「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

By doing it this way, the discharge of the charge accumulated in the gate at turn-off of the p-channel MOSFET transistor Tr_u+ is performed via a current limiting resistor Ra.例文帳に追加

こうすることで、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ＋のターンオフの際のゲートに蓄積した電荷の放電は電流制限抵抗Ｒａを介して行なう。 - 特許庁

As the result, the leak current of MISFET is reduced to contrive the improvement of voltage resistance of the gate insulating film and the improvement of an information holding time of the dram memory cell.例文帳に追加

その結果、ＭＩＳＦＥＴのリーク電流を低減し、ゲート絶縁膜の耐圧の向上や、ＤＲＡＭメモリセルの情報保持時間の改善を図ることができる。 - 特許庁

To provide a technique capable of suppressing the generation of a through current in a semiconductor integrated circuit for driving an insulated gate semiconductor element.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体素子を駆動する半導体集積回路内において、貫通電流の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage insulated gate field effect type semiconductor device, which has high current driving ability, is easy to manufacture, is made compact, and is improved in electrostatic breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧絶縁ゲート電界効果型半導体装置において、高電流駆動能力を有し、製造しやすく小型にするとともに、静電耐圧の向上を図る。 - 特許庁

To provide a current load driving circuit which has large freedom of arrangement of each constituent element while minimizing deterioration of operational characteristics when it is constituted of a gate array or the like.例文帳に追加

ゲートアレイなどで構成する場合に、動作特性の低下をできるだけ抑制しつつ、各構成要素の配置の自由度が大きな電流負荷駆動回路の提供。 - 特許庁

The NMOS 154 has a gate controlled by a display voltage Vdata given from a reference voltage generation circuit 140 to draw an output current Iout from an output terminal OUT to a ground terminal GND.例文帳に追加

NMOS１５４は、基準電圧生成回路１４０から与えられる表示電圧Vdataによりゲート制御され、出力端子OUTからグランド端子GNDへ出力電流Ioutを引き込む。 - 特許庁

To suppress blocking of carrier conduction and reduction of on-current due to surface roughness on a boundary surface between a semiconductor film and a gate insulation film.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、半導体膜とゲート絶縁膜との界面に存在する表面粗さによる、キャリア伝導阻害・オン電流低下を、抑制することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, a crystal defect which generates a leak current is formed at the area near the junction area of the source/drain region of the transistor 17 connected to the gate of transfer transistor 13.例文帳に追加

さらに、転送用トランジスタ１３のゲートに接続されるトランジスタ１７のソース・ドレイン領域の接合近傍に、リーク電流が発生する結晶欠陥を形成する。 - 特許庁

An n-type offset layer 20 is formed at the site that serves as an electric current path provided by a trench gate electrode 16 between a channel formation region 10 and a drain region 13.例文帳に追加

ｎ型のオフセット層２０が、チャネル形成領域１０とドレイン領域１３との間のトレンチゲート電極１６による電流経路となる部位に形成されている。 - 特許庁

The current limiting circuit 92 includes a transistor 92a and FET 92b, and the collector terminal of the transistor 92a and the gate terminal of the FET 92b are electrically connected with each other.例文帳に追加

電流制限回路９２は、トランジスタ９２ａと、ＦＥＴ９２ｂとを備え、トランジスタ９２ａのコレクタ端子と、ＦＥＴ９２ｂのゲート端子が電気的に接続されている。 - 特許庁

This structure enables the ON-characteristics to be improved while inhibiting increase in forward voltage Vf and the recovery current of the diode when turning ON the gate.例文帳に追加

上記構造により、ゲートをオンさせる際に、ダイオードの順方向電圧Ｖｆおよびリカバリー電流の上昇を抑えつつ、オン特性を向上させることができる。 - 特許庁

If the current flowing through the free wheel diode FD is a predetermined value or more, the application of voltage on a gate of the power switching element Sw is forcibly stopped.例文帳に追加

そして、フリーホイールダイオードＦＤに流れる電流が規定値以上である場合には、パワースイッチング素子Ｓｗのゲートへの電圧の印加を強制的に停止する。 - 特許庁

In response to the input signal to the gate terminal; an actuator 4 connected to an actuator power source 5 is turned on, and current flows from the actuator 4 to the output stage driver 3.例文帳に追加

ゲート端子への入力信号に応じて、アクチュエータ用電源５に接続されたアクチュエータ４に通電され、アクチュエータ４から出力段ドライバ３に電流が流れる。 - 特許庁

The crystalline semiconductor layer is crystal grown directly from immediately above the gate insulating layer, so that the thin film transistor can have a high crystallization, a high on-current and a high field-effect mobility.例文帳に追加

ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。 - 特許庁

When the capacitor current Ic1 drops, the transistor Q2 is switched off; and a voltage Vgs between the gate and source of the transistor Q1 falls under a threshold voltage Vgs[th], and a transistor Q1 is switched off.例文帳に追加

