「impurity phase」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Photodiodes 21A, 21B, 21AA, 21BB constituted of a p-type semiconductor substrate 27 and n^+-type impurity domains 31 can output electric signals of the A-phase, the B-phase, the AA-phase and the BB-phase, respectively.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板２７とｎ^＋型の不純物領域３１とで構成されるフォトダイオード２１Ａ，２１Ｂ，２１ＡＡ，２１ＢＢは、それぞれ、Ａ相、Ｂ相、ＡＡ相、ＢＢ相の電気信号の出力が可能である。 - 特許庁

The illuminant is composed of only a base material and an activator, and has no impurity phase and high purity.例文帳に追加

さらに、母体物質と付活剤とのみから形成され、不純物相を有さず、高純度である。 - 特許庁

In this case, a chemical equilibrium is formed to the impurity element by mixing a compound gas containing the impurity element for controlling the threshold value in the atmosphere, to prevent the impurity element from escaping into a gaseous phase.例文帳に追加

その際、雰囲気中に前記しきい値制御のための不純物元素を含む化合物ガスを混合することで、該不純物元素にとって化学的な平衡状態を形成し、該不純物元素が気相中へと離脱するのを防止する。 - 特許庁

The highly pure quarts fiber is, for example, a vapor phase synthesized glass fiber, including no impurity and having a high tensile strength.例文帳に追加

高純度石英ファイバは、例えば気相合成したガラスファイバであり、不純物を含まず、高い抗張力を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

To provide an estimation method of a highly-volatile impurity component concentration in a liquid phase of liquified gas stored in a container.例文帳に追加

容器内に貯蔵された液化ガスの液相中の易揮発性の不純物成分濃度の推定方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a surface channel layer 5 is formed by crystallizing the amorphous layer 40 while capturing the impurity through solid phase growth.例文帳に追加

その後、固相成長により、不純物を取り込ませつつアモルファス層４０を結晶化させて表面チャネル層５を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid phase growing device and a liquid phase growing method using the same, with which epitaxial layers can be formed in the same lot, while reducing dispersion of impurity concentration.例文帳に追加

同一ロット内において不純物濃度のばらつきの少ないエピタキシャル層が形成できる液相成長装置及びそれを使用した液相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for vapor phase deposition that improve the uniformity in film thickness and impurity concentration over the whole surface of a vapor phase deposited film formed on a wafer.例文帳に追加

ウェハ上に成膜される気相成長膜の全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a liquid phase epitaxial capable of removing an oxide film and an impurity on the surface of a substrate to a minimum.例文帳に追加

基板表面の酸化膜及び不純物を最小限に除去できる液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an impurity free quartz film with a simple process, and capable of obtaining the quartz film of low temperature phase.例文帳に追加

簡単な工程で、不純物を含まず低温相からなる水晶膜を得ることが可能な水晶膜の製造方法の提供。 - 特許庁

In addition, the particles are allowed to pass through the gas phase of a diffusion source in order to form a surface layer by doping the impurity into the surface of the particles.例文帳に追加

さらにその粒子の表面に、不純物をドープして表面層を形成するために、拡散源の気相中を通過させる。 - 特許庁

The laser also has impurity-diffused areas 111 formed on the end faces of the laser by performing solid-phase Zn diffusion for forming the end-face window structures.例文帳に追加

１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域である。 - 特許庁

To provide a technique for forming an impurity low-density drift area nearby the surface of a drift area without using a vapor-phase growing method.例文帳に追加

気相成長法を利用しないで、ドリフト領域の表面近傍に不純物低濃度ドリフト領域を形成する技術を提供する。 - 特許庁

To grow a silicon epitaxial layer by vapor phase in a steep impurity profile on the main surface of a silicon single crystal substrate doped at high concentration.例文帳に追加

高濃度にドープされたシリコン単結晶基板の主表面上に急峻な不純物プロファイルでシリコンエピタキシャル層を気相成長する。 - 特許庁

This method for removing impurities from the SrB_4O_7: Eu fluorescent substance comprises: adding the SrB_4O_7: Eu fluorescent substance containing an SrB_6O_10: Eu impurity phase to an acid solution; dissolving the SrB_6O_10: Eu impurity phase; and separating the fluorescent substance from the dissolved impurity.例文帳に追加

