「gate-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

A starting period of the gate width (integration processing time) is delayed (mask) by a predetermined period from a generation starting period of ion current, that is, a rising time of the induced noise (processing delaying part 90).例文帳に追加

また、ゲート幅（積分処理期間）の開始時期をイオン電流の発生開始時期、即ち誘導ノイズの立ち上がり時点から所定の期間だけ遅延（マスク）させる（処理遅延部９０）。 - 特許庁

Even when the gate electrode 24 is applied with a relatively high voltage, the forward current flowing a p-n junction comprising a body region and a source region is limited by the resistant part 25.例文帳に追加

ゲート電極２４に比較的高電圧が印加されても、ボディ領域とソース領域とで構成されるｐｎ接合に流れる順方向電流は抵抗部５２によって制限される。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device equipped with pixels such that a leak current of a TFT element in a non-scanning period (data holding period) is suppressed and the gate insulating film is prevented from being broken.例文帳に追加

非走査期間（データ保持期間）におけるＴＦＴ素子のリーク電流抑制およびゲート絶縁膜の破壊防止を図った画素を備えた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In an N-channel type thin-film transistor in the peripheral circuit, a gate electrode and a high resistance impurity region are overlapped to suppress the deterioration due to a hot carrier and increase an ON-state current.例文帳に追加

周辺回路のＮチャネル型薄膜トランジスタは、ゲート電極と高抵抗不純物領域をオーバーラップさせて、ホットキャリヤによる劣化を抑制し、オン電流を増加させる構成とする。 - 特許庁

The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.例文帳に追加

また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁

The gate drive circuit is provided with the connection line of a diode (48) for feeding a current from the base side to the drain side of a PNP transistor (46) when the drain potential in an MOS-FET becomes lower than the source potential.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴにおけるドレイン電位がソース電位より低くなると、ＰＮＰトランジスタ（46）のベース側からドレイン側へ電流を流すダイオード（48）の接続ラインが設けられている。 - 特許庁

To reduce a switching loss while suppressing occurrence of a current surge and a noise at a turning on time of an insulated gate type semiconductor switching element and to prolong a lifetime of the element.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体スイッチング素子のターンオン時における電流サージ及びノイズの発生を抑制しつつ、スイッチング損失を低減すると共に、素子寿命を延ばすこと。 - 特許庁

When an N-type MOS transistor 28 goes into a second breakdown state by a gate voltage from a second circuit 33, a current for melting the fuse device 22 is made to flow.例文帳に追加

そのヒューズ素子２２を溶断するための電流を、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２８が第２の回路部３３からのゲート電圧によってセカンドブレークダウンの状態になったときに流す。 - 特許庁

To provide a three-phase induction motor driving apparatus capable of safely supplying collective gate signals using a single DC current source to triacs of a main circuit of a three-phase induction motor.例文帳に追加

単一の直流電源にて三相誘導電動機主回路のトライアックに一括のゲート信号を安全に供給できる三相誘導電動機駆動装置を提供することである。 - 特許庁

The reference potential of a scan line WS connected to the gate of an input transistor Tr1 is adjusted so that no leak current may flow through the input transistor Tr1 which should be in an off state.例文帳に追加

ここでオフ状態にあるべき入力トランジスタＴｒ１を通ってリーク電流が流れないように、そのゲートに接続する走査線ＷＳの基準電位を調整する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor capable of preventing the occurrence of a cross hatch on the surface of a laminate structure to eliminate a manufacturing problem, and of reducing a current leak on a gate electrode part.例文帳に追加

積層構造表面のクロスハッチの発生を防止して製造上の問題をなくしかつゲート電極部での電流リークを抑制できる電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

In a method of reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

At this time, the aging condition can be found easily, without changing the wave form of the input signal since the scanning current is continuously changed by changing the value of the gate voltage Vg.例文帳に追加

このとき、ゲート電圧Ｖｇの値を変化させると走査電流が連続的に変化するので、入力信号の波形を変えずにエージング条件を簡単に求めることができる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate and an active matrix type liquid crystal display device for simultaneously suppressing a back gate effect and the fluctuation of the characteristics of a thin film transistor due to an optical leakage current.例文帳に追加