コンデンサ電流Ｉc1が低下すると、トランジスタＱ２がオフし、トランジスタＱ１のゲート−ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧Ｖgs[th]未満となって、トランジスタＱ１がオフする。 - 特許庁

To reduce a gate current in driving and stabilize transition response characteristics of a transistor in a semiconductor device including the normally-off-type transistor using a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いたノーマリオフ型のトランジスタを備えた半導体装置において、駆動時のゲート電流を低減しつつ、トランジスタの過渡応答特性を安定させる。 - 特許庁

The first current mirror circuit includes a first transistor of a first channel which is an input side transistor, and a first resistor which impresses control voltage on a gate of the first transistor.例文帳に追加

第１カレントミラー回路は、入力側トランジスタである第１チャネルの第１トランジスタと、第１トランジスタのゲートに制御電圧を印加する第１抵抗とを備える。 - 特許庁

An output of the ripple extraction ratio improving circuit is connected to a back gate of a MOS transistor of a current mirror part of an error amplifier circuit or a MOS transistor of an input stage.例文帳に追加

誤差増幅回路のカレント・ミラー部のＭＯＳトランジスタ、もしくは入力段のＭＯＳトランジスタのバックゲートに、リップル除去率改善回路の出力を接続する。 - 特許庁

Temperature dependency of a gate current IG flowing to the JFET 32 in an ON state is utilized to easily calculate the temperature value of the JFET 32.例文帳に追加

さらに、オン状態のＪＦＥＴ３２に流れるゲート電流ＩＧの温度依存性を利用することによって、ＪＦＥＴ３２の温度の値を簡単に求めることができる。 - 特許庁

An operation point of the parasitic diode D2 is offset and the current is prevented from flowing by reducing the voltage Va using the capacitor C1 and supplying it to a back gate.例文帳に追加

すなわち、電圧ＶａをコンデンサＣ１によって小さくしてバックゲートに供給することにより、寄生ダイオードＤ２の動作点をずらして電流を流れにくくする。 - 特許庁

A drive transistor Trd receives the control voltage at a gate G and supplies the drive current Ids which flows between a source S and a drain D to a light emitting element EL.例文帳に追加

駆動トランジスタＴｒｄは、この制御電圧をゲートＧに受けてソースＳ／ドレインＤ間に流れる駆動電流Ｉｄｓを発光素子ＥＬに供給する。 - 特許庁

A CCD (200) includes an architecture of a clocked barrier pixel which has a two-phase gate structure and is effective to substantially reduce clocking-induced dark current.例文帳に追加

電荷結合デバイス（２００）は、２相ゲート構造を有し、クロック誘起の暗電流を本質的に低減するのに役立つクロック式障壁ピクセルのアーキテクチャを含む。 - 特許庁

The feedback circuit 260 is connected to the source 234 and the gate 232, and used for making the output voltage of the source 234 influencing the current supply nonlinear.例文帳に追加

ソース・フォロワ・フィードバック回路260は、ソース234とゲート232に結合され、電流の供給に影響を与えるソース234における出力電圧を非線形化するために使用される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Separating the main current path from the path for driving the gate allows the effect of a parasitic inductance to be reduced and the efficiency of voltage conversion to be enhanced.例文帳に追加

主電流経路とゲート駆動用経路とを分離して接続することにより、寄生インダクタンスの影響を低減し、電圧変換効率を向上することができる。 - 特許庁

The gate electrode 19 is provided to modulate a concentration of a two-dimensional electron gas 35 in the channel layer 15 provided on a side surface 25a of a current block layer 25.例文帳に追加

ゲート電極１９は、電流ブロック層２５の側面２５ａ上に設けられたチャネル層１５における二次元電子ガス３５の濃度を変調するように設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where the fluctuations in the current characteristics are suppressed by using a phase shift mask, especially, a Levenson mask for gate electrode working, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

ゲート電極加工に位相シフトマスク、特にレベンソンマスクを用い、電流特性の変動を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A drive transistor Trd receives the control voltage Vgs through the gate and supplies a drive current Ids, flowing between the source and the drain to a light-emitting element EL to emit light.例文帳に追加

駆動トランジスタＴｒｄは制御電圧Ｖｇｓをゲートに受けてソース・ドレイン間に流れる駆動電流Ｉｄｓを発光素子ＥＬに供給して発光を行わせる。 - 特許庁

A threshold of the inverter amplifier IV100 is adjusted as a value so that the transfer gate TG1 does not become an off state and current flows at the time of low voltage.例文帳に追加

インバータアンプＩＶ１００の閾値は、低電圧時において、トランスファゲートＴＧ１がオフ状態になって、電流が流れなくならないような値に調整されている。 - 特許庁

To improve a driving current, while suppressing an increase in parasitic resistance in an MISFET using a high dielectric film as a gate insulating film.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜に高誘電体膜を用いてなるＭＩＳＦＥＴにおいて、寄生抵抗の増大を抑制しつつ、駆動電流を高くできるようにする。 - 特許庁