この課題を解決するために、本発明は、ＳｒＢ_4Ｏ_7：Ｅｕ蛍光体から不純物を除去する方法において、ＳｒＢ_6Ｏ_10：Ｅｕ不純物相を含有するＳｒＢ_4Ｏ_7：Ｅｕ蛍光体を酸性溶液に添加し、該ＳｒＢ_6Ｏ_10：Ｅｕ不純物相を溶解させ、そして該溶解した不純物から蛍光体を分離することを含む、ＳｒＢ_4Ｏ_7：Ｅｕ蛍光体から不純物を除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase doping apparatus and a method with which in-plane uniformity in an impurity diffused layer having a shallow joint can be improved.例文帳に追加

浅い接合の不純物拡散層の面内均一性を向上させることができる気相ドーピング装置および気相ドーピング方法を提供する。 - 特許庁

To remove an undesirable impurity phase lowering the intensity of UV light emission of an SrB_4O_7: Eu fluorescent substance from the fluorescent substance.例文帳に追加

ＵＶ発光ＳｒＢ_4Ｏ_7：Ｅｕ蛍光体の発光強度を低下させる望ましくない不純物相を該蛍光体から除去することを課題とする。 - 特許庁

Preferably, the method further comprises a step of adding a plurality of p-type impurities together with the n-type impurity at the time of vapor phase growing, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

好ましくは、気相成長時にｎ形不純物と共に、複数のｐ形不純物を添加してｐ形リン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

The winding chip inductor is provided with a ferrite core and a coil wound on the ferrite core, the ferrite core including: a ferrite phase comprising N-Cu-Zn ferrite; a Zn_2SiO_4 phase comprising Zn_2SiO_4; and an impurity phase comprising unavoidable impurities.例文帳に追加

この発明は、フェライトコアと、該フェライトコアに巻回されているコイルとを備え、該フェライトコアが、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなるフェライト相と、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４からなるＺｎ_２ＳｉＯ_４相と、不可避不純物からなる不純物相とからなることを特徴とするものである。 - 特許庁

The catheter is constituted of a metallic tubular body including a substrate part and a tip end part, which are formed with the same wire made of the alloy of Cu-Al-Mn and obligatory impurity element, and partially having the compatible phase tissue of two-layer structures, i.e., an α phase and a β phase.例文帳に追加

カテーテルであって、その金属管状体がＣｕ−Ａｌ−Ｍｎおよび不可避不純物元素から構成された合金からなる同一線で形成された基質部と先端部とを持ち、その少なくとも一部にα相とβ相の２層構造の混相組織を備えている。 - 特許庁

In the online impurity removal device, a column filled with bead-shaped activated carbon is connected to a channel desired spot between a moving phase storage tank and an injector, in liquid chromatography using a polar solvent as the moving phase.例文帳に追加

移動相として極性溶媒を使用する液体クロマトグラフィーにおいて、ビーズ状活性炭が充填されたカラムを、移動相貯槽とインジェクターの間の流路所望箇所に連結したことを特徴とするオンライン不純物除去装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing chlorine by oxidizing hydrogen chloride after removing carbon monoxide as an impurity with oxygen in a catalytic gas phase reaction.例文帳に追加

不純物である一酸化炭素を除去した後の塩化水素を用いて、酸素との接触気相反応によって酸化させて塩素を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a washing solution used in a separating and refining method of a nucleic acid including a step for absorbing the nucleic acid into a solid phase composed of an organic polymer having a hydroxy group on the surface and desorbing the nucleic acid from the solid phase and capable of washing away only impurity nonspecifically absorbed to the solid phase without detaching the nucleic acid absorbed in the solid phase.例文帳に追加

表面に水酸基を有する有機高分子から成る固相に核酸を吸着及び脱着させる工程を含む核酸の分離精製方法において使用するための、固相に吸着された核酸を脱着させることなく固相に非特異的に吸着された不純物だけを洗い流すことができる洗浄液を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁

For the fuel cell system having a fuel cell (17) and filters (6, 7) removing impurity ion contained in the water supplied to the fuel cell, an electrochemical filter composed of a cooling water phase side electrode (2) and an absorption phase side electrode (4) having and an ion absorption phase (3), is used as the ion removing filter.例文帳に追加

燃料電池（１７）と、燃料電池に供給される冷却水中の不純物イオンを除去するフィルタ（６、７）とを備える燃料電池システムにおいて、イオン除去フィルタとして冷却水相側の電極（２）とイオン吸着相（３）を備えた吸着相側電極（４）からなる電気化学式フィルタを用いる。 - 特許庁