バックゲート効果及び光リーク電流による薄膜トランジスタの特性の変動を同時に抑制する、薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

When gate voltage Vg and drain voltage Vd are applied, a source current Is is made to flow in the writing stop discriminating circuit 22, an integration circuit 23 opens a switch 27 and integrates it.例文帳に追加

ゲート電圧Ｖｇ及びドレイン電圧Ｖｄが印加されると、ソース電流Ｉｓが書込停止判定回路２２に流れ込み、積分回路２３はスイッチ２７を開放してこれを積算する。 - 特許庁

To constitute a semiconductor device into a structure, wherein a turn-off breakdown at the edge part of a pressure contact region at the time of breaking a current is hardly generated and failure of a dielectric strength between a gate and an emitter at this edge is hard to occur.例文帳に追加

電流遮断時の加圧接触領域のエッジ部でのターンオフ破壊が生じ難く、また、このエッジ部でのゲート／エミッタ間の絶縁耐圧不良が起こり難い構造とする。 - 特許庁

Field effect transistor channel mobility and gate leakage current results are improved when the power source is smooth-varying modulated, as compared to square-wave modulated.例文帳に追加

電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 - 特許庁

To provide a structure in which current hardly concentrates to the boundary part between IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and diode at the time of diode recovery action, in a semiconductor device equipped with diode-built-in IGBTs.例文帳に追加

ダイオード内蔵ＩＧＢＴ素子を備えた半導体装置において、ダイオードリカバリ動作時にＩＧＢＴとダイオードとの境界部に電流が集中しにくい構造を提供する。 - 特許庁

To take a large on/off ratio as a transistor and to prevent a hysteresis from occurring on a current value with respect to sweep of gate voltage or source-drain voltage.例文帳に追加

トランジスタとしてのｏｎ／ｏｆｆ比を大きくとることができるとともに、ゲート電圧あるいはソース−ドレイン電圧掃引に対して電流値にヒステリシスを生じることがないようにする。 - 特許庁

To secure the symmetry of current in a single cell by forming a drain region and a source region symmetrically about a gate electrode, regardless of the placing state of a wafer.例文帳に追加

ウエハの設置状態にかかわらず、ドレイン領域およびソース領域をゲート電極に対して対称に形成することにより、単一セルにおける電流の対称性を確保する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device and the same semiconductor device in order to manufacture a semiconductor device having improved reliability of a gate insulating film, and having higher current driving capability.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の信頼性を向上させ、高い電流駆動能力を有する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法とその半導体装置を提供する。 - 特許庁

LDD regions 128a to 128d not overlapped with the gate electrode are formed in a pixel TFT 304 which forms the pixel part to form a TFT structure with a low off current.例文帳に追加

また、画素部を形成する画素ＴＦＴ３０４にはゲート電極に重ならないＬＤＤ領域１２８a〜１２８dが配置され、低オフ電流値のＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

The insulated gate type bipolar transistor does not increase a first side current sharply even when it becomes the threshold voltage, and does not need to insert a diode, etc. into the secondary coil side.例文帳に追加

前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、スレッシュホールド電圧になっても、一次側電流を急激に増加させるようなことがなく、二次コイル側にダイオード等を挿入する必要がなくなる。 - 特許庁

As a composite of nanochips, that is in a microchip having a surface roughness of fine structure of nanoscale order discharging current is high, even under a low gate voltage, the power consumption can be reduced.例文帳に追加

ナノチップの集成体、即ちナノスケールの微細構造の表面粗度を有するマイクロチップは、低ゲート電圧下においても、放出電流が高いので、消費電力を減らすことができる。 - 特許庁

To provide an electron emission end coating method capable of surely carrying out coating of an electron emission end of a cold electron emission element, and well controlling electric current leak between a gate and an emitter.例文帳に追加

冷電子放出素子の電子放出端の被覆を確実に行うことができ、かつ、ゲート−エミッタ間の電流リークを良く抑制し得る電子放出端被覆方法を提供する。 - 特許庁

This permits a gate voltage of a NMOS7 to be reduced by a diode 14, thus positively turning off the NMOS7 before a current running into a secondary winding 2b of a transformer 2 becomes zero.例文帳に追加