In the sense element region 18, a first emitter electrode 10, to which a sense current flowing through an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) element in the sense element region 18 flows, is formed.例文帳に追加

センス素子領域１８には、センス素子領域１８内のＩＧＢＴ素子を流れるセンス電流が流れ込む第１のエミッタ電極１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device capable of reducing variation in a dark current generated in regions below a plurality of gate electrodes while suppressing power consumption.例文帳に追加

消費電流を低減しながら、複数のゲート電極下の領域で発生する暗電流のばらつきを低減することが可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

When a cell leak current is small, as many electrons are left in a control gate, erasure voltage applied to a cell is made low and an electric field of a tunnel insulation film is suppressed.例文帳に追加

セルリーク電流が小さい時は，フローティングゲート中に多数の電子が残っているので，セルに印加する消去電圧を低くしてトンネル絶縁膜の電界を抑える。 - 特許庁

Then, when the voltage is applied to this gate terminal G, the source and the drain of the FET-2 become continuous in between, to allow a current to flow through the developing roller and the ground.例文帳に追加

そして、このゲート端子Ｇに電圧が印加されると、ＦＥＴ−２のソース−ドレイン間が導通して、現像ローラとグランドとの間に電流が流れるようにする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device and a method for manufacturing the compound semiconductor device capable of reducing contact resistance while suppressing an increase in a gate leakage current and a fall in output.例文帳に追加

ゲートリーク電流の増加及び出力の低下を抑制しながら、コンタクト抵抗を低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first transistors are so connected as to control a current between the first terminal and a node of reference potential according to a voltage applied to the gate thereof.例文帳に追加

前記第１のトランジスタは、そのゲートに与えられる電圧に応じて、前記第１の端子と基準電位のノードとの間の電流を制御するように接続されている。 - 特許庁

The triac control circuit 50 feeds a voltage that corresponds to a rush current at the start of the motor to the gate terminal G, and makes the triac 40 conductive at the start of the motor.例文帳に追加

トライアック制御回路５０は、モータ起動時の突入電流に応答した電圧をゲート端子Ｇに供給し、モータの起動時にトライアック４０を導通させる。 - 特許庁

To provide a load drive circuit that performs high speed operation with low current consumption while performing breakdown voltage protection between the gate and source of a field effect transistor for driving a load.例文帳に追加

負荷駆動用の電界効果トランジスタのゲートソース間の耐圧保護をしつつ低消費電流で高速動作可能な負荷駆動回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

A current flowing through the shunt resistor 20 flows to a gate of an IGBT as a load 10 via a first switching element 35 in a drive circuit 30.例文帳に追加

シャント抵抗２０に流れる電流は、駆動回路３０内の第１スイッチング素子３５を介して負荷１０であるＩＧＢＴのゲートに流れるようになっている。 - 特許庁

To provide a highly reliable organic transistor having less tunnel leak current by forming a high-quality gate insulation film which is dense and has high insulation resistance.例文帳に追加

緻密かつ絶縁耐性が強い高品質なゲート絶縁膜を形成し、トンネルリーク電流が少ない信頼性の高い有機トランジスタを提案することを目的とする。 - 特許庁

And, a gate electrode 17 and a source electrode 18 are disposed so as to allow the current flowing along an off-cut direction to be dominant in a channel area 14.例文帳に追加

そして、チャネル領域１４において、オフカット方向に沿って流れる電流が支配的となるようにゲート電極１７やソース電極１８が配置されている。 - 特許庁

To provide a single crystal thin film, semiconductor device for suppressing short-channel effect in short gate length that can be achieved by a current manufacturing technology.例文帳に追加

現在の製造技術で実現可能な、短いゲート長において短チャネル効果の抑制が可能な単結晶薄膜形半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To reduce current consumption and to improve an operation frequency when plural gate circuits scattered in a semiconductor integrated circuit are selectively driven by a buffer circuit.例文帳に追加

半導体集積回路内に散在する複数のゲート回路をバッファ回路で選択的に駆動する際の消費電流の低減と動作周波数の向上とを図る。 - 特許庁

After the transfer of national capital to the city of Heian-kyo (the ancient capital of Japan in current Kyoto), Toba no Tsukurimichi (Toba New Road) was constructed by extending Suzaku-oji Street directly from the south of Rajo-mon Gate, and the road connected to the Yodo-gawa River System at Toba. 例文帳に追加

平安京遷都以後、朱雀大路を羅城門から真南に延長した鳥羽作道が作られ、その道は鳥羽で淀川水系と接した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Thus, the voltage between the gates and sources of NMOS 31, 32 in the output part 30 is increased and even with narrow gate width, the large output current can flow.例文帳に追加

これにより、出力部３０のＮＭＯＳ３１，３２のゲート・ソース間電圧が大きくなり、ゲート幅が狭くても大きな出力電流を流すことが可能になる。 - 特許庁