In a heat treating method of P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal, a heat cycle heat treatment for repeating sudden heating treatment and sudden cooling treatment is performed on the P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal formed by growing it by an metal organic vapor phase deposition method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により成長して成るｐ型不純物ドープ窒化ガリウム系化合物半導体結晶を急熱処理、急冷処理を繰り返すヒートサイクル熱処理することを特徴とするＰ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法にある。 - 特許庁

To reduce ionized impurity density of a p-type CdTe thick film layer made into a radiation absorption layer in a radiation detector formed by metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法により作成する放射線検出器において、放射線吸収層とするｐ型CdTe厚膜層のイオン化不純物密度を低減することを提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the gallium nitride system semiconductor, after a gallium nitride system compound semiconductor layer, where the p-type impurity is doped is grown by the vapor phase epitaxy method, the gallium nitride system compound semiconductor where the p-type impurity is doped is converted into the p-type gallium nitride system compound semiconductor by annealing the gallium nitride system compound semiconductor layer where the p-type impurity is doped.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をアニーリングを行うことにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体とする。 - 特許庁

A high pressure phase substance is obtained by mixing a metal powder having a purity of 99.8% or higher and a content of each impurity component to be an acid-insoluble component of 50 ppm or lower with a low pressure phase substance, pressure molding the mixture, and subjecting the molded mixture to impact compacting treatment.例文帳に追加

高圧相物質は、純度が９９．８％以上で酸不溶分となる不純物成分が各々５０ｐｐｍ以下である金属粉末に低圧相物質を混合し、その混合物を加圧成形後、衝撃圧縮処理を施すことにより得られる。 - 特許庁

Due to the existence of the resistivity region 6, an inversion phase is hardly generated during reverse biasing and the value of leak current can be made small, without having to increase the impurity concentration of the high resistivity region 4.例文帳に追加

この低比抵抗領域６の存在によって、逆バイアス時に反転相が形成され難くなり、高比抵抗領域４の不純物濃度を上げずに漏れ電流の値を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing active material particles having little impurity for a nonaqueous electrolyte secondary battery comprising a compound of alkali metal-iron-fluorophosphate by using a simple solid phase method with high reproducibility.例文帳に追加

簡便な固相法を用いて、再現性よく、不純物の少ない、フッ化リン酸鉄アルカリ金属化合物からなる非水電解質二次電池用活物質粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To realize source drain diffusing layer by extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution which cannot be realized in the conventional solid-phase growth with the liquid phase growth without giving any adverse effect on the gate electrode and also realize low power consumption, large current and high-speed operation of an ultra-fine semiconductor device.例文帳に追加

従来の固相成長では実現不可能な極浅矩形高濃度不純物分布によるソース・ドレイン拡散層をゲート電極に影響を及ぼすことなく液相成長により実現させ、超微細半導体装置の低消費電力、大電流化、および高速動作化を実現させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the toner comprises forming an organic phase containing a toner composition including at least a colorant and emulsifying or dispersing the organic phase in an aqueous medium to perform pelletization, in which the concentration of the impurity metal ions derived from the colorant in the aqueous medium is confined to ≤50 ppm.例文帳に追加

少なくとも、着色剤を含むトナー組成物を含有する有機相を形成し、該有機相を水系媒体中で乳化又は分散させて造粒するトナーの製造方法において、前記水系媒体中の、前記着色剤由来の不純物金属イオン濃度は、５０ｐｐｍ以下にする。 - 特許庁

In the analyzing method of residual agricultural chemicals in crude oil before refining, a water washing process and a PSA solid-phase column treatment process are added to a pretreatment process and the polar impurity component is removed by the water washing process while the fatty acid is removed by a PSA solid-phase column treatment process.例文帳に追加

精製前粗油中残留農薬分析法は、前処理工程に水洗浄工程とＰＳＡ固相カラム処理工程を加えるものであり、水洗浄工程によって極性の夾雑成分を除去し、ＰＳＡ固相カラム処理によって脂肪酸を除去する。 - 特許庁

In the high carrier concentration region, a laminated structure, composed of the n-type or p-type impurity layer and a group IV semiconductor layer which are successively repeatedly laminated by vapor phase growth, for example, is formed.例文帳に追加

高キャリア濃度領域は例えば気相成長により順次繰返して積層されるｎ型またはｐ型いずれかの一方の不純物層とIV族半導体層とからなる積層構造の形成により行なわれる。 - 特許庁