これにより、ＮＭＯＳ７のゲート電圧がダイオード１４により減少し、トランス２の二次巻線２ｂに流れる電流がゼロになる前に、確実にＮＭＯＳ７をオフすることができる。 - 特許庁

Since the oxide semiconductor element has the gate insulation layer having the recess structure, various electric characteristics such as charge mobility, threshold voltage distribution, and operation current can be improved.例文帳に追加

酸化物半導体素子がリセス構造を有するゲート絶縁層を具備することによって、電荷移動度、閾値電圧分布、動作電流などの多様な電気的特性を向上させることができる。 - 特許庁

Thus, AC electric power source which swings at a fixed period is applied to the gate of the transistor to maintain normal current driving capability even if the transistor deteriorates.例文帳に追加

従って、トランジスターのゲートに一定周期にスイングするＡＣ電源を印加することによってトランジスターが劣化されても正常的な電流駆動能力を保持することができる。 - 特許庁

Thereafter, the triac drive section 8 sets the circuit path in response to the polarity of the gate current in a way of making a turn-on timing of the triac 1 constant to bring the triac 1 into an on state.例文帳に追加

その後、トライアック１のターンオンするタイミングが一定となるように、トライアック駆動部８がゲート電流の極性に応じて回路経路を設定し、トライアック１をオン状態にさせる。 - 特許庁

The battery control circuit 3 shuts off the gate current of the first thyristor S1 to turn off the first thyristor S1 when the battery side earth terminal Earth2 is detached from the ground.例文帳に追加

バッテリ制御回路３は、バッテリ側アース端子Ｅａｒｔｈ２が接地から外れた場合には、第１のサイリスタＳ１のゲート電流を遮断して、第１のサイリスタＳ１をオフする。 - 特許庁

A drain current of the FET amplifier 3 is controlled by using the converted voltage for the gate bias voltage of the FET amplifier 3 so as to optimize the spurious radiation of the FET amplifier 3.例文帳に追加

この変換された電圧をＦＥＴ増幅器３のゲートバイアスとして使用することによりＦＥＴ増幅器３のドレイン電流が制御されてスプリアスの最適化がなされる。 - 特許庁

In addition, the positions of a gas inlet and outlet are optimized and a gas flow rate and a gas exhaust rate are controlled, and thus the gate leakage current variations in the wafer surface can be reduced.例文帳に追加

また、ガス導入口と排気口の位置を最適化し、ガス流量及びガス排出量を制御することにより、ゲートリーク電流のウエハ面内バラツキを低減することができる。 - 特許庁

Even if a comparatively high voltage is applied to the gate electrode 24, a forward current flowing through a P-N junction composed of a body region and a source region is limited by the resistive part 52.例文帳に追加

ゲート電極２４に比較的高電圧が印加されても、ボディ領域とソース領域とで構成されるｐｎ接合に流れる順方向電流は抵抗部５２によって制限される。 - 特許庁

To prevent an erroneous readout and a leakage current from being generated even when a read-out column selection gate is turned ON at the time of writing data in the DRAM of a direct sense system which has I/O(input/ output) separation constitution.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ分離構成を有する直接センス方式のＤＲＡＭにおいて、データ書込時に読出コラム選択ゲートがオンになっても誤読出やリーク電流が生じないようにする。 - 特許庁

The voltage Vc1 meeting the data current Idata is generated in a node N and is held in a holding capacitor C 1 and is applied to the gate of the driving transistor Trd.例文帳に追加

このデータ電流Ｉｄａｔａに応じた電圧Ｖｃ１がノードＮに発生して、保持用キャパシタＣ１に保持されるとともに、駆動トランジスタＴｒｄのゲートに印加される。 - 特許庁

To provide a power gate circuit, a solid state image pickup element, and a camera system that can accurately suppress a rush current upon power application without causing an increase in area and a complication in control.例文帳に追加

面積の増大、制御の複雑化を招くことなく電源投入時のラッシュ電流を的確に抑制することが可能なパワーゲート回路、固体撮像素子およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

