage Vg of the receiving transistor 2 at excessive input to generate a change signal.例文帳に追加

ゲートバイアス回路８は、過入力時における受信用トランジスタ２のゲート電流Ｉｇまたはゲート電圧Ｖｇの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。 - 特許庁

To provide a gate turnoff thyristor device that prevents failure, from being caused between anode and a gate by a surge voltage due to an off-gate current, and achieves miniaturization.例文帳に追加

オフゲート電流によるサージ電圧によるアノードとゲートとの間の故障の発生を回避可能で信頼性を向上でき、かつ、小型化を図れるゲートターンオフサイリスタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that forms a Schottky gate electrode on a group III nitride semiconductor layer and is intended to reduce a gate leak current of the Schottky gate electrode.例文帳に追加

III族窒化物半導体層上にショットキゲート電極を形成するとともに，ショットキゲート電極のゲートリーク電流の低減が図られた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

With this arrangement, even if the laminated gate insulating film is made to be very thin, a leak current flowing through the gate insulating film can be reduced, and the gate insulating film itself can be constituted of a high-permittivity film.例文帳に追加

この構成によれば、積層ゲート絶縁膜を極薄にしてもゲート絶縁膜のリーク電流を低減できると共に、ゲート絶縁膜自体を高誘電率膜によって構成できる。 - 特許庁

An AC-coupled charging capacitor 435 is coupled to the gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and is arranged in parallel with the gate current limiting resistor 445.例文帳に追加

ＡＣ結合充電コンデンサ４３５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、ゲート電流制限抵抗器４４５に並列に配置されている。 - 特許庁

The memory transistor comprises a gate insulation film 4 having such a thickness as to allow a tunnel current to flow, a floating gate electrode 5, an interelectrode insulation film 6, and a control gate electrode 7, while the select transistor comprises a gate insulation film 11 and a selection gate electrode 13.例文帳に追加

メモリトランジスタは、トンネル電流を流せる膜厚を有するゲート絶縁膜４と浮遊ゲート電極５と電極間絶縁膜６と制御ゲート電極７により構成され、セレクトトランジスタは、ゲート絶縁膜１１と選択ゲート電極１３とを有している。 - 特許庁

In this reference circuit having a current mirror circuit 1 and a MOS peaking current source 2, a back gate of a MOSFET M1 on an output side of the MOS peaking current source 2 is connected to a gate side of the MOSFET M1.例文帳に追加

カレントミラー回路１と、ＭＯＳピーキング電流源２とを備えたリファレンス回路において、ＭＯＳピーキング電流源２の出力側のＭＯＳＦＥＴ Ｍ１のバックゲートを当該ＭＯＳＦＥＴ Ｍ１のゲート側に接続した。 - 特許庁

Electric charges at the gate terminal are pulled out at a fixed current value by the current of the switchable current source 52, even when the gate voltage of the NMOS transistor 15 of the output buffer 8 varies within a range of variations of a threshold voltage Vth.例文帳に追加

前記ＳＷ機能付電流源５２の電流は、前記出力バッファ８のＮＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧が閾値電圧Ｖｔｈのばらつき範囲内でばらついても、一定の電流値でゲート端子の電荷を引き抜く。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a heterojunction field effect transistor that suppresses current collapse and reduces gate leakage current.例文帳に追加

電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The gate voltage of the transistor is controlled based on current-carrying voltage to change the internal resistance value, thereby constant current is output.例文帳に追加

本発明は、通電電圧に基づき、トランジスタのゲート電圧を制御して内部抵抗値を変えることにより、定電流を出力する。 - 特許庁

A MOS transistor 101 generates a gate voltage VG corresponding to a reference current Iref from a reference current source REF100.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０１は、基準電流源ＲＥＦ１００からの基準電流Ｉｒｅｆに応じたゲート電圧ＶＧを生成する。 - 特許庁

At this time, the current amplification factor is evaluated by multiplying a function expression of the gate voltage evaluated from an actually measured value of an original current amplification factor.例文帳に追加

この際に、元の電流増幅率に実測値から求めたゲート電圧の関数式を掛けることで、電流増幅率を求める。 - 特許庁

A voltage/current conversion part 103 is a circuit of a low-breakdown voltage system and generates an output current Iout corresponding to the gate voltage VG.例文帳に追加

電圧電流変換部１０３は、低耐圧系の回路であり、ゲート電圧ＶＧに応じた出力電流Ｉｏｕｔを生成する。 - 特許庁

The triac 32 switches and controls an AC current input in an AC/DC converter 40 according to the switched gate current.例文帳に追加

トライアック３２は、スイッチングされたゲート電流に応じてＡＣ／ＤＣコンバータ４０に入力される交流電流をスイッチング制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a dynamic threshold transistor that can reduce the leak current caused by the gate current.例文帳に追加

動的閾値トランジスタを含む半導体装置であって、ゲート電流が原因となるリーク電流を低減できるものを提供すること。 - 特許庁

The current control system 8 outputs a gate signal to the inverter 7 so as to obtain the torque current command value to which the torque ripple compensation value is included.例文帳に追加

電流制御系８では、トルクリプル補償値が加味されたトルク電流指令値になるようにインバータにゲート信号を出力する。 - 特許庁

Instead, a source-gate voltage of the pMOS transistor 10 is kept constant to limit a source-drain current within a constant current.例文帳に追加

代わりに、ｐMOSトランジスタ１０のソース・ゲート間電圧を一定に維持してソース・ドレイン間を流れる電流を一定電流以下に制限する。 - 特許庁

Generation of a leak current via the gate electrode 32 is reduced in the circumferential edge 64 of the active layer 21.例文帳に追加

ゲート電極32を介した活性層21の周縁部64でのリーク電流の発生が少なくなる。 - 特許庁