Further, the second cBN sintered compact contains 70 to 99.5 vol.% of cBN, wherein the remaining part comprises a bond phase and an inevitable impurity, a half-value width of the diffraction peak of a face (331) of cBN measured by X-ray diffraction is 1.35 deg or more.例文帳に追加

また、第二のcBN焼結体は、cBNを70体積％以上99.5体積％以下含有し、残部が結合相及び不可避不純物からなり、Ｘ線回折によるcBNの（331）面の回折ピークの半価幅が1.35deg以上である。 - 特許庁

The first cBN sintered compact contains 70 to 99.5 vol.% of cBN, wherein the remaining part comprises a bond phase and an inevitable impurity, a residual stress measured by X-ray diffraction of a face (220) of cBN is -40 MPa or less.例文帳に追加

第一のcBN焼結体は、cBNを70体積％以上99.5体積％以下含有し、残部が結合相及び不可避不純物からなり、cBNの（220）面のＸ線回折により測定した残留応力が-40MPa以下である。 - 特許庁

Source and drain regions of the Fin structure field effect transistor are formed by solid phase diffusion positively using impurity injection after the formation of a contact hole 13 and the ooz-out of impurities from a polysilicon contact plug 14.例文帳に追加

Ｆｉｎ構造電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域を、コンタクトホール１３形成後の不純物注入とポリシリコンコンタクトプラグ１４からの不純物染み出しを積極的に利用し、固相拡散により形成する。 - 特許庁

To obtain in high yield an alkoxysilane useful for e.g. coating materials by reaction between metallic silicon particles and an alcohol in a vapor phase while fluidizing the metallic silicon particles and medium particles in a mixed state so as to entirely obviate such problems as impurity contamination and enable reaction temperature and reactivity to be uniformly controlled.例文帳に追加

反応溶媒に関わる煩雑な工程や不純物の混入等の問題が一切なく、反応層内の温度や反応性を均一に制御することが容易で、効率よくアルコキシシランを製造する。 - 特許庁

To provide a method for vapor phase oxidation comprising conducting an exothermic reaction using a shell-and-tube type reactor for e.g. producing ethylene oxide by vapor phase oxidation of ethylene through suppressing the formation of by-products such as aldehydes as impurities to a minimum so as to enable the objective high-purity oxidation product of low impurity content to be obtained.例文帳に追加

エチレンの気相酸化によるエチレンオキシドの製造などの発熱反応をシェルアンドチューブ式反応器を用いて実施するにあたり、アルデヒドなどの不純物の副生を可及的に抑制して、不純物含量の少ない高純度の目的酸化生成物を製造し得るようにした気相酸化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of isolating and refining cubic spinel-type silicon nitride, by which unreacted low pressure phase silicon nitride contained in the cubic spinel-type silicon nitride as an impurity can be separated and the purity of the cubic spinel-type silicon nitride can be heightened.例文帳に追加

立方晶スピネル型窒化ケイ素中に含まれる不純物としての未反応の低圧相窒化ケイ素を効率良く分離、精製して純度を高めることができる立方晶スピネル型窒化ケイ素の分離、精製方法を提供する。 - 特許庁

A processed layer pattern 4 is formed using an alternating phase shift mask, then ion implantation of an impurity is selectively carried out in the unnecessary pattern 4b to increase an etching rate of the unnecessary pattern 4b, after which the unnecessary pattern 4b is etched away.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクを用いて被加工層パターン４を形成した後、不要パターン４ｂに選択的に不純物をイオン注入して不要パターン４ｂのエッチングレートを上げた後に、不要パターン４ｂをエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method for collectively separating platinum group elements at a high extracting ratio from an aq. soln. in which many impurity elements are coexistent while preventing deterioration in an organic phase by solvent extraction even if the concn. of free hydrochloric acid is low.例文帳に追加

多くの不純物元素の共存する水溶液から、遊離塩酸濃度が低くても、溶媒抽出により、有機相の劣化を防止しつつ、白金族元素を集合的に且つ高い抽出率で分離する方法を提供する。 - 特許庁

Such an arrangement can adjust a flow rate of the process gas to be supplied to the whole surface on which a vapor phase deposited film of the wafer 105 is formed, improving the uniformity in film thickness and impurity concentration over the whole surface of the wafer 105.例文帳に追加

これにより、ウェハ１０５の気相成長膜が成膜される全面に供給するプロセスガスの流量を調整し、ウェハ１０５全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させることができる。 - 特許庁