One of a source region and a drain region of an erasure TFT 105 is connected to a current supply line 108 and the other is connected to a gate signal line 106.例文帳に追加

消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。 - 特許庁

To prevent a bias point from fluctuating on gate current fluctuation caused by an input signal level or temperature change and further to operate an FET in all A, AB and B classes.例文帳に追加

入力信号レベルや温度変化で生ずるゲート電流変動によるバイアス点変動を防ぎ、更に、Ａ級，ＡＢ級及びＢ級のいずれでもＦＥＴを動作可能とする。 - 特許庁

Conductive portions of a backward loop of feedback from a current detector to a summing point and a forward loop of feedback from a summing point of current control to a gate terminal of a switching element, are packaged being hermetically sealed in a power module without being exposed to the outer atmosphere.例文帳に追加

本発明では、電流検出器から加算点までのフィードバックの後向きのループ、および電流制御の加算点から、スイッチング素子のゲート端子まで、前向きのループの導電部分を、外部の雰囲気に触れることなくパワーモジールの中に実装して密封する。 - 特許庁

Each pixel circuit P includes a capacitive element C including an electrode e1 and an electrode e2, a drive transistor TDR for generating a drive current IDR according to the potential VG of a gate connected to the electrode e1, and a light emitting element E for receiving a drive current IDR to emit light.例文帳に追加

各画素回路Ｐは、電極ｅ1および電極ｅ2を含む容量素子Ｃと、電極ｅ1に接続されたゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する駆動トランジスタＴDRと、駆動電流ＩDRの供給で発光する発光素子Ｅとを含む。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit for a power semiconductor device which quickly, surely and softly shuts down an element to prevent element destruction and suppress generation of noise when excess current and short circuit current flow.例文帳に追加

ゲート駆動回路１００にＩＧＢＴ１のゲート１ｄに蓄積された電荷を速やかに引く抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が小さいＭＳＩＮＫ８と緩やかに引き抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が大きいＭＳＯＦＴ７を設ける。 - 特許庁

A reverse current preventive diode is provided on the opposite side of the gate to the separate backup capacitor, so charges of the separate capacitor extracted to lower its potential are prevented when the ignition current is supplied from the backup capacitor to lower the potential of the capacitor.例文帳に追加

そして、該別のバックアップ用コンデンサの前記ゲートと反対の側に逆流防止用ダイオードを設け、前記バックアップ用コンデンサから点火電流が流れて該コンデンサの電位が低下した場合、別のコンデンサの電荷が引き抜かれてその電位が低下しないようにしている。 - 特許庁

On the other hand, when a negative current in a direction opposed to the ON-current flows in the output transistor QN1, the second transistor MN4a supplies a power source voltage supplied to a drain of the output transistor QN1 to the back gate of the first transistor MN2.例文帳に追加

一方、出力トランジスタＱＮ１においてオン電流の逆方向の負電流が流れている場合、第２トランジスタＭＮ４ａは、出力トランジスタＱＮ１のドレインに供給された電源電圧を第１トランジスタＭＮ２のバックゲートに供給する。 - 特許庁

A gate voltage of the MOS-FET 350 is controlled by an operation amplifier 370, and the control is performed by comparison between a potential S appearing on one end of the current detection resistance 360 and a potential T of a reference power source 380, and thereby a constant-current circuit is formed.例文帳に追加

そして、ＭＯＳ−ＦＥＴ３５０のゲート電圧をオペアンプ３７０で制御し、その制御を電流検出抵抗３６０の一端に現れる電位Ｓと、基準電源３８０の電位Ｔとの比較により行うことで、定電流回路を形成した。 - 特許庁

While the thyristor drive section 81 receives the pulse signal after that, a gate current with a magnitude required for turning on the thyristor 80 flows through the thyristor 80 to bring the thyristor 80 to a turn-on state, and the load current flows from a rectifier section 2 to the thyristor 80.例文帳に追加

その後、サイリスタ駆動部８１がパルス信号を受け取っている間、サイリスタ８０をターンオンさせるのに必要な大きさのゲート電流をサイリスタ８０に流すことによって、サイリスタ８０がオン状態になり、負荷電流が整流部２からサイリスタ８０に流れる。 - 特